JP2009074952A - 外観検査方法 - Google Patents

外観検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009074952A
JP2009074952A JP2007244705A JP2007244705A JP2009074952A JP 2009074952 A JP2009074952 A JP 2009074952A JP 2007244705 A JP2007244705 A JP 2007244705A JP 2007244705 A JP2007244705 A JP 2007244705A JP 2009074952 A JP2009074952 A JP 2009074952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chipping
semiconductor chip
image data
point
dicing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007244705A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriko Kobayashi
典子 小林
Original Assignee
Nec Electronics Corp
Necエレクトロニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Electronics Corp, Necエレクトロニクス株式会社 filed Critical Nec Electronics Corp
Priority to JP2007244705A priority Critical patent/JP2009074952A/ja
Publication of JP2009074952A publication Critical patent/JP2009074952A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
    • G06KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K9/00Methods or arrangements for reading or recognising printed or written characters or for recognising patterns, e.g. fingerprints
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/0006Industrial image inspection using a design-rule based approach
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
    • G06KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K2209/00Indexing scheme relating to methods or arrangements for reading or recognising printed or written characters or for recognising patterns, e.g. fingerprints
    • G06K2209/19Recognition of objects for industrial automation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Abstract

【課題】ダイシング工程によって生じた半導体チップのチッピングに関する正確なデータを取得する外観検査方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの画像データを取得する工程と、前記画像データを二値化処理する工程と、前記二値化処理された画像データから、半導体チップに設けられた基準点17およびチッピング端23を認識する工程と、前記基準点17からチッピング端23までの距離を測定する工程と、を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体チップの外観検査方法に関する。
一般に、半導体チップを実装する際には、外観検査装置によりダイシング工程で生じた欠けやヒビ等の欠陥(以下、チッピング)の状態を検査することにより、良品または不良品の判別が行なわれている。ここで良品と判定された半導体チップのみ、次の実装工程に進むことになる。
従来、ダイシング工程後の半導体チップの外観検査は、以下のような方法により行なわれていた。(本技術は文献公知発明に係るものではないため、先行技術文献情報は記載していない)図3から図5を用いて説明する。図3は、外観検査装置の構成を示す模式図である。図4はダイシング工程後の半導体チップ11の平面図である。ウエハリング13は、ダイシング工程で使われる治具であり、ダイシングシート12を介して半導体チップを保持する。
図3において、半導体チップ11を外観検査装置に導入し、カメラ等の撮像部14により、半導体チップ11のスクライブライン近傍の画像データを取得する。さらに、当該画像データを処理部15により二値化処理することで、例えば、スクライブラインの切り残し部20は白色で、ダイシングライン21およびチッピングを含むダイシング箇所は黒色に認識される。二値化処理された画像データの例を図5に示す。ここで、外観検査装置の認識部16により、ダイシング端の形状から仮想のダイシングライン端102を設定する。仮想ダイシングライン端102は、例えば、凹凸を有するダイシング端の波線の谷部を読み取り、設定される。さらに、例えば鋭角チッピング103を認識し、仮想ダイシングライン端102とチッピング端104の間の長さを測定することにより、チッピング量105を求めていた。チッピング端104とは当該チッピングの先端をいう。例えば、チッピング量105が所定マージン内であれば、当該半導体チップは良品、所定マージンを超えた場合は不良品と判定される。
なお、関連する文献としては特許文献1が挙げられる。特許文献1は、半導体の表面輪郭部に生じた欠陥を自動的に検査する装置に係るものであり、対象物を全体的に撮像したデータと、当該対象物の基本輪郭データとを比較することにより、良品または不良品を判定する構成を備えている。
特開平1−207878号公報
上記背景技術においては、チッピング量105は仮想ダイシングライン端102を基準に測定されていた。しかしながら、ダイシング中のブレードの「ぶれ」等によっては、図5のように、ダイシング端が本来のダイシングライン端101(上方)の外側(半導体チップの内側方向)に、はみ出す場合がある。したがって、ここから見積もられる仮想ダイシングライン端102は、本来のダイシングライン端101よりも外側に認識される場合があった。ここで、ダイシングライン端101とは、スクライブラインの中央に位置し、ダイシングに用いられるブレード幅に対応したダイシングライン21の端をいう。
この場合、チッピング量105は誤認識された仮想ダイシングライン端102を基準に測定された値であるため、結果として誤認識されたチッピング量105となる。実際のチッピング量106は、ダイシングライン端101を基準とするものであり、ダイシングライン端101とチッピング端104との間の長さを指す。チッピング量の所定マージンは、実際のチッピング量106に対するものであるため、誤認識されたチッピング量105では、半導体チップの良品、不良品に関する正確な判定ができない問題があった。
本発明によれば、半導体チップの外観検査方法であって、半導体チップの画像データを取得する工程と、前記画像データを二値化処理する工程と、前記二値化処理された画像データから、半導体チップに設けられた基準点とチッピング端を認識する工程と、前記基準点からチッピング端までの距離を測定する工程と、を有する外観検査方法、が提供される。
本発明は、半導体チップの外観を検査する方法において、二値化処理された画像データを基に、半導体チップに設けられた基準点とダイシングにより生じたチッピング端との距離(チッピング余裕量)を測定するものである。半導体チップに設けられた基準点およびチッピング端は二値化処理された画像データから正確に認識することができる。よって、これらは誤認識されることがないため、チッピングに関する正確なデータを取得することができる。
なお、「半導体チップに設けられた基準点」とは、半導体チップ内に形成されているものであって、外観上明確に認識されるものであればよく、例えばスクライブライン端であっても、素子形成領域の外縁に形成されるシールリング端や特徴的なパターン端等であってもよい。
本発明によれば、半導体チップにおけるチッピングに関する正確なデータを取得することができるため、半導体チップの良品または不良品の正確な判定を行なうことができる。
(第1の実施の形態)
図1から図3を用いて、本発明の第1の実施の形態について説明する。
個片化された半導体チップ11は、ダイシングシート12に貼付された状態で、外観検査装置に導入される(図3)。ウエハリング13は、半導体ウエハをダイシングする工程で使われる治具であり、ダイシングシート12を介して半導体チップ11を保持する。図4はウエハリング13に保持された個々の半導体チップ11を示す平面図である。
外観検査装置は、撮像部14により、半導体チップ11におけるスクライブライン近傍の画像を取得する。当該画像データの取得は、例えば、外観検査装置に半導体チップ内であってスクライブライン近傍に配置される任意の特徴的パターンを記憶させておき、当該特徴的パターンの位置を検出することによりスムーズに行なうことができる。
次いで、外観検査装置の処理部15により当該画像データを二値化処理する。二値化処理された画像データの一例を図1に示す。スクライブライン領域18と素子形成領域19が観察される。二値化処理されると、スクライブライン領域18内における切り残し部20は白色で、ダイシングライン21およびチッピング22は黒色に認識される。このように、画像データを二値化処理することで、スクライブライン近傍におけるスクライブライン端17とチッピング端23に明暗がつけられるため、これらを正確に認識することができる。なお、図中の25は上で説明した特徴的パターンである。
続いて、半導体チップに設けられた基準点とチッピング端を認識する。図2は、図1中の丸で囲まれた領域近傍の拡大図である。本実施の形態では、半導体チップに設けられた基準点としてスクライブライン端17を認識する。また、チッピング端として、スクライブライン端に最も近接するチッピング端23を認識する。なお、初めに基準点であるスクライブライン端17を認識し、そこからダイシング箇所27方向へ垂直に向かって走査し、最初に到達する境界をチッピング端23と認識することができる。
次に、スクライブライン端17とチッピング端の間の距離(以下、チッピング余裕量)24を測定する。例えば、画像データ上の測定値と画像データの倍率から、正確なチッピング余裕量を求めることができる。
本実施の形態によれば、半導体チップに設けられた基準点(例えば、スクライブライン端)とチッピング端に注目し、これらの間の長さを測定しているため、チッピングに関する正確なデータを得ることができる。これらは誤認識されることがないからである。よって、これを半導体チップの良品と不良品の判定基準とするため、正確な判定を行なうことができ、半導体装置の生産性を向上させることができる。
なお、チッピング余裕量の測定は、半導体チップに設けられた基準点と当該基準点に最も近接したチッピング端に対して行なったが、任意または全てのチッピング端に対して行なうこともできる。本実施形態のように、測定を半導体チップに設けられた基準点と当該基準点に最も近接したチッピング端とすれば、検査時間を大幅に短縮することができる。特に、初めに基準点であるスクライブライン端17を認識し、そこからダイシング箇所27方向へ垂直に向かって走査し、最初に到達する境界をチッピング端23と認識すれば、検査時間の短縮効果は大きい。
また、本実施の形態では、半導体チップに設けられた基準点としてスクライブライン端を用いたが、これに限られるものではない。外観上明確に認識されるものであれば素子形成領域外縁のシールリング端や特徴的パターン端等であってもよい。
(第2の実施の形態)
本実施の形態では、チッピング余裕量を所定のマージン値と比較する工程を有する点で他の実施の形態と異なる。
第1の実施の形態で求められたチッピング余裕量に対し、所定マージンとの比較を行なう。所定マージンとは半導体チップの良品、不良品を判定するための判定基準となる値であり、任意に設定することができる。また、所定マージンは予め外観検査装置に記憶しておくこともできる。
さらに、前記比較する工程は、チッピング余裕量が所定マージン以下であった場合には良品、所定マージンを超えた場合には不良品と判定する工程を含むことができる。
以上を分離された全ての半導体チップに対して順次実行すれば、良品または不良品の判定結果をマッピングすることもできる。当該マッピングデータから、良品のみをピックアップして、次の実装工程に移す工程を含むこともできる。
また、スクライブライン幅は半導体チップの回路設計ルール等によって異なる場合がある。従来のようにチッピング量を半導体チップの良品、不良品の判定基準とすると、半導体チップのスクライブライン幅に応じて許容されるチッピング量も異なり、その都度、所定マージンを変更する必要が生じる。本実施の形態では、チッピング余裕量を判定基準に用いているため、スクライブライン幅によらず、同じ所定マージン値を用いることができ、検査効率を向上させることができる。
(第3の実施の形態)
本実施の形態は、チッピングとダイシングラインとの間の角度(以下、チッピング角度)を求める工程を有する点で他の実施の形態と異なる。図2を用いて説明する。
第1の実施の形態において説明したように、図2に示すような二値化処理された画像データを取得する。例えば、チッピング22に着目し、そのチッピング角度を求める。例えば、A とBの長さを求めることにより、チッピング角度θを算出することができる。
チッピング角度θによっては、例えば、その後のハンドリング工程等において、チッピングが進行したり、割れや欠けを生じる場合がある。よって、チッピング余裕量に加えてチッピング角度θを、半導体チップの良品、不良品の判定基準に用いることもできる。
本発明の実施の形態に係る画像データを示す。 本発明の実施の形態に係る画像データの拡大図を示す。 外観検査装置の模式図を示す。 検査対象の半導体チップの平面図を示す。 本発明の背景技術を説明するための画像データを示す。
符号の説明
11 半導体チップ
12 ダイシングシート
13 ウエハリング
14 撮像部
15 処理部
16 認識部
17 スクライブライン端
18 スクライブライン幅
19 素子形成領域
20 切り残し部
21 ダイシングライン
22 チッピング
23 チッピング端
24 基準点とチッピング端との距離(チッピング余裕量)
25 特徴的パターン
26 スクライブライン領域
27 ダイシング箇所
101 ダイシングライン端
102 仮想ダイシングライン端
103 鋭角チッピング
104 チッピング端
105 誤認識されたチッピング量
106 実際のチッピング量

Claims (8)

  1. 半導体チップの外観検査方法であって、
    半導体チップの画像データを取得する工程と、
    前記画像データを二値化処理する工程と、
    前記二値化処理された画像データから、半導体チップに設けられた基準点およびチッピング端を認識する工程と、
    前記基準点からチッピング端までの距離を測定する工程と、を有する外観検査方法。
  2. 前記認識する工程は、前記二値化処理された画像データにおいて、前記基準点に最も近接したチッピング端を認識する請求項1に記載の外観検査方法。
  3. 前記基準点に最も近接したチッピング端の認識は、前記基準点からダイシングライン方向に走査を行い、最初に認識した境界を前記チッピング端と認識する工程を含む請求項2に記載の外観検査方法。
  4. 前記基準点がスクライブライン端である請求項1乃至3のいずれかに記載の外観検査方法。
  5. 前記二値化処理された画像から、前記チッピングとダイシングラインとの間の角度を求める工程を含む請求項1に記載の外観検査方法。
  6. 前記基準点からチッピング端までの距離、または前記角度をそれぞれの所定マージンと比較する工程を有する請求項1乃至5のいずれかに記載の外観検査方法。
  7. 前記比較する工程は、前記基準点とチッピング端までの距離、または前記チッピング量が前記所定マージン以下であった場合には良品、所定マージンを超えた場合には不良品と判定する工程を含む請求項6に記載の外観検査方法。
  8. 前記画像データを取得する工程は、予め記憶されたスクライブライン領域の近傍の任意のパターンを基に半導体チップのスクライブライン近傍の画像データを取得する請求項1乃至7のいずれかに記載の外観検査方法。
JP2007244705A 2007-09-21 2007-09-21 外観検査方法 Pending JP2009074952A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007244705A JP2009074952A (ja) 2007-09-21 2007-09-21 外観検査方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007244705A JP2009074952A (ja) 2007-09-21 2007-09-21 外観検査方法
US12/232,487 US20090080762A1 (en) 2007-09-21 2008-09-18 Appearance for inspection method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009074952A true JP2009074952A (ja) 2009-04-09

Family

ID=40471681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007244705A Pending JP2009074952A (ja) 2007-09-21 2007-09-21 外観検査方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20090080762A1 (ja)
JP (1) JP2009074952A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013157385A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Semiconductor Components Industries Llc 半導体装置及びその自動外観検査方法
TWI453394B (ja) * 2012-08-20 2014-09-21
US10622312B2 (en) 2018-01-22 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor chips and semiconductor packages including the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681394A (zh) * 2012-09-20 2014-03-26 惠特科技股份有限公司 检测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03236260A (en) * 1990-02-14 1991-10-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Dicing apparatus for semiconductor wafer
JPH0875432A (ja) * 1994-07-08 1996-03-22 Seiko Seiki Co Ltd 切断ライン測定装置
JPH08181178A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Lintec Corp ウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法
JPH10288585A (ja) * 1997-04-13 1998-10-27 Inspectech Ltd 切断部を分析するための方法と装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5710825A (en) * 1995-03-31 1998-01-20 Seiko Seiki Kabushiki Kaisha Cutting line measuring apparatus
JP3269288B2 (ja) * 1994-10-31 2002-03-25 松下電器産業株式会社 光学的検査方法および光学的検査装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03236260A (en) * 1990-02-14 1991-10-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Dicing apparatus for semiconductor wafer
JPH0875432A (ja) * 1994-07-08 1996-03-22 Seiko Seiki Co Ltd 切断ライン測定装置
JPH08181178A (ja) * 1994-12-27 1996-07-12 Lintec Corp ウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法
JPH10288585A (ja) * 1997-04-13 1998-10-27 Inspectech Ltd 切断部を分析するための方法と装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013157385A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Semiconductor Components Industries Llc 半導体装置及びその自動外観検査方法
TWI453394B (ja) * 2012-08-20 2014-09-21
US10622312B2 (en) 2018-01-22 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor chips and semiconductor packages including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20090080762A1 (en) 2009-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3051279B2 (ja) バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置
JP2005527116A (ja) プロセス変動のモニタシステムおよび方法
JP2009074952A (ja) 外観検査方法
JP2010135446A (ja) 太陽電池セルの検査装置、検査方法及びそのプログラムを記録した記録媒体
JP5030604B2 (ja) ウェハ外観検査装置
TWI713083B (zh) 晶圓切單製程控制技術
US20080205746A1 (en) Method of inspecting an identification mark, method of inspecting a wafer using the same, and apparatus for performing the method
JP2018096908A (ja) 検査装置及び検査方法
JP2009128325A (ja) 欠陥検査方法およびその装置
JP2012190935A (ja) チップ位置特定システム、チップ位置特定装置、チップ位置特定プログラム及びチップ位置特定方法
JP2007183283A (ja) 異物検査方法および装置
JP2006303487A (ja) ウェーハのエッジビード除去線を検出するための方法
CN103646895B (zh) 检测缺陷扫描程式灵敏度的方法
JP5391172B2 (ja) 異物検査装置及びアライメント調整方法
JP4799426B2 (ja) 輪郭部の欠け検査方法およびその装置
JP2006284308A (ja) 半導体装置の外観検査方法
JP2008192809A (ja) 半導体基板の検査方法
EP3187861A1 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
JP2010091319A (ja) 外観検査装置および外観検査方法
JP5044953B2 (ja) 半導体装置の検査装置及び検査方法
JP2020085774A (ja) 管ガラス検査方法、学習方法及び管ガラス検査装置
JP3219094B2 (ja) チップサイズ検出方法およびチップピッチ検出方法およびチップ配列データ自動作成方法ならびにそれを用いた半導体基板の検査方法および装置
US20200333260A1 (en) Appearance inspection apparatus and appearance inspection method
JP2002323310A (ja) 方向判別装置
JP2006310364A (ja) ボンディングワイヤー検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100426

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120612