CN102315509B - 电子装置壳体及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电子装置壳体及其制作方法。该电子装置壳体包括一基体层、一天线层及一遮盖层；该天线层通过导电塑料注塑成型于基体层上，该遮盖层覆盖所述天线层；该导电塑料由质量百分比为35～45％的热塑性塑料、12～18％的有机填充物与43～47％的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成。该电子装置壳体的天线层为形成层所覆盖，不易分离，使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置壳体，尤其涉及一种集成天线的电子装置壳体及其制作方法。
背景技术
随着移动通信、蓝牙等技术的发展，实现这些应用的电子装置具有了越来越多的功能，然而这些电子装置的体积向着轻、薄的方向发展，因此，如何简化这些电子装置中内置元件的结构、减小这些内置元件的体积对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有非常重要的作用。天线作为电子装置中一收发信号的重要元件，其结构的简化及体积的减小对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有重要的作用。
现有的电子装置包括一本体、一天线辐射体及一壳体。该天线辐射体通过粘贴的方式固定在本体上。该壳体通过卡合的方式固定在该本体上并覆盖该天线辐射体。
然而，通过上述方式形成电子装置，采用粘贴的方式将天线辐射体固定于本体上，天线容易脱胶而与本体相分离，从而影响了电子装置地使用寿命。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种使用寿命长的集成天线的电子装置壳体。
另外，还有必要提供一种上述集成天线的电子装置壳体的制作方法。
一种电子装置壳体，包括一基体层、一天线层及一遮盖层；该天线层通过导电塑料注塑成型于基体层上，该遮盖层覆盖所述天线层；该导电塑料由质量百分比为35～45%的热塑性塑料、12～18%的有机填充物与43～47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成，该导电塑料的电阻。
一种电子装置壳体，包括一基体层一天线层及一遮盖层；该天线层通过导电塑料注塑成型于基体层上，该遮盖层覆盖所述天线层，该天线层包括一贯穿该基体层的引脚，该引脚由所述导电塑料填充于基体层中的预留通道而形成，该天线层通过引脚与电路板或者电子器件电连接；该导电塑料的电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米，该导电塑料质量百分比为35～45%的热塑性塑料、12～18%的有机填充物与43～47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成，所述有机填充物为硅酸和/或硅酸衍生物。
一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤：
双射注塑成型以形成电子装置壳体的基体层和天线层，该天线层通过导电塑料注塑成型与基体层连接；该导电塑料由质量百分比为35～45%的热塑性塑料、12～18%有机填充物与43～47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成，该导电塑料的电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米，所述有机填充物为硅酸和/或硅酸衍生物；
注塑成型以形成电子装置壳体的遮盖层，该遮盖层与该基体层连接并覆盖天线层。
相较于现有技术，本发明电子装置壳体的制作方法双射注塑成型，将天线层形成于基体层上，再通过遮盖层覆盖天线层，该天线层为遮盖层所覆盖，不易分离，使用寿命长。
附图说明
图1为本发明第一较佳实施例的电子装置壳体立体示意图；
图2为图1中电子装置壳体的剖示图；
图3为本发明第二较佳实施例的电子装置壳体的剖视图。
主要元件符号说明
电子装置壳体 10
基体层 11
天线层 13
引脚 131
遮盖层 15
导电件 17
具体实施方式
请参阅图1和图2，本发明第一较佳实施方式的电子装置壳体10包括一基体层11、一天线层13、一遮盖层15及一导电件17。该天线层13通过注塑导电塑料形成于基体层11上，该遮盖层15结合于基体层11上并部分或者全部覆盖天线层13。所述导电件17嵌入成型于基体层11上并与天线层13电连接，以形成天线的馈入端及接地端。
所述基体层11以注塑成型的方式制成，该导电件17嵌入其中。注塑成型基体层11的塑料可选自为聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中的任一种。该基体层11可直接成型为所述电子装置壳体10的形状，并占所述电子装置壳体10的厚度的三分之一至五分之三左右；也可成型为所述电子装置壳体10的一部分。
所述天线层13通过注塑导电材料，并按预定的形状成型而得。该注塑成型的导电材料优选为导电塑料，其电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米。该导电塑料由质量百分比为35～45%的热塑性塑料、12～18%的有机填充物与43～47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成。所述热塑性塑料可为聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）或聚酰亚胺（PI）。所述有机填充物可为硅酸和/或硅酸衍生物。该天线层13成型的位置要确保所述导电件17突出或者平齐于天线层13的表面。
该纳米导电颗粒可以为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米。该纳米导电颗粒也可以为导电纳米碳酸钙，该材料是以纳米碳酸钙为核体，在pH值为1～6条件下，采用化学共积沉淀法形成在纳米碳酸钙表面包覆二氧化锡掺杂锑的一种导电粉体前驱体，所述各成分的重量比例为CaCO3:Sn:Sb=55～90:9～40:1～10；将该导电粉体前驱体在300℃～800℃进行煅烧，即得到导电纳米碳酸钙。该纳米导电颗粒也可以为碳纳米管，该碳纳米管的直径为20～40纳米，长度为200～5000纳米。该纳米导电颗粒还可以为尺寸为20～40纳米的纳米碳纤维、纳米石墨纤维、纳米金属纤维。
所述遮盖层15以注塑成型的方式制成。注塑成型遮盖层15的塑料可选自为聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中的任一种。该遮盖层15覆盖天线层13最终形成所述电子装置壳体10的形状。该遮盖层15完全覆盖天线层13，即遮盖层15与基体层11将天线层13包裹于其内，该天线层13通过导电件17与电路板或者电子器件电连接。
本发明第一较佳实施方式的制作所述电子装置壳体10的方法包括如下步骤：
双射注塑成型，以形成该壳体10的基体层11和天线层13。首先，提供一第一注塑模具，该第一注塑模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔。
向所述一次成型型腔中注塑塑料形成电子装置壳体10的基体层11。注塑成型基体层11的塑料可选自为聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中的任一种。
向所述二次成型型腔中注塑导电塑料以形成天线层13，该导电塑料电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米。该导电塑料为质量百分比为35～45%的热塑性塑料、12～18%有机填充物与43～47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料。所述热塑性塑料可为聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）或聚酰亚胺（PI）。所述有机填充物可为硅酸和/或硅酸衍生物。该天线层13成型的位置要确保所述导电件17突出或者平齐于天线层13的表面。该纳米导电颗粒为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米或者上述在电子装置壳体10中介绍的其它纳米导电颗粒。
提供一第二注塑模具，该第二注塑模具一型腔。
将上述形成有天线层13的基体层11定位放入第二注塑模具的型腔中，向所述型腔中注塑塑料形成电子装置壳体10的遮盖层15。该遮盖层15完全遮蔽天线层13。该遮盖层15的塑料可选自为聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中的任一种。
请结合参阅图3，在本发明的第二较佳实施例中，该电子装置壳体10的天线层13包括引脚131，该引脚131贯穿基体层11并作为天线的馈入端/接地端，以与电路板或者电子器件电连接。
制作上述电子装置壳体10时，只需要在成型基体层11的过程中预留通道，在形成天线层13时，导电塑料填充上述预留通道以形成所述引脚131。
可以理解，上述注塑成型可以采用多射模具进行，从而进一步提高生产效率。
可以理解，若先形成该遮盖层15，再将天线层13注塑形成于遮盖层15上，最后再注塑形成基体层11，则该基体层11可以不完全覆盖天线层13，即该天线层13的部分裸露，以直接与外部电路电连接，相应地，所述导电件17可以省略。
本发明所述的电子装置壳体10的制作方法适用于无线通信产品、笔记本电脑等产品壳体的生产中。
本发明电子装置壳体的制作方法通过双射注塑成型，将天线层形成于基体层上，该天线层可以根据需要而在注塑成型的过程工形成预定形状，其可以是二维天线或者三维天线，提高了设计者的自由度；该天线层为遮盖层所覆盖，不易分离，使用寿命长；采用纳米材料，天线的体制小，有利于电子装置小型化。
另外，本领域技术人员还可在本发明权利要求公开的范围和精神内做其它形式和细节上的各种修改、添加和替换。当然，这些依据本发明精神所做的各种修改、添加和替换等变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (9)
1.一种电子装置壳体，其包括一基体层，其特征在于：该电子装置壳体进一步包括一天线层、一遮盖层及一导电件；该天线层通过注塑成型导电塑料形成于基体层上，该遮盖层覆盖所述天线层，该导电件贯穿该基体层，该天线层通过导电件与电路板或者电子器件电连接；该导电塑料由质量百分比为35～45％的热塑性塑料、12～18％的有机填充物与43～47％的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成，该热塑性材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚酰亚胺，该导电塑料的电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米，所述有机填充物为硅酸和/或硅酸衍生物。
2.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该纳米导电颗粒为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米。
3.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：纳米导电颗粒为碳纳米管，该碳纳米管的直径为20～40纳米，长度为200～5000纳米。
4.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：纳米导电颗粒为尺寸为20～40纳米的纳米碳纤维、纳米石墨纤维、纳米金属纤维。
5.一种电子装置壳体，其特征在于：该电子装置壳体包括一基体层、一天线层及一遮盖层；该天线层通过注塑导电塑料成型于基体层上，该遮盖层覆盖所述天线层，该天线层包括一贯穿该基体层的引脚，该引脚由所述导电塑料填充于基体层中的预留通道而形成，该天线层通过引脚与电路板或者电子器件电连接；该导电塑料的电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米，该导电塑料由质量百分比为35～45％的热塑性塑料、12～18％的有机填充物与43～47％的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成，该热塑性材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚酰亚胺，所述有机填充物为硅酸和/或硅酸衍生物。
6.一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤：
双射注塑成型以形成电子装置壳体的基体层和天线层，该天线层通过导电塑料注塑成型于基体层上，该天线层包括一贯穿该基体层的引脚，该天线层通过导电件与电路板或者电子器件电连接；该导电塑料由质量百分比为35～45％的热塑性塑料、12～18％有机填充物与43～47％的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成，该热塑性材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚酰亚胺，该导电塑料的电阻率为1.5～10×10-8欧姆·米，所述有机填充物为硅酸和/或硅酸衍生物；
注塑成型以形成电子装置壳体的遮盖层，该遮盖层与该基体层连接并覆盖天线层。
7.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：该纳米导电颗粒为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米。
8.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：纳米导电颗粒为碳纳米管，该碳纳米管的直径为20～40纳米，长度为200～5000纳米。
9.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：纳米导电颗粒为尺寸为20～40纳米的纳米碳纤维、纳米石墨纤维、纳米金属纤维。
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