JP3513500B2 - 基板検査方法及び基板検査装置 - Google Patents
基板検査方法及び基板検査装置Info
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- JP3513500B2 JP3513500B2 JP2001335440A JP2001335440A JP3513500B2 JP 3513500 B2 JP3513500 B2 JP 3513500B2 JP 2001335440 A JP2001335440 A JP 2001335440A JP 2001335440 A JP2001335440 A JP 2001335440A JP 3513500 B2 JP3513500 B2 JP 3513500B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板検査方法及び
基板検査装置に関し、より詳細には、走査型電子顕微鏡
装置を用いて基板の検査を行う基板検査方法及び基板検
査装置に関する。
基板検査装置に関し、より詳細には、走査型電子顕微鏡
装置を用いて基板の検査を行う基板検査方法及び基板検
査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路等の微細化、高集
積化が進展する傾向にあり、その製造における歩留まり
等のプロセス管理がこれまで以上に重要となってきてい
る。このようなプロセス管理においては、半導体基板上
に形成されたチップの素子パターン上の欠陥を検出する
ために、例えばＤＲ−ＳＥＭ（Defect Review Scannnin
g Electron Microscope）といった検査装置が使用され
る。
積化が進展する傾向にあり、その製造における歩留まり
等のプロセス管理がこれまで以上に重要となってきてい
る。このようなプロセス管理においては、半導体基板上
に形成されたチップの素子パターン上の欠陥を検出する
ために、例えばＤＲ−ＳＥＭ（Defect Review Scannnin
g Electron Microscope）といった検査装置が使用され
る。
【０００３】かかるＤＲ−ＳＥＭを用いた基板検査方法
では、まず電子ビームの焦点合わせを行う。電子ビーム
の焦点合わせは、図９に示すように、検査対象領域Ｓ内
で行われ、その際、検査効率の向上を図るために検査対
象領域Ｓの一部領域Ｆを用いて行われる。次に、焦点合
わせされた電子ビームにより半導体基板上の検査対象領
域Ｓを走査し、出射される二次電子を検出して検査対象
領域Ｓの検査画像情報を取得する。そして、取得された
検査画像情報と基準となる比較画像情報とに基づいて、
検査対象領域Ｓの欠陥Ｄの再検出を行う。
では、まず電子ビームの焦点合わせを行う。電子ビーム
の焦点合わせは、図９に示すように、検査対象領域Ｓ内
で行われ、その際、検査効率の向上を図るために検査対
象領域Ｓの一部領域Ｆを用いて行われる。次に、焦点合
わせされた電子ビームにより半導体基板上の検査対象領
域Ｓを走査し、出射される二次電子を検出して検査対象
領域Ｓの検査画像情報を取得する。そして、取得された
検査画像情報と基準となる比較画像情報とに基づいて、
検査対象領域Ｓの欠陥Ｄの再検出を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の基板検査方法では、電子ビームの焦点合わせを
検査対象領域Ｓ内で行っていたため、半導体基板を収容
する真空室に残留する炭化水素系のガス分子が電子ビー
ムの照射部位に凝集し堆積して、コンタミネーションが
生じることがあった。このコンタミネーションが発生し
た部位からは、下地に依存して二次電子が放出されにく
くなったり、二次電子が放出され易くなったりするた
め、図１０（ａ）に示すように、検査画像情報に基づい
て生成した検査画像内には白黒のコントラストが生じ、
これが欠陥と誤検出されて半導体基板の検査精度が低下
するという問題があった。図１０（ａ）に示すＳＥＭ写
真では、中央に見えるコンタミネーションが発生した領
域から二次電子が放出され易くなり、その領域が白く写
っている。
た従来の基板検査方法では、電子ビームの焦点合わせを
検査対象領域Ｓ内で行っていたため、半導体基板を収容
する真空室に残留する炭化水素系のガス分子が電子ビー
ムの照射部位に凝集し堆積して、コンタミネーションが
生じることがあった。このコンタミネーションが発生し
た部位からは、下地に依存して二次電子が放出されにく
くなったり、二次電子が放出され易くなったりするた
め、図１０（ａ）に示すように、検査画像情報に基づい
て生成した検査画像内には白黒のコントラストが生じ、
これが欠陥と誤検出されて半導体基板の検査精度が低下
するという問題があった。図１０（ａ）に示すＳＥＭ写
真では、中央に見えるコンタミネーションが発生した領
域から二次電子が放出され易くなり、その領域が白く写
っている。
【０００５】また、焦点合わせのときに電子ビームが照
射された部位にはチャージアップが生じることがあっ
た。このチャージアップにより二次電子の放出に影響が
出るため、図１０（ｂ）に示すように、検査画像情報に
基づいて生成した検査画像内に白黒のコントラストが生
じ、これが欠陥と誤検出されて半導体基板の検査精度が
低下するという問題があった。図１０（ｂ）に示すＳＥ
Ｍ写真では、中央に見えるチャージアップが発生した領
域が黒く写っている。
射された部位にはチャージアップが生じることがあっ
た。このチャージアップにより二次電子の放出に影響が
出るため、図１０（ｂ）に示すように、検査画像情報に
基づいて生成した検査画像内に白黒のコントラストが生
じ、これが欠陥と誤検出されて半導体基板の検査精度が
低下するという問題があった。図１０（ｂ）に示すＳＥ
Ｍ写真では、中央に見えるチャージアップが発生した領
域が黒く写っている。
【０００６】かかる問題を解決すべく、電子ビームの焦
点合わせを検査対象領域Ｓの全体で行うことも考えられ
るが、この場合は検査画像内でパターン間の白黒のコン
トラスト差が小さくなるため、欠陥の検出率が低下する
と共に、スループットが低下するため、検査効率が低下
するという問題があった。
点合わせを検査対象領域Ｓの全体で行うことも考えられ
るが、この場合は検査画像内でパターン間の白黒のコン
トラスト差が小さくなるため、欠陥の検出率が低下する
と共に、スループットが低下するため、検査効率が低下
するという問題があった。
【０００７】本発明は、以上の問題点を解決するために
なされたものであり、基板の検査精度を向上することが
可能な基板検査方法及び基板検査装置を提供することを
目的とする。
なされたものであり、基板の検査精度を向上することが
可能な基板検査方法及び基板検査装置を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板検査方
法は、走査型電子顕微鏡装置を用いた基板検査方法であ
る。この方法は、（１）電子ビームにより基板上の検査
対象領域を走査して、検査対象領域の検査画像情報を取
得する工程と、（２）検査画像情報と基準となる比較画
像情報とに基づいて、検査対象領域の状態を解析する工
程と、を備える。そして、検査画像情報を取得するとき
に用いられる電子ビームの焦点合わせは、検査対象領域
外であって検査対象領域の近傍で行われることを特徴と
する。
法は、走査型電子顕微鏡装置を用いた基板検査方法であ
る。この方法は、（１）電子ビームにより基板上の検査
対象領域を走査して、検査対象領域の検査画像情報を取
得する工程と、（２）検査画像情報と基準となる比較画
像情報とに基づいて、検査対象領域の状態を解析する工
程と、を備える。そして、検査画像情報を取得するとき
に用いられる電子ビームの焦点合わせは、検査対象領域
外であって検査対象領域の近傍で行われることを特徴と
する。
【０００９】この方法では、検査画像情報を取得すると
きに用いられる電子ビームの焦点合わせを、検査対象領
域外であって検査対象領域の近傍で行っているため、検
査対象領域内でコンタミネーションやチャージアップが
生じるおそれがない。よって、取得された検査画像情報
に基づいて生成された検査画像内には、かかるコンタミ
ネーションやチャージアップによる白黒のコントラスト
が生じることがなく、欠陥の誤検出が低減されて基板の
検査精度が向上される。
きに用いられる電子ビームの焦点合わせを、検査対象領
域外であって検査対象領域の近傍で行っているため、検
査対象領域内でコンタミネーションやチャージアップが
生じるおそれがない。よって、取得された検査画像情報
に基づいて生成された検査画像内には、かかるコンタミ
ネーションやチャージアップによる白黒のコントラスト
が生じることがなく、欠陥の誤検出が低減されて基板の
検査精度が向上される。
【００１０】本発明に係る基板検査方法では、基板上に
は所定パターンを有する複数のチップが形成されてお
り、複数のチップのうちいずれかのチップに含まれる所
定領域を検査対象領域としてもよい。このようにすれ
ば、基板上に形成された複数のチップに含まれる検査対
象領域が検査される。
は所定パターンを有する複数のチップが形成されてお
り、複数のチップのうちいずれかのチップに含まれる所
定領域を検査対象領域としてもよい。このようにすれ
ば、基板上に形成された複数のチップに含まれる検査対
象領域が検査される。
【００１１】また本発明に係る基板検査方法では、検査
対象領域を含むチップに隣接するチップの検査対象領域
に対応する領域を比較対象領域とし、電子ビームにより
比較対象領域を走査して比較画像情報を取得する工程を
備える。そして、比較画像情報を取得するときに用いら
れる電子ビームの焦点合わせは、比較対象領域外であっ
て比較対象領域の近傍で行われることを特徴としてもよ
い。このようにすれば、基体上のいずれかのチップに含
まれる検査対象領域の検査画像情報と、それに隣接する
チップに含まれる比較対象領域の比較画像情報とに基づ
いて、検査対象領域の状態が解析される。このとき、比
較画像情報を取得するときに用いられる電子ビームの焦
点合わせを、比較対象領域外であって比較対象領域の近
傍で行っているため、比較対象領域内でコンタミネーシ
ョンやチャージアップが生じるおそれがない。よって、
取得された比較画像情報に基づいて生成された比較画像
内には、かかるコンタミネーションやチャージアップに
よる白黒のコントラストが生じることがなく、欠陥の誤
検出が低減されて基板の検査精度が向上される。
対象領域を含むチップに隣接するチップの検査対象領域
に対応する領域を比較対象領域とし、電子ビームにより
比較対象領域を走査して比較画像情報を取得する工程を
備える。そして、比較画像情報を取得するときに用いら
れる電子ビームの焦点合わせは、比較対象領域外であっ
て比較対象領域の近傍で行われることを特徴としてもよ
い。このようにすれば、基体上のいずれかのチップに含
まれる検査対象領域の検査画像情報と、それに隣接する
チップに含まれる比較対象領域の比較画像情報とに基づ
いて、検査対象領域の状態が解析される。このとき、比
較画像情報を取得するときに用いられる電子ビームの焦
点合わせを、比較対象領域外であって比較対象領域の近
傍で行っているため、比較対象領域内でコンタミネーシ
ョンやチャージアップが生じるおそれがない。よって、
取得された比較画像情報に基づいて生成された比較画像
内には、かかるコンタミネーションやチャージアップに
よる白黒のコントラストが生じることがなく、欠陥の誤
検出が低減されて基板の検査精度が向上される。
【００１２】本発明に係る基板検査方法では、複数のチ
ップの各々は、ＳＡＭＯＳ構造を有する素子を含むこと
を特徴としてもよい。フラッシュメモリなどのＳＡＭＯ
Ｓ（stacked gate avalanche injection Metal Oxide S
emiconductor）構造を有する素子では、電子ビームの照
射によりチャージアップが生じ易いことを発明者は見出
した。このチャージアップにより検査対象領域内からの
二次電子の放出に影響が出るため、検査画像情報に基づ
いて生成した検査画像内に白黒のコントラストが生じ、
これを欠陥と誤検出してしまうおそれがある。これに対
し、この方法では検査画像情報を取得するときに用いら
れる電子ビームの焦点合わせを、検査対象領域外であっ
て検査対象領域の近傍で行っているため、検査対象領域
内でチャージアップが生じるおそれがない。よって、取
得された検査画像情報に基づいて生成された検査画像内
には、かかるチャージアップによる白黒のコントラスト
が生じることがなく、欠陥の誤検出が低減されて基板の
検査精度が向上される。
ップの各々は、ＳＡＭＯＳ構造を有する素子を含むこと
を特徴としてもよい。フラッシュメモリなどのＳＡＭＯ
Ｓ（stacked gate avalanche injection Metal Oxide S
emiconductor）構造を有する素子では、電子ビームの照
射によりチャージアップが生じ易いことを発明者は見出
した。このチャージアップにより検査対象領域内からの
二次電子の放出に影響が出るため、検査画像情報に基づ
いて生成した検査画像内に白黒のコントラストが生じ、
これを欠陥と誤検出してしまうおそれがある。これに対
し、この方法では検査画像情報を取得するときに用いら
れる電子ビームの焦点合わせを、検査対象領域外であっ
て検査対象領域の近傍で行っているため、検査対象領域
内でチャージアップが生じるおそれがない。よって、取
得された検査画像情報に基づいて生成された検査画像内
には、かかるチャージアップによる白黒のコントラスト
が生じることがなく、欠陥の誤検出が低減されて基板の
検査精度が向上される。
【００１３】本発明に係る基板検査装置は、本発明に係
る基板検査方法の実施に好適なものである。すなわち、
本発明に係る基板検査装置は、（１）基板上の所定領域
に電子ビームを照射し、出射される二次電子を検出する
走査型電子顕微鏡装置と、（２）走査型電子顕微鏡装置
により検出された二次電子の検出量に基づいて、所定領
域の画像情報を生成する画像処理装置と、（３）基板上
の一の領域の画像情報と基準となる画像情報とに基づい
て、一の領域の状態を解析する解析装置と、（４）所定
領域の画像情報を取得するときに用いられる電子ビーム
の焦点合わせを、所定領域外であって所定領域の近傍で
行うように、走査型電子顕微鏡装置を制御する制御装置
と、を備える。
る基板検査方法の実施に好適なものである。すなわち、
本発明に係る基板検査装置は、（１）基板上の所定領域
に電子ビームを照射し、出射される二次電子を検出する
走査型電子顕微鏡装置と、（２）走査型電子顕微鏡装置
により検出された二次電子の検出量に基づいて、所定領
域の画像情報を生成する画像処理装置と、（３）基板上
の一の領域の画像情報と基準となる画像情報とに基づい
て、一の領域の状態を解析する解析装置と、（４）所定
領域の画像情報を取得するときに用いられる電子ビーム
の焦点合わせを、所定領域外であって所定領域の近傍で
行うように、走査型電子顕微鏡装置を制御する制御装置
と、を備える。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る基板検査方法及び基板検査装置の好適な実施形態
について詳細に説明する。なお、図面の説明において同
一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致し
ていない。
に係る基板検査方法及び基板検査装置の好適な実施形態
について詳細に説明する。なお、図面の説明において同
一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致し
ていない。
【００１５】図１は、本実施形態に係る基板検査装置の
構成を概略的に示す図である。この基板検査装置は、い
わゆるＤＲ−ＳＥＭ（Defect Review Scannning Electr
on Microscope）と呼ばれる欠陥再検出装置である。図
示の通り、基板検査装置１０は走査型電子顕微鏡装置
（ＳＥＭ装置）１２と、ＳＥＭ装置１２の制御やデータ
の解析を行う制御ユニット１４と、外部入力装置１６
と、外部モニタ１７と、を備えている。
構成を概略的に示す図である。この基板検査装置は、い
わゆるＤＲ−ＳＥＭ（Defect Review Scannning Electr
on Microscope）と呼ばれる欠陥再検出装置である。図
示の通り、基板検査装置１０は走査型電子顕微鏡装置
（ＳＥＭ装置）１２と、ＳＥＭ装置１２の制御やデータ
の解析を行う制御ユニット１４と、外部入力装置１６
と、外部モニタ１７と、を備えている。
【００１６】ＳＥＭ装置１２は、走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）１８と、半導体基板（基板）２０を支持するステ
ージ２２と、ＳＥＭ１８及びステージ２２を収容する真
空室２４とを有している。ＳＥＭ１８は、電子ビームを
出射する電子銃２６と、電子銃２６から出射された電子
ビームの照射位置を制御する走査コイル２８と、電子ビ
ームの焦点合わせを行うための対物レンズ２９と、電子
ビームの照射により半導体基板２０から出射される二次
電子を検出する二次電子検出部３０と、を含んでいる。
なお、二次電子検出部３０は真空室２４内であってＳＥ
Ｍ１８の外部に設けられていてもよい。ステージ２２
は、半導体基板２０の位置決めを行うべく、ＸＹ方向に
変位可能である。
ＥＭ）１８と、半導体基板（基板）２０を支持するステ
ージ２２と、ＳＥＭ１８及びステージ２２を収容する真
空室２４とを有している。ＳＥＭ１８は、電子ビームを
出射する電子銃２６と、電子銃２６から出射された電子
ビームの照射位置を制御する走査コイル２８と、電子ビ
ームの焦点合わせを行うための対物レンズ２９と、電子
ビームの照射により半導体基板２０から出射される二次
電子を検出する二次電子検出部３０と、を含んでいる。
なお、二次電子検出部３０は真空室２４内であってＳＥ
Ｍ１８の外部に設けられていてもよい。ステージ２２
は、半導体基板２０の位置決めを行うべく、ＸＹ方向に
変位可能である。
【００１７】制御ユニット１４は、制御解析部３２、画
像処理部３４、及びメモリ３６，３８を含んでいる。制
御解析部３２は、メモリ３８と電気的に接続されてお
り、このメモリ３８は外部入力装置１６と電気的に接続
されている。外部入力装置１６は、ＳＥＭ装置１２によ
る撮像の条件を入力したり、半導体基板２０上の検査を
行う位置の座標データを入力したりするために使用され
る。この外部入力装置１６から入力されたデータは、メ
モリ３８に記憶される。
像処理部３４、及びメモリ３６，３８を含んでいる。制
御解析部３２は、メモリ３８と電気的に接続されてお
り、このメモリ３８は外部入力装置１６と電気的に接続
されている。外部入力装置１６は、ＳＥＭ装置１２によ
る撮像の条件を入力したり、半導体基板２０上の検査を
行う位置の座標データを入力したりするために使用され
る。この外部入力装置１６から入力されたデータは、メ
モリ３８に記憶される。
【００１８】また制御解析部３２は、ＳＥＭ装置１２の
ステージ２２と電気的に接続されている。制御解析部３
２は、メモリ３８から読み出した座標データに基づい
て、ステージ２２を駆動制御するための信号を生成す
る。このステージ制御信号はステージ２２に送出され、
この信号に基づいてステージ２２が駆動制御されて半導
体基板２０の位置決めが行われる。
ステージ２２と電気的に接続されている。制御解析部３
２は、メモリ３８から読み出した座標データに基づい
て、ステージ２２を駆動制御するための信号を生成す
る。このステージ制御信号はステージ２２に送出され、
この信号に基づいてステージ２２が駆動制御されて半導
体基板２０の位置決めが行われる。
【００１９】また制御解析部３２は、ＳＥＭ１８と電気
的に接続されている。より詳細には、制御解析部３２
は、ＳＥＭ１８の二次電子検出部３０と電気的に接続さ
れている。制御解析部３２は、二次電子を検出する際の
サンプリング周波数を制御するための信号を生成する。
このサンプリング周波数制御信号は、二次電子検出部３
０に送出され、二次電子のサンプリング周期が制御され
る。ここで、同じ広さの領域を走査するときに、サンプ
リング周波数を大きくすればサンプリング周期が短くな
って使用画素数が増大し、またサンプリング周波数を小
さくすればサンプリング周期が長くなって使用画素数が
減少する。
的に接続されている。より詳細には、制御解析部３２
は、ＳＥＭ１８の二次電子検出部３０と電気的に接続さ
れている。制御解析部３２は、二次電子を検出する際の
サンプリング周波数を制御するための信号を生成する。
このサンプリング周波数制御信号は、二次電子検出部３
０に送出され、二次電子のサンプリング周期が制御され
る。ここで、同じ広さの領域を走査するときに、サンプ
リング周波数を大きくすればサンプリング周期が短くな
って使用画素数が増大し、またサンプリング周波数を小
さくすればサンプリング周期が長くなって使用画素数が
減少する。
【００２０】また制御解析部３２は、ＳＥＭ１８の電子
銃２６と電気的に接続されている。制御解析部３２は、
電子銃２６の図示しないアノードに印可する加速電圧を
制御するための信号を生成する。この加速電圧制御信号
は電子銃２６に送出され、電子銃２６から出射される二
次電子の加速電圧が制御される。
銃２６と電気的に接続されている。制御解析部３２は、
電子銃２６の図示しないアノードに印可する加速電圧を
制御するための信号を生成する。この加速電圧制御信号
は電子銃２６に送出され、電子銃２６から出射される二
次電子の加速電圧が制御される。
【００２１】また制御解析部３２は、ＳＥＭ１８の対物
レンズ２９と電気的に接続されている。制御解析部３２
は、対物レンズ２９を制御して電子ビームの焦点を制御
するための信号を生成する。この焦点制御信号は対物レ
ンズ２９に送出され、電子ビームの焦点合わせが行われ
る。
レンズ２９と電気的に接続されている。制御解析部３２
は、対物レンズ２９を制御して電子ビームの焦点を制御
するための信号を生成する。この焦点制御信号は対物レ
ンズ２９に送出され、電子ビームの焦点合わせが行われ
る。
【００２２】また制御解析部３２は、ＳＥＭ１８の走査
コイル２８と電気的に接続されている。制御解析部３２
は、走査コイル２８を制御して電子ビームの照射位置を
制御するための信号を生成する。この照射位置制御信号
は走査コイル２８に送出され、電子ビームの照射位置が
制御される。所定領域の画像情報を取得するとき、この
照射位置制御信号には、例えば図２（ａ），（ｂ）に示
すように、Ｘ方向の走査を制御する三角波とＹ方向の走
査を制御するステップ波とが含まれる。三角波の振幅を
制御することで、図２（ｃ）に示すように、電子ビーム
によるＸ方向の走査幅ΔＸを制御することができる。ま
たステップ波のステップ幅を制御することで、図２
（ｃ）に示すように、電子ビームによるＹ方向の走査間
隔ΔＹを制御することができる。
コイル２８と電気的に接続されている。制御解析部３２
は、走査コイル２８を制御して電子ビームの照射位置を
制御するための信号を生成する。この照射位置制御信号
は走査コイル２８に送出され、電子ビームの照射位置が
制御される。所定領域の画像情報を取得するとき、この
照射位置制御信号には、例えば図２（ａ），（ｂ）に示
すように、Ｘ方向の走査を制御する三角波とＹ方向の走
査を制御するステップ波とが含まれる。三角波の振幅を
制御することで、図２（ｃ）に示すように、電子ビーム
によるＸ方向の走査幅ΔＸを制御することができる。ま
たステップ波のステップ幅を制御することで、図２
（ｃ）に示すように、電子ビームによるＹ方向の走査間
隔ΔＹを制御することができる。
【００２３】ここで本実施形態に係る基板検査装置１０
では、図３に示すように、制御解析部（制御装置）３２
は、所定領域Ｔ（検査対象領域Ｓあるいは比較対照領域
Ｒ）の画像情報を取得する前に、電子ビームの焦点合わ
せを、所定領域Ｔ外であって所定領域Ｔの近傍で行うよ
うに、電子ビームの照射位置を制御する。この「所定領
域の近傍」とは、走査コイル２８を制御することで電子
ビームを振ることが可能な範囲を指す。このように走査
コイル２８を制御して電子ビームを振るようにすれば、
スループットへの影響が抑制される。ここで、半導体基
板２０の微小な反りが存在する場合などを考慮すると、
「所定領域の近傍」とは、図３に示すように、所定領域
Ｔと焦点合わせ領域Ｆとの間の距離Ｌを用いて、０μｍ
≦Ｌ≦２０μｍであると好ましく、１μｍ≦Ｌ≦１０μ
ｍであるとより好ましい。このような範囲で焦点合わせ
を行うようにすれば、電子ビームの焦点合わせ時のコン
タミネーションやチャージアップの影響、及び焦点精度
への影響が抑制される。
では、図３に示すように、制御解析部（制御装置）３２
は、所定領域Ｔ（検査対象領域Ｓあるいは比較対照領域
Ｒ）の画像情報を取得する前に、電子ビームの焦点合わ
せを、所定領域Ｔ外であって所定領域Ｔの近傍で行うよ
うに、電子ビームの照射位置を制御する。この「所定領
域の近傍」とは、走査コイル２８を制御することで電子
ビームを振ることが可能な範囲を指す。このように走査
コイル２８を制御して電子ビームを振るようにすれば、
スループットへの影響が抑制される。ここで、半導体基
板２０の微小な反りが存在する場合などを考慮すると、
「所定領域の近傍」とは、図３に示すように、所定領域
Ｔと焦点合わせ領域Ｆとの間の距離Ｌを用いて、０μｍ
≦Ｌ≦２０μｍであると好ましく、１μｍ≦Ｌ≦１０μ
ｍであるとより好ましい。このような範囲で焦点合わせ
を行うようにすれば、電子ビームの焦点合わせ時のコン
タミネーションやチャージアップの影響、及び焦点精度
への影響が抑制される。
【００２４】また制御解析部（解析装置）３２は、メモ
リ３６に記憶された半導体基板２０上の検査対象領域Ｓ
の検査画像データと、基準となる比較画像データとに基
づいて、検査対象領域Ｓにおける欠陥を再検出する。具
体的には、検査画像データと比較画像データとの差分を
求め、この差分により検査対象領域Ｓにおける欠陥を再
検出する。この制御解析部３２は外部モニタ１７と接続
されており、制御解析部３２における解析の結果は画面
上で確認することができる。
リ３６に記憶された半導体基板２０上の検査対象領域Ｓ
の検査画像データと、基準となる比較画像データとに基
づいて、検査対象領域Ｓにおける欠陥を再検出する。具
体的には、検査画像データと比較画像データとの差分を
求め、この差分により検査対象領域Ｓにおける欠陥を再
検出する。この制御解析部３２は外部モニタ１７と接続
されており、制御解析部３２における解析の結果は画面
上で確認することができる。
【００２５】画像処理部３４は、ＳＥＭ１８の二次電子
検出部３０と電気的に接続されている。この画像処理部
３４は、二次電子検出部３０から受け取った検出データ
を処理し、サンプリング周波数に応じた画素数の画像デ
ータを生成する。生成された画像データは、メモリ３６
に送出され記憶される。
検出部３０と電気的に接続されている。この画像処理部
３４は、二次電子検出部３０から受け取った検出データ
を処理し、サンプリング周波数に応じた画素数の画像デ
ータを生成する。生成された画像データは、メモリ３６
に送出され記憶される。
【００２６】次に、上記した基板検査装置を用いた本実
施形態に係る基板検査方法について、図４に示すフロー
チャートを参照して説明する。ここで本実施形態では、
半導体基板２０上に所定のランダムロジックパターンを
有する複数のチップが形成されている場合の検査方法に
ついて説明する。
施形態に係る基板検査方法について、図４に示すフロー
チャートを参照して説明する。ここで本実施形態では、
半導体基板２０上に所定のランダムロジックパターンを
有する複数のチップが形成されている場合の検査方法に
ついて説明する。
【００２７】まず、外部入力装置１６から半導体基板２
０上の検査対象領域Ｓに関する複数の座標データをメモ
リ３８に入力する（ステップＳ０）。この座標データ
は、他の光学系計測装置により予め計測され、詳細な検
査が必要とされた半導体基板２０上の領域の座標を示す
データである。例えば、図５に示すように、半導体基板
２０上のｎ番目のチップに検査したい領域Ｓが存在する
場合、座標データは（Ｘｎ，Ｙｎ）で表される。
０上の検査対象領域Ｓに関する複数の座標データをメモ
リ３８に入力する（ステップＳ０）。この座標データ
は、他の光学系計測装置により予め計測され、詳細な検
査が必要とされた半導体基板２０上の領域の座標を示す
データである。例えば、図５に示すように、半導体基板
２０上のｎ番目のチップに検査したい領域Ｓが存在する
場合、座標データは（Ｘｎ，Ｙｎ）で表される。
【００２８】次に、制御解析部３２において、半導体基
板２０上の検査対象領域Ｓに関する一の座標データ（Ｘ
ｎ，Ｙｎ）をメモリ３８から読み出す。そして、図５に
示すように、制御解析部３２において半導体基板２０上
の検査対象領域Ｓを含むｎ番目のチップに隣接するいず
れかのチップ、例えば（ｎ−１）番目のチップの、検査
対象領域Ｓに対応する比較対象領域Ｒに関する座標デー
タ（Ｘｎ−１，Ｙｎ−１）を算出する。これは、半導体
基板２０上に形成された複数のチップには同じパターン
が形成されているため、ｎ番目のチップの座標（Ｘｎ，
Ｙｎ）で示される検査対象領域Ｓの検査のために、（ｎ
−１）番目のチップの座標（Ｘｎ−１，Ｙｎ−１）で示
される領域を比較対象領域Ｒとして使用するものであ
る。そして、算出した座標データ（Ｘｎ−１，Ｙｎ−
１）に基づいてステージ２２を駆動制御する信号を生成
し、この信号に基づいてステージ２２を駆動制御して半
導体基板２０の位置決めを行う（ステップＳ１）。な
お、比較画像情報を取得するために利用するチップは、
ｎ番目のチップを取り囲むチップの中から選択すると好
ましい。このようにすれば、ステージ２２の移動距離が
少なくて済むため、スループットの向上が図られる。
板２０上の検査対象領域Ｓに関する一の座標データ（Ｘ
ｎ，Ｙｎ）をメモリ３８から読み出す。そして、図５に
示すように、制御解析部３２において半導体基板２０上
の検査対象領域Ｓを含むｎ番目のチップに隣接するいず
れかのチップ、例えば（ｎ−１）番目のチップの、検査
対象領域Ｓに対応する比較対象領域Ｒに関する座標デー
タ（Ｘｎ−１，Ｙｎ−１）を算出する。これは、半導体
基板２０上に形成された複数のチップには同じパターン
が形成されているため、ｎ番目のチップの座標（Ｘｎ，
Ｙｎ）で示される検査対象領域Ｓの検査のために、（ｎ
−１）番目のチップの座標（Ｘｎ−１，Ｙｎ−１）で示
される領域を比較対象領域Ｒとして使用するものであ
る。そして、算出した座標データ（Ｘｎ−１，Ｙｎ−
１）に基づいてステージ２２を駆動制御する信号を生成
し、この信号に基づいてステージ２２を駆動制御して半
導体基板２０の位置決めを行う（ステップＳ１）。な
お、比較画像情報を取得するために利用するチップは、
ｎ番目のチップを取り囲むチップの中から選択すると好
ましい。このようにすれば、ステージ２２の移動距離が
少なくて済むため、スループットの向上が図られる。
【００２９】次に、電子ビームの焦点合わせを行う（ス
テップＳ２）。電子ビームの焦点合わせは、図３に示す
ように、制御解析部３２からの信号に基づいて、走査コ
イル２８を制御することにより、比較対象領域Ｒ外であ
って比較対象領域Ｒの近傍に電子ビームを照射しなが
ら、対物レンズ２９を制御して行う。
テップＳ２）。電子ビームの焦点合わせは、図３に示す
ように、制御解析部３２からの信号に基づいて、走査コ
イル２８を制御することにより、比較対象領域Ｒ外であ
って比較対象領域Ｒの近傍に電子ビームを照射しなが
ら、対物レンズ２９を制御して行う。
【００３０】次に、制御解析部３２により走査コイル２
８を制御して、焦点合わせされた電子ビームにより比較
対象領域Ｒを走査して、所定のサンプリング周期で二次
電子を検出する。そして、検出した二次電子量に関する
データを画像処理部３４に送出し、ここで画像処理を施
して比較対象領域Ｒの比較画像情報を取得する（ステッ
プＳ３）。そして、取得した比較対象領域Ｒの比較画像
情報を、メモリ３６に記憶させる。
８を制御して、焦点合わせされた電子ビームにより比較
対象領域Ｒを走査して、所定のサンプリング周期で二次
電子を検出する。そして、検出した二次電子量に関する
データを画像処理部３４に送出し、ここで画像処理を施
して比較対象領域Ｒの比較画像情報を取得する（ステッ
プＳ３）。そして、取得した比較対象領域Ｒの比較画像
情報を、メモリ３６に記憶させる。
【００３１】次に、ステップＳ１で読み出した座標デー
タ（Ｘｎ，Ｙｎ）に基づいて、ステージ２２を駆動制御
する信号を生成し、この信号に基づいてステージ２２を
駆動制御して半導体基板２０の位置決めを行う（ステッ
プＳ４）。
タ（Ｘｎ，Ｙｎ）に基づいて、ステージ２２を駆動制御
する信号を生成し、この信号に基づいてステージ２２を
駆動制御して半導体基板２０の位置決めを行う（ステッ
プＳ４）。
【００３２】次に、電子ビームの焦点合わせを行う（ス
テップＳ５）。電子ビームの焦点合わせは、図３に示す
ように、制御解析部３２からの信号に基づいて、走査コ
イル２８を制御することにより、検査対象領域Ｓ外であ
って検査対象領域Ｓの近傍に電子ビームを照射しなが
ら、対物レンズ２９を制御して行う。
テップＳ５）。電子ビームの焦点合わせは、図３に示す
ように、制御解析部３２からの信号に基づいて、走査コ
イル２８を制御することにより、検査対象領域Ｓ外であ
って検査対象領域Ｓの近傍に電子ビームを照射しなが
ら、対物レンズ２９を制御して行う。
【００３３】次に、制御解析部３２により走査コイル２
８を制御して、焦点合わせされた電子ビームにより検査
対象領域Ｓを走査して、所定のサンプリング周期で二次
電子を検出する。そして、検出した二次電子量に関する
データを画像処理部３４に送出し、ここで画像処理を施
して検査対象領域Ｓの検査画像情報を取得する（ステッ
プＳ６）。そして、取得した検査対象領域Ｓの検査画像
情報を、メモリ３６に記憶させる。
８を制御して、焦点合わせされた電子ビームにより検査
対象領域Ｓを走査して、所定のサンプリング周期で二次
電子を検出する。そして、検出した二次電子量に関する
データを画像処理部３４に送出し、ここで画像処理を施
して検査対象領域Ｓの検査画像情報を取得する（ステッ
プＳ６）。そして、取得した検査対象領域Ｓの検査画像
情報を、メモリ３６に記憶させる。
【００３４】次に、制御解析部３２において、メモリ３
６から検査画像情報と比較画像情報とを読み出し、両者
の差分を求め、これにより検査対象領域Ｓにおける欠陥
Ｄを再検出する（ステップＳ７）。すなわち、図６
（ａ）に示す検査対象領域Ｓ及び図６（ｂ）に示す比較
対象領域Ｒの画像情報を比較することで、検査対象領域
Ｓ内に存在する欠陥Ｄを再検出する。
６から検査画像情報と比較画像情報とを読み出し、両者
の差分を求め、これにより検査対象領域Ｓにおける欠陥
Ｄを再検出する（ステップＳ７）。すなわち、図６
（ａ）に示す検査対象領域Ｓ及び図６（ｂ）に示す比較
対象領域Ｒの画像情報を比較することで、検査対象領域
Ｓ内に存在する欠陥Ｄを再検出する。
【００３５】次に、図６（ａ）に示すように、必要に応
じて検査対象領域Ｓ内の欠陥が存在する部位の拡大像Ｇ
を撮像してもよい。なお、このときは電子ビームの焦点
は合っているため、再び焦点合わせを行うことは必ずし
も必要ではない。
じて検査対象領域Ｓ内の欠陥が存在する部位の拡大像Ｇ
を撮像してもよい。なお、このときは電子ビームの焦点
は合っているため、再び焦点合わせを行うことは必ずし
も必要ではない。
【００３６】次に、すべての検査対象領域Ｓについて欠
陥の再検出が終了したか否かを判定する（ステップＳ
８）。すべての検査対象領域Ｓについて欠陥の再検出が
終了していない場合は、ステップＳ１に戻って残りの検
査対象領域Ｓについての欠陥の再検出を行う。そして、
すべての検査対象領域Ｓについて欠陥の再検出が終了す
ると、半導体基板２０の検査を終了する。
陥の再検出が終了したか否かを判定する（ステップＳ
８）。すべての検査対象領域Ｓについて欠陥の再検出が
終了していない場合は、ステップＳ１に戻って残りの検
査対象領域Ｓについての欠陥の再検出を行う。そして、
すべての検査対象領域Ｓについて欠陥の再検出が終了す
ると、半導体基板２０の検査を終了する。
【００３７】以上、本実施形態に係る基板検査方法で
は、検査対象領域Ｓの検査画像情報を取得するときに用
いられる電子ビームの焦点合わせを、検査対象領域Ｓ外
であって検査対象領域Ｓの近傍で行っているため、検査
対象領域Ｓ内でコンタミネーションやチャージアップが
生じるおそれがない。よって、取得された検査画像情報
に基づいて生成された検査画像内には、かかるコンタミ
ネーションやチャージアップによる白黒のコントラスト
が生じることがない。また比較対象領域Ｒの比較画像情
報を取得するときに用いられる電子ビームの焦点合わせ
も、比較対象領域Ｒ外であって比較対象領域Ｒの近傍で
行っているため、比較対象領域Ｒ内でコンタミネーショ
ンやチャージアップが生じるおそれがない。よって、取
得された比較画像情報に基づいて生成された比較画像内
には、かかるコンタミネーションやチャージアップによ
る白黒のコントラストが生じることがない。このよう
に、検査対象領域Ｓの検査画像内及び比較対象領域Ｒの
比較画像内にコンタミネーションやチャージアップによ
る白黒のコントラストが生じることがないため、欠陥Ｄ
の誤検出が低減されて半導体基板２０の検査精度の向上
を図ることが可能となる。
は、検査対象領域Ｓの検査画像情報を取得するときに用
いられる電子ビームの焦点合わせを、検査対象領域Ｓ外
であって検査対象領域Ｓの近傍で行っているため、検査
対象領域Ｓ内でコンタミネーションやチャージアップが
生じるおそれがない。よって、取得された検査画像情報
に基づいて生成された検査画像内には、かかるコンタミ
ネーションやチャージアップによる白黒のコントラスト
が生じることがない。また比較対象領域Ｒの比較画像情
報を取得するときに用いられる電子ビームの焦点合わせ
も、比較対象領域Ｒ外であって比較対象領域Ｒの近傍で
行っているため、比較対象領域Ｒ内でコンタミネーショ
ンやチャージアップが生じるおそれがない。よって、取
得された比較画像情報に基づいて生成された比較画像内
には、かかるコンタミネーションやチャージアップによ
る白黒のコントラストが生じることがない。このよう
に、検査対象領域Ｓの検査画像内及び比較対象領域Ｒの
比較画像内にコンタミネーションやチャージアップによ
る白黒のコントラストが生じることがないため、欠陥Ｄ
の誤検出が低減されて半導体基板２０の検査精度の向上
を図ることが可能となる。
【００３８】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れることなく種々の変更が可能である。
れることなく種々の変更が可能である。
【００３９】例えば、上記した実施形態では、半導体基
板２０上に所定のランダムロジックパターンを有する複
数のチップが形成されている場合の検査について説明し
た。本発明はこれに限られず、半導体基板上に形成され
たメモリ等の単一のセルパターンを有する複数のチップ
の検査や、他のパターンが形成された半導体基板の検査
にも適用することができる。
板２０上に所定のランダムロジックパターンを有する複
数のチップが形成されている場合の検査について説明し
た。本発明はこれに限られず、半導体基板上に形成され
たメモリ等の単一のセルパターンを有する複数のチップ
の検査や、他のパターンが形成された半導体基板の検査
にも適用することができる。
【００４０】ここで、半導体基板２０上に形成されたメ
モリ等の単一のセルパターンを有する複数のチップを検
査するときを考える。例えば、複数のチップの各々が、
ＳＡＭＯＳ構造を有する記憶素子を含んでいるとき、図
７（ａ）に示すように、検査対象領域Ｓ内の一部を焦点
合わせ領域Ｆとして利用する従来の基板検査方法では、
図７（ｂ）に示すように、電子ビームの照射によりチャ
ージアップが発生して、その領域Ｗが暗く写ってしま
う。この領域Ｗは、電子ビームが照射された領域のみに
留まらず、その幅で縦長に延びて存在することを発明者
は見出した。これに対し、本実施形態では、上述したよ
うに、検査対象領域Ｓ内及び比較対照領域Ｒ内でコンタ
ミネーションやチャージアップが生じるおそれがない。
よって、生成された検査画像内及び比較画像内には、か
かるコンタミネーションやチャージアップによる白黒の
コントラストが生じることがなく、欠陥Ｄの誤検出が低
減されて半導体基板２０の検査精度の向上を図ることが
可能となる。
モリ等の単一のセルパターンを有する複数のチップを検
査するときを考える。例えば、複数のチップの各々が、
ＳＡＭＯＳ構造を有する記憶素子を含んでいるとき、図
７（ａ）に示すように、検査対象領域Ｓ内の一部を焦点
合わせ領域Ｆとして利用する従来の基板検査方法では、
図７（ｂ）に示すように、電子ビームの照射によりチャ
ージアップが発生して、その領域Ｗが暗く写ってしま
う。この領域Ｗは、電子ビームが照射された領域のみに
留まらず、その幅で縦長に延びて存在することを発明者
は見出した。これに対し、本実施形態では、上述したよ
うに、検査対象領域Ｓ内及び比較対照領域Ｒ内でコンタ
ミネーションやチャージアップが生じるおそれがない。
よって、生成された検査画像内及び比較画像内には、か
かるコンタミネーションやチャージアップによる白黒の
コントラストが生じることがなく、欠陥Ｄの誤検出が低
減されて半導体基板２０の検査精度の向上を図ることが
可能となる。
【００４１】なお、ＳＡＭＯＳ構造を有する素子として
は、フラッシュメモリなどの記憶素子が挙げられる。フ
ラッシュメモリは、例えば図８に示すように、メモリセ
ルが１トランジスタ構成であるｎチャネル形チャネル注
入構造を有する。このメモリセルは、絶縁層５１を介し
て半導体基板５０上にフローティングゲート５２を備
え、さらに絶縁層５１を介してフローティングゲート５
２上にコントロールゲート５３を備える。そして、ゲー
ト領域５４の両サイドにソース領域５５及びドレイン領
域５６を備える。
は、フラッシュメモリなどの記憶素子が挙げられる。フ
ラッシュメモリは、例えば図８に示すように、メモリセ
ルが１トランジスタ構成であるｎチャネル形チャネル注
入構造を有する。このメモリセルは、絶縁層５１を介し
て半導体基板５０上にフローティングゲート５２を備
え、さらに絶縁層５１を介してフローティングゲート５
２上にコントロールゲート５３を備える。そして、ゲー
ト領域５４の両サイドにソース領域５５及びドレイン領
域５６を備える。
【００４２】かかるメモリセルが二次元状に配列形成さ
れたフラッシュメモリなどの記憶素子では、フローティ
ングゲート５２と絶縁層５１とコントロールゲート５３
とでコンデンサ領域が構成されるため、ＳＥＭ１８の焦
点合わせのために電子ビームが照射されると、かかるコ
ンデンサ領域に電荷が蓄積される。この電荷の蓄積によ
り、二次電子の放出に影響が出て、生成される画像内に
白黒のコントラストが生じると考えられる。図１０
（ｂ）は、かかるＳＡＭＯＳ構造を有する記憶素子のＳ
ＥＭ写真を示しており、横のラインがゲートライン１０
１を示し、縦のラインが拡散ライン１０３を示してい
る。そして、破線で囲んだ領域Ｐが１個のメモリセルに
対応し、このメモリセル内にゲート領域１０５、ソース
領域１０６、及びドレイン領域１０７が含まれている。
れたフラッシュメモリなどの記憶素子では、フローティ
ングゲート５２と絶縁層５１とコントロールゲート５３
とでコンデンサ領域が構成されるため、ＳＥＭ１８の焦
点合わせのために電子ビームが照射されると、かかるコ
ンデンサ領域に電荷が蓄積される。この電荷の蓄積によ
り、二次電子の放出に影響が出て、生成される画像内に
白黒のコントラストが生じると考えられる。図１０
（ｂ）は、かかるＳＡＭＯＳ構造を有する記憶素子のＳ
ＥＭ写真を示しており、横のラインがゲートライン１０
１を示し、縦のラインが拡散ライン１０３を示してい
る。そして、破線で囲んだ領域Ｐが１個のメモリセルに
対応し、このメモリセル内にゲート領域１０５、ソース
領域１０６、及びドレイン領域１０７が含まれている。
【００４３】なお、半導体基板２０上に形成されたメモ
リ等の単一のセルパターンを有する複数のチップを検査
するときは、一度比較のための画像情報を取得しておけ
ば、その後この画像情報を再利用することで、一の検査
対象領域Ｓの欠陥再検出を行うたびに比較画像情報を取
得するという煩わしい作業を省略することができ、検査
の効率化を図ることができる。
リ等の単一のセルパターンを有する複数のチップを検査
するときは、一度比較のための画像情報を取得しておけ
ば、その後この画像情報を再利用することで、一の検査
対象領域Ｓの欠陥再検出を行うたびに比較画像情報を取
得するという煩わしい作業を省略することができ、検査
の効率化を図ることができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、基板の検査精度を向上
することが可能な基板検査方法及び基板検査装置が提供
される。
することが可能な基板検査方法及び基板検査装置が提供
される。
【図１】本実施形態に係る基板検査装置の構成を模式的
に示す図である。
に示す図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、走査コイルを制御して
電子ビームの照射位置を制御するための信号を示す図で
あり、図２（ｃ）は、電子ビームにより所定領域を走査
する様子を示す図である。
電子ビームの照射位置を制御するための信号を示す図で
あり、図２（ｃ）は、電子ビームにより所定領域を走査
する様子を示す図である。
【図３】画像情報を取得するための所定領域Ｔと焦点合
わせ領域Ｆとの関係を示す図である。
わせ領域Ｆとの関係を示す図である。
【図４】本実施形態に係る基板検査方法を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】半導体基板上に形成されたｎ番目のチップに含
まれる検査対象領域と、それに隣接する（ｎ−１）番目
のチップに含まれる比較対象領域とを示す図である。
まれる検査対象領域と、それに隣接する（ｎ−１）番目
のチップに含まれる比較対象領域とを示す図である。
【図６】図６（ａ）は、検査画像情報に基づいて生成さ
れた検査画像を示す図であり、図６（ｂ）は、比較画像
情報に基づいて生成された比較画像を示す図である。
れた検査画像を示す図であり、図６（ｂ）は、比較画像
情報に基づいて生成された比較画像を示す図である。
【図７】ＳＡＭＯＳ構造を有する記憶素子について、検
査対象領域内で電子ビームの焦点合わせを行ったとき
に、二次電子の放出に影響が出て暗い領域が縦長に延び
ている様子を示す図である。
査対象領域内で電子ビームの焦点合わせを行ったとき
に、二次電子の放出に影響が出て暗い領域が縦長に延び
ている様子を示す図である。
【図８】ＳＡＭＯＳ構造を有するメモリセルの構成を示
す図である。
す図である。
【図９】従来の基板検査方法において検査対象領域内で
電子ビームの焦点合わせを行う様子を示す図である。
電子ビームの焦点合わせを行う様子を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は、コンタミネーションが発生
して白黒のコントラストが生じている様子を示す顕微鏡
写真（ＳＥＭ写真）であり、図１０（ｂ）は、チャージ
アップが発生して白黒のコントラストが生じている様子
を示す顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）である。
して白黒のコントラストが生じている様子を示す顕微鏡
写真（ＳＥＭ写真）であり、図１０（ｂ）は、チャージ
アップが発生して白黒のコントラストが生じている様子
を示す顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）である。
１０…基板検査装置、１２…走査型電子顕微鏡装置、１
４…制御ユニット、１６…外部入力装置、１７…外部モ
ニタ、１８…走査型電子顕微鏡、２０…半導体基板、２
２…ステージ、２４…真空室、２６…電子銃、２８…走
査コイル、２９…対物レンズ、３０…二次電子検出部、
３２…制御解析部、３４…画像処理部、３６，３８…メ
モリ、Ｓ…検査対象領域、Ｒ…比較対象領域、Ｄ…欠
陥。
４…制御ユニット、１６…外部入力装置、１７…外部モ
ニタ、１８…走査型電子顕微鏡、２０…半導体基板、２
２…ステージ、２４…真空室、２６…電子銃、２８…走
査コイル、２９…対物レンズ、３０…二次電子検出部、
３２…制御解析部、３４…画像処理部、３６，３８…メ
モリ、Ｓ…検査対象領域、Ｒ…比較対象領域、Ｄ…欠
陥。
フロントページの続き
(72)発明者 高倉 慶子
千葉県成田市新泉14ー３野毛平工業団地
内 アプライド マテリアルズ ジャパ
ン株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−300825（ＪＰ，Ａ)
実公 昭62−191（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01R 31/28 - 31/3193
H01J 37/21
H01J 37/28
H01L 21/64 - 21/66
Claims (5)
- 【請求項１】 走査型電子顕微鏡装置を用いた基板検査
方法であって、 電子ビームにより基板上の検査対象領域を走査して、該
検査対象領域の検査画像情報を取得する工程と、 前記検査画像情報と基準となる比較画像情報とに基づい
て、前記検査対象領域の状態を解析する工程と、を備
え、 前記検査画像情報を取得するときに用いられる前記電子
ビームの焦点合わせは、前記検査対象領域外であって該
検査対象領域の近傍で行われることを特徴とする基板検
査方法。 - 【請求項２】 前記基板上には所定パターンを有する複
数のチップが形成されており、該複数のチップのうちい
ずれかのチップに含まれる所定領域を前記検査対象領域
とすることを特徴とする請求項１に記載の基板検査方
法。 - 【請求項３】 前記検査対象領域を含むチップに隣接す
るチップの該検査対象領域に対応する領域を前記比較対
象領域とし、電子ビームにより該比較対象領域を走査し
て前記比較画像情報を取得する工程を備え、 前記比較画像情報を取得するときに用いられる前記電子
ビームの焦点合わせは、前記比較対象領域外であって該
比較対象領域の近傍で行われることを特徴とする請求項
２に記載の基板検査方法。 - 【請求項４】 前記複数のチップの各々は、ＳＡＭＯＳ
構造を有する素子を含むことを特徴とする請求項２に記
載の基板検査方法。 - 【請求項５】 基板上の所定領域に電子ビームを照射
し、出射される二次電子を検出する走査型電子顕微鏡装
置と、 前記走査型電子顕微鏡装置により検出された二次電子の
検出量に基づいて、前記所定領域の画像情報を生成する
画像処理装置と、 前記基板上の一の領域の画像情報と基準となる画像情報
とに基づいて、該一の領域の状態を解析する解析装置
と、 前記所定領域の画像情報を取得するときに用いられる前
記電子ビームの焦点合わせを、該所定領域外であって該
所定領域の近傍で行うように、前記走査型電子顕微鏡装
置を制御する制御装置と、を備える基板検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335440A JP3513500B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 基板検査方法及び基板検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335440A JP3513500B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 基板検査方法及び基板検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003149302A JP2003149302A (ja) | 2003-05-21 |
| JP3513500B2 true JP3513500B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=19150430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001335440A Expired - Fee Related JP3513500B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 基板検査方法及び基板検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513500B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585327A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-05 | 上海华力微电子有限公司 | 全方位晶圆缺陷的获取方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4194526B2 (ja) | 2004-05-14 | 2008-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線の調整方法、及び荷電粒子線装置 |
| JP5349978B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2013-11-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線を用いた寸法計測方法、および寸法計測装置 |
| JP2010244740A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Hitachi High-Technologies Corp | レビュー装置、及びレビュー方法 |
-
2001
- 2001-10-31 JP JP2001335440A patent/JP3513500B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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