JP7035923B2 - インゴットのvノッチ評価方法、インゴットのvノッチ加工方法、およびインゴットのvノッチ評価装置 - Google Patents
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Description
そこで、近年では、オリエンテーションフラットに替えて、結晶方位を示す目印として、シリコンウェーハの端部にVノッチを形成し、Vノッチの位置によってシリコンウェーハの結晶方位を示している。
シリコンウェーハのVノッチは、砥石の劣化や、カケ等の不具合が発生していた場合、正規の形状を維持することができず、後工程のウェーハ加工工程でVノッチを起点としたウェーハ割れが生じることがある。
このため、特許文献1には、インゴットに形成されたV字状の溝をインゴットの端面から撮像し、撮像されたVノッチ形状と標準形状のVノッチ形状とを比較することにより、Vノッチ形状の良否を判定する技術が開示されている。
なお、所定の閾値は、最終製品である半導体用シリコンウェーハのVノッチ形状の仕様(許容公差)に基づいて定めることができる。少なくとも、インゴットが加工されて最終的に得られる半導体用シリコンウェーハのVノッチ形状が、その仕様(許容公差)から外れることのないように、所定の閾値を定めることが好ましい。
良否判定を、基準データに対する評価用データの差分が所定の閾値を超えるか否かで判定することにより、簡単な演算処理で良否判定を行うことができるため、コンピュータ等による演算処理の負荷を軽減して、良否判定の高速化を実現できる。
ことを特徴とする。
本発明によれば、前述した作用および効果と同様の作用および効果を享受できる。
異物除去手段を備えていることにより、インゴットのVノッチ加工後、Vノッチに付着した塵埃、切削水を除去することができるため、光学的測定手段による走査を清浄な状態で行うことができ、Vノッチ形状の計測の精度を向上することができる。
具体的には、VノッチVNの加工が施されたシリコンインゴットSIは、ストッカー2に保管されている。ストッカー2からのシリコンインゴットSIの出庫制御は、出庫ワークステーション3で行われ、出庫ワークステーション3にシリコンインゴットSIのナンバーを入力すると、搬出装置4にそのナンバーが出力される。
搬出装置4は、ストッカー2から入力されたナンバーに応じたシリコンインゴットSIを保持フレーム6に載置した状態で、搬出ヤードに搬出する。
操業システム5の指令に基づいて、搬出ヤードからは、シリコンインゴットSIが次工程となるスライス工程に搬出される。
光学的測定手段となるレーザー変位計11は、図2に示すように、発光部11A、受光部11B、および計測値出力ケーブル11Cを備える。
受光部11Bは、図示を略したが、集光組レンズおよびCMOSセンサを備え、発光部11AからVノッチVNに照射されたレーザー光の反射光は、受光部11Bの集光組レンズにより集光され、CMOSセンサで結像してVノッチVNの形状が計測される。
フレーム12の先端側の下面には、レーザー変位計11が吊り下げられ、レーザー変位計11は、シリコンインゴットSIから俯瞰した状態でVノッチVNを、シリコンインゴットSIの長手方向に沿って走査できる。なお、レーザー変位計11によるVノッチVNの走査は、操業システム5からの指令により、シリコンインゴットSIを次工程となるスライス工程に搬出するタイミングで行われる。
つまり、本実施の形態では、シリコンインゴットSIを次工程に搬出する機構が移動手段として機能している。なお、これに限らず、ベルトコンベア等の他の搬送機構により移動手段を構成してもよく、レーザー変位計11をシリコンインゴットSIの長手方向に移動可能な移動手段としてもよい。
Vノッチ解析用コンピュータ14は、演算処理装置15およびSDメモリ、ハードディスク等の記憶装置16を備えた汎用のコンピュータから構成される。Vノッチ解析用コンピュータ14は、演算処理装置15上で実行される形状データ取得部17、評価用データ生成部18、良否判定部19、および記憶装置16内に設けられる評価結果記録部20を備える。
具体的には、評価用データ生成部18は、図6に示すように、まず、VノッチVNの加工面が真上を向くように回転移動を行う。次に、評価用データ生成部18は、VノッチVNの加工面の底部が原点となるように平行移動を行って評価用データを生成する。生成された評価用データは、良否判定部19に出力される。
また、前述したように、本発明は、最終製品である半導体用シリコンウェーハのVノッチ形状の良否をインゴット状態で判定することを目的としている。そのため、評価用データは、後の工程であるスライス工程でスライス面に現れるVノッチ形状と同じになるように座標変換されたものであることが好ましい。
そこで、良否判定部19は、図6の縦方向の加工面のδの落ち込みを、図8に示すように、基準データとなる計測データの基準位置からの縦方向の加工面の深さ位置として評価用データを修正する。計測データの基準位置は、たとえば、設計上のVノッチVNの加工面を採用することができ、設計上の加工面に対して実際の加工面が、どの程度の深さ位置の偏差となっているかにより、把握することができる。図8によれば、データ4の加工面が不良であることが一目で判る。
具体的には、良否判定部19は、図9に示すように、VノッチVNの計測データの平均値から一定の閾値TH(たとえば、標準偏差:0.03mm)を設けておき、閾値TH以下の場合はVノッチVNの加工は良、閾値THを超える場合はVノッチVNの加工は否と判定する。
まず、シリコン単結晶の育成装置によって育成されたシリコンインゴットSIの外周研削を行う(工程S1)。
シリコンインゴットSIの外周研削を終えたら、シリコンインゴットSIの長手方向全長に亘ってVノッチVNの加工を行う(工程S2)。
オペレータが出庫ワークステーション3を操作して、ストッカー2からシリコンインゴットSIを保持フレーム6とともに搬出し(工程S4)、搬出ヤードに配置する。
この際、出庫ワークステーション3から出力されるシリコンインゴットSIのインゴットナンバーは、Vノッチ解析用コンピュータ14にも出力される。
シリコンインゴットSIの搬出開始後、エアブロー機構13から気流が噴出し、VノッチVNに残留した塵埃、水分等の異物を除去する(工程S6)。
異物除去後、レーザー変位計11によりVノッチVNの加工面を操作し、VノッチVNの計測を実施する(工程S7)。
評価用データ生成部18は、取得された計測値に基づいて、評価用データを生成する(工程S10)。
良否判定部19は、生成された評価用データに基づいて、シリコンインゴットSIの良否判定を行う(工程S11)。
良品と判定されたら、操業システム5は、シリコンインゴットSIを次工程となるスライス工程に搬出する(工程S13)。
不良品と判定されたら、Vノッチ解析用コンピュータ14から操業システム5にその旨が出力され、操業システム5は、該当するシリコンインゴットSIの搬出を停止し、除外する(工程S14)。
本実施の形態では、シリコンインゴットSIに形成されたVノッチVNを、シリコンインゴットSIの長手方向に沿ってレーザー変位計11により走査し、VノッチVNの全長に亘ってVノッチVNの加工面の形状データを取得できる。したがって、取得されたVノッチVNの加工面の形状データを座標変換によって評価用データを生成して、VノッチVNの全体に亘って評価を行うことができ、高精度にVノッチVNの良否判定を行うことができる。
また、平均値と標準偏差と閾値THという簡単な数値で良否判定を行うことができるため、Vノッチ解析用コンピュータ14による演算処理の負荷を軽減して、良否判定の高速化を実現できる。
本実施の形態では、レーザー変位計11の走査方向前方にエアブロー機構13を設けている。したがって、シリコンインゴットSIのVノッチVNの加工後、VノッチVNに付着した塵埃、切削水を除去することができるため、レーザー変位計11による走査を清浄な状態で行うことができ、Vノッチ形状の計測の精度を向上することができる。
Claims (5)
- シリコン単結晶のインゴットの長手方向に形成されたVノッチを評価するインゴットのVノッチ評価方法であって、
発光部および受光部を備えた光学的測定手段を用いて、前記Vノッチの形状を走査する手順と、
走査により得られたVノッチの形状データを取得する手順と、
取得された前記Vノッチの形状データの座標変換を行い、前記Vノッチの形状データを評価するための評価用データを生成する手順と、
生成された評価用データに基づいて、前記Vノッチの形状の良否を判定する手順と、
を実施し、
前記評価用データを生成する手順では、前記Vノッチの形状データを、前記インゴットからスライスされたシリコンウェーハのスライス面に現れるVノッチの形状と同じになるように、前記評価用データへ座標変換することを特徴とするインゴットのVノッチ評価方法。 - 請求項1に記載のインゴットのVノッチ評価方法において、
前記Vノッチの形状の良否を判定する手順は、前記Vノッチの基準となる基準データに対する前記評価用データの差分が、所定の閾値を超えるときに、前記Vノッチを不良と判定することを特徴とするインゴットのVノッチ評価方法。 - 育成されたシリコン単結晶のインゴットの長手方向にVノッチ加工を行うインゴットのVノッチ加工方法であって、
育成されたシリコン単結晶のインゴットの外周研削を行う工程と、
外周研削されたインゴットにVノッチ加工を行う工程と、
Vノッチ加工が施されたインゴットのVノッチを、請求項1または請求項2に記載のインゴットのVノッチ評価方法により評価する工程と、
前記インゴットのVノッチ評価方法により否と判定されたインゴットを除外する工程と、
を実施することを特徴とするインゴットのVノッチ加工方法。 - シリコン単結晶のインゴットの長手方向に形成されたVノッチを評価するインゴットのVノッチ評価装置であって、
発光部および受光部を備え、前記Vノッチの形状を走査する光学的測定手段と、
前記インゴットおよび前記光学的測定手段を、前記インゴットの長手方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記光学的測定手段の走査によって得られたVノッチ形状データを処理するデータ処理手段と、を備え、
前記データ処理手段は、
前記光学的測定手段により計測されたVノッチ形状データを取得する形状データ取得部と、
取得されたVノッチ形状データの座標変換を行い、前記Vノッチ形状を評価するための評価用データを生成する評価用データ生成部と、
生成された評価用データに基づいて、前記Vノッチ形状の良否を判定する良否判定部と、を備えていることを特徴とするインゴットのVノッチ評価装置。 - 請求項4に記載のインゴットのVノッチ評価装置において、
前記Vノッチに付着した異物を除去する異物除去手段を備えていることを特徴とするインゴットのVノッチ評価装置。
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