JP2007221473A - スイッチング回路の駆動回路及びスイッチング回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】スイッチング回路において並列に接続されたスイッチング素子にしきい値電圧のばらつきがあったとしても、特定のデバイスに損失が集中して発熱するのを防ぐ。
【解決手段】IGBTの電流に応じて変動するB点の電位が、トランジスタQ14のしきい値より高い時はQ14がオンになり、抵抗R15と抵抗R16が並列になり、ピーク制御回路のA点の電位は相対的に低下する。B点の電位がQ14のしきい値より低い時はQ14はオフとなり、ピーク制御回路には抵抗R15のみが作用しA点の電位は相対的に高くなる。IGBTのターンオフ時、素子間の特性ばらつきによりIGBTに流れる電流が増加すると、Q14がオンになり、R15とR16とが並列になり、A点の電位が低くなり、トランジスタQ12に注入される電荷量が少なくなり、Q12のベース電圧Vbが低下し、IGBTのゲート電圧Vgeが低下し、IGBTのコレクタ電流も減少する。
【選択図】 図1
【解決手段】IGBTの電流に応じて変動するB点の電位が、トランジスタQ14のしきい値より高い時はQ14がオンになり、抵抗R15と抵抗R16が並列になり、ピーク制御回路のA点の電位は相対的に低下する。B点の電位がQ14のしきい値より低い時はQ14はオフとなり、ピーク制御回路には抵抗R15のみが作用しA点の電位は相対的に高くなる。IGBTのターンオフ時、素子間の特性ばらつきによりIGBTに流れる電流が増加すると、Q14がオンになり、R15とR16とが並列になり、A点の電位が低くなり、トランジスタQ12に注入される電荷量が少なくなり、Q12のベース電圧Vbが低下し、IGBTのゲート電圧Vgeが低下し、IGBTのコレクタ電流も減少する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)やパワーMOSFET等のようなパワーデバイスを用いたスイッチング回路の駆動回路、及び、そのスイッチング回路に関する。
インバータやコンバータ等では、電流をスイッチングする半導体素子として、電圧駆動型のIGBTやパワーMOSトランジスタ等のパワーデバイスが一般的に使用されている。これらのパワーデバイスを使用して電流をスイッチングさせた場合、スイッチングサージ電圧及びスイッチング損失が発生するが、このサージ電圧とスイッチング損失とは、トレードオフの関係にある。
すなわち、サージ電圧Vsは、スイッチングする電流が流れる主回路のインダクタンスLsと電流遮断時の電流変化率di/dtとによって式(1)のように表され、電流変化率di/dtを小さくすればサージ電圧Vsは小さくできるが、その分スイッチング時間が長くなりスイッチング損失が増大する。
すなわち、サージ電圧Vsは、スイッチングする電流が流れる主回路のインダクタンスLsと電流遮断時の電流変化率di/dtとによって式(1)のように表され、電流変化率di/dtを小さくすればサージ電圧Vsは小さくできるが、その分スイッチング時間が長くなりスイッチング損失が増大する。
(数1)
Vs=Ls×di/dt …(1)
Vs=Ls×di/dt …(1)
また、このようなパワーデバイスを用いたスイッチング回路においては、サージ電圧Vsを考慮してパワーデバイスの耐圧や回路の定格を決めなければならない。すなわち、サージ電圧Vsとパワーデバイスの両端電圧との和、すなわちパワーデバイスがIGBTの場合はサージ電圧VsとIGBTのコレクタ−エミッタ間電圧Vceとの和Vs+Vce、パワーデバイスがパワーMOSトランジスタの場合はサージ電圧Vsとドレイン−ソース間電圧Vdsとの和Vs+Vdsを、パワーデバイスの耐圧以下に抑えなくてはならない。
そのため、通常は、、パワーデバイスのゲート電流を制御し、電流変化率di/dtを調整し、サージ電圧Vsの発生を抑えるようにしている。
そのため、通常は、、パワーデバイスのゲート電流を制御し、電流変化率di/dtを調整し、サージ電圧Vsの発生を抑えるようにしている。
しかし、パワーデバイスの特性バラツキや温度特性によりスイッチング速度が変化し、電流変化率di/dtが変動し、これにより過大なサージが発生する場合がある。
このような問題に対応するために、電圧駆動素子のゲートに蓄積された電荷を放電させる抵抗とPNPトランジスタ、電圧駆動素子のコレクタとPNPトランジスタのベースとを接続するコンデンサ、ダイオード及び抵抗からなるピーク抑制回路を設けて、ターンオフ時の電圧変化率dV/dtをモニタし、電流変化率di/dtの制御を行うことによりスイッチング速度が過度に速くなりその結果サージ電圧Vsが過大になることを防ぐ方法も知られている(特許文献1)。
特開2004−187463号公報
このような問題に対応するために、電圧駆動素子のゲートに蓄積された電荷を放電させる抵抗とPNPトランジスタ、電圧駆動素子のコレクタとPNPトランジスタのベースとを接続するコンデンサ、ダイオード及び抵抗からなるピーク抑制回路を設けて、ターンオフ時の電圧変化率dV/dtをモニタし、電流変化率di/dtの制御を行うことによりスイッチング速度が過度に速くなりその結果サージ電圧Vsが過大になることを防ぐ方法も知られている(特許文献1)。
しかしながら、前述した従来のピーク抑制回路では、ターンオフ時のサージ電圧を抑制させるために、パワーデバイスのdV/dtをモニタし、ゲート電圧Vgeを調整し、サージ電圧を抑制する構成となっている。そのため、パワーデバイスが複数個並列に接続されており、それぞれのパワーデバイスの式値Vge(off)特性が異なるスイッチング回路の場合、しきい値電圧の低いパワーデバイスがターンオフ動作中に再オンし、そのパワーデバイスに損失が集中して、そのパワーデバイスが発熱する可能性があるという問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、複数個並列に接続されたスイッチング素子にしきい値電圧のばらつき等の特性のばらつきがあったとしても、特定のデバイスに損失が集中して発熱するのを防ぐことができるスイッチング回路の駆動回路、及び、そのようなスイッチング回路を提供することにある。
前記課題を解決するために、本発明に係るスイッチング回路の駆動回路は、並列に接続された複数のスイッチング素子を有し、所望の負荷を駆動するスイッチング回路の駆動回路であって、前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御し、当該複数のスイッチング素子をオン/オフさせる制御回路と、前記複数のスイッチング素子のターンオフ時の電圧変化率を検出し、当該検出した電圧変化率に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチングサージ電圧を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整するサージ抑制回路と、ターンオフ時に前記複数のスイッチング素子に流れる電流を検出し、前記検出した電流に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチング損失を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧をさらに調整する損失抑制回路とを有する。
好適には、前記損失抑制回路は、前記サージ抑制回路を介して、前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整する回路である。
また好適には、前記サージ抑制回路は、前記複数のスイッチング素子のコレクタ−エミッタ間に並列に接続されたコンデンサと抵抗との直列回路と、前記コンデンサと抵抗との間と前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御する素子の基準電圧入力との間に当該基準電圧入力方向を順方向として接続されたダイオードとを有し、前記損失抑制回路は、前記複数のスイッチング素子のコレクタ電流に応じて、前記サージ抑制回路の抵抗の抵抗値を制御することにより、当該サージ抑制回路を介して前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整する。
また好適には、前記サージ抑制回路は、前記複数のスイッチング素子のコレクタ−エミッタ間に並列に接続されたコンデンサと抵抗との直列回路と、前記コンデンサと抵抗との間と前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御する素子の基準電圧入力との間に当該基準電圧入力方向を順方向として接続されたダイオードとを有し、前記損失抑制回路は、前記複数のスイッチング素子のコレクタ電流に応じて、前記サージ抑制回路の抵抗の抵抗値を制御することにより、当該サージ抑制回路を介して前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整する。
また、本発明に係るスイッチング回路は、並列に接続された複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御し、当該複数のスイッチング素子をオン/オフさせる制御回路と、前記複数のスイッチング素子のターンオフ時の電圧変化率を検出し、当該検出した電圧変化率に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチングサージ電圧を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整するサージ抑制回路と、前記複数のスイッチング素子に流れる電流を検出し、前記検出した電流に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチング損失を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧をさらに調整する損失抑制回路とを有する。
本発明によれば、複数個並列に接続されたスイッチング素子にしきい値電圧のばらつき等の特性のばらつきがあったとしても、特定のデバイスに損失が集中して発熱するのを防ぐことができるスイッチング回路の駆動回路、及び、そのようなスイッチング回路を提供することができる。
本発明の一実施形態について、図1及び図2を参照して説明する。
本実施形態においては、電圧駆動素子の一つであるIGBTをスイッチング素子とする本発明に係るスイッチング回路であって、所望の負荷を駆動する駆動回路を例示して本発明を説明する。
本実施形態においては、電圧駆動素子の一つであるIGBTをスイッチング素子とする本発明に係るスイッチング回路であって、所望の負荷を駆動する駆動回路を例示して本発明を説明する。
図1は、その駆動回路10の構成を示す回路図である。
図1に示す駆動回路10においては、電源電圧VBと接地GNDとの間に、負荷L11と、並列に接続された3個のIGBTQ110、Q210及びQ310とが直列に接続されている。負荷L11は、これらのIGBTQ110、Q210及びQ310によって駆動される。負荷L11に並列に配置されているダイオードD13は、フライホイールダイオードである。
図1に示す駆動回路10においては、電源電圧VBと接地GNDとの間に、負荷L11と、並列に接続された3個のIGBTQ110、Q210及びQ310とが直列に接続されている。負荷L11は、これらのIGBTQ110、Q210及びQ310によって駆動される。負荷L11に並列に配置されているダイオードD13は、フライホイールダイオードである。
IGBTQ110、Q210及びQ310は、各々高耐圧のパワーデバイスである。本実施形態のIGBTQ110、Q210及びQ310は、各々、過電流検出用のオンチップ電流センサとして機能する電流センス端子が設けられている。
IGBTQ110、Q210及びQ310のゲートは、電源電圧Vccに、NPNトランジスタQ13と抵抗R13を介して接続され、かつ、PNPトランジスタQ12と抵抗R11とを介して接地できるように接続されている。
IGBTQ110、Q210及びQ310のゲートは、電源電圧Vccに、NPNトランジスタQ13と抵抗R13を介して接続され、かつ、PNPトランジスタQ12と抵抗R11とを介して接地できるように接続されている。
NPNトランジスタQ13のベースはベース抵抗R14に接続され、PNPトランジスタQ12のベースはベース抵抗R12に接続されている。また、これらベース抵抗R14とベース抵抗R12の他端同士は接続され、入力信号Vinが印加されるようになっている。これによりNPNトランジスタQ13及びPNPトランジスタQ12は、入力信号Vinによってオン/オフされるようになっている。
IGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタとPNPトランジスタQ12のベースの間には、コンデンサC11とダイオードD11の直列回路が設けられている。ダイオードD11は、コンデンサC11側をアノード、PNPトランジスタQ12側をカソードとして接続されており、電流は、コンデンサC11側からPNPトランジスタQ12のベース側へ流れるように方向が規制されている。
また、コンデンサC11とダイオードD11の接続点であるA点と接地間には、プルダウン抵抗R15が接続されている。
これら、コンデンサC11、ダイオードD11及び抵抗R15により、ピーク抑制回路が形成される。
また、コンデンサC11とダイオードD11の接続点であるA点と接地間には、プルダウン抵抗R15が接続されている。
これら、コンデンサC11、ダイオードD11及び抵抗R15により、ピーク抑制回路が形成される。
また、本実施形態の駆動回路10には、ターンオフ時にIGBTQ110、Q210及びQ310に流れる異常電流を抑制するために、この異常電流を検出する電流検出回路を有する。この電流検出回路は、IGBTQ110、Q210及びQ310の電流センス機能、及び、NPNトランジスタQ14及び抵抗R16により構成される。
抵抗R16とNPNトランジスタQ14とは直列に接続され、ピーク制御回路のA点と接地GNDとの間に設けられた抵抗R15と並列に設けられる。NPNトランジスタQ14のエミッタは接地されている。
また、IGBTQ110、Q210及びQ310の電流センス端子は、抵抗R17とNPNトランジスタQ14のベースに接続されており、抵抗R17の他端は接地されている。
抵抗R16とNPNトランジスタQ14とは直列に接続され、ピーク制御回路のA点と接地GNDとの間に設けられた抵抗R15と並列に設けられる。NPNトランジスタQ14のエミッタは接地されている。
また、IGBTQ110、Q210及びQ310の電流センス端子は、抵抗R17とNPNトランジスタQ14のベースに接続されており、抵抗R17の他端は接地されている。
このような電流検出回路においては、IGBTQ110、Q210及びQ310に流れる電流と抵抗R17の抵抗値に応じて変動するB点の電位が、NPNトランジスタQ14のしきい値より高い時はNPNトランジスタQ14が導通され、抵抗R15はピーク制御回路の抵抗R15と並列に作用する状態となる。その結果、ピーク制御回路のA点の電位は相対的に低下する。
また、B点の電位が、NPNトランジスタQ14のしきい値より低い時はNPNトランジスタQ14は非導通状態とされ、ピーク制御回路においては抵抗R15のみが作用することになり、ピーク制御回路のA点の電位は相対的に高くなる。
そして、このようにピーク制御回路のA点の電位が切り換えられると、ダイオードD11を介してPNPトランジスタQ12に注入される電荷の量も変化し、PNPトランジスタQ12のベース電圧Vb及びIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeも変化する。
また、B点の電位が、NPNトランジスタQ14のしきい値より低い時はNPNトランジスタQ14は非導通状態とされ、ピーク制御回路においては抵抗R15のみが作用することになり、ピーク制御回路のA点の電位は相対的に高くなる。
そして、このようにピーク制御回路のA点の電位が切り換えられると、ダイオードD11を介してPNPトランジスタQ12に注入される電荷の量も変化し、PNPトランジスタQ12のベース電圧Vb及びIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeも変化する。
このような作用を利用して、電流検出回路は、IGBTQ110、Q210及びQ310がターンオフ動作に入っている時であって、IGBTQ110、Q210及びQ310の素子間の特性のばらつきにより一時的にIGBTQ110、Q210及びQ310に流れる電流が増加した場合に、PNPトランジスタQ14を導通させることによりA点の電位を低くし、PNPトランジスタQ12に注入される電荷の量を少なくし、PNPトランジスタQ12のベース電圧Vbを低下させ、IGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeを低下させ、IGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流も減少させる。
すなわち、電流検出回路は、IGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流に応じて、ピーク制御回路を介してIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeを調整する機能を有するものである。
すなわち、電流検出回路は、IGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流に応じて、ピーク制御回路を介してIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeを調整する機能を有するものである。
このような構成の駆動回路10の動作について、図2のタイミングチャートを参照して説明する。
図2は、図1に示した駆動回路において、入力信号Vinを変化させて、IGBTQ110、Q210及びQ310のオン/オフを繰返したときにおける各部の電圧波形を示す図である。
図2は、図1に示した駆動回路において、入力信号Vinを変化させて、IGBTQ110、Q210及びQ310のオン/オフを繰返したときにおける各部の電圧波形を示す図である。
なお、IGBTQ110、Q210及びQ310のしきい値電圧Vge(off)110 、Vge(off)210 及びVge(off)310 には、チップ特性のバラツキから、式(2)に示すような関係があるものとする。
(数2)
Vge(off)110 =Vge(off)210 >Vge(off)310 …(2)
Vge(off)110 =Vge(off)210 >Vge(off)310 …(2)
すなわち、3個のIGBTQ110、Q210及びQ310においては、第1のIGBTQ110及び第2のIGBTQ210のしきい値電圧Vge(off)110及びVge(off)210が同じであり、第3のIGBTQ310のしきい値電圧Vge(off)310のみが若干低い状態となっているものとする。
まず、図2(A)に示すように時刻t11に入力信号Vinが”L”から”H”に変化すると、抵抗R14を介してNPNトランジスタQ13にベース電流が注入される。これにより、トランジスタQ13はオンとなる。この時、PNPトランジスタQ12はオフである。
NPNトランジスタQ13がオンすると、抵抗R13を介してIGBTQ110、Q210及びQ310にゲート電流が注入され、IGBTQ110、Q210及びQ310はターンオン動作に入る。すなわち、図2(B)に示すようにゲート電圧Vgeが上昇し、ゲート電圧VgeがIGBTQ110、Q210及びQ310のしきい値電圧Vge(off)110 、Vge(off)210 及びVge(off)310 より高くなると(時刻t12)、図2(C)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは低下、図2(D)及び図2(E)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流Ice1 、Ice2及びIce3が増加する。なお、この際、IGBTQ110、Q210及びQ310には、図2(D)及び図2(E)に示すようにダイオードD13のリカバリー電流が一瞬の間流れる。
なお、この時、ターンオン時のスイッチング損失が発生する。
なお、この時、ターンオン時のスイッチング損失が発生する。
次に、例えば時刻t13に回路の動作が定常状態となると、入力信号Vinが”H”である間、IGBTQ110、Q210及びQ310はオン状態を維持し、IGBTQ110、Q210及びQ310には、図2(D)及び図2(E)に示すようなコレクタ電流Ice1 、Ice2及びIce3が流れる。
なお、この間は、駆動回路の定常損失が発生している。
なお、この間は、駆動回路の定常損失が発生している。
次に、例えば時刻t14に入力信号Vinが”H”から”L”に変化すると、NPNトランジスタQ13はオフし、抵抗R12を介してPNPトランジスタQ12からベース電流が抽出され、PNPトランジスタQ12はオンする。
PNPトランジスタQ12がオンすることにより、IGBTQ110、Q210及びQ310はターンオフ動作に入る。すなわち、図2(B)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeが低下し始め、ゲート電圧VgeがIGBTQ110、Q210及びQ310のしきい値電圧Vge(off)110 、Vge(off)210 及びVge(off)310より低くなると(時刻t15)、図2(C)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは増加を始め、図2(D)及び図2(E)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流Ice1、Ice2及びIce3は減少を始める。
PNPトランジスタQ12がオンすることにより、IGBTQ110、Q210及びQ310はターンオフ動作に入る。すなわち、図2(B)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeが低下し始め、ゲート電圧VgeがIGBTQ110、Q210及びQ310のしきい値電圧Vge(off)110 、Vge(off)210 及びVge(off)310より低くなると(時刻t15)、図2(C)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは増加を始め、図2(D)及び図2(E)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流Ice1、Ice2及びIce3は減少を始める。
IGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ−エミッタ間電圧Vceが増加を始めると、コンデンサC11、ダイオードD11及び抵抗R15を有するピーク制御回路が動作を開始する。
B点の電位は、図2(J)に示すように、IGBTQ110、Q210及びQ310のターンオフ動作の開始に伴って低下を始めるが、B点の電圧(接地GNDとB点の電位との差)がNPNトランジスタQ14のしきい値電圧Vge(off)14 よりも大きい間はトランジスタQ14はオンしており、抵抗R15と抵抗R16は並列に接続されていることになる。その結果、これら抵抗R15と抵抗R16との合成抵抗値とコンデンサC11からなる微分回路の出力から、ダイオードD11を介してPNPトランジスタQ12に電荷が注入され、図2(H)に示すようにベース電圧Vb は上昇する。
B点の電位は、図2(J)に示すように、IGBTQ110、Q210及びQ310のターンオフ動作の開始に伴って低下を始めるが、B点の電圧(接地GNDとB点の電位との差)がNPNトランジスタQ14のしきい値電圧Vge(off)14 よりも大きい間はトランジスタQ14はオンしており、抵抗R15と抵抗R16は並列に接続されていることになる。その結果、これら抵抗R15と抵抗R16との合成抵抗値とコンデンサC11からなる微分回路の出力から、ダイオードD11を介してPNPトランジスタQ12に電荷が注入され、図2(H)に示すようにベース電圧Vb は上昇する。
IGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ電流Ice1、Ice2及びIce3がさらに減少して、図2(J)に示すようにB点の電位がNPNトランジスタQ14のしきい値電圧Vge(off)14 より小さくなると(時刻t16)、NPNトランジスタQ14はオフとなり、微分回路の合成抵抗はR15だけとなる。その結果、図2(I)に示すようにA点の電位は上昇し、ダイオードD11を介してさらに多くの電荷がPNPトランジスタQ12のベースに注入され、ベース電圧Vb は上昇し、IGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeも上昇する。また、その結果、時刻t17には、ゲート電圧VgeとIGBTQ110、Q210及びQ310のしき値電圧との関係が式(3)に示すような条件となる。
(数3)
Vge(off)110 =Vge(off)210 >Vge>Vge(off)310 …(3)
Vge(off)110 =Vge(off)210 >Vge>Vge(off)310 …(3)
すなわち、図2(B)に示すように、ゲート電圧Vgeが、第3のIGBTQ310のしきい値電圧Vge(off)310と、第1及び第2のIGBTQ110及びQ210のしきい値電圧Vge(off)110及びVge(off)210との間に値に達する。前述したように、本実施形態においては、これらの複数のIGBT間に製造上の原因等による特性のばらつきがあり、第3のIGBTQ310のしきい値電圧Vge(off)310のみが第1及び第2のIGBTQ110及びQ210のしきい値電圧Vge(off)110及びVge(off)210よりも若干低いものとしているため、このような状態が生じる。
このような状態となると、ターンオフ動作中にも関わらず第3のIGBTQ310だけが再オンし、図2(E)に示すように、IGBTQ310に流れる電流Ice3が増加を始める。その結果、この増加し始めたコレクタ電流Ice1+Ice2+Ice3により、図2(J)に示すように、B点電位は再び上昇する。
B点の電位が上昇すると、図2(J)に示すように、B点の電位は再度NPNトランジスタQ14のしきい値電圧Vge(off)14 を超え、NPNトランジスタQ14は再度オンする(時刻t18)。
NPNトランジスタQ14がオンすることにより、抵抗R15と抵抗R16とが並列接続となると、図2(I)に示すようにA点の電位は低下し、ダイオードD11を通してPNPトランジスタに注入される電荷も減少するために図2(H)に示すようにベース電圧Vb も低下する(時刻t19)。
これにより、図2(B)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeも低下するため、再び再オンしたIGBTQ310のしきい値Vge(off)310より低くなり、IGBTQ310は再度オフし、図2(E)に示すようにコレクタ電流Ice3も減少する。
NPNトランジスタQ14がオンすることにより、抵抗R15と抵抗R16とが並列接続となると、図2(I)に示すようにA点の電位は低下し、ダイオードD11を通してPNPトランジスタに注入される電荷も減少するために図2(H)に示すようにベース電圧Vb も低下する(時刻t19)。
これにより、図2(B)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeも低下するため、再び再オンしたIGBTQ310のしきい値Vge(off)310より低くなり、IGBTQ310は再度オフし、図2(E)に示すようにコレクタ電流Ice3も減少する。
その後、図2(C)に示すようにIGBTQ110、Q210及びQ310のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは増加を続け、時刻t20にサージ電圧がピークとなった後、電源電圧VBに一定となる(時刻t21)。また、コレクタ電流Ice1、Ice2及びIce3は減少を続けて完全に遮断される。
なお、時刻t19〜t21の間に、ターンオフ時のスイッチング損失が発生する。
なお、時刻t19〜t21の間に、ターンオフ時のスイッチング損失が発生する。
本実施形態の駆動回路10は、このように動作するが、比較のために、IGBTQ110、Q210及びQ310のターンオフ時の異常電流を検出してIGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧を制御する本発明に係る電流検出回路を具備しない駆動回路、すなわち具体的には、抵抗R16,NPNトランジスタQ14及び抵抗R17を具備しない駆動回路の構成及び動作について、図3及び図4を参照して説明する。
図3は、その比較例としての駆動回路90の構成を示す回路図である。
駆動回路90の構成は、前述したように、図1に示した本発明に係る駆動回路10から、抵抗R16、NPNトランジスタQ14及び抵抗R17を有する電流検出回路を除外したものであり、その他の各部の構成及び動作は前述した駆動回路10と同じである。なお、電流検出回路を除外したため、パワーデバイス(IGBT)として図1に示したような電流センス端子を具備した素子を用いる必要はない。図3に示す回路においては、パワーデバイスとして電流センス機能を具備しないデバイスを用いるものとし、これらを図3に示すようにIGBTQ11、Q21及びQ31として示す。なお、各IGBTのスイッチングしきい値等の特性は、図1に示したIGBTQ110、Q210及びQ310と同じである。
駆動回路90の構成は、前述したように、図1に示した本発明に係る駆動回路10から、抵抗R16、NPNトランジスタQ14及び抵抗R17を有する電流検出回路を除外したものであり、その他の各部の構成及び動作は前述した駆動回路10と同じである。なお、電流検出回路を除外したため、パワーデバイス(IGBT)として図1に示したような電流センス端子を具備した素子を用いる必要はない。図3に示す回路においては、パワーデバイスとして電流センス機能を具備しないデバイスを用いるものとし、これらを図3に示すようにIGBTQ11、Q21及びQ31として示す。なお、各IGBTのスイッチングしきい値等の特性は、図1に示したIGBTQ110、Q210及びQ310と同じである。
このような構成の駆動回路90の動作について、図4のタイミングチャートを参照して説明する。
入力信号Vinが”L”から”H”に変化してから定常状態となり、また、定常状態である間、すなわち、時刻t11〜t14までの期間の駆動回路90の動作は、図2を参照して前述した駆動回路10の動作と同じであるのでここでは説明を省略する。
入力信号Vinが”L”から”H”に変化してから定常状態となり、また、定常状態である間、すなわち、時刻t11〜t14までの期間の駆動回路90の動作は、図2を参照して前述した駆動回路10の動作と同じであるのでここでは説明を省略する。
例えば時刻t14において、入力信号Vinが”H”から”L”になると、NPNトランジスタQ13はオフし、抵抗R12を介してPNPトランジスタQ12からベース電流が抽出されてPNPトランジスタQ12はオンし、IGBTQ11、Q21及びQ31はターンオフ動作に入る。すなわち、図4(B)に示すようにIGBTQ11、Q21及びQ31のゲート電圧Vgeが低下し始め、ゲート電圧VgeがIGBTQ11、Q21及びQ31のしきい値電圧Vge(off)11 、Vge(off)21 及びVge(off)31 より低くなると(時刻t15)、図4(C)に示すようにIGBTQ11、Q21及びQ31のコレクタ−エミッタ間電圧Vceは増加を始め、図4(D)及び図4(E)に示すようにIGBTQ11、Q21及びQ31のコレクタ電流Ice1、Ice2及びIce3は減少を始める。この時は、全てのIGBTQ11、Q21及びQ31のコレクタ電流Ice1、Ice2及びIce3が減少する。
IGBTQ11、Q21及びQ31のコレクタ−エミッタ間電圧Vceが増加を始めると、ダイオードD11及び抵抗R15を有するピーク制御回路が動作を開始し、A点の電圧が上昇する。すると、ダイオードD11を介してPNPトランジスタQ12のベースに電荷が注入され、その結果、PNPトランジスタQ12のベース電圧Vb は反転増加する。このため、IGBTQ11、Q21及びQ31のゲート電圧Vgeも反転増加する。その結果、時刻t16には、ゲート電圧VgeとIGBTQ11、Q21及びQ31のしき値電圧との関係が式(4)に示すような条件となる。
(数4)
Vge(off)11 =Vge(off)21 >Vge>Vge(off)31 …(4)
Vge(off)11 =Vge(off)21 >Vge>Vge(off)31 …(4)
すなわち、図4(B)に示すように、ゲート電圧Vgeが、第3のIGBTQ31のしきい値電圧Vge(off)31 と、第1及び第2のIGBTQ11及びQ21のしきい値電圧Vge(off)11 及びVge(off)21 との間の値に達する。
このような状態となると、ターンオフ動作中にも関わらず第3のIGBTQ310だけが再オンし、図4(E)に示すように、IGBTQ310に流れる電流Ice3が増加を始める。このとき、第1及び第2のIGBTQ11及びQ12はオフ状態を維持しているため、再オンした第3のIGBTQ13にのみコレクタ電流が集中する。
その後、最終的にはゲート電圧を制御するPNPトランジスタQ12のベース電圧Vb が低下し(時刻t17)、IGBTQ11、Q21及びQ31のゲート電圧Vgeも低下し、再オンした第3のIGBTQ31もオフにされ、IGBTQ11、Q21及びQ31は完全に遮断状態とされる(時刻t18)。
その後、最終的にはゲート電圧を制御するPNPトランジスタQ12のベース電圧Vb が低下し(時刻t17)、IGBTQ11、Q21及びQ31のゲート電圧Vgeも低下し、再オンした第3のIGBTQ31もオフにされ、IGBTQ11、Q21及びQ31は完全に遮断状態とされる(時刻t18)。
このように、本発明に係る駆動回路10のように、ターンオフ時にIGBTQ110、Q210及びQ310の電流を検出してIGBTQ110、Q210及びQ310nゲート電圧Vgeを調整する電流検出回路を具備しない駆動回路では、素子間でしきい値電圧にばらつきがあった場合、しきい値電圧の低いIGBT(第3のIGBTQ31)がターンオフ途中である程度の時間再オンすることとなり、その間コレクタ電流が流れる。その結果、その再オンの期間に流れる電流分、ターンオフ時の損失が大きくなる。具体的には、本発明の駆動回路10と比較して、図4(G)にΔPで示す領域に相当する分だけ、損失が大きくなている。
そしてまた、このような再オン動作により、3つのIGBTQ11、Q21及びQ31の間で損失のアンバランスが発生し、最もしきい値電圧の低いチップに熱故障が生じる可能性が高くなる。
そしてまた、このような再オン動作により、3つのIGBTQ11、Q21及びQ31の間で損失のアンバランスが発生し、最もしきい値電圧の低いチップに熱故障が生じる可能性が高くなる。
これに対して、図1及び図2を参照して説明した本実施形態の駆動回路10においては、パワーデバイスとして電流量を検出する機能を有するIGBTQ110、Q210及びQ310を用い、ターンオフ動作時に、IGBTQ110、Q210及びQ310に流れる電流が大きくなった場合には、ピーク制御回路の抵抗R15と並列に抵抗R16を作用させる構成となっている。その結果、ピーク制御回路のA点の電位が低下し、IGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧を制御するPNPトランジスタQ12のベース電圧Vb が低下し、IGBTQ110、Q210及びQ310のゲート電圧Vgeも低下し、再オンしたIGBT(第3のIGBTQ31)は直ちに再オフされる。
このように、本実施形態の駆動回路10では、並列に接続されたパワーデバイスのしきい値特性にバラツキがあった場合に、しきい値の低いチップがターンオフ動作中に再オンする時間を最小限にすることができるため、ターンオフ時の損失を少なくすることができる。
また、ターンオフ時のスイッチング損失を素子間でほぼ均等にすることができるため、損失のアンバランスにより特定のパワーデバイスに熱による障害が発生することを防ぐことができる。
なお、本実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また任意好適な種々の改変が可能である。
また、ターンオフ時のスイッチング損失を素子間でほぼ均等にすることができるため、損失のアンバランスにより特定のパワーデバイスに熱による障害が発生することを防ぐことができる。
なお、本実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また任意好適な種々の改変が可能である。
例えば、本実施形態の駆動回路10は、3つのIGBTを並列接続した構成であったが、パワデバイスの種類及び並列接続の数はこれに限定されるものではない。
10…駆動回路
R11〜R17…抵抗
D11〜D13…ダイオード
C11…コンデンサ
Q11〜Q31、Q110〜Q310…IGBT
Q12〜Q14…トランジスタ
L11…負荷
R11〜R17…抵抗
D11〜D13…ダイオード
C11…コンデンサ
Q11〜Q31、Q110〜Q310…IGBT
Q12〜Q14…トランジスタ
L11…負荷
Claims (4)
- 並列に接続された複数のスイッチング素子を有し、所望の負荷を駆動するスイッチング回路の駆動回路であって、
前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御し、当該複数のスイッチング素子をオン/オフさせる制御回路と、
前記複数のスイッチング素子のターンオフ時の電圧変化率を検出し、当該検出した電圧変化率に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチングサージ電圧を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整するサージ抑制回路と、
ターンオフ時に前記複数のスイッチング素子に流れる電流を検出し、前記検出した電流に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチング損失を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧をさらに調整する損失抑制回路と
を有するスイッチング回路の駆動回路。 - 前記損失抑制回路は、前記サージ抑制回路を介して、前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整する
請求項1に記載のスイッチング回路の駆動回路。 - 前記サージ抑制回路は、前記複数のスイッチング素子のコレクタ−エミッタ間に並列に接続されたコンデンサと抵抗との直列回路と、前記コンデンサと抵抗との間と前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御する素子の基準電圧入力との間に当該基準電圧入力方向を順方向として接続されたダイオードとを有し、
前記損失抑制回路は、前記複数のスイッチング素子のコレクタ電流に応じて、前記サージ抑制回路の抵抗の抵抗値を制御することにより、当該サージ抑制回路を介して前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整する
請求項2に記載のスイッチング回路の駆動回路。 - 並列に接続された複数のスイッチング素子と、
前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を制御し、当該複数のスイッチング素子をオン/オフさせる制御回路と、
前記複数のスイッチング素子のターンオフ時の電圧変化率を検出し、当該検出した電圧変化率に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチングサージ電圧を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧を調整するサージ抑制回路と、
ターンオフ時に前記複数のスイッチング素子に流れる電流を検出し、前記検出した電流に基づいて、当該ターンオフ時のスイッチング損失を抑制するように前記複数のスイッチング素子のゲート電圧をさらに調整する損失抑制回路と
を有するスイッチング回路。
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-
2006
- 2006-02-16 JP JP2006039808A patent/JP2007221473A/ja active Pending
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