JPH0875432A - 切断ライン測定装置 - Google Patents
切断ライン測定装置Info
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- JPH0875432A JPH0875432A JP7076472A JP7647295A JPH0875432A JP H0875432 A JPH0875432 A JP H0875432A JP 7076472 A JP7076472 A JP 7076472A JP 7647295 A JP7647295 A JP 7647295A JP H0875432 A JPH0875432 A JP H0875432A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 切断ラインの輪郭追跡の誤りを高い確率で検
出でき、切断幅等の測定に好適な切断ライン測定装置を
提供する。 【構成】 切断ライン２の両側２ａ，２ｂから輪郭追跡
を実行する。一方側２ａからの輪郭追跡は第１の基点Ｐ
１を基に、また他方側２ｂからの輪郭追跡は第２の基点
Ｐ２を基に行なう。輪郭追跡の正誤を判定は一方側２ａ
からの輪郭追跡結果と他方側２ｂからの輪郭追跡結果と
に基づき実行する。
出でき、切断幅等の測定に好適な切断ライン測定装置を
提供する。 【構成】 切断ライン２の両側２ａ，２ｂから輪郭追跡
を実行する。一方側２ａからの輪郭追跡は第１の基点Ｐ
１を基に、また他方側２ｂからの輪郭追跡は第２の基点
Ｐ２を基に行なう。輪郭追跡の正誤を判定は一方側２ａ
からの輪郭追跡結果と他方側２ｂからの輪郭追跡結果と
に基づき実行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハー等の切
断ラインを測定する切断ライン測定装置に関し、特に切
断ラインの輪郭追跡の誤りを高い確率で検出でき、切断
幅等の測定に好適なものである。
断ラインを測定する切断ライン測定装置に関し、特に切
断ラインの輪郭追跡の誤りを高い確率で検出でき、切断
幅等の測定に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】図９に示す如くダイシング装置により半
導体ウエハＷをストリート１の中央で切断して個々のチ
ップに分離する場合には、指定本数を切断するごとに正
常に切断されているか否かの検査が自動的に行われ、そ
の検査項目は通常以下の３項目に大別されている。
導体ウエハＷをストリート１の中央で切断して個々のチ
ップに分離する場合には、指定本数を切断するごとに正
常に切断されているか否かの検査が自動的に行われ、そ
の検査項目は通常以下の３項目に大別されている。
【０００３】切断幅 切断幅の検査は切断ライン２の幅が指定寸法内に入って
いるか否かをチェックする。
いるか否かをチェックする。
【０００４】中心ずれ 中心ずれの検査はストリート１の中心線を基準線Ｏ−Ｏ
とし、この基準線Ｏ−Ｏに対し切断ライン２の中心線Ｏ
1 −Ｏ1 がどの程度ずれているかをチェックする。なお
当該ずれ量が指定値より大きい場合には検査終了後の次
の切断に備えて当該ずれ量に基づき切断位置を補正す
る。
とし、この基準線Ｏ−Ｏに対し切断ライン２の中心線Ｏ
1 −Ｏ1 がどの程度ずれているかをチェックする。なお
当該ずれ量が指定値より大きい場合には検査終了後の次
の切断に備えて当該ずれ量に基づき切断位置を補正す
る。
【０００５】チッピング チッピングは切断ライン２の縁の欠けを意味し、チッピ
ングの検査は切断ライン２の縁の欠け量が指定値以下で
あるか否かをチェックする。
ングの検査は切断ライン２の縁の欠け量が指定値以下で
あるか否かをチェックする。
【０００６】以上のような各種の検査を行う切断ライン
検査装置はＣＣＤカメラおよびマイクロコンピュータ等
から構成され、これらの機器により次のような処理が行
われる。
検査装置はＣＣＤカメラおよびマイクロコンピュータ等
から構成され、これらの機器により次のような処理が行
われる。
【０００７】（ａ）図１０に示す如く切断ライン２の周
辺がＣＣＤカメラにより撮像され、切断ライン２の測定
範囲Ｉ−ＩＩが設定される。
辺がＣＣＤカメラにより撮像され、切断ライン２の測定
範囲Ｉ−ＩＩが設定される。
【０００８】（ｂ）ＣＣＤカメラから出力される上記測
定範囲Ｉ−ＩＩ内の画像信号が画像データとして画像メ
モリに取り込まれる。このように画像メモリに取り込ま
れた画像データは輝度を表す８ビット程度のグレイレベ
ル（例えば０から２５５の値を採用し、黒を０に、白を
２５５に設定したもの）として、かつＣＲＴ画面の画素
と１対１の関係を有して記憶される。
定範囲Ｉ−ＩＩ内の画像信号が画像データとして画像メ
モリに取り込まれる。このように画像メモリに取り込ま
れた画像データは輝度を表す８ビット程度のグレイレベ
ル（例えば０から２５５の値を採用し、黒を０に、白を
２５５に設定したもの）として、かつＣＲＴ画面の画素
と１対１の関係を有して記憶される。
【０００９】（ｃ）次に、画像メモリ内に取り込まれた
画像データがしきい値を基準に２値化され、白または黒
の２値画像データに変換される。この際、しきい値はＣ
ＲＴ画面上で切断ライン２が黒となり、その周辺のスト
リート１は白となるように設定される。このため２値化
後はＣＲＴ画面上では切断ライン２は黒画素の集合体に
より、また切断ライン２周辺のストリート１は白画素の
集合体により表示され、切断ライン２とストリート１に
明暗がつけられる。
画像データがしきい値を基準に２値化され、白または黒
の２値画像データに変換される。この際、しきい値はＣ
ＲＴ画面上で切断ライン２が黒となり、その周辺のスト
リート１は白となるように設定される。このため２値化
後はＣＲＴ画面上では切断ライン２は黒画素の集合体に
より、また切断ライン２周辺のストリート１は白画素の
集合体により表示され、切断ライン２とストリート１に
明暗がつけられる。
【００１０】（ｄ）その後、切断ライン２の輪郭追跡が
行われるが、この際、ダイシング装置の稼働率低下を防
止する等の観点から、輪郭追跡は３×３正方格子を利用
した厳密な輪郭追跡に比し、比較的簡単かつ短時間に結
果が得られるアルゴリズムに基づき行われる。
行われるが、この際、ダイシング装置の稼働率低下を防
止する等の観点から、輪郭追跡は３×３正方格子を利用
した厳密な輪郭追跡に比し、比較的簡単かつ短時間に結
果が得られるアルゴリズムに基づき行われる。
【００１１】すなわち、輪郭追跡はストリート１の中心
線である基準線Ｏ−Ｏ上を基点Ｐとし、この基点Ｐから
白画素を探して矢印イで示すように垂直上方へ進行し、
その途中で白画素に出会った場合には矢印ロで示すよう
に水平方向に進行する。
線である基準線Ｏ−Ｏ上を基点Ｐとし、この基点Ｐから
白画素を探して矢印イで示すように垂直上方へ進行し、
その途中で白画素に出会った場合には矢印ロで示すよう
に水平方向に進行する。
【００１２】そして、水平方向への進行先が白画素であ
る場合は矢印ハで示す如く進行方向を垂直下方に変え、
かつ黒画素に出会うまで下降するが、水平方向への進行
先が白画素でなく黒画素である場合には進行方向を垂直
上方に変え、かつ白画素に出会うまで上昇する。
る場合は矢印ハで示す如く進行方向を垂直下方に変え、
かつ黒画素に出会うまで下降するが、水平方向への進行
先が白画素でなく黒画素である場合には進行方向を垂直
上方に変え、かつ白画素に出会うまで上昇する。
【００１３】このようにして切断ライン２の上縁側輪郭
が追跡され、この追跡結果から基準線Ｏ−Ｏに対する輪
郭の最大値、最小値及び平均値を測定でき、また切断ラ
イン２の下縁側輪郭も上記と同様なアルゴリズムに基づ
き追跡できる。
が追跡され、この追跡結果から基準線Ｏ−Ｏに対する輪
郭の最大値、最小値及び平均値を測定でき、また切断ラ
イン２の下縁側輪郭も上記と同様なアルゴリズムに基づ
き追跡できる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、３×３
正方格子を利用した厳密な輪郭追跡と異なり、上記のよ
うな従来の輪郭追跡は切断ラインの片側より白黒判定を
行いつつ輪郭を追跡するだけの比較的簡単なものである
ことから、次のような不具合が生じる。
正方格子を利用した厳密な輪郭追跡と異なり、上記のよ
うな従来の輪郭追跡は切断ラインの片側より白黒判定を
行いつつ輪郭を追跡するだけの比較的簡単なものである
ことから、次のような不具合が生じる。
【００１５】１．図１１に示す如く切断ライン２がスト
リート１の中心線から大きくずれている、あるいはチッ
ピングが大きいため切断ライン２が配線パターン３に接
している場合には、２値化すると切断ライン２と配線パ
ターン３がその接触部分でつながることから、図中矢印
で示すように輪郭の追跡が当該接触部分より誤って配線
パターン３の方へ移行し、その後配線パターン３の輪郭
に沿って進行するという不具合が生じる。この場合には
正確な切断ライン２の輪郭が分からず、切断幅、中心ず
れ、あるいはチッピング等について誤測定を招く。
リート１の中心線から大きくずれている、あるいはチッ
ピングが大きいため切断ライン２が配線パターン３に接
している場合には、２値化すると切断ライン２と配線パ
ターン３がその接触部分でつながることから、図中矢印
で示すように輪郭の追跡が当該接触部分より誤って配線
パターン３の方へ移行し、その後配線パターン３の輪郭
に沿って進行するという不具合が生じる。この場合には
正確な切断ライン２の輪郭が分からず、切断幅、中心ず
れ、あるいはチッピング等について誤測定を招く。
【００１６】２．図１２に示す如くストリート１にテス
トパターン４が表示され、しかも２値化するとテストパ
ターン４と切断ライン２の区別がつかない場合には、図
中矢印で示すようにテストパターン４の一部を切断ライ
ン２の輪郭として誤って追跡してしまい、この場合にも
正確な切断ライン２の輪郭が分からず、切断幅等につい
て誤測定を招く。
トパターン４が表示され、しかも２値化するとテストパ
ターン４と切断ライン２の区別がつかない場合には、図
中矢印で示すようにテストパターン４の一部を切断ライ
ン２の輪郭として誤って追跡してしまい、この場合にも
正確な切断ライン２の輪郭が分からず、切断幅等につい
て誤測定を招く。
【００１７】３．完全に切断しないハーフカットの場合
によく起こる現象、すなわち切断ライン２の底が光線の
影響で部分的に光っている場合には、２値化したとき図
１３に示す如く黒の切断ライン２中に白斑点５が生じる
が、この白斑点５が測定範囲Ｉ−ＩＩのラインＩ上に存
在すると、図中矢印で示すように白斑点５を切断ライン
２の縁と間違えて輪郭追跡が進行し、この場合にも正確
な切断ライン２の輪郭が分からず、切断幅等について誤
測定を招く。
によく起こる現象、すなわち切断ライン２の底が光線の
影響で部分的に光っている場合には、２値化したとき図
１３に示す如く黒の切断ライン２中に白斑点５が生じる
が、この白斑点５が測定範囲Ｉ−ＩＩのラインＩ上に存
在すると、図中矢印で示すように白斑点５を切断ライン
２の縁と間違えて輪郭追跡が進行し、この場合にも正確
な切断ライン２の輪郭が分からず、切断幅等について誤
測定を招く。
【００１８】この発明は上述の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは切断ラインの輪郭追跡の
誤りを高い確率で検出でき、切断幅等の測定に好適な切
断ライン測定装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは切断ラインの輪郭追跡の
誤りを高い確率で検出でき、切断幅等の測定に好適な切
断ライン測定装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は半導体ウエハー等のストリー
トに沿った切断ラインを撮像する撮像手段と、上記切断
ラインの測定範囲を設定する範囲設定手段と、上記撮像
手段から出力される上記測定範囲内の画像信号を画像デ
ータとして画像メモリに取り込むデータ取込手段と、上
記画像メモリ内に取り込まれた画像データを２値画像デ
ータに変換する２値化手段と、上記２値画像データを基
に切断ラインの一方側から他方側に向かって切断ライン
の輪郭を追跡する第１の輪郭追跡手段と、上記２値画像
データを基に切断ラインの他方側から一方側に向かって
切断ラインの輪郭を追跡する第２の輪郭追跡手段と、上
記第１の輪郭追跡手段による追跡結果と第２の輪郭追跡
手段による追跡結果とに基づき輪郭追跡の正誤を判定す
る判定手段とを備えることを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は半導体ウエハー等のストリー
トに沿った切断ラインを撮像する撮像手段と、上記切断
ラインの測定範囲を設定する範囲設定手段と、上記撮像
手段から出力される上記測定範囲内の画像信号を画像デ
ータとして画像メモリに取り込むデータ取込手段と、上
記画像メモリ内に取り込まれた画像データを２値画像デ
ータに変換する２値化手段と、上記２値画像データを基
に切断ラインの一方側から他方側に向かって切断ライン
の輪郭を追跡する第１の輪郭追跡手段と、上記２値画像
データを基に切断ラインの他方側から一方側に向かって
切断ラインの輪郭を追跡する第２の輪郭追跡手段と、上
記第１の輪郭追跡手段による追跡結果と第２の輪郭追跡
手段による追跡結果とに基づき輪郭追跡の正誤を判定す
る判定手段とを備えることを特徴とする。
【００２０】請求項２記載の発明は測定範囲を定めるラ
イン上に、輪郭を追跡するための基点を設定したことを
特徴とする。
イン上に、輪郭を追跡するための基点を設定したことを
特徴とする。
【００２１】請求項３記載の発明は測定範囲を定めるラ
インの内側に、輪郭を追跡するための基点を設定したこ
とを特徴とする。
インの内側に、輪郭を追跡するための基点を設定したこ
とを特徴とする。
【００２２】請求項４記載の発明は切断ラインが、半導
体ウエハー等のストリートの内側に位置し、かつこのス
トリートに沿って切断されてなり、上記ストリートの中
心線を基準線とし、この基準線上に、輪郭を追跡するた
めの基点を設定したことを特徴とする。
体ウエハー等のストリートの内側に位置し、かつこのス
トリートに沿って切断されてなり、上記ストリートの中
心線を基準線とし、この基準線上に、輪郭を追跡するた
めの基点を設定したことを特徴とする。
【００２３】請求項５記載の発明は切断ラインが、半導
体ウエハー等のストリートの内側に位置し、かつこのス
トリートに沿って切断されてなり、上記ストリートの中
心線を基準線とし、この基準線より離れた位置に、輪郭
を追跡するための基点を設定したことを特徴とする。
体ウエハー等のストリートの内側に位置し、かつこのス
トリートに沿って切断されてなり、上記ストリートの中
心線を基準線とし、この基準線より離れた位置に、輪郭
を追跡するための基点を設定したことを特徴とする。
【００２４】請求項６記載の発明は基準線より離れた位
置が、ストリートの内側であることを特徴とする。
置が、ストリートの内側であることを特徴とする。
【００２５】請求項７記載の発明は基準線より離れた位
置が、ストリートの内側で、かつ切断ラインの外側であ
ることを特徴とする。
置が、ストリートの内側で、かつ切断ラインの外側であ
ることを特徴とする。
【００２６】
【作用】この発明によると、切断ラインについて両側か
ら輪郭の追跡が行なわれるとともに、その両追跡結果に
基づき輪郭追跡の正誤が判定されるので、高い確率で輪
郭追跡の異常を発見することが可能となる。
ら輪郭の追跡が行なわれるとともに、その両追跡結果に
基づき輪郭追跡の正誤が判定されるので、高い確率で輪
郭追跡の異常を発見することが可能となる。
【００２７】
【実施例】以下、この発明に係る切断ライン測定装置の
実施例について図１ないし図８を基に詳細に説明する。
実施例について図１ないし図８を基に詳細に説明する。
【００２８】この切断ライン装置は図１に示す如く顕微
鏡付きＣＣＤカメラ１００、記憶装置１０１およびマイ
クロコンピュータ１０２を備える。
鏡付きＣＣＤカメラ１００、記憶装置１０１およびマイ
クロコンピュータ１０２を備える。
【００２９】ＣＣＤカメラ１００は半導体ウエハＷの切
断ライン２を撮像し、このＣＣＤカメラ１００からの画
像信号はＡ／Ｄ変換器１０３を介して記憶装置１０１に
送出される。
断ライン２を撮像し、このＣＣＤカメラ１００からの画
像信号はＡ／Ｄ変換器１０３を介して記憶装置１０１に
送出される。
【００３０】マイクロコンピュータ１０２は範囲設定機
能、データ取込機能、２値化機能、第１および第２の輪
郭追跡機能、並びに判定機能を備える。
能、データ取込機能、２値化機能、第１および第２の輪
郭追跡機能、並びに判定機能を備える。
【００３１】範囲設定機能は切断ライン２の測定範囲Ｉ
−ＩＩを設定するものであり、測定範囲Ｉ−ＩＩの幅は
適宜必要な大きさに変更することができる。
−ＩＩを設定するものであり、測定範囲Ｉ−ＩＩの幅は
適宜必要な大きさに変更することができる。
【００３２】データ取込機能は記憶装置１０１に対しデ
ータ取込指令を出力し、またこの指令を受けた記憶装置
１０１はＣＣＤカメラ１００側から出力される測定範囲
Ｉ−ＩＩ内の画像信号を画像データとして画像メモリ１
０１ａに取り込む。
ータ取込指令を出力し、またこの指令を受けた記憶装置
１０１はＣＣＤカメラ１００側から出力される測定範囲
Ｉ−ＩＩ内の画像信号を画像データとして画像メモリ１
０１ａに取り込む。
【００３３】なお、画像メモリ１０１ａに取り込まれた
画像データは輝度を表す８ビット程度のグレイレベル
（例えば０から２５５の値を採用し、黒を０に、白を２
５５に設定したもの）として、かつ図示しないＣＲＴ画
面の画素と１対１の関係を有して記憶される。
画像データは輝度を表す８ビット程度のグレイレベル
（例えば０から２５５の値を採用し、黒を０に、白を２
５５に設定したもの）として、かつ図示しないＣＲＴ画
面の画素と１対１の関係を有して記憶される。
【００３４】２値化機能は画像メモリ１０１ａ内に取り
込まれた画像データを白または黒の２値画像データに変
換するものであり、一定のしきい値を基準に白または黒
の２値化を行う。
込まれた画像データを白または黒の２値画像データに変
換するものであり、一定のしきい値を基準に白または黒
の２値化を行う。
【００３５】なお、しきい値はＣＲＴ画面上で切断ライ
ン２が黒となり、その周辺のストリート１は白となるよ
うに設定されている。このため２値化後、ＣＲＴ画面上
では切断ライン２は黒画素の集合体により、また切断ラ
イン２周辺のストリート１は白画素の集合体により表示
され、切断ライン２とストリート１に明暗がつけられ
る。
ン２が黒となり、その周辺のストリート１は白となるよ
うに設定されている。このため２値化後、ＣＲＴ画面上
では切断ライン２は黒画素の集合体により、また切断ラ
イン２周辺のストリート１は白画素の集合体により表示
され、切断ライン２とストリート１に明暗がつけられ
る。
【００３６】図２ないし図７に示すように、第１の輪郭
追跡機能は２値画像データを基に切断ラインの一方側２
ａから他方側２ｂに向かって切断ライン２の輪郭を追跡
するものであり、また第２の輪郭追跡機能は２値画像デ
ータを基に切断ラインの他方側２ｂから一方側２ａに向
かって切断ライン２の輪郭を追跡するものである。
追跡機能は２値画像データを基に切断ラインの一方側２
ａから他方側２ｂに向かって切断ライン２の輪郭を追跡
するものであり、また第２の輪郭追跡機能は２値画像デ
ータを基に切断ラインの他方側２ｂから一方側２ａに向
かって切断ライン２の輪郭を追跡するものである。
【００３７】つまり、第１の輪郭追跡機能と第２の輪郭
追跡機能では追跡開始の基点が異なり、第１の輪郭追跡
機能では切断ラインの一方側２ａを基点（以下「第１の
基点Ｐ１」という。）とし、第２の輪郭追跡機能では切
断ラインの他方側２ｂを基点（以下「第２の基点Ｐ２」
という。）とする。
追跡機能では追跡開始の基点が異なり、第１の輪郭追跡
機能では切断ラインの一方側２ａを基点（以下「第１の
基点Ｐ１」という。）とし、第２の輪郭追跡機能では切
断ラインの他方側２ｂを基点（以下「第２の基点Ｐ２」
という。）とする。
【００３８】第１の基点Ｐ１は測定範囲Ｉ−ＩＩの左端
を定めるラインＩ上と基準線Ｏ−Ｏとの交点に、また第
２の基点Ｐ２は測定範囲Ｉ−ＩＩの右端を定めるライン
ＩＩと基準線Ｏ−Ｏとの交点に設けられている。すなわ
ち第１および第２の基点Ｐ１，Ｐ２はともに測定範囲Ｉ
−ＩＩを定めるラインＩ，ＩＩ上に設定されている。
を定めるラインＩ上と基準線Ｏ−Ｏとの交点に、また第
２の基点Ｐ２は測定範囲Ｉ−ＩＩの右端を定めるライン
ＩＩと基準線Ｏ−Ｏとの交点に設けられている。すなわ
ち第１および第２の基点Ｐ１，Ｐ２はともに測定範囲Ｉ
−ＩＩを定めるラインＩ，ＩＩ上に設定されている。
【００３９】第１および第２の輪郭追跡機能とも、輪郭
追跡は従来例と同様に白黒判定を行いながら輪郭を追跡
する比較的簡単なアルゴリズムに基づき行われるため、
その詳細説明は省略する。
追跡は従来例と同様に白黒判定を行いながら輪郭を追跡
する比較的簡単なアルゴリズムに基づき行われるため、
その詳細説明は省略する。
【００４０】判定機能は第１の輪郭追跡機能による追跡
結果と第２の輪郭追跡機能による追跡結果とに基づき輪
郭追跡の正誤を判定する。
結果と第２の輪郭追跡機能による追跡結果とに基づき輪
郭追跡の正誤を判定する。
【００４１】なお、ＣＣＤカメラ１００はダイシング装
置２００のブレード２０１と一体にＹ軸方向へ移動で
き、また半導体ウエハＷはチャックテーブル２０２上に
設置され、かつスライド機構２０３を介してチャックテ
ーブル２０２と一体にＸ軸方向へ移動できるように構成
されている。
置２００のブレード２０１と一体にＹ軸方向へ移動で
き、また半導体ウエハＷはチャックテーブル２０２上に
設置され、かつスライド機構２０３を介してチャックテ
ーブル２０２と一体にＸ軸方向へ移動できるように構成
されている。
【００４２】次に、上記の如く構成された切断ライン測
定装置の動作について図２ないし図４を用いて説明す
る。
定装置の動作について図２ないし図４を用いて説明す
る。
【００４３】なお、ＣＣＤカメラ１００から出力される
測定範囲Ｉ−ＩＩ内の画像信号が画像データとして画像
メモリ１０１ａに取り込まれること、取り込まれた画像
データはしきい値を基準に白または黒の２値画像データ
に変換されること、およびＣＲＴ画面上では切断ライン
２は黒画素の集合体により、また切断ライン２周辺のス
トリート１は白画素の集合体により表示されることは従
来と同様なため、その詳細説明は省略する。
測定範囲Ｉ−ＩＩ内の画像信号が画像データとして画像
メモリ１０１ａに取り込まれること、取り込まれた画像
データはしきい値を基準に白または黒の２値画像データ
に変換されること、およびＣＲＴ画面上では切断ライン
２は黒画素の集合体により、また切断ライン２周辺のス
トリート１は白画素の集合体により表示されることは従
来と同様なため、その詳細説明は省略する。
【００４４】この切断ライン測定装置によれば、２値化
後に第１および第２の輪郭追跡機能が作動し、これによ
り切断ラインの一方側２ａから他方側２ｂへの輪郭追
跡、およびこれとは逆に切断ラインの他方側２ｂから一
方側２ａへの輪郭追跡、すなわち切断ラインの両側２
ａ，２ｂからそれぞれ輪郭追跡が行われる。この際、切
断ライン一方側２ａからの輪郭追跡は第１の基点Ｐ１を
基に行なわれ、また切断ライン他方側２ｂからの輪郭追
跡は第２の基点Ｐ２を基に行なわれる。
後に第１および第２の輪郭追跡機能が作動し、これによ
り切断ラインの一方側２ａから他方側２ｂへの輪郭追
跡、およびこれとは逆に切断ラインの他方側２ｂから一
方側２ａへの輪郭追跡、すなわち切断ラインの両側２
ａ，２ｂからそれぞれ輪郭追跡が行われる。この際、切
断ライン一方側２ａからの輪郭追跡は第１の基点Ｐ１を
基に行なわれ、また切断ライン他方側２ｂからの輪郭追
跡は第２の基点Ｐ２を基に行なわれる。
【００４５】次に、判定機能が作動し、第１の輪郭追跡
機能による追跡結果と第２の輪郭追跡機能による追跡結
果とに基づき輪郭追跡の正誤判定がなされる。
機能による追跡結果と第２の輪郭追跡機能による追跡結
果とに基づき輪郭追跡の正誤判定がなされる。
【００４６】輪郭追跡の正誤判定については次の３つの
場合に分けて説明する。
場合に分けて説明する。
【００４７】なお、ここでは第１の輪郭追跡機能による
輪郭追跡が始まる点を第１の追跡開始点Ａ1 、終了する
点を第１の追跡終了点Ｂ1 とし、また第２の輪郭追跡機
能による輪郭追跡が始まる点を第２の追跡開始点Ａ2 、
終了する点を第２の追跡終了点Ｂ2 とする。
輪郭追跡が始まる点を第１の追跡開始点Ａ1 、終了する
点を第１の追跡終了点Ｂ1 とし、また第２の輪郭追跡機
能による輪郭追跡が始まる点を第２の追跡開始点Ａ2 、
終了する点を第２の追跡終了点Ｂ2 とする。
【００４８】（Ａ）切断ラインと配線パターンが接触す
る場合（図２参照） この場合、切断ライン両側２ａ，２ｂからの輪郭追跡が
正しければ式（１）の関係が成り立つ筈である。 Ａ1 ＝Ｂ2 ，Ａ2 ＝Ｂ1 …（１）
る場合（図２参照） この場合、切断ライン両側２ａ，２ｂからの輪郭追跡が
正しければ式（１）の関係が成り立つ筈である。 Ａ1 ＝Ｂ2 ，Ａ2 ＝Ｂ1 …（１）
【００４９】しかし、切断ライン２と配線パターン３が
接触する場合には、２値化すると切断ライン２と配線パ
ターン３がその接触部Ｃでつながるため、輪郭追跡が当
該接触部分より誤って配線パターン３の方へ移行し、そ
の後配線パターン３の輪郭に沿って進行する。
接触する場合には、２値化すると切断ライン２と配線パ
ターン３がその接触部Ｃでつながるため、輪郭追跡が当
該接触部分より誤って配線パターン３の方へ移行し、そ
の後配線パターン３の輪郭に沿って進行する。
【００５０】つまり、切断ライン一方側２ａからの輪郭
追跡は第１の基点Ｐ１、第１の追跡開始点Ａ1 、接触部
Ｃ、第１の追跡終了点Ｂ1 を通過するものとなり、また
切断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡は第２の基点Ｐ
２、第２の追跡開始点Ａ2 、接触部Ｃ、第２の追跡終了
点Ｂ2 を通過するものとなる。
追跡は第１の基点Ｐ１、第１の追跡開始点Ａ1 、接触部
Ｃ、第１の追跡終了点Ｂ1 を通過するものとなり、また
切断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡は第２の基点Ｐ
２、第２の追跡開始点Ａ2 、接触部Ｃ、第２の追跡終了
点Ｂ2 を通過するものとなる。
【００５１】このため、第１の追跡開始点Ａ1 と第２の
追跡終了点Ｂ2 、および第２の追跡開始点Ａ2 と第１の
追跡終了点Ｂ1 はともに一致せず、式（１）の関係は成
立しないことから、輪郭追跡が異常であることが分か
る。
追跡終了点Ｂ2 、および第２の追跡開始点Ａ2 と第１の
追跡終了点Ｂ1 はともに一致せず、式（１）の関係は成
立しないことから、輪郭追跡が異常であることが分か
る。
【００５２】このように輪郭追跡の正誤判定は式（１）
の関係が成立するか否かに基づき行われ、この関係が成
立しない場合には輪郭追跡が異常であると判断する。
の関係が成立するか否かに基づき行われ、この関係が成
立しない場合には輪郭追跡が異常であると判断する。
【００５３】（Ｂ）ストリートにテストパターンがある
場合（図３参照） この場合も上記と同様な考え方から第１の追跡開始点Ａ
1 と第２の追跡終了点Ｂ2 、および第２の追跡開始点Ａ
2 と第１の追跡終了点Ｂ1 が一致しないときには、輪郭
追跡が異常であると判断する。
場合（図３参照） この場合も上記と同様な考え方から第１の追跡開始点Ａ
1 と第２の追跡終了点Ｂ2 、および第２の追跡開始点Ａ
2 と第１の追跡終了点Ｂ1 が一致しないときには、輪郭
追跡が異常であると判断する。
【００５４】しかし、上記のような一致するか否かの判
断にあっては追跡開始点Ａ1 ，Ａ2と追跡終了点Ｂ1 ，
Ｂ2 のみを問題とするものであるため、その両点間の途
中における輪郭追跡の誤り、例えば矢印ホまたは矢印ヘ
で示すようにテストパターン４の一部を切断ライン２の
輪郭として誤って追跡したことは発見できない。
断にあっては追跡開始点Ａ1 ，Ａ2と追跡終了点Ｂ1 ，
Ｂ2 のみを問題とするものであるため、その両点間の途
中における輪郭追跡の誤り、例えば矢印ホまたは矢印ヘ
で示すようにテストパターン４の一部を切断ライン２の
輪郭として誤って追跡したことは発見できない。
【００５５】このような輪郭追跡の誤りを発見するた
め、ここでは切断ライン一方側２ａからの輪郭追跡と切
断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡とを比較し、両者の
追跡途中経路が異なるか否かを調べ、途中経路が異なる
場合には輪郭追跡が異常であると判断する。このような
判断は次のように行う。
め、ここでは切断ライン一方側２ａからの輪郭追跡と切
断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡とを比較し、両者の
追跡途中経路が異なるか否かを調べ、途中経路が異なる
場合には輪郭追跡が異常であると判断する。このような
判断は次のように行う。
【００５６】すなわち、切断ライン両側２ａ，２ｂから
の輪郭追跡データをすべてデータメモリに書き込む。こ
の輪郭追跡データは基準線Ｏ−Ｏから切断ライン２の輪
郭までの距離を表すものとする。
の輪郭追跡データをすべてデータメモリに書き込む。こ
の輪郭追跡データは基準線Ｏ−Ｏから切断ライン２の輪
郭までの距離を表すものとする。
【００５７】その後、切断ライン一方側２ａからの輪郭
追跡データと切断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡デー
タとを対比し、一致しない部分がある場合には追跡途中
の経路が異なるため輪郭追跡が異常であると判断する。
追跡データと切断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡デー
タとを対比し、一致しない部分がある場合には追跡途中
の経路が異なるため輪郭追跡が異常であると判断する。
【００５８】但し、輪郭追跡が正常な場合でも、チッピ
ングのオーバーハングなどにより輪郭追跡データが一致
しない場合もあり得るため、ある程度の輪郭追跡データ
の不一致は許容する。例えば、差が３ピクセル以内で長
さが５ピクセル以内は許容する。
ングのオーバーハングなどにより輪郭追跡データが一致
しない場合もあり得るため、ある程度の輪郭追跡データ
の不一致は許容する。例えば、差が３ピクセル以内で長
さが５ピクセル以内は許容する。
【００５９】したがって、輪郭追跡が異常であるとの判
断は輪郭追跡データの一致度が一定の許容範囲を越える
場合に行なわれる。
断は輪郭追跡データの一致度が一定の許容範囲を越える
場合に行なわれる。
【００６０】このような判断手法でもテストパターンの
種類によっては輪郭追跡が異常であるか否かを識別でき
ないこともあり得るが、通常は比較的複雑なテストパタ
ーンが書かれていることが多いため、この判断手法によ
ると輪郭追跡が異常であることを高い確率で検出でき
る。
種類によっては輪郭追跡が異常であるか否かを識別でき
ないこともあり得るが、通常は比較的複雑なテストパタ
ーンが書かれていることが多いため、この判断手法によ
ると輪郭追跡が異常であることを高い確率で検出でき
る。
【００６１】（Ｃ）切断ラインの底が部分的に光ってい
る場合（図４参照） 切断ライン２の底が光線の影響で部分的に光っている場
合には２値化したとき図４に示す如く黒の切断ライン２
中に白斑点５が生じ、この白斑点５は測定範囲Ｉ−ＩＩ
のラインＩ，ＩＩ上に存在することもある。
る場合（図４参照） 切断ライン２の底が光線の影響で部分的に光っている場
合には２値化したとき図４に示す如く黒の切断ライン２
中に白斑点５が生じ、この白斑点５は測定範囲Ｉ−ＩＩ
のラインＩ，ＩＩ上に存在することもある。
【００６２】このとき、第１および第２の基点Ｐ１，Ｐ
２が上記の如く測定範囲Ｉ−ＩＩのラインＩ，ＩＩ上に
設定されていたのでは白斑点５の部分を切断ライン２の
縁と間違えるという不具合が生じる。
２が上記の如く測定範囲Ｉ−ＩＩのラインＩ，ＩＩ上に
設定されていたのでは白斑点５の部分を切断ライン２の
縁と間違えるという不具合が生じる。
【００６３】そこで、この場合には測定範囲Ｉ−ＩＩの
内側に基点Ｐ１′，Ｐ２′を設定するとともに、内側基
点Ｐ１′，Ｐ２′を基に切断ラインの両側２ａ，２ｂか
ら輪郭追跡を行なうものとする。
内側に基点Ｐ１′，Ｐ２′を設定するとともに、内側基
点Ｐ１′，Ｐ２′を基に切断ラインの両側２ａ，２ｂか
ら輪郭追跡を行なうものとする。
【００６４】このように測定範囲Ｉ−ＩＩの内側に基点
Ｐ１′，Ｐ２′を設定した場合、切断ライン一方側２ａ
からの輪郭追跡については、矢印ヘで示すように基点Ｐ
１′より白斑点５を避けつつ第１の追跡開始点Ａ1 に一
旦戻り、その後第１の追跡開始点Ａ1 から行うことがで
き、また、切断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡につい
ては、矢印トで示すように基点Ｐ２′より白斑点５を避
けながら第２の追跡開始点Ａ2 に一旦戻り、その後第２
の追跡開始点Ａ2 から行うことができる。
Ｐ１′，Ｐ２′を設定した場合、切断ライン一方側２ａ
からの輪郭追跡については、矢印ヘで示すように基点Ｐ
１′より白斑点５を避けつつ第１の追跡開始点Ａ1 に一
旦戻り、その後第１の追跡開始点Ａ1 から行うことがで
き、また、切断ライン他方側２ｂからの輪郭追跡につい
ては、矢印トで示すように基点Ｐ２′より白斑点５を避
けながら第２の追跡開始点Ａ2 に一旦戻り、その後第２
の追跡開始点Ａ2 から行うことができる。
【００６５】上記のような内側基点Ｐ１′，Ｐ２′を採
用したことによって、誤測定はかなり改善されたが、こ
れでもまだ誤測定が生じることもある。
用したことによって、誤測定はかなり改善されたが、こ
れでもまだ誤測定が生じることもある。
【００６６】つまり、上記白斑点５が筋状に長く続き、
これが図５ないし図７に示すような白線６となる場合も
ある。このような白線６が存在するとき、上記と同様な
内側基点Ｐ１′，Ｐ２′からの追跡を行ったのでは、内
側基点Ｐ１′，Ｐ２′上に白線６が位置することから、
白線６を切断ライン２の縁と誤認し、白線６に沿って追
跡が進行してしまい、切断ライン２の縁に到達できない
点で誤測定となる。
これが図５ないし図７に示すような白線６となる場合も
ある。このような白線６が存在するとき、上記と同様な
内側基点Ｐ１′，Ｐ２′からの追跡を行ったのでは、内
側基点Ｐ１′，Ｐ２′上に白線６が位置することから、
白線６を切断ライン２の縁と誤認し、白線６に沿って追
跡が進行してしまい、切断ライン２の縁に到達できない
点で誤測定となる。
【００６７】そこで、このような誤測定を回避するに
は、図５ないし図７に示す如く基準線Ｏ−Ｏ上でなく、
基準線Ｏ−Ｏより離れた位置に基点Ｐ１″，Ｐ２″を設
定し、この基点Ｐ１″，Ｐ２″を基に切断ラインの輪郭
追跡を行なうものとする。
は、図５ないし図７に示す如く基準線Ｏ−Ｏ上でなく、
基準線Ｏ−Ｏより離れた位置に基点Ｐ１″，Ｐ２″を設
定し、この基点Ｐ１″，Ｐ２″を基に切断ラインの輪郭
追跡を行なうものとする。
【００６８】なお、基点Ｐ１″，Ｐ２″はストリート１
の内側で、かつ切断ライン２の外側、すなわち切断され
ずに残されているストリート１の切断残部１ａ内に設け
るのが好ましい。
の内側で、かつ切断ライン２の外側、すなわち切断され
ずに残されているストリート１の切断残部１ａ内に設け
るのが好ましい。
【００６９】このよう基準線Ｏ−Ｏより離れた位置に基
点Ｐ１″，Ｐ２″を設定した場合には、基点Ｐ１″，Ｐ
２″が白画素のときは図５に示すように基点Ｐ１″，Ｐ
２″からストリート１の中心線（基準線Ｏ−Ｏ）に向か
って追跡が進行し、また基点Ｐ１″，Ｐ２″が黒画素の
場合は図６に示す如く基点Ｐ１″，Ｐ２″から基準線Ｏ
−Ｏ（ストリート１の中心線）に向うのでなく、基準線
Ｏ−Ｏより離れる方向に向かって追跡が進行する。
点Ｐ１″，Ｐ２″を設定した場合には、基点Ｐ１″，Ｐ
２″が白画素のときは図５に示すように基点Ｐ１″，Ｐ
２″からストリート１の中心線（基準線Ｏ−Ｏ）に向か
って追跡が進行し、また基点Ｐ１″，Ｐ２″が黒画素の
場合は図６に示す如く基点Ｐ１″，Ｐ２″から基準線Ｏ
−Ｏ（ストリート１の中心線）に向うのでなく、基準線
Ｏ−Ｏより離れる方向に向かって追跡が進行する。
【００７０】たとえば、基準線Ｏ−Ｏより離れた位置に
基点Ｐ１″を設定した場合の輪郭追跡は次のように行わ
れる。
基点Ｐ１″を設定した場合の輪郭追跡は次のように行わ
れる。
【００７１】基点Ｐ１″が白画素のときは、図５矢印
チで示すように基点Ｐ１″からストリート１の中心線
（基準線Ｏ−Ｏ）に向かって垂直下方に、黒画素に出会
うまで進行する。
チで示すように基点Ｐ１″からストリート１の中心線
（基準線Ｏ−Ｏ）に向かって垂直下方に、黒画素に出会
うまで進行する。
【００７２】この際、図５に示す例では最初に出会う画
素が切断ライン２の縁を構成する黒画素であるため、黒
画素との出会いは切断ライン２の縁への到達であり、到
達後は追跡開始点Ａ1 側に向かって水平方向に進行す
る。
素が切断ライン２の縁を構成する黒画素であるため、黒
画素との出会いは切断ライン２の縁への到達であり、到
達後は追跡開始点Ａ1 側に向かって水平方向に進行す
る。
【００７３】その後、進行先が白画素のときは垂直下方
に、また黒画素のときは水平方向に進行し、このように
して切断ライン２の縁に沿って進行しながら追跡開始点
Ａ1に一旦戻り、そして追跡開始点Ａ1 から輪郭追跡を
行う。
に、また黒画素のときは水平方向に進行し、このように
して切断ライン２の縁に沿って進行しながら追跡開始点
Ａ1に一旦戻り、そして追跡開始点Ａ1 から輪郭追跡を
行う。
【００７４】基点Ｐ１″が黒画素のときは、図６矢印
リで示す如く基点Ｐ１″から基準線Ｏ−Ｏの垂直上方
に、すなわち基準線Ｏ−Ｏより離れる方向に、白画素に
出会うまで進行する。
リで示す如く基点Ｐ１″から基準線Ｏ−Ｏの垂直上方
に、すなわち基準線Ｏ−Ｏより離れる方向に、白画素に
出会うまで進行する。
【００７５】この際、図６に示す例では最初に出会う画
素が切断ライン２の縁を構成する白画素であるため、白
画素との出会いは切断ライン２の縁への到達であり、到
達後は追跡開始点Ａ1 側に向かって水平方向に進行す
る。
素が切断ライン２の縁を構成する白画素であるため、白
画素との出会いは切断ライン２の縁への到達であり、到
達後は追跡開始点Ａ1 側に向かって水平方向に進行す
る。
【００７６】その後、切断ライン２の縁に沿って進行し
ながら追跡開始点Ａ1 に一旦戻り、第１の追跡開始点Ａ
1 から輪郭追跡を行うことは上記と同様である。
ながら追跡開始点Ａ1 に一旦戻り、第１の追跡開始点Ａ
1 から輪郭追跡を行うことは上記と同様である。
【００７７】このように、基点Ｐ１″から追跡開始点Ａ
1 に戻る追跡は、基点Ｐ１″が切断ライン２の外側（切
断残部１ａ）にある場合のみならず、切断ライン２の中
にあるときにも行える。
1 に戻る追跡は、基点Ｐ１″が切断ライン２の外側（切
断残部１ａ）にある場合のみならず、切断ライン２の中
にあるときにも行える。
【００７８】なお、切断加工時にシリコンの切粉（シリ
コンダスト）が発生した場合は純水での洗浄を行うが、
これだけではシリコンダストが完全に除去されず、切断
ライン２の外側にシリコンダストが付着して残る場合も
あり、シリコンダストが僅かでも残っていると、２値化
したとき図７に示す如く切断ライン２の外側である白の
切断残部１ａ中に黒斑点７が生じることもある。
コンダスト）が発生した場合は純水での洗浄を行うが、
これだけではシリコンダストが完全に除去されず、切断
ライン２の外側にシリコンダストが付着して残る場合も
あり、シリコンダストが僅かでも残っていると、２値化
したとき図７に示す如く切断ライン２の外側である白の
切断残部１ａ中に黒斑点７が生じることもある。
【００７９】このような黒斑点７が基点Ｐ１″の下方に
あるときの追跡は図７矢印ヌで示す如く進行する。すな
わち基点Ｐ１″から基準線Ｏ−Ｏに向かって垂直下方に
進行して黒斑点７に到達すると、その後は黒斑点７の周
囲を一部縁取るように進行し、これにより黒斑点７を避
けながら切断ライン２の縁に到達する。
あるときの追跡は図７矢印ヌで示す如く進行する。すな
わち基点Ｐ１″から基準線Ｏ−Ｏに向かって垂直下方に
進行して黒斑点７に到達すると、その後は黒斑点７の周
囲を一部縁取るように進行し、これにより黒斑点７を避
けながら切断ライン２の縁に到達する。
【００８０】また、基点Ｐ１″が黒斑点７中に位置する
ときの追跡は図７矢印ネで示す如く進行する。すなわち
基点Ｐ１″から垂直上方に進行して黒斑点７の周囲に達
すると、その後は黒斑点７の周囲を一部縁取るように進
行し、これにより黒斑点７から離脱して切断ライン２の
縁に到達する。
ときの追跡は図７矢印ネで示す如く進行する。すなわち
基点Ｐ１″から垂直上方に進行して黒斑点７の周囲に達
すると、その後は黒斑点７の周囲を一部縁取るように進
行し、これにより黒斑点７から離脱して切断ライン２の
縁に到達する。
【００８１】以上のように、基準線Ｏ−Ｏより離れた位
置に基点Ｐ１″，Ｐ２″を設定した場合には、切断ライ
ン２外側より追跡が可能となることから、切断ライン２
中に白線６が存在するときでも、この白線６を切断ライ
ン２の縁と誤認することがなく、この種の誤認による誤
測定を防止できる。
置に基点Ｐ１″，Ｐ２″を設定した場合には、切断ライ
ン２外側より追跡が可能となることから、切断ライン２
中に白線６が存在するときでも、この白線６を切断ライ
ン２の縁と誤認することがなく、この種の誤認による誤
測定を防止できる。
【００８２】上記実施例の切断ライン測定装置は、いず
れも切断ラインについて両側から輪郭の追跡を行うとと
もに、その両追跡結果を基に輪郭追跡の正誤を判定する
ものである。このため輪郭追跡の正誤を判定が両追跡結
果に基づきなされることから、高い確率で輪郭追跡の異
常を発見することが可能となり、切断幅等の誤測定を防
止できる。
れも切断ラインについて両側から輪郭の追跡を行うとと
もに、その両追跡結果を基に輪郭追跡の正誤を判定する
ものである。このため輪郭追跡の正誤を判定が両追跡結
果に基づきなされることから、高い確率で輪郭追跡の異
常を発見することが可能となり、切断幅等の誤測定を防
止できる。
【００８３】しかも、この実施例装置は、切断ラインの
両側から行なわれる輪郭追跡が白黒判定を行いつつ輪郭
を追跡するだけの比較的簡単なものであるため、輪郭追
跡の正誤が分るまでの処理時間が短く、ダイシング装置
の稼働率低下を防止するのに好適である。
両側から行なわれる輪郭追跡が白黒判定を行いつつ輪郭
を追跡するだけの比較的簡単なものであるため、輪郭追
跡の正誤が分るまでの処理時間が短く、ダイシング装置
の稼働率低下を防止するのに好適である。
【００８４】なお、図８に示すように基準線Ｏ−Ｏから
基点Ｐ１″，Ｐ２″までの距離ｈ1，ｈ2 については、
ストリートの幅Ｌとの関係から式（２）（３）に示す如
く設定することができる。 ｈ1 ＜（１／２）Ｌ …（２） ｈ2 ＜（１／２）Ｌ …（３）
基点Ｐ１″，Ｐ２″までの距離ｈ1，ｈ2 については、
ストリートの幅Ｌとの関係から式（２）（３）に示す如
く設定することができる。 ｈ1 ＜（１／２）Ｌ …（２） ｈ2 ＜（１／２）Ｌ …（３）
【００８５】測定範囲Ｉ−ＩＩの内側に基点Ｐ１′，Ｐ
２′を設定すること、および基準線Ｏ−Ｏより離れた位
置に基点Ｐ１″，Ｐ２″を設定することは前述の（Ｃ）
の場合のみならず（Ａ）および（Ｂ）の場合にも適用す
ることができる。
２′を設定すること、および基準線Ｏ−Ｏより離れた位
置に基点Ｐ１″，Ｐ２″を設定することは前述の（Ｃ）
の場合のみならず（Ａ）および（Ｂ）の場合にも適用す
ることができる。
【００８６】
【発明の効果】この発明に係る切断ライン測定装置にあ
っては、切断ラインについて両側から輪郭の追跡を行う
とともに、その両追跡結果を基に輪郭追跡の正誤を判定
するものである。このため輪郭追跡の正誤を判定が両追
跡結果に基づきなされることから、高い確率で輪郭追跡
の異常を発見することが可能となり、切断幅等の誤測定
を防止できる。請求項２ないし７記載の発明についても
上記と同様な効果が得られる。
っては、切断ラインについて両側から輪郭の追跡を行う
とともに、その両追跡結果を基に輪郭追跡の正誤を判定
するものである。このため輪郭追跡の正誤を判定が両追
跡結果に基づきなされることから、高い確率で輪郭追跡
の異常を発見することが可能となり、切断幅等の誤測定
を防止できる。請求項２ないし７記載の発明についても
上記と同様な効果が得られる。
【図１】この発明に係る切断ライン測定装置の実施例の
説明図。
説明図。
【図２】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図３】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図４】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図５】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図６】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図７】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図８】この発明における輪郭追跡動作の説明図。
【図９】半導体ウエハの平面図。
【図１０】従来の輪郭追跡動作の説明図。
【図１１】従来の輪郭追跡動作の説明図。
【図１２】従来の輪郭追跡動作の説明図。
【図１３】従来の輪郭追跡動作の説明図。
１ ストリート ２ 切断ライン １００ ＣＣＤカメラ（撮像手段） １０１ａ 画像メモリ Ｐ１，Ｐ１′Ｐ１″，Ｐ２，Ｐ２′，Ｐ２″ 基点 １０２ マイクロコンピュータ（範囲設定手段、データ
取込手段、２値化手段、第１および第２の輪郭追跡手
段、判定手段） Ｉ−ＩＩ 測定範囲 Ｏ−Ｏ 基準線
取込手段、２値化手段、第１および第２の輪郭追跡手
段、判定手段） Ｉ−ＩＩ 測定範囲 Ｏ−Ｏ 基準線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｔ 9/20 Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウエハー等の切断ラインを撮像す
る撮像手段と、 上記切断ラインの測定範囲を設定する範囲設定手段と、 上記撮像手段から出力される上記測定範囲内の画像信号
を画像データとして画像メモリに取り込むデータ取込手
段と、 上記画像メモリ内に取り込まれた画像データを２値画像
データに変換する２値化手段と、 上記２値画像データを基に切断ラインの一方側から他方
側に向かって切断ラインの輪郭を追跡する第１の輪郭追
跡手段と、 上記２値画像データを基に切断ラインの他方側から一方
側に向かって切断ラインの輪郭を追跡する第２の輪郭追
跡手段と、 上記第１の輪郭追跡手段による追跡結果と第２の輪郭追
跡手段による追跡結果とに基づき輪郭追跡の正誤を判定
する判定手段とを備えることを特徴とする切断ライン測
定装置。 - 【請求項２】 測定範囲を定めるライン上に、輪郭を追
跡するための基点を設定したことを特徴とする請求項１
記載の切断ライン測定装置。 - 【請求項３】 測定範囲を定めるラインの内側に、輪郭
を追跡するための基点を設定したことを特徴とする請求
項１記載の切断ライン測定装置。 - 【請求項４】 切断ラインが、半導体ウエハー等のスト
リートの内側に位置し、かつこのストリートに沿って切
断されてなり、 上記ストリートの中心線を基準線とし、この基準線上
に、輪郭を追跡するための基点を設定したことを特徴と
する請求項１記載の切断ライン測定装置。 - 【請求項５】 切断ラインが、半導体ウエハー等のスト
リートの内側に位置し、かつこのストリートに沿って切
断されてなり、 上記ストリートの中心線を基準線とし、この基準線より
離れた位置に、輪郭を追跡するための基点を設定したこ
とを特徴とする請求項１記載の切断ライン測定装置。 - 【請求項６】 基準線より離れた位置が、ストリートの
内側であることを特徴とする請求項５記載の切断ライン
測定装置。 - 【請求項７】 基準線より離れた位置が、ストリートの
内側で、かつ切断ラインの外側であることを特徴とする
請求項５記載の切断ライン測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7076472A JPH0875432A (ja) | 1994-07-08 | 1995-03-31 | 切断ライン測定装置 |
| US08/499,160 US5710825A (en) | 1995-03-31 | 1995-07-07 | Cutting line measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-157722 | 1994-07-08 | ||
| JP15772294 | 1994-07-08 | ||
| JP7076472A JPH0875432A (ja) | 1994-07-08 | 1995-03-31 | 切断ライン測定装置 |
| US08/499,160 US5710825A (en) | 1995-03-31 | 1995-07-07 | Cutting line measuring apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0875432A true JPH0875432A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=27302166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7076472A Withdrawn JPH0875432A (ja) | 1994-07-08 | 1995-03-31 | 切断ライン測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0875432A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10288585A (ja) * | 1997-04-13 | 1998-10-27 | Inspectech Ltd | 切断部を分析するための方法と装置 |
| KR100699247B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2007-03-28 | 주식회사 고려반도체시스템 | 웨이퍼 레이저 쏘잉 장치의 파라미터변환방법 및 그 장치 |
| JP2009074952A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Nec Electronics Corp | 外観検査方法 |
| JP2013157385A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Semiconductor Components Industries Llc | 半導体装置及びその自動外観検査方法 |
| CN116995030A (zh) * | 2023-09-27 | 2023-11-03 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | 一种晶圆残片全自动切割方法及装置 |
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1995
- 1995-03-31 JP JP7076472A patent/JPH0875432A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10288585A (ja) * | 1997-04-13 | 1998-10-27 | Inspectech Ltd | 切断部を分析するための方法と装置 |
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| CN116995030B (zh) * | 2023-09-27 | 2023-12-29 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | 一种晶圆残片全自动切割方法及装置 |
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