JP2008054098A - 電圧駆動型素子の駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート駆動IC(IC1)からの信号により、コレクタに負荷(L1)を接続したIGBT(Q5)がターンオフする際に、IGBT(Q5)のコレクタに接続したコンデンサ(C1)、ダイオード(D1)を介して出力されるIGBT(Q5)のコレクタ電圧の時間変化量(dv/dt)と、温度センスダイオード(D3)が検出したIGBT(Q5)のジャンクション温度(Tj)を示すフォワード電圧とをフィードバック回路(FB)に入力することにより、コレクタ電圧の時間変化量(dv/dt)をIGBT(Q5)のジャンクション温度(Tj)に応じて調整したフィードバック量により、PNPトランジスタ(Q1)のベース電流を制御し、IGBT(Q5)のゲート電荷の放電速度を可変に制御する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明による電圧駆動型素子の駆動回路の回路構成の一例を示す回路図であり、電力変換機などにおいて負荷を駆動する電圧駆動型素子の駆動回路に適用した場合の一例について示している。なお、図1には、電圧駆動型素子としてIGBTを用いた場合について示しているが、パワーMOSFETなど他の電圧駆動型素子を用いて構成するようにしても良い。また、図1には、IGBTのターンオフ時のゲート電荷の放電に関わる回路を中心にして記載している。
ゲート駆動IC(IC1)から、ゲートON/OFF信号として、ゲートONからOFFへの切り替わる信号すなわちHiレベル→Loレベルにレベル変化した信号が出力されると、フィードバック回路(FB)を介して、IGBT(Q5)のゲート電荷放電用のPNPトランジスタ(Q1)がOFFからON状態に切り替わり、PNPトランジスタ(Q1)のエミッタに接続されている抵抗(R4)を介して、IGBT(Q5)のゲート電荷の放電が始まって、IGBT(Q5)のターンオフ動作に移行する。
次に、図2に示す回路構成を用いて、本発明による電圧駆動型素子の駆動回路のより具体的な回路構成の一例について説明する。図2は、本発明による電圧駆動型素子の駆動回路の具体的な回路構成の一例を示す回路図であり、図1に示した実施例1のフィードバック回路(FB)の部分を具体化した一例を示している。
次に、図2のIGBT(Q5)の駆動回路における作用について図3を用いて説明する。図3は、図2のIGBT(Q5)の駆動回路の各温度における動作状態を説明するための説明図である。図3(A)は、IGBT(Q5)のジャンクション温度(Tj)を検出する温度センサダイオード(D3)のフォワード電圧(Vf)の変化の様子を示し、IGBT(Q5)のジャンクション温度(Tj)が高くなるほど、温度センサダイオード(D3)のフォワード電圧(Vf)は低くなることを示している。
(低温の場合)>(常温の場合)>(高温の場合)
となる。さらに言えば、このフィードバック抵抗の大小関係は、フィードバック回路(FB)に入力されてくるIGBT(Q5)のコレクタ電圧の時間変化量(dv/dt)が同じ量であっても、IGBT(Q5)のゲート端子へフィードバックすべき所望のフィードバック量の大きさと一致するように調整される。
次に、図4に示す回路構成を用いて、本発明による電圧駆動型素子の駆動回路のより具体的な回路構成について、図2とは異なる構成例を説明する。図4は、本発明による電圧駆動型素子の駆動回路の具体的な回路構成の図2とは異なる例を示す回路図である。
次に、図4のIGBT(Q5)の駆動回路における作用について図5を用いて説明する。図5は、図4のIGBT(Q5)の駆動回路の各部の動作状態を説明するための説明図である。図5(A)は、IGBT(Q5)のジャンクション温度(Tj)とオペアンプ(IC4)の出力電圧(V0)との関係を示す説明図であり、図5(B)は、NPNトランジスタ(Q7)のコレクタエミッタ間電圧(Vce)とコレクタ電流(Ic)との関係を示す説明図であり、NPNトランジスタ(Q7)のベース電流(Ib)と動作点との関係を示している。また、図5(C)は、IGBT(Q5)のジャンクション温度(Tj)とIGBT(Q5)のコレクタ電圧の時間変化量(dv/dt)との関係を示す説明図である。
なお、この場合、オペアンプ(IC4)においてフォワード電圧(Vf)との比較対象とする電圧閾値(Vt3)については、該電圧閾値(Vt3)に対応する基準温度として、当該駆動回路の動作を保障する最低温度(T3)に該当する値に設定している。
ここで、電圧Vaは、NPNトランジスタ(Q7)のコレクタ電圧であり、図4に示すように、次式により与えられるPNPトランジスタ(Q1)のベース−GND間電圧と同一の電圧である。
Vge :IGBT(Q5)のゲートエミッタ間電圧
Vbe1:PNPトランジスタ(Q1)のベースエミッタ間電圧
NPNトランジスタ(Q7)の動作点は、NPNトランジスタ(Q7)のベース電流(Ib)により異なるIc−Vce曲線(ベース電流(Ib)が大きいほど、同一のコレクタエミッタ間電圧(Vce)で流れるコレクタ電流(Ic)が大きくなる特性線)と負荷線との交点に沿って変化する。
Claims (12)
- コレクタに負荷を接続した電圧駆動型素子のゲートに電圧を印加することによって該電圧駆動型素子を駆動する電圧駆動型素子の駆動回路において、前記電圧駆動型素子のターンオフ時に、前記電圧駆動型素子のコレクタ電圧の時間的変化に応じた前記電圧駆動型素子のゲート電荷の放電速度抑制量としてのフィードバック量をフィードバックして、ゲート電荷の放電速度を制御するフィードバック手段と、前記電圧駆動型素子のジャンクション温度を検出する温度検出手段とを、少なくとも備え、前記フィードバック手段は、前記電圧駆動型素子のターンオフ時に、前記フィードバック量を前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度に応じて可変に制御することを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項1に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記フィードバック手段は、前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度に応じて前記フィードバック手段による前記フィードバック量を可変に制御することにより、前記電圧駆動型素子のジャンクション温度の如何によらず、前記電圧駆動型素子のコレクタ電圧の時間変化量をあらかじめ定めた許容範囲内に収めるように制御することを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項1または2に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記フィードバック手段は、前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度が低い場合は、前記フィードバック量を大きくし、前記電圧駆動型素子のジャンクション温度が高い場合は、前記フィードバック量を小さくすることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記温度検出手段として、前記電圧型駆動素子内に、オンチップの温度センスダイオードを内蔵することを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記フィードバック手段として、前記電圧駆動型素子のコレクタ電圧の時間変化量を前記電圧駆動型素子のゲート側にフィードバックする際の前記フィードバック量を、前記電圧駆動型素子のジャンクション温度に応じて異なる抵抗値を用いて調整する抵抗値調整手段を備えていることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項5に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記抵抗値調整手段は、異なる抵抗値を有する抵抗または複数の抵抗の組み合わせに切り替え可能な抵抗群を前記電圧駆動型素子のゲート電荷の放電用回路と並列に備え、さらに、前記温度検出手段が検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度が、あらかじめ定めた複数の温度範囲のいずれに属しているかに応じて、前記抵抗群のうちのいずれかの抵抗値の抵抗または複数の抵抗の組み合わせに切り替える抵抗切り替え手段を備えていることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項6に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記抵抗切り替え手段は、前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度が高いほど、前記抵抗群のより小さな抵抗値の抵抗または複数の抵抗の組み合わせに切り替えることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項6または7に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記抵抗切り替え手段として、前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度を示す電圧値と複数の前記温度範囲のそれぞれを示す電圧範囲とを比較する比較器と、前記比較器の出力に応じてオン・オフするスイッチング素子と、を少なくとも備え、該スイッチング素子を用いて、前記抵抗群の接続状態を前記電圧駆動型素子のジャンクション温度に応じて切り替えることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項5に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記抵抗値調整手段は、ON抵抗値を連続的に変化させることが可能なフィードバック用トランジスタを前記電圧駆動型素子のゲート電荷の放電用回路と並列に備え、さらに、前記温度検出手段が検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度に応じて、前記フィードバック用トランジスタのON抵抗値を変更するON抵抗値変更手段を備えていることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項9に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記ON抵抗値変更手段は、前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度が高いほど、前記フィードバック用トランジスタのON抵抗値をより小さな抵抗値に変更することを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項9または10に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記ON抵抗値変更手段として、前記温度検出手段により検出した前記電圧駆動型素子のジャンクション温度を示す電圧値とあらかじめ定めた基準温度を示す電圧閾値との差分を増幅する増幅器を少なくとも備え、前記増幅器が増幅した前記差分に応じて前記フィードバック用トランジスタのベース電流を変更することにより、前記フィードバック用トランジスタのON抵抗値を変更することを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
- 請求項11に記載の電圧駆動型素子の駆動回路において、前記ON抵抗値変更手段に備えられた前記増幅器が、オペアンプであり、前記フィードバック用トランジスタが、NPNトランジスタであることを特徴とする電圧駆動型素子の駆動回路。
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