JP2017201840A - 無線周波数(rf)伝導媒体 - Google Patents
無線周波数(rf)伝導媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017201840A JP2017201840A JP2017156490A JP2017156490A JP2017201840A JP 2017201840 A JP2017201840 A JP 2017201840A JP 2017156490 A JP2017156490 A JP 2017156490A JP 2017156490 A JP2017156490 A JP 2017156490A JP 2017201840 A JP2017201840 A JP 2017201840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- medium
- conducting medium
- conducting
- operating frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/10—Wire waveguides, i.e. with a single solid longitudinal conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Abstract
Description
本願は、米国仮出願第61/640,784号(2012年5月1日出願)および米国
仮出願第61/782,629号(2013年3月14日出願)の利益を主張する。上記
出願の全教示は、参照により本明細書に援用される。
ギーの形態である。電磁波は、多くの異なる周波数を有することができる。
電磁スペクトル内の電磁波を操作する。特に、現代の電気通信システムは、無線周波数(
RF)波としてそれらを分類する周波数を有するそれらの波を操作する。RF波を利用す
るために、電気通信システムは、フィルタ、ミキサ、増幅器、およびアンテナ等のある不
可欠なハードウェア構成要素を利用する。
RF)伝導媒体に関する。RF伝導媒体は、着目無線周波数において、表皮効果の影響を
誘発する損失がない、1つ以上の伝導経路を横方向電磁軸に含むことによって、RFデバ
イスの伝導効率を改善する。
無線周波数(RF)伝導媒体である。RF伝導媒体はまた、横方向電磁軸における複数の
連続伝導経路の各々を周期的に包囲するサスペンション誘電体を含む。サスペンション誘
電体は、横方向電磁軸と垂直な軸において、複数の伝導経路の各々がRFエネルギーが伝
搬することを周期的に遮断するように構成される。サスペンション誘電体はさらに、複数
の連続伝導経路の各々のために機械的支持を提供するように構成される。
であり得る。複数の伝導層の各々は、構造化され、複数の伝導層の他の層に対して均一位
置または配列を有し得る。別の実施形態では、複数の伝導層の各々は、構造化されず、複
数の伝導層の他の層に対して、メッシュ配列を有し得る。
である。他の実施形態では、横方向電磁軸は、RF伝導媒体が適用される表面と同一平面
にある軸である。
状態に維持するように構成されている、溶媒を含み得る。溶媒は、熱源による刺激に応答
して蒸発するように構成される。
である元素から成るナノ材料から作製され得る。また、多様な伝導媒体の各媒体は、ワイ
ヤ、リボン、チューブ、および薄片のうちの少なくとも1つである構造を有し得る。
ない伝導断面積を有し得る。ある実施形態では、表皮深度「δ」は、以下によって計算さ
れ得、
は、伝導媒体のナノ材料の抵抗率であり、fは、所望の動作周波数である。
、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィ
ルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少
なくとも1つに対応し得る。
積を有し得る。他の実施例では、複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1000nm−
3000nmを有する均一伝導断面積を有し得る。さらに別の実施例では、複数の連続伝
導経路の各々は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一伝導断面積を有し得
る。
所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を
含む。材料は、ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも
1つであり得る。
RF)伝導媒体である。伝導媒体の各媒体は、横方向電磁軸において伝導性であり、横方
向電磁軸と垂直な軸においてほとんど伝導しない材料から作製される。RF伝導媒体はま
た、多様な伝導媒体を包囲するRF不活性材料の層を含む。
低吸収性である。また、RF不活性材料の層は、多様な伝導媒体を誘電体表面上に固定す
るように構成される。RF不活性材料は、ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーテ
ィングのうちの少なくとも1つであり得る。
導媒体はさらに、誘電体表面上へのRF伝導媒体の適用の間、RF伝導媒体を粘性状態に
維持するように構成されている、溶媒を含み得る。溶媒はさらに、熱源による刺激に応答
して蒸発するように構成される。
るナノ材料から作製され得る。また、多様な伝導媒体内の各伝導媒体は、単層炭素ナノチ
ューブ(SWCNT)、多層炭素ナノチューブ(MWCNT)、および黒鉛のうちの少な
くとも1つであり得る。
ない伝導断面積を有し得る。ある実施形態では、表皮深度「δ」は、以下によって計算さ
れ得、
は、伝導媒体のナノ材料の抵抗率であり、fは、所望の動作周波数である。
、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィ
ルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少
なくとも1つに対応し得る。
積を有し得る。他の実施例では、複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1000nm−
3000nmを有する均一伝導断面積を有し得る。さらに別の実施例では、複数の連続伝
導経路の各々は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一伝導断面積を有し得
る。
電気伝導ナノ構造の束を含む。加えて、RF伝導媒体は、分離した電気伝導ナノ構造の束
が誘電体表面に適用されることを可能にする結合剤を含む。分離した電気伝導ナノ構造の
束は、熱源による焼結に応答して、均一格子構造および均一伝導断面積を有する連続伝導
層を形成する。熱源は、分離した電気伝導ナノ構造の束の各分離した伝導ナノ構造のナノ
材料の原子構造および厚さに基づいて、熱の刺激を印加し得る。
ある元素から成るナノ材料から作製され得る。また、分離した伝導ナノ構造の各々は、ワ
イヤ、リボン、チューブ、および薄片のうちの少なくとも1つである伝導構造であり得る
。
し得る。ある実施形態では、表皮深度「δ」は、以下によって計算され得、
は、伝導媒体のナノ材料の抵抗率であり、fは、所望の動作周波数である。
、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィ
ルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少
なくとも1つに対応し得る。
他の実施例では、連続伝導層は、表皮深度1000nm−3000nmを有する均一伝導
断面積を有し得る。さらに別の実施例では、連続伝導層は、表皮深度1500nm−25
00nmを有する均一伝導断面積を有し得る。
る実施形態では、誘電体表面は、以下によって計算される深度「δ」を上回らない深度を
有する凸凹を伴う表面平滑度を有し得、
は、伝導媒体のナノ材料の抵抗率であり、fは、所望の動作周波数である。
数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を含む。材料は、
ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つであり得る
。
内側表面であり得る。別の実施形態では、分離したナノ構造の束は、第1の誘電体表面の
外側表面および第2の誘電体表面の同心内側表面に適用され得る。第1の誘電体表面は、
内側導体であり、第2の誘電体表面は、同軸ケーブルの外側導体である。また、分離した
電気伝導ナノ構造の束は、誘電体構造に適用され得、誘電体構造の幾何学形状および分離
した電気伝導ナノ構造の束の伝導特性は、アンテナの共振周波数応答および放射パターン
を定義する。
るように、本開示の例示的実施形態の以下のより具体的説明から明白となるであろう。図
面は、必ずしも、正確な縮尺ではなく、代わりに、本開示の実施形態を図示する際、強調
が置かれる。
トル内の波長の範囲を有する電磁波を操作する。RF波を利用するために、電気通信シス
テムは、フィルタ、ミキサ、増幅器、およびアンテナ等のある不可欠なRFハードウェア
構成要素を採用する。
導要素は、概して、アルミニウム、銅、銀、および金等のRF伝導媒体から成る。しかし
ながら、従来のRF伝導媒体の構造は、RFエネルギーの伝導を妨害する有効電気抵抗に
悩まされ、有効電気抵抗は、全RFハードウェア構成要素への望ましくない挿入損失の導
入、および共振空洞フィルタのような特定のRFハードウェア構成要素のQ係数の低下。
理的機構は、表皮効果である。表皮効果は、印加されたRFエネルギーによって誘発され
る伝導媒体中の交互する電子流の結果である、導体中の逆起電力によって生じる。その名
称が示唆するように、表皮効果は、「表皮深度」として定義される領域である、導体の表
面において、電子流の大部分を流動させる。表皮効果は、多くの場合、その物理的断面の
わずかな割合まで、導体の有効断面積を縮小させる。導体の有効表皮深度は、周波数依存
性質であり、これは、波長に反比例する。これは、周波数が高いほど、表皮深度をより浅
くし、その延長線として、有効RF伝導損失が大きくなることを意味する。
ための無線周波数(RF)伝導媒体(以下、「技術」)に関する。本技術によって生成さ
れるRF伝導媒体は、導体中の逆起電力の形成を妨げることによって、RFデバイスのR
F伝導損失を低減させる。
しかしながら、本技術は、RF波と相互作用するように構成されるRF伝導媒体を要求す
る任意のRF構成要素に適用されることができることに留意されたい。例えば、RF構成
要素は、アンテナ、導波管、同軸ケーブル、ならびに、空洞フィルタおよびアンテナを含
む統合された構造であることができる。
洞フィルタ101は、ほとんどのRF空洞共振器のように、典型的には、無線周波数電磁
場を壁110a−nによって画定される空洞100内に閉じ込める、「閉鎖金属構造」と
して定義される。空洞フィルタ101は、特定の周波数応答を伴う、低損失共振回路とし
て作用し、分離した誘導(L)構成要素と容量(C)構成要素とから成る古典的共振回路
に類似する。しかしながら、従来のLC回路と異なり、空洞フィルタ101は、フィルタ
の設計波長(すなわち、空洞フィルタ101の物理的内部幾何学形状)において、超低エ
ネルギー損失を呈する。これは、空洞フィルタ101のQ係数が、LC「タンク」回路等
の分離構成要素共振器のものを数百倍上回ることを意味する。
は構造がそこに印加されるエネルギーを減衰させる程度を評価する。したがって、Q係数
は、共振回路または構造内に貯蔵されたエネルギーと、振動サイクルあたりの共振回路ま
たは構造内で消散されるエネルギーの比率として表され得る。サイクルあたり消散される
エネルギーが少ないほど、Q係数は高くなる。例えば、Q係数「Q」は、以下によって定
義されることができる。
式中、frは、回路または構造の共振周波数である。
電力損失と、(b)空洞フィルタ101の壁110a−nでの電力損失の2つの要因によ
って影響を受ける。空洞フィルタ101等の空洞共振器ベースのフィルタの実践用途では
、誘電体媒体115は、多くの場合、空気である。空気によって誘発される損失は、一般
に、モバイルブロードバンド通信のために使用される、より低いマイクロ波スペクトル内
の周波数では、微小であると見なされ得る。したがって、空洞フィルタ101の壁110
a−nでの導体損失は、空洞フィルタ101のより低い有効Q係数およびより高い挿入損
失に最も寄与する。
。
式中、Qcは、空洞壁のQ係数であり、Qdは、誘電体媒体のQ係数である。
ロ波スペクトルにおけるRFエネルギーが、空気および他の共通空洞誘電体とほとんど相
互作用しないため、無視可能である。したがって、空洞フィルタ101の壁110a−n
のRF伝導率「Qc」は、空洞フィルタ101の品質係数(quality facto
r)「Q」に最も寄与する。壁110a−nのRF伝導率「Qc」の品質係数寄与度は、
以下によって定義されることができる。
式中、k=波数であり、n=誘電体インピーダンスであり、Rs=空洞壁110a−nの
表面抵抗率であり、a/b/dは、空洞フィルタ101の物理的寸法である。したがって
、空洞壁110a−nの表面抵抗率「Rs」の値の増加は、Qcの値を低下させ、それに
よって、空洞フィルタ101のQ係数を低減させる。
施形態は、空洞フィルタ101等のRFデバイスのRF伝導要素の表面抵抗率「Rs」を
低減させる、RF伝導媒体を提供する。
00の概略図である。空洞共振器200は、構造誘電体210を含む。構造誘電体210
は、空洞216を画定する。空洞216は、空洞共振器200の所望の周波数応答特性に
対応する内部幾何学形状を有する。特に、内部幾何学形状は、所望の無線周波数を増強さ
せ、望ましくない無線周波数を減衰させる。
は、高共形性の潜在性を有する。例えば、構造誘電体210の材料は、構造誘電体210
が複雑かつ平滑に遷移する幾何学形状に適合することを可能にする。構造誘電体210の
材料はまた、熱応力下、高寸法安定性を有する。例えば、材料は、構造誘電体210が、
空洞共振器が典型的動作環境において経験し得る熱応力下、変形することを防止する。別
の実施形態では、構造誘電体210の材料は、機械応力下において高寸法安定性を有し、
材料は、構造誘電体210が典型的動作用途において被る機械応力において、凹む、撓む
、または別様に機械的に変形することを防止する。
部表面211は、実質的に、表面凸凹がない。ある実施形態では、誘電体表面211は、
無線周波数(RF)空洞共振器200の所望の動作周波数において、深度「δ」を上回ら
ない深度を有する凸凹を伴う表面平滑度であり得る。
む。ある実施例では、RF入力ポート230aおよびRF出力ポート230bは、Sub
MiniatureバージョンA(SMA)コネクタであることができる。RF入力ポー
ト230aおよびRF出力ポート230bは、銅、金、ニッケル、および銀等のRF伝導
材料から作製されることができる。
ト230aは、振動RF電磁信号を同軸ケーブル(図示せず)等のRF伝送媒体から受信
する。振動RF電磁信号の受信に応答して、RF入力ポート230aは、連結ループ23
5aを介して、受信されたRF電磁信号に対応する振動電場および磁場(すなわち、RF
電磁波)を放射する。
対応する内部幾何学形状を有する。特に、内部幾何学形状は、空洞共振器200の所望の
周波数応答特性に対応する無線周波数の範囲を増強させ、望ましくない無線周波数を減衰
させる。加えて、空洞共振器200はまた、共振器要素220を含む。共振器要素220
は、本実施例では、構造誘電体210によって形成される。しかしながら、共振器要素2
20は、空洞共振器200内の別個かつ異なる構造であることができることに留意された
い。共振器要素220は、所望の無線周波数をさらに増強させ、望ましくない無線周波数
を減衰させる共振寸法および全体的構造幾何学形状を有する。
モードを誘発する。そうすることによって、電磁波は、RF伝導媒体205と相互作用す
る。特に、電磁波は、RF伝導媒体205内で交流電流(AC)を誘発する。本明細書に
説明されるように、本開示の実施形態は、RF伝導媒体205に、低有効表面伝導抵抗率
「Rs」をもたらす構造および組成を有するRF伝導媒体205を提供する。低表面伝導
抵抗率「Rs」は、RF伝導媒体205が、高効率レベルで空洞216内の共振モードを
支持し、それによって、空洞共振器200の品質係数「Q」を増加させることを可能にす
る。
空洞共振器200から、RF出力230bを介して出力される。RF出力230bは、伝
送媒体(図示せず)に電気的に連結され、AC信号をアンテナまたは受信機等のRFハー
ドウェア構成要素に通す。
)を含むことができる。保護層は、空洞共振器200の所望の動作周波数において、RF
エネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料から成ることができる。材料は、ポ
リマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つであり得る。
ノ構造の束から成るRF伝導媒体305の概略図である。
素、銀、銅、アルミニウム、および金のうちの少なくとも1つである元素から成るナノ材
料から作製され得る。また、分離した伝導ナノ構造の各々は、ワイヤ、リボン、チューブ
、および薄片のうちの少なくとも1つである伝導構造であり得る。ナノ材料は、マクロス
ケールにおける材料の溶融温度のわずかな割合の焼結温度を有し得る。例えば、銀(Ag
)は、961℃で溶融する一方、ナノ銀(Ag)は、300℃をはるかに下回って焼結し
得る。
表面345に適用されることを可能にする結合剤(図示せず)を含む。分離した電気伝導
ナノ構造の束は、熱源による焼結に応答して、連続伝導層340を形成する。分離した電
気伝導ナノ構造の各々のサイズは、連続伝導層340が、空洞共振器200の所望の動作
周波数において、表皮深度「δ」を上回らない均一伝導断面積を有するように選定され得
る。連続伝導層340は、均一格子構造および均一伝導断面積を有する。熱源は、分離し
た電気伝導ナノ構造の束の各分離した伝導ナノ構造のナノ材料の原子構造および厚さに基
づいて、熱の刺激を印加し得る。例えば、熱源によって印加される熱の温度および熱が印
加される時間の長さは、分離した電気伝導ナノ構造の束の各分離した伝導ナノ構造のナノ
材料の原子構造および厚さの関数である。当技術分野において公知または未だ公知ではな
い任意の熱源が、使用され得る。
ACの場合、AC抵抗に及ぼす構造の断面積の影響は、直流電流(DC)抵抗に対するも
のと根本的に異なる。例えば、直流電流は、導体の体積全体を通して伝搬し得る。交流電
流(RF電磁波によって産生されるもの等)は、伝導媒体の表面に非常に近い限られた面
積内のみを伝搬する。導体の表面近傍を伝搬する交流電流のこの傾向は、「表皮効果」と
して知られる。空洞共振器200等のRFデバイスでは、表皮効果は、使用可能伝導断面
積を空洞の内側構造の表面における非常に薄い層まで減少させる。したがって、表皮効果
は、空洞のQ係数を低減させる、共振空洞内のRF伝導損失の少なくとも1つの有意な機
構である。
所望の動作周波数において、表皮深度「δ」を上回らない均一伝導断面積を有し得る。あ
る実施形態では、表皮深度「δ」は、以下によって計算され得、
式中、μ0は、真空の透磁率であり、μrは、ナノ構造のナノ材料の比透磁率であり、p
は、ナノ構造のナノ材料の抵抗率であり、fは、所望の動作周波数である。以下の表1は
、一組の無線周波数に対する式4の例示的適用を図示する。しかしながら、表皮深度「δ
」を決定する任意の他の公知または未だ公知ではない方法も、式4の代わりに、使用され
ることができることに留意されたい。
一伝導断面積を有し得る。別の実施形態では、連続伝導層340は、表皮深度1000n
m−3000nmを有する均一伝導断面積を有し得る。さらに別の実施例では、連続伝導
層340は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一伝導断面積を有し得る。
である。特に、断面図は、軸475(すなわち、図を左右に走る)が、横方向電磁軸48
0(すなわち、図中に走る軸)と垂直な軸であるような配向にある。RF伝導媒体405
は、多様な伝導媒体470を含む。多様な伝導媒体470は、横方向電磁軸480に複数
の連続伝導経路(例えば、図4Bの連続伝導経路490a−n)を形成する。
ちの少なくとも1つである元素から成るナノ材料から作製される。元素が、銀、銅、およ
びアルミニウムのうちの少なくとも1つである実施例では、多様な伝導媒体の各媒体47
0は、ワイヤ、リボン、チューブ、および薄片のうちの少なくとも1つである構造を有す
る。元素が、炭素および黒鉛のうちの少なくとも1つである実施例では、多様な伝導媒体
470内の各伝導媒体は、単層炭素ナノチューブ(SWCNT)、多層ナノチューブ(M
WCNT)、および黒鉛のうちの少なくとも1つである。
の空洞共振器200)の所望の動作周波数において、表皮深度を上回らない伝導断面積を
有し得る。ある実施形態では、表皮深度「δ」は、式4に従って計算され得る。
有する均一伝導断面積を有し得る。他の実施例では、複数の連続伝導経路の各々は、表皮
深度1000nm−3000nmを有する均一伝導断面積を有し得る。さらに別の実施例
では、複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一
伝導断面積を有し得る。
波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィルタおよびアンテナを含
む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応し得
ることに留意されたい。
方向電磁軸における複数の伝導経路490a−nの各々を周期的に包囲する。特に、サス
ペンション誘電体460は、複数の伝導経路490a−nの各々が、軸475(すなわち
、横方向電磁軸480と垂直な軸)においてRFエネルギーを伝搬することを周期的に遮
断する。サスペンション誘電体460はまた、複数の伝導経路490a−nの各々に機械
的支持を提供するように構成されることができる。
も1つである元素から成るナノ材料から作製される例示的実施形態では、サスペンション
誘電体460は、所望の動作周波数において、RFエネルギーとほとんど相互作用しない
、構造的に堅く、かつ熱的に安定な材料から成る。
元素から成るナノ材料から作製される別の例示的実施形態では、サスペンション誘電体4
60は、空気である。そのような場合、サスペンション誘電体460は、例えば、単層炭
素ナノチューブ(SWCNT)、多層ナノチューブ(MWCNT)、および黒鉛が、横方
向電磁軸480において本質的に伝導性であり、軸475においてほとんど伝導しない材
料であるため、空気から成ることができる。
450は、複数の連続伝導経路490a−nを被覆する。保護層405は、例えば、空洞
共振器(例えば、図2の空洞共振器200)の所望の動作周波数において、RFエネルギ
ーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を含む。例示的実施形態では、材料は、ポリ
マーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つであることがで
きる。本実施例では、RF伝導媒体405は、RF透明保護層450を含むが、RF伝導
媒体405の他の例示的実施形態は、RF透明保護層450を含まないこともある。
405を構造誘電体410の表面445に結合するように構成される。加えて、RF伝導
媒体405はまた、溶媒(図示せず)を含み得る。溶媒は、表面445上へのRF伝導媒
体405の適用の間、RF伝導媒体405を粘性状態に維持するように構成される。溶媒
はさらに、熱源による刺激に応答して蒸発するように構成される。熱源は、ある実施例で
は、RF伝導媒体405を包囲する空気の周囲温度であることができる。
である。特に、断面図は、軸475(すなわち、図上を上下に走る)が、横方向電磁軸4
80(すなわち、図上を左右に走る軸)に垂直な軸であるような配向にある。図示される
ように、複数の連続伝導経路490a−nは、RF電磁波が、経路490a−nの各々に
沿って、主に、横方向電磁軸480にのみ進行する交流電流を誘発するように、横方向電
磁軸480に配向される。
するために、サスペンション誘電体460は、複数の伝導経路490a−nの各々を周期
的に包囲する。特に、サスペンション誘電体は、軸475において、複数の伝導経路49
0a−nの各々がRFエネルギー(例えば、交流電流)を伝搬することを周期的に遮断す
る。ある点、例えば、点495において、サスペンション誘電体460は、RFエネルギ
ーが、ある経路(例えば、経路409b)から別の経路(例えば、経路490n)に通過
するための手段を提供する。
洞共振器200)の所望の動作周波数において、表皮深度「δ」を上回らない伝導断面積
を有する実施形態では、サスペンション誘電体460によって提供される周期的RF遮断
は、RF伝導媒体405が、RF伝導のための増加した断面積を有することを可能にし、
その成分要素(例えば、経路490a−n)は、表皮効果損失を被らない。
545に適用された、RF透明保護層550(例えば、図4A−Bの保護層450)を含
むRF伝導媒体505の断面図である。特に、断面図は、軸575(すなわち、図上を左
右に走る)が、横方向電磁軸580(すなわち、図上を上下に走る軸)と垂直な軸である
ような配向にある。RF伝導媒体505は、RF電磁波が、経路590a−nの各々に沿
って、主に、横方向電磁軸580にのみ進行する交流電流を誘発するように、横方向電磁
軸580に配向される複数の連続伝導経路590を含む。
するように周期的に配列される。複数の連続伝導経路の590の各々は、誘電体媒体56
0(例えば、図4A−Bのサスペンション誘電体460)によって近隣連続伝導経路から
周期的に遮断される。誘電体媒体560は、軸575において、複数の伝導経路590の
各々がRFエネルギー(例えば、交流電流)を伝搬することを周期的に遮断する。ある点
において、RF短絡595は、RFエネルギーが、ある経路から別の経路に通過するため
の手段を提供する。複数の連続伝導経路590の各々を横断する、単一RF短絡595が
、図示されるが、他の実施形態は、複数の連続伝導経路のそれぞれ間に周期的に交互され
たRF短絡を有することができることに留意されたい。
振器200)の所望の動作周波数において、表皮深度「δ」を上回らない伝導断面積を有
する実施形態では、誘電体媒体560によって提供される周期的RF遮断は、RF伝導媒
体505が、RF伝導のための増加した断面積を有することを可能にし、その成分要素(
例えば、経路590)は、表皮効果損失を被らない。
ってその全体として組み込まれる。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
無線周波数(RF)伝導媒体であって、前記媒体は、
横方向電磁軸に複数の連続伝導経路を形成する多様な伝導媒体と、
前記横方向電磁軸における前記複数の連続伝導経路の各々を周期的に包囲するサスペンション誘電体であって、前記サスペンション誘電体は、前記横方向電磁軸と垂直な軸において、前記複数の伝導経路の各々がRFエネルギーを伝搬することを周期的に遮断するように構成され、前記サスペンション誘電体は、前記複数の連続伝導経路の各々のために機械的支持を提供するようにさらに構成されている、サスペンション誘電体と
を備えている、媒体。
(項目2)
誘電体表面上への前記RF伝導媒体の適用の間、前記RF伝導媒体を粘性状態に維持するように構成されている溶媒をさらに備え、前記溶媒は、熱源による刺激に応答して、蒸発するようにさらに構成されている、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目3)
前記多様な伝導媒体の各媒体は、銀、銅、アルミニウム、および金のうちの少なくとも1つである元素から成るナノ材料から作製される、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目4)
前記多様な伝導媒体の各媒体は、ワイヤ、リボン、チューブ、および薄片のうちの少なくとも1つである構造を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目5)
前記複数の連続伝導経路の各々は、所望の動作周波数において、表皮深度を上回らない伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目6)
表皮深度「δ」は、以下によって計算され、
(項目7)
前記所望の動作周波数は、空洞フィルタの所望の共振周波数、アンテナの所望の共振周波数、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応する、項目5に記載のRF伝導媒体。
(項目8)
前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度50nm−4000nmを有する均一伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目9)
前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1000nm−3000nmを有する均一伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目10)
前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目11)
前記複数の連続伝導経路を被覆する保護層をさらに備え、前記保護層は、所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を含む、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目12)
前記材料は、ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つである、項目11に記載のRF伝導媒体。
(項目13)
無線周波数(RF)伝導媒体であって、前記媒体は、
複数の連続伝導経路を形成する多様な伝導媒体であって、前記伝導媒体の各媒体は、横方向電磁軸において伝導性であり、前記横方向電磁軸と垂直な軸においてほとんど伝導しない材料である、伝導媒体と、
前記多様な伝導媒体を包囲するRF不活性材料の層であって、前記RF不活性材料は、所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性であり、前記RF不活性材料の層は、前記多様な伝導媒体を誘電体表面上に固定するように構成されている、RF不活性材料の層と
を備えている、媒体。
(項目14)
前記RF伝導媒体を前記表面に結合するための結合剤をさらに備えている、項目13に記載のRF伝導媒体。
(項目15)
前記誘電体表面上への前記RF伝導媒体の適用の間、前記RF伝導媒体を粘性状態に維持するように構成されている溶媒をさらに備え、前記溶媒は、熱源による刺激に応答して蒸発するようにさらに構成されている、項目13に記載のRF伝導媒体。
(項目16)
前記多様な伝導媒体の各媒体は、炭素および黒鉛のうちの少なくとも1つであるナノ材料から作製される、項目13に記載のRF伝導媒体。
(項目17)
前記多様な伝導媒体内の各伝導媒体は、単層炭素ナノチューブ(SWCNT)、多層ナノチューブ(MWCNT)、および黒鉛のうちの少なくとも1つである、項目13に記載のRF伝導媒体。
(項目18)
前記複数の連続伝導経路の各々は、所望の動作周波数において、表皮深度を上回らない伝導断面積を有する、項目13に記載のRF伝導媒体。
(項目19)
表皮深度「δ」は、以下によって計算され、
(項目20)
前記所望の動作周波数は、空洞フィルタの所望の共振周波数、アンテナの所望の共振周波数、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応する、項目18に記載のRF伝導媒体。
(項目21)
前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度50nm−4000nmを有する均一伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目22)
前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1000nm−3000nmを有する均一伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目23)
前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一伝導断面積を有する、項目1に記載のRF伝導媒体。
(項目24)
無線周波数(RF)伝導媒体であって、前記媒体は、
分離した電気伝導ナノ構造の束と、
前記分離した電気伝導ナノ構造の束が誘電体表面に適用されることを可能にする結合剤であって、前記分離した電気伝導ナノ構造の束は、熱源による焼結に応答して、均一格子構造および均一伝導断面積を有する連続伝導層を形成する、結合剤と
を備えている、媒体。
(項目25)
前記ナノ構造は、炭素、銀、銅、アルミニウム、および金のうちの少なくとも1つである元素から成るナノ材料から作製される、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目26)
前記分離した電気伝導ナノ構造の束は、ワイヤ、リボン、チューブ、および薄片のうちの少なくとも1つである伝導構造を含む、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目27)
前記連続伝導層は、所望の動作周波数において、表皮深度を上回らない均一伝導断面積を有する、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目28)
前記表皮深度は、以下の式によって計算され、
(項目29)
前記所望の動作周波数は、空洞フィルタの所望の共振周波数、アンテナの所望の共振周波数、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、ならびに空洞フィルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応する、項目27に記載のRF伝導媒体。
(項目30)
前記連続伝導層は、表皮深度50nm−4000nmを有する均一伝導断面積を有する、項目27に記載のRF伝導媒体。
(項目31)
前記連続伝導層は、表皮深度1000nm−3000nmを有する均一伝導断面積を有する、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目32)
前記連続伝導層は、表皮深度1500nm−2500nmを有する均一伝導断面積を有する、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目33)
前記誘電体表面は、サイズにおいて表皮深度を上回る凸凹がない表面平滑度を有する、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目34)
前記誘電体表面は、以下の式に基づく深度を上回らない深度を有する凸凹を伴う表面平滑度を有し、
(項目35)
前記熱源は、前記分離した伝導ナノ構造の束の各分離した伝導ナノ構造のナノ材料の原子構造および厚さに基づいて、熱の刺激を印加する、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目36)
前記連続伝導層を被覆する保護層をさらに備え、前記保護層は、所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を含む、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目37)
前記材料は、ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つである、項目36に記載のRF伝導媒体。
(項目38)
前記誘電体表面は、前記空洞の所望の周波数応答特性に対応する内部幾何学形状を有する空洞の内側表面である、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目39)
前記分離したナノ構造の束は、第1の誘電体表面の外側表面および第2の誘電体表面の同心内側表面に適用され、前記第1の誘電体表面は、内側導体であり、前記第2の誘電体表面は、同軸ケーブルの外側導体である、項目24に記載のRF伝導媒体。
(項目40)
前記分離した電気伝導ナノ構造の束は、誘電体構造に適用され、前記誘電体構造の幾何学形状および前記分離した電気伝導ナノ構造の束の伝導特性は、アンテナの共振周波数応答および放射パターンを定義する、項目24に記載のRF伝導媒体。
Claims (38)
- 無線周波数(RF)伝導媒体であって、前記媒体は、
横方向電磁軸に複数の連続伝導経路を形成する多様な伝導媒体と、
前記複数の連続伝導経路の各々を包囲するサスペンション誘電体であって、前記サスペンション誘電体は、前記横方向電磁軸に対して垂直な少なくとも1つの軸において、前記複数の伝導経路の各々がRFエネルギーを伝搬することを遮断するように構成されており、前記サスペンション誘電体は、前記複数の連続伝導経路の各々のために機械的支持を提供するようにさらに構成されている、サスペンション誘電体と
を備えている、RF伝導媒体。 - 前記多様な伝導媒体の各媒体は、銀、銅、アルミニウム、金のうちの少なくとも1つである元素から成るナノ材料から作製されている、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記多様な伝導媒体の各媒体は、ワイヤ、リボン、チューブ、薄片のうちの少なくとも1つである構造を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、伝導断面積と、所望の動作周波数における表皮深度とを有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記表皮深度「δ」は、以下によって計算され、
式中、μ0は、真空の透磁率であり、μrは、前記伝導媒体のナノ材料の比透磁率であり、ρは、前記伝導媒体のナノ材料の抵抗率であり、fは、前記所望の動作周波数である、請求項4に記載のRF伝導媒体。 - 前記所望の動作周波数は、空洞フィルタの所望の共振周波数、アンテナの所望の共振周波数、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、空洞フィルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応する、請求項4に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度50nm〜4000nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1000nm〜3000nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1500nm〜2500nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路を被覆する保護層をさらに備え、前記保護層は、所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を含む、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記材料は、ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つである、請求項10に記載のRF伝導媒体。
- 無線周波数(RF)伝導媒体であって、前記媒体は、
複数の連続伝導経路を形成する多様な伝導媒体であって、前記伝導媒体の各媒体は、伝導性材料である、伝導媒体と、
前記多様な伝導媒体を包囲するRF不活性材料の層であって、前記RF不活性材料は、所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性であり、前記RF不活性材料の層は、前記多様な伝導媒体を誘電体表面上に固定するように構成されている、RF不活性材料の層と
を備えている、媒体。 - 前記RF伝導媒体を前記表面に結合するための結合剤をさらに備えている、請求項12に記載のRF伝導媒体。
- 前記多様な伝導媒体の各媒体は、炭素および黒鉛のうちの少なくとも1つであるナノ材料から作製されている、請求項12に記載のRF伝導媒体。
- 前記多様な伝導媒体内の各伝導媒体は、単層炭素ナノチューブ(SWCNT)、多層ナノチューブ(MWCNT)、黒鉛のうちの少なくとも1つである、請求項12に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、伝導断面積と、所望の動作周波数における表皮深度とを有する、請求項12に記載のRF伝導媒体。
- 前記表皮深度「δ」は、以下によって計算され、
式中、μ0は、真空の透磁率であり、μrは、前記伝導媒体のナノ材料の比透磁率であり、ρは、前記伝導媒体のナノ材料の抵抗率であり、fは、前記所望の動作周波数である、請求項16に記載のRF伝導媒体。 - 前記所望の動作周波数は、空洞フィルタの所望の共振周波数、アンテナの所望の共振周波数、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、空洞フィルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応する、請求項16に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度50nm〜4000nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1000nm〜3000nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 前記複数の連続伝導経路の各々は、表皮深度1500nm〜2500nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項1に記載のRF伝導媒体。
- 無線周波数(RF)伝導媒体であって、前記媒体は、
分離した電気伝導ナノ構造の束と、
前記分離した電気伝導ナノ構造の束が誘電体表面に適用されることを可能にする結合剤であって、前記分離した電気伝導ナノ構造の束は、熱源による焼結に応答して、均一格子構造および均一伝導断面積を有する連続伝導層を形成する、結合剤と
を備えている、RF伝導媒体。 - 前記ナノ構造は、炭素、銀、銅、アルミニウム、金のうちの少なくとも1つである元素から成るナノ材料から作製されている、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記分離した電気伝導ナノ構造の束は、ワイヤ、リボン、チューブ、薄片のうちの少なくとも1つである伝導構造を含む、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記連続伝導層は、均一伝導断面積と、所望の動作周波数における表皮深度とを有する、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記表皮深度は、以下の式によって計算され、
式中、μ0は、真空の透磁率であり、μrは、前記ナノ構造のナノ材料の比透磁率であり、ρは、前記ナノ構造のナノ材料の抵抗率であり、fは、前記所望の動作周波数である、請求項25に記載のRF伝導媒体。 - 前記所望の動作周波数は、空洞フィルタの所望の共振周波数、アンテナの所望の共振周波数、導波管のカットオフ周波数、同軸ケーブルの所望の動作周波数範囲、空洞フィルタおよびアンテナを含む統合された構造の組み合わせられた動作周波数範囲のうちの少なくとも1つに対応する、請求項25に記載のRF伝導媒体。
- 前記連続伝導層は、表皮深度50nm〜4000nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項25に記載のRF伝導媒体。
- 前記連続伝導層は、表皮深度1000nm〜3000nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記連続伝導層は、表皮深度1500nm〜2500nmを有する均一伝導断面積を有する、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記誘電体表面は、サイズにおいて表皮深度を上回る凸凹がない表面平滑度を有する、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記誘電体表面は、以下の式に基づく深度を上回らない深度を有する凸凹を伴う表面平滑度を有し、
式中、μ0は、真空の透磁率であり、μrは、前記ナノ構造のナノ材料の比透磁率であり、ρは、前記ナノ構造のナノ材料の抵抗率であり、fは、対象の動作周波数である、請求項22に記載のRF伝導媒体。 - 前記熱源は、前記分離した伝導ナノ構造の束の各分離した伝導ナノ構造のナノ材料の原子構造および厚さに基づいて、熱の刺激を印加する、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記連続伝導層を被覆する保護層をさらに備え、前記保護層は、所望の動作周波数において、RFエネルギーに対して非伝導性かつ低吸収性である材料を含む、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記材料は、ポリマーコーティングおよび繊維ガラスコーティングのうちの少なくとも1つである、請求項34に記載のRF伝導媒体。
- 前記誘電体表面は、前記空洞の所望の周波数応答特性に対応する内部幾何学形状を有する空洞の内側表面である、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記分離したナノ構造の束は、第1の誘電体表面の外側表面および第2の誘電体表面の同心内側表面に適用され、前記第1の誘電体表面は、内側導体であり、前記第2の誘電体表面は、同軸ケーブルの外側導体である、請求項22に記載のRF伝導媒体。
- 前記分離した電気伝導ナノ構造の束は、誘電体構造に適用され、前記誘電体構造の幾何学形状および前記分離した電気伝導ナノ構造の束の伝導特性は、アンテナの共振周波数応答および放射パターンを定義する、請求項22に記載のRF伝導媒体。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261640784P | 2012-05-01 | 2012-05-01 | |
US61/640,784 | 2012-05-01 | ||
US201361782629P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US61/782,629 | 2013-03-14 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015510361A Division JP2015523760A (ja) | 2012-05-01 | 2013-04-29 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018152874A Division JP6674983B2 (ja) | 2012-05-01 | 2018-08-15 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017201840A true JP2017201840A (ja) | 2017-11-09 |
JP6416343B2 JP6416343B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=48444594
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015510361A Withdrawn JP2015523760A (ja) | 2012-05-01 | 2013-04-29 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
JP2017156490A Active JP6416343B2 (ja) | 2012-05-01 | 2017-08-14 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
JP2018152874A Active JP6674983B2 (ja) | 2012-05-01 | 2018-08-15 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015510361A Withdrawn JP2015523760A (ja) | 2012-05-01 | 2013-04-29 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018152874A Active JP6674983B2 (ja) | 2012-05-01 | 2018-08-15 | 無線周波数(rf)伝導媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US9166268B2 (ja) |
EP (2) | EP3614486B1 (ja) |
JP (3) | JP2015523760A (ja) |
CN (2) | CN107425252B (ja) |
WO (1) | WO2013165892A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9166268B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-10-20 | Nanoton, Inc. | Radio frequency (RF) conductive medium |
JP2016012798A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | Tdk株式会社 | 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板 |
KR102057314B1 (ko) * | 2018-11-26 | 2020-01-22 | 주식회사 센서뷰 | 밀리미터파(mmWave) 대역용 전송선로 일체형 저손실 유연 다중 포트 안테나 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11281599A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Kyocera Corp | 線膨張係数の測定方法 |
JP2000208515A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Nec Corp | 集積回路 |
US6677832B1 (en) * | 2000-10-27 | 2004-01-13 | Lucent Technologies Inc. | Connector for differential-mode transmission line providing virtual ground |
JP2004087924A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Tdk Corp | プリント基板の製造方法 |
JP2008287974A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 接点装置及びガラスアンテナ装置 |
JP2011060751A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Industrial Technology Research Inst | 光エネルギーまたは熱エネルギーにより形成された導電性材料、導電性材料の製造方法および導電性組成物 |
US20110281070A1 (en) * | 2008-08-21 | 2011-11-17 | Innova Dynamics, Inc. | Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods |
JP2011251406A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Nissha Printing Co Ltd | 転写箔、および電子機器 |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2769148A (en) * | 1951-03-07 | 1956-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical conductors |
US2769150A (en) * | 1952-11-14 | 1956-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Laminated conductor |
US2981908A (en) | 1958-12-15 | 1961-04-25 | Jr Moody C Thompson | Cavity resonator |
US3760300A (en) * | 1972-07-31 | 1973-09-18 | Westinghouse Electric Corp | Reduced loss phase shifter utilizing faraday rotator |
EP0290148A3 (en) * | 1987-05-07 | 1990-11-22 | Varian Associates, Inc. | Surface coating with very high rf loss for microwave components |
US4971856A (en) * | 1987-05-07 | 1990-11-20 | Arthur Karp | Microwave components with a surface coating which imparts a very high RF loss |
US5213715A (en) * | 1989-04-17 | 1993-05-25 | Western Digital Corporation | Directionally conductive polymer |
JP3089666B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2000-09-18 | 株式会社村田製作所 | 高周波伝送線路、高周波共振器、高周波フィルタ及び高周波帯域除去フィルタ |
JP3314594B2 (ja) * | 1995-09-22 | 2002-08-12 | 松下電器産業株式会社 | 高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器 |
US5929727A (en) | 1996-10-11 | 1999-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator, method for manufacturing the same, filter and communication apparatus |
JP2001111312A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 導波管・伝送線路変換器 |
JP2001196817A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
US6300850B1 (en) | 2000-01-31 | 2001-10-09 | Tx Rx Systems Inc. | Temperature compensating cavity bandpass filter |
EP1146591A2 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-17 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
US6498550B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-12-24 | Motorola, Inc. | Filtering device and method |
US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
US6650208B2 (en) | 2001-06-07 | 2003-11-18 | Remec Oy | Dual-mode resonator |
CN1261491C (zh) * | 2001-11-05 | 2006-06-28 | 无线电射频系统公司 | 用于传输线的微孔泡沫电介质 |
US7935415B1 (en) * | 2002-04-17 | 2011-05-03 | Conductive Composites Company, L.L.C. | Electrically conductive composite material |
WO2003090308A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Silicon Pipe, Inc. | Signal transmission line structure with an air dielectric |
US20050007001A1 (en) | 2003-01-24 | 2005-01-13 | Imholt Timothy James | Process and apparatus for energy storage and release |
WO2005008305A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | フォトニック結晶導波路、均質媒体導波路、及び光学素子 |
US6997039B2 (en) | 2004-02-24 | 2006-02-14 | Clemson University | Carbon nanotube based resonant-circuit sensor |
US7224248B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-05-29 | D Ostilio James P | Ceramic loaded temperature compensating tunable cavity filter |
FR2874126B1 (fr) | 2004-08-06 | 2006-11-17 | Lionel Girardie | Technique de fabrication de nano-systemes pour filtre rf et echangeur d'energie |
JP2007088917A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Tdk Corp | 伝送線路、電子部品及び伝送線路の製造方法 |
ATE523920T1 (de) * | 2006-01-20 | 2011-09-15 | Alcatel Lucent | Hochfrequenz-wellenleiter mit elektrischem leiter aus einer mit einer leitfähigen schicht beschichteten plastikfolie |
US7453154B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-11-18 | Delphi Technologies, Inc. | Carbon nanotube via interconnect |
CN102324462B (zh) * | 2006-10-12 | 2015-07-01 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 基于纳米线的透明导体及其应用 |
US20090160728A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Motorola, Inc. | Uncorrelated antennas formed of aligned carbon nanotubes |
US7795536B2 (en) * | 2008-01-18 | 2010-09-14 | Temp-Flex Cable, Inc. | Ultra high-speed coaxial cable |
US8248305B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-08-21 | University Of Houston | Antennas based on a conductive polymer composite and methods for production thereof |
US20090315644A1 (en) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Honeywell International Inc. | High-q disk nano resonator device and method of fabricating the same |
CN102203949B (zh) | 2008-07-25 | 2014-10-22 | 特拉维夫大学拉莫特有限公司 | 整流天线设备、整流天线系统、和制造整流天线设备的方法 |
WO2010013982A2 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Kmw Inc. | Dielectric resonator in rf filter and assembly method therefor |
KR101072284B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2011-10-11 | 주식회사 케이엠더블유 | 고주파 필터의 유전체 공진기 및 그 조립 방법 |
WO2010040119A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Purdue Research Foundation | Tunable evanescent-mode cavity filter |
KR101515680B1 (ko) * | 2008-10-20 | 2015-04-27 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 자성-유전 조립체 및 그 제조방법 |
US8130167B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-03-06 | Coi Ceramics, Inc. | Radomes, aircraft and spacecraft including such radomes, and methods of forming radomes |
JP5278210B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 無線伝送システム、電子機器 |
IT1394959B1 (it) * | 2009-07-28 | 2012-07-27 | St Microelectronics Srl | Fabbricazione di interconnessioni verticali in stack di integrazione, contattate da strato metallico superiore depositato |
US20120055013A1 (en) | 2010-07-13 | 2012-03-08 | Féinics AmaTech Nominee Limited | Forming microstructures and antennas for transponders |
JP5428924B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-02-26 | 東レ株式会社 | 導電積層体およびそれを用いてなるタッチパネル |
CN102315509B (zh) | 2010-06-29 | 2015-07-15 | 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 | 电子装置壳体及其制作方法 |
JP5570353B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-08-13 | バイエル マテリアルサイエンス株式会社 | 伸縮性配線を有する導電部材 |
US8969132B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-03-03 | Nuvotronics, Llc | Device package and methods for the fabrication thereof |
JP5508215B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2014-05-28 | 株式会社神戸製鋼所 | カーボンナノ構造体形成用基板の製造方法 |
WO2012108068A1 (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | ソニー株式会社 | 透明導電性素子、入力装置、電子機器および透明導電性素子作製用原盤 |
US8860532B2 (en) * | 2011-05-20 | 2014-10-14 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Integrated cavity filter/antenna system |
CN103947002B (zh) * | 2011-06-28 | 2017-10-13 | 苏州诺菲纳米科技有限公司 | 并入了添加剂的透明导体以及相关的制造方法 |
JP6118726B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2017-04-19 | 昭和電工株式会社 | 伝送シート、伝送ユニット及びそれらを備えた非接触電力伝送システム |
US9166268B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-10-20 | Nanoton, Inc. | Radio frequency (RF) conductive medium |
US9920207B2 (en) * | 2012-06-22 | 2018-03-20 | C3Nano Inc. | Metal nanostructured networks and transparent conductive material |
WO2016122412A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Nanyang Technological University | Conductive paste, method for forming an interconnection and electrical device |
-
2013
- 2013-04-29 US US13/872,679 patent/US9166268B2/en active Active
- 2013-04-29 JP JP2015510361A patent/JP2015523760A/ja not_active Withdrawn
- 2013-04-29 EP EP19198693.4A patent/EP3614486B1/en active Active
- 2013-04-29 CN CN201710443941.6A patent/CN107425252B/zh active Active
- 2013-04-29 WO PCT/US2013/038628 patent/WO2013165892A2/en active Application Filing
- 2013-04-29 CN CN201380035597.7A patent/CN104685705B/zh active Active
- 2013-04-29 EP EP13722915.9A patent/EP2845263B1/en active Active
-
2015
- 2015-05-07 US US14/706,707 patent/US9893404B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-05 US US15/016,632 patent/US10008755B2/en active Active
-
2017
- 2017-08-14 JP JP2017156490A patent/JP6416343B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-22 US US15/986,044 patent/US10211503B2/en active Active
- 2018-08-15 JP JP2018152874A patent/JP6674983B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-22 US US16/253,395 patent/US20190157737A1/en not_active Abandoned
-
2020
- 2020-12-11 US US17/119,013 patent/US11955685B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11281599A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Kyocera Corp | 線膨張係数の測定方法 |
JP2000208515A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Nec Corp | 集積回路 |
US6677832B1 (en) * | 2000-10-27 | 2004-01-13 | Lucent Technologies Inc. | Connector for differential-mode transmission line providing virtual ground |
JP2004087924A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Tdk Corp | プリント基板の製造方法 |
JP2008287974A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 接点装置及びガラスアンテナ装置 |
US20110281070A1 (en) * | 2008-08-21 | 2011-11-17 | Innova Dynamics, Inc. | Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods |
JP2011060751A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Industrial Technology Research Inst | 光エネルギーまたは熱エネルギーにより形成された導電性材料、導電性材料の製造方法および導電性組成物 |
JP2011251406A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Nissha Printing Co Ltd | 転写箔、および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107425252A (zh) | 2017-12-01 |
WO2013165892A2 (en) | 2013-11-07 |
US20160156089A1 (en) | 2016-06-02 |
US20210359385A1 (en) | 2021-11-18 |
JP6674983B2 (ja) | 2020-04-01 |
US11955685B2 (en) | 2024-04-09 |
US10211503B2 (en) | 2019-02-19 |
US20190157737A1 (en) | 2019-05-23 |
JP6416343B2 (ja) | 2018-10-31 |
EP2845263B1 (en) | 2019-09-25 |
US20130300522A1 (en) | 2013-11-14 |
JP2018174591A (ja) | 2018-11-08 |
CN107425252B (zh) | 2020-08-28 |
US10008755B2 (en) | 2018-06-26 |
CN104685705A (zh) | 2015-06-03 |
US9893404B2 (en) | 2018-02-13 |
CN104685705B (zh) | 2017-06-13 |
EP2845263A2 (en) | 2015-03-11 |
EP3614486B1 (en) | 2020-04-08 |
WO2013165892A3 (en) | 2013-12-27 |
US20150244052A1 (en) | 2015-08-27 |
US9166268B2 (en) | 2015-10-20 |
EP3614486A1 (en) | 2020-02-26 |
US20180269558A1 (en) | 2018-09-20 |
JP2015523760A (ja) | 2015-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11955685B2 (en) | Radio frequency (RF) conductive medium | |
Nefedov et al. | Ultrabroadband electromagnetically indefinite medium formed by aligned carbon nanotubes | |
US20080136551A1 (en) | Carbon nanotube litz wire for low loss inductors and resonators | |
JP2019102665A (ja) | 電磁波吸収体 | |
Wang et al. | Thin films and/or coating for electromagnetic interference and stealth | |
JP5081286B2 (ja) | 信号伝送装置、フィルタ、ならびに基板間通信装置 | |
CN105355527A (zh) | 一种框—杆慢波结构 | |
Jaiswar et al. | A ultra-wideband thin microwave absorber using inkjet-printed frequency-selective surfaces combining carbon nanotubes and magnetic nanoparticles | |
JP2015523760A5 (ja) | ||
CN103430634A (zh) | 印刷线路板及其制造方法 | |
JP2010041555A (ja) | 伝送線路 | |
JP4540493B2 (ja) | プリント配線基板 | |
JP7355549B2 (ja) | バンドパスフィルタの共振棒、バンドパスフィルタ及びマイクロ波通信機器 | |
JP7072470B2 (ja) | 電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス | |
Li et al. | Tunable terahertz resonator based on intercalation doped-multilayer graphene ribbon (ID-MGR) | |
Franck et al. | Performance assessment of optimized carbon-nanotube-based wireless on-chip communication | |
JP2016012799A (ja) | 高周波伝送線路、アンテナ及び電子回路基板 | |
Okorn et al. | Verification of concepts of D-dot wire and D-dot loop in RF regime | |
Lee et al. | High-frequency transmission properties of carbon nanofibers with carbonization temperature variations | |
Alqadami et al. | Investigation and analysis a carbon nanotube antenna array for wireless applications | |
JP5476829B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
WO2008072583A1 (ja) | 磁性素子 | |
JP2010028520A (ja) | 損失線路部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180815 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6416343 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |