JP2017184077A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図である。本実施の形態1に係る半導体装置は、半導体素子1、過電流検出回路6a、6b、およびゲート駆動回路7を備えて構成されている。
先の実施の形態1では、過電流検出出力回路5aから過電流検出信号So1を受信するか、または過電流検出出力回路5bから過電流検出信号So2を受信することで、ゲート駆動回路7は、強制的に各スイッチング素子10(1)〜10(n)を全て同時にオフ状態とし、過電流を防止する場合について説明した。これに対して、本実施の形態2では、強制的に各スイッチング素子10(1)〜10(n)をオフ状態とする際に、全てを同時にオフとするのではなく、順番にオフに切り替えていく場合について説明する。
(第1の順番)ゲート駆動回路7(またはゲートオフ回路8)と、複数のスイッチング素子10(1)〜10(n)のそれぞれとの距離により、距離が長い順に定める。
(第2の順番)複数のスイッチング素子10(1)〜10(n)のそれぞれのオン抵抗の大きさにより、抵抗の小さい順に定める。
(第3の順番)ゲート駆動回路7(またはゲートオフ回路8)と、複数のスイッチング素子10(1)〜10(n)のそれぞれとのゲート抵抗成分の大きさにより、ゲート抵抗成分の小さい順に定める。
Claims (12)
- 主電流に応じたセンス電流を出力可能な電流センス端子を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子を備えた半導体装置であって、
前記複数のスイッチング素子のそれぞれの前記電流センス端子より得られた前記センス電流をセンス電圧に変換し、変換後の個々のセンス電圧の中から最大電圧を選択し、前記最大電圧があらかじめ定められた第1の閾値よりも大きい場合に、第1の過電流検出信号を出力する第1の過電流検出回路と、
前記複数のスイッチング素子のそれぞれの前記電流センス端子より得られた前記センス電流の合計値に相当する合計センス電流を合計センス電圧に変換し、前記合計センス電圧があらかじめ定められた第2の閾値よりも大きい場合に、第2の過電流検出信号を出力する第2の過電流検出回路と
をさらに備える半導体装置。 - 前記複数のスイッチング素子のそれぞれのオン状態/オフ状態を駆動制御するゲート駆動回路
をさらに備え、
前記ゲート駆動回路は、前記第1の過電流検出信号および前記第2の過電流検出信号の少なくともいずれか一方が出力された場合には、前記複数のスイッチング素子をオフ状態とする
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート駆動回路は、前記第1の過電流検出信号および前記第2の過電流検出信号の少なくともいずれか一方が出力された場合には、前記複数のスイッチング素子をあらかじめ決められた順番に従ってオフ状態とする
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記あらかじめ決められた順番は、前記ゲート駆動回路と前記複数のスイッチング素子のそれぞれとの距離により定める
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記あらかじめ決められた順番は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれのオン抵抗の大きさにより定める
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記あらかじめ決められた順番は、前記ゲート駆動回路と前記複数のスイッチング素子のそれぞれとのゲート抵抗成分の大きさにより定める
請求項3に記載の半導体装置。 - 第1の過電流検出回路で使用される前記第1の閾値は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれの電流耐量を超えないようにあらかじめ定められている
請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 第2の過電流検出回路で使用される前記第2の閾値は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれがオフ状態にスイッチングするときの電圧耐量を超えないように定められる
請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1の過電流検出回路は、入力端が、前記複数のスイッチング素子のそれぞれの前記電流センス端子に接続され、個々のセンス電流を並列に入力し、前記個々のセンス電流が統合されて出力端から出力され、前記出力端が前記第2の過電流検出回路に接続されている
請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第1の過電流検出回路は、ダイオードを介してワイアードオア接続される回路構成により、前記変換後の個々のセンス電圧の中から前記最大電圧を選択する
請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記複数のスイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体にて形成される素子である
請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いた半導体である
請求項11に記載の半導体装置。
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