CN109936353A - 用于功率开关的多感测电路 - Google Patents

Abstract

本公开提供了用于功率开关的多感测电路。一种多感测电路包括：晶体管电路，其具有感测节点和栅极节点；峰值检测器，其具有耦合到晶体管电路的感测节点的输入和输出；以及控制电路，其具有耦合到晶体管电路的栅极节点的栅极控制节点和耦合到峰值检测器的输出的过电流保护节点。

Description

用于功率开关的多感测电路

技术领域

本发明一般地涉及用于功率开关的多感测电路和方法。

背景技术

功率晶体管用于切换相对高的功率，并且可以承载相对高的电流和/或阻挡相对高的电压。结果，即使在正常操作条件期间，热量通常由功率晶体管生成。通过在过电流或过电压条件下操作足够长的时间，功率晶体管通常具有可以达到的并且甚至超过的最大操作温度。感测电路有时用于感测过电流或过电压情况，并且生成可以用于在功率晶体管永久损坏之前安全地关断功率晶体管的输出信号。

发明内容

在一个实施例中，一种电路包括：晶体管子电路，具有多个感测节点和栅极节点；峰值检测器，具有耦合到晶体管子电路的多个感测节点的多个输入以及输出；以及控制子电路，具有耦合到晶体管子电路的栅极节点的栅极控制节点和耦合到峰值检测器的输出的过电流保护节点。晶体管子电路可以包括多个并联连接的晶体管，多个并联连接的晶体管中的每个晶体管具有耦合到晶体管子电路的第一电流节点的集电极、耦合到晶体管子电路的第二电流节点的发射极、以及耦合到晶体管子电路的栅极节点的栅极。多个并联连接的晶体管中的每个晶体管可以进一步包括耦合到多个感测节点中的相应感测节点的附加发射极。多个并联连接的晶体管中的每个晶体管可以进一步包括耦合到多个感测节点中的相应感测节点的感测电阻器。峰值检测器可以包括多个二极管，多个二极管中的每个二极管具有分别耦合到峰值检测器的多个输入中的输入的阳极和耦合到峰值检测器的输出的阴极。峰值检测器可以进一步包括耦合在接地与峰值检测器的参考输出之间的附加二极管、耦合在峰值检测器的输出与电压源之间的第一电阻器、以及耦合在峰值检测器的参考输出与电压源之间的第二电阻器。电压源可以包括负电压源。峰值检测器的参考输出可以耦合到控制子电路的过电流保护接地节点。晶体管子电路可以包括多个晶体管，并且峰值检测器可以包括多个二极管，其中多个晶体管和多个二极管可以一起集成在模块中。峰值检测器可以包括一起集成在模块中的多个二极管。

在一个实施例中，一种电路包括：多个二极管，每个二极管具有分别耦合到相应感测节点的阳极、以及耦合到过电流保护节点的阴极；多个电阻器，每个电阻器分别耦合在相应感测节点与接地之间；第一附加电阻器，耦合在过电流保护节点与负电压源之间；第一附加二极管，耦合在接地与过电流保护接地节点之间；以及第二附加电阻器，耦合在过电流保护接地节点与负电压源之间。多个二极管可以耦合到相应的多个晶体管并且一起集成在模块中。多个二极管可以一起集成在模块中。该电路可以进一步包括耦合到过电流保护节点和过电流保护接地节点的控制子电路。负电压源可以包括电荷泵。

在一个实施例中，一种保护多个晶体管的方法包括：感测多个晶体管中的每个晶体管的发射极电压；检测峰值发射极电压；以及使用检测到的峰值发射极电压来关断多个晶体管中的至少一个。感测可以包括感测多个晶体管中的每个晶体管的感测发射极电压。检测可以包括激励多个二极管中的一个二极管，多个二极管中的每个二极管与多个晶体管中的相应晶体管相关联。检测可以进一步包括将多个电阻器分别耦合到多个二极管。使用检测到的峰值发射极电压可以包括将检测到的峰值发射极电压耦合到与多个晶体管通信的控制电路。

附图说明

为了更完整地理解本发明及其优点，现在参考以下结合附图的描述，在附图中：

图1是用于功率开关的多感测电路的实施例的框图；

图2至图5是用于功率开关的多感测电路的实施例的示意图；

图6是用于生成过电流信号的多感测电路内的评估电路的实施例的示意图；

图7是用于驱动多个功率开关的栅极的多感测电路内的栅极驱动器电路的实施例的示意图；

图8是根据实施例的适用于多感测电路的二极管模块的图；

图9是根据实施例的适用于多感测电路的组合的晶体管和二极管模块的图；

图10是根据实施例的适用于多感测电路的组合的电阻器和二极管模块的图；以及

图11是保护多个晶体管的实施例方法的框图。

具体实施方式

可以在功率开关(MOS、IGBT)中实现感测输出，功率开关将通过功率开关的电流的一小部分提供给模块或集成电路中的额外引脚。外部感测电阻器可以耦合到该额外的引脚，并且与流过功率开关的总电流成比例的跨外部感测电阻器的电压值可以用于评估过载情况。跨外部感测电阻器的电压通常经由过电流保护引脚(通常称为OCP引脚)和可能的功率开关驱动器和/或控制集成电路或模块中的过电流保护接地引脚(通常称为OCPG引脚)来被评估。

当几个功率开关并联连接，并且只有功率开关驱动器电路的一个引脚(例如，OCP引脚)或一组引脚(例如，OCP引脚和OCPG引脚)可用于评估时，可能会出现问题。例如，如果四个功率开关并联连接，每个功率开关具有它们自己的感测节点，则只能评估四个功率开关中的一个。四个功率开关并联连接的特定情况仅用于说明目的，并且可以设想任何数目的并联连接的功率开关。

根据实施例的针对上述问题的电路解决方案检测在并联连接的功率开关之一中流动的电流的最高值，因为最强地加载最高电流的功率开关将是在评估时最受关注的。来自其他功率开关的信息不是必需用于提供可以用于断开故障功率开关或整个功率开关模块的过电流信息。

虽然可以针对每个另外的并联功率开关而在驱动器集成电路中实现附加的评估引脚，但是该解决方案的缺点是与较大封装尺寸相关的较高成本。如果需要足够的附加的评估引脚，则甚至可能无法获得足够大的封装件。

另一种可能的解决方案是将每个并联连接的功率晶体管的所有感测电阻器连接到单个评估引脚或引脚组。该解决方案导致在单个功率开关发生故障的情况下其他功率开关的感测电流被分布。在这种情况下，通过故障功率开关的电流将不会增加，并且流过剩余功率开关的平均电流将被测量。通过感测电阻的平均值，任何一个功率开关中的各个最大电流不再可测量。较高的未测量的负载电流可能导致相应功率开关的损坏，因为评估将不会检测到已经达到最大负载电流。

图1中示出了根据实施例的多感测电路100A的总体框图。多感测电路100A包括控制电路102、峰值检测器104和包括多个功率开关的功率模块106。

控制电路102包括用于驱动功率模块106中的相应栅极节点(Gate)的栅极控制节点(Gate Control)。控制电路102还包括耦合到OCP引脚和OCPG引脚的感测电路和逻辑电路。控制电路102还包括接地(GND)和电源(VEE)引脚。

峰值检测器104包括多个输入节点D1、D2、D3和D4以及输出节点OUT，输出节点OUT耦合到控制电路102的OCP节点。峰值检测器104还包括参考输出节点REF，其耦合到控制电路102的OCPG节点。峰值检测器104的REF输出节点从接地提供电平移位二极管压降电压，该电压补偿其他峰值检测器二极管电路，如下面将进一步详细说明。峰值检测器104还包括接地节点GND，其耦合到控制电路102的相应接地节点GND。峰值检测器104还包括电压源节点VEE，其耦合到控制电路102的相应电压源节点VEE。

功率模块106包括多个感测节点S1、S2、S3和S4，其耦合到峰值检测器104的输入节点D1、D2、D3和D4。功率模块106包括Gate节点，其耦合到控制电路102的Gate Control节点，如前所述。功率模块106包括耦合到第一电流节点108的多个电流输入节点C1、C2、C3和C4、耦合到第二电流节点110的多个电流输出节点E1、E2、E3和E4。

控制电路102、峰值检测器104和功率模块106的内部电路在下面参考图2、图3、图4和图5进一步详细说明。

在图2所示的多感测电路实施例100B中，存在可用的双极电源电压(正VCC电压和负VEE电压均可用，这对于诸如IGBT等功率开关是典型的，因为栅极在断开的情况下相对于发射极是负偏置的，以便抵消电容性耦合，即，米勒效应)。

在图2中，所示的电路实施例100B使用具有相关联偏置的二极管阵列D1、D2、D3、D4和D5来解决上面讨论的引脚可用性问题。如前所述，二极管D1、D2、D3和D4的阳极形成二极管阵列的输入节点。二极管D1、D2、D3和D4的输入节点分别耦合到在下面进一步详细描述的功率开关T1、T2、T3和T4的感测节点S1、S2、S3和S4。如前所述，二极管D1、D2、D3和D4的耦合的阴极形成二极管阵列的耦合到控制电路102的OCP引脚的输出节点。二极管D1、D2、D3和D4的耦合的阴极也耦合到电阻器R1，电阻器R1又耦合到电压源节点VEE，在图2的实施例中，电压源节点VEE示出为VEE＝-10伏并且是由外部负电压电源供电。二极管D5的阳极耦合到接地，并且二极管D5的阴极耦合到电阻器R2，电阻器R2又耦合到电压源节点VEE。二极管D5的阴极还向控制电路102的OCPG引脚提供电平移位电压。

具有相应的电流输出节点E1、E2、E3和E4以及感测节点S1、S2、S3和S4的四个功率开关T1、T2、T3和T4并联连接。在图2所示的实施例100B中，电流输出节点E1、E2、E3和E4是发射极节点并且承载大部分电流输出。感测节点S1、S2、S3和S4是感测发射极节点并且承载总输出电流的小的线性比例部分。在一个示例中，流出感测节点的电流将代表相应功率开关的总电流的1/1000或0.1％。可以使用发射极电流与感测发射极电流的其他比率。在图2的实施例中，IGBT被示出为实现功率开关T1、T2、T3和T4，但是当然，可以使用诸如MOS晶体管或碳化硅晶体管等其他类型的器件以及本领域已知的其他类型的功率开关。功率开关T1、T2、T3和T4的电流输入节点(图2的实施例中的集电极)C1、C2、C3和C4耦合在一起并且耦合到节点108。电流输出节点E1、E2、E3和E4(图2的实施例中的发射极)耦合在一起并且耦合到节点110。感测节点S1、S2、S3和S4耦合到二极管D1、D2、D3和D4的阳极，并且还耦合到相应的感测电阻器Rs1、Rs2、Rs3和Rs4的第一端。相应的感测电阻器Rs1、Rs2、Rs3和Rs4的第二端耦合在一起并且耦合到接地。

控制电路102包括栅极驱动器电路112，其通过栅极电阻器RG耦合到功率开关T1、T2、T3和T4的栅极。控制电路102还包括耦合到节点OCP和节点OCPG的信号评估电路114。信号评估电路114关于图6的示意图更详细地描述，并且栅极驱动器电路112关于图7的示意图更详细地描述。

在如图3所示的另一多感测电路实施例100C中，只有一个可用的单极电源电压(VCC)。在图3中，电路100通过具有如上所述的适当偏置的相同的二极管阵列来解决上面讨论的引脚可用性问题，但是电路还包括电荷泵(CHPU)116。图3中示出了相应的实现，其中具有相应的感测输出的四个功率开关T1、T2、T3和T4并联连接，如先前关于图2所讨论的。

在图3的实施例中，用于偏置二极管的负电平移位电压所需要的负电压(示出为VEE＝-2伏)在内部提供并且由电荷泵116实现。如本领域所公知，电荷泵116通常可以包括用于逐渐建立负电压的多个串联耦合级，其中负电压不在外部提供。串联耦合级通常包括二极管和电容器、或开关和电容器。很多类型的电荷泵电路适用于电荷泵116。除此以外，电路100C的功能如上面参考图2所讨论。

图4是用于功率开关的多感测电路100D的实施例的示意图，其中图2所示的实施例多感测电路100B的电阻器R1和R2分别被替换为电流源I1和I2。电流源I1和I2的大小可以被设置为提供与例如在先前描述的多感测电路100B和100C中的电阻器R2中流动的电流类似的电流。其他较低电流值也可以用于电流源I1和I2。在一个实施例中，电流源I1和I2可以利用多输出电流镜(图4中未示出)来实现。

图5是用于功率开关的多感测电路100E的实施例的示意图，其中图2和图3所示的实施例多感测电路100B和100C的电阻器R1和R2完全被消除。在多感测电路100E中，用于二极管D1至D5的唯一负载由信号评估电路114的输入阻抗提供。在多感测电路100E的一些实施例中，可以在OCP节点和OCPG节点之间耦合滤波器(诸如小值电容器)。

图6示出了评估电路114，其包括比较器120，比较器120具有耦合到OCP引脚的第一输入、耦合到阈值电压发生器122的第二输入、以及用于提供过电流信号124的输出124。过电流信号124由控制电路102使用或由控制电路102结合图1至图5中未示出的其他系统或电路使用以关断或另外地改变功率开关T1至T4中的至少一个的操作状态，或者提供功率开关T1至T4中的至少一个处于过电流模式的警告信号。在操作中，如果OCP节点电压(正常操作)低于参考于OCPG节点电压的阈值电压(V_T)，则不生成过电流信号并且比较器120的输出124为低。如果OCP节点电压(检测到短路或过电流状态)高于参考于OCPG节点电压的阈值电压，则生成过电流信号并且比较器120的输出124为高。

在下面关于表I和表II提供的示例中，OCPG节点电压被给出为-600mV。对于最大允许电流流动，相应的峰值OCP节点电压被给出为-500mV。对于过电流电流流动，相应的峰值OCP节点电压被给出为-300mV。因此，针对阈值电压发生器122的过电流阈值电压的适当值将是200mV。当参考于OCPG节点电压时，比较器120的负输入将提供-400mV的中点电压，其介于由最大允许电流流动生成的峰值电压(-500mV)与由过电流(短路)电流流动生成的峰值电压(-300mV)之间。当然，其他阈值电压可以适应给定应用中的其他最大允许电流。

图6示出了主要是模拟性质的评估电路。然而，OCP节点电压与阈值电压的比较也可以在数字域中完成。例如，ADC可以用于将差分电压OCP-OCPG转换为数字值。然后将该数字值在数字域中与另一数字值(过电流阈值)进行比较。如果达到阈值，则可以关断栅极驱动器电路112(或切换到另一安全状态)。过电流阈值可以是固定值，也可以由用户根据需要经由SPI接口或CAN接口进行编程。

图7示出了栅极驱动器电路112的示例。由于被驱动的功率开关的栅极的电容性性质，栅极驱动器电路在短时间内提供大的驱动电流。图7中示出了基本驱动电路112的示例，其包括NPN驱动晶体管T5，NPN驱动晶体管T5具有耦合到VCC的集电极、耦合到输出驱动节点128的发射极、以及耦合到输入节点126的栅极。驱动电路112还包括PNP驱动晶体管T6，PNP驱动晶体管T6具有耦合到VEE的集电极、耦合到输出驱动节点128的发射极、以及耦合到输入节点126的栅极。当然，栅极驱动器电路112还可以包括未示出的其他支持输入和补偿电路，并且很多其他驱动电路也可以用于提供所需要的栅极驱动电流。

在操作中，二极管D1、D2、D3和D4实现相对于耦合到VEE的电阻器R1的电平移位。在图2中，VEE在外部被提供并且示出为-10伏。二极管D1、D2、D3、D4和电阻器R1的公共连接处的信号被传递到OCP引脚。OCP信号是峰值检测信号，其检测与流过相应的功率开关T1、T2、T3或T4的最大电流相对应的感测节点S1、S2、S3和S4处的各个信号的最大值。连接到电阻器R2的二极管D5也实现电平移位，其补偿二极管D1至D4的电压和温度系数(用于在OCP引脚和OCPG引脚处的差分信号评估)。因此，理想情况下，二极管D1至D5应当是相同类型的，并且应当尽可能靠近在一起，使得它们经历相同的操作温度，并且使得它们的电压以相同的方式变化。也可以替代地利用电流源(图4中最佳示出)代替电阻器来实现电平移位的偏置。二极管也可以被具有整流器效应的任何部件替换。

为了更全面地理解由实施例提供的峰值检测，下面的表I和表II用于示出相关的节点电压以及二极管状态和过电流信号的状态。特别地，OCP引脚电压被示出为与其他电路电压相关，使得图2和图3所示的电路的操作方法可以更容易被理解。图4和图5所示的电路的操作方法非常相似，尽管一些操作电流不同。

在表I中，100mV的S4值(最高感测电压)反映功率开关T4中具有高电流但是不触发过电流信号的操作条件。在表II中，300mV的S4值(最高感测电压)反映功率开关T4中具有确实触发过电流信号的高电流的过电流状态。

表I和表II中使用以下典型值：R1＝5K欧姆，R2＝5K欧姆，Rs1＝0.5欧姆，Rs2＝0.5欧姆，Rs3＝0.5欧姆，Rs4＝0.5欧姆，VEE＝-10伏或-2伏。通过将给定电压除以上述电阻器值并且乘以发射极尺寸与感测发射极尺寸的比率，可以容易地得到所有相应的功率开关电流。表I示出了在正常操作模式中的感测节点电压、OCP引脚电压和OCPG引脚电压、以及过电流信号输出和二极管的状态。

表I-正常操作

在表I中，重要的是要注意，不触发过电流信号，因为没有感测节点电压超过200mV的示例阈值电压。阈值电压由任何功率开关T1至T4可以容忍而没有损坏的最大操作电流确定。由于二极管D4的阳极耦合到最高感测节点电压，该二极管导通，并且所有其他二极管D1至D3关断。二极管D5始终导通，因为它用于生成电平移位电压以补偿二极管D1、D2、D3和D4的二极管压降。二极管D5还补偿二极管D1至D4的温度系数。

如表I和表II所示，最正电压总是通过相应的二极管传递到OCP引脚，并且所有其他二极管完全或部分地关断(在其中一个感测节点上存在类似但较小的电压的情况下)。然后OCP引脚上的电压被评估，以确定关于过电流阈值电压的正常操作条件或过电流操作条件的存在。

表II示出了在过电流操作模式中的感测节点电压、OCP引脚电压和OCPG引脚电压、以及过电流输出的状态，其中至少一个(T4)功率开关提供超过最大允许量的电流，并且因此过电流引脚OCP的电压大于最大过电流阈值电压。

表II-过电流操作

在表II中，重要的是要注意，过电流信号被触发，因为300mV的S4感测节点电压超过200mV伏的示例阈值电压。类似地，由于二极管D4的阳极耦合到最高感测节点电压，该二极管导通，并且所有其他二极管D1至D3关断。二极管D5始终导通，因为它用于生成电平移位参考电压，如上所述。

表I和表II还涉及其中电阻器R1和R2被电流源I1和I2替换的实施例100D以及其中电阻器R1和R2被消除的实施例100E。然而，流过二极管D1至D4的电流将是不同的。

图1至图5所示的电路和框可以以很多不同的方式实现，以优化给定应用中的性能。例如，虽然示出了四个晶体管T1、T2、T3和T4，但是可以使用任何数目。类似地，示出了四个二极管D1、D2、D3和D4，但是可以使用与所选择的晶体管数目相对应的任何数目。

图1至图5所示的电路可以实现为分立部件或者一起集成在各种模块或集成电路中。

在图8所示的实施例中，二极管D1、D2、D3、D4和可选的二极管D5都可以一起集成为模块或集成电路800。模块800包括耦合到二极管D1至D4的阳极的引脚802和耦合到二极管D1至D4的阴极的引脚804。可选地，阴极802可以在内部耦合在一起并且引出到单个引脚。

在图9所示的另一实施例中，晶体管T1、T2、T3和T4以及二极管D1、D2、D3、D4和D5都可以互连并且一起集成为模块或集成电路900。在图9所示的实施例中，所有的集电极都被引出到引脚C1、C2、C3和C4，所有的栅极都被引出到引脚G1、G2、G3和G4，所有的阴极都被引出到引脚DO1、DO2、DO3和DO4，并且所有的感测节点都被引出到引脚S1、S2、S3和S4。可选地，阴极可以在内部耦合在一起并且引出到单个引脚。还可以进行其他内部连接以适应特定应用。

在图10所示的另一实施例中，二极管D5以及电阻器R1和R2可以集成到模块或集成电路1000中的控制电路中。在模块1000中，OCP节点、OCPG节点、GND节点和VEE节点都是被引出到各自的针脚。模块1000可以与上述其他模块集成在一起，或者如关于图3所示的多感测电路100E所讨论的那样完全被消除。

图1至图5中的很多其他成组的块或部件可以根据特定应用的需要而集成为一个或多个模块或集成电路。图8至图10的示例可以被更改以适应特定应用。如果需要，二极管D1、D2、D3、D4、D5以及偏置电阻器R1和R2也可以在单独的部件级别在集成控制电路和集成功率晶体管模块外部。如果需要，峰值检测器电路104可以利用其他多输入峰值检测器电路来实现，并且不限于图1至图5所示的二极管电路实现。

参考图11，在步骤1102，初始化用于保护多个功率开关T1至T4的实施例方法。在步骤1104，测量或感测多个功率开关T1至T4的感测节点S1至S4中的每一个处的电压，并且在步骤1106，选择最高感测电压，即，峰值感测电压。步骤1104和1106通过二极管D1至D4的动作自动组合，如先前关于表I和表II所解释，但是其他电路可以用于在实施例中独立地提供这些功能。在步骤1108，将作为OCP节点与OCPG节点处的电压之间的差值的检测到的峰值电压与过电流阈值电压进行比较。在判定框1110，评估检测到的峰值电压，并且确定检测到的峰值电压是否大于过电流阈值电压。如果为否，则该方法周期性地返回到初始化步骤1102。如果为是，则该方法在步骤1112生成过电流信号。过电流信号转而可以由控制电路使用或由控制电路结合其他系统级电路使用，以断开多个功率开关T1、T2、T3和T4中的至少一个。可替代地，可以生成发信号通知过电流状况的存在的警告信号。

检测峰值电压包括激励与耦合到多个感测电阻器Rs1至Rs2的多个晶体管中的每个晶体管相关联的多个二极管D1至D4中的一个。一旦被评估，检测到的峰值感测电压由控制电路使用以采取进一步的动作(诸如如果OCP电压大于预定阈值电压，则关断一个或多个晶体管)或者在某些应用中在决定关断一个或多个晶体管之前发出警告信号。

总之，来自N个并联功率开关的电流感测输出被峰值检测(使用二极管D1至D4)以确定N个电流感测输出的最大值，然后可以对其进行评估并且将其用作过电流检测信号。可选地，电路(二极管D5)的温度补偿可以改善性能。

虽然已经参考说明性实施例描述了本发明，但是该描述并不旨在以限制意义来解释。参考该描述，本领域技术人员将很清楚说明性实施例的各种修改和组合以及本发明的其他实施例。因此，所附权利要求旨在涵盖任何这样的修改或实施例。

Claims (20)

1.一种电路，包括：

晶体管子电路，具有多个感测节点、以及栅极节点；

峰值检测器，具有耦合到所述晶体管子电路的所述多个感测节点的多个输入、以及输出；以及

控制子电路，具有耦合到所述晶体管子电路的所述栅极节点的栅极控制节点、以及耦合到所述峰值检测器的所述输出的过电流保护节点。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述晶体管子电路包括多个并联连接的晶体管，所述多个并联连接的晶体管中的每个晶体管具有耦合到所述晶体管子电路的第一电流节点的集电极、耦合到所述晶体管子电路的第二电流节点的发射极、以及耦合到所述晶体管子电路的所述栅极节点的栅极。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述多个并联连接的晶体管中的每个晶体管进一步包括耦合到所述多个感测节点中的相应感测节点的附加发射极。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述多个并联连接的晶体管中的每个晶体管进一步包括耦合到所述多个感测节点中的相应感测节点的感测电阻器。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述峰值检测器包括多个二极管，所述多个二极管中的每个二极管具有分别耦合到所述峰值检测器的所述多个输入中的输入的阳极、以及耦合到所述峰值检测器的所述输出的阴极。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述峰值检测器进一步包括耦合在接地与所述峰值检测器的参考输出之间的附加二极管、耦合在所述峰值检测器的所述输出与电压源之间的第一电阻器、以及耦合在所述峰值检测器的所述参考输出与所述电压源之间第二电阻器。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述电压源包括负电压源。

8.根据权利要求6所述的电路，其中所述峰值检测器的所述参考输出耦合到所述控制子电路的过电流保护接地节点。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述晶体管子电路包括多个晶体管，并且所述峰值检测器包括多个二极管，其中所述多个晶体管和所述多个二极管一起集成在模块中。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述峰值检测器包括一起集成在模块中的多个二极管。

11.一种电路，包括：

多个二极管，每个二极管具有分别耦合到相应感测节点的阳极、以及耦合到过电流保护节点的阴极；

多个电阻器，每个电阻器分别耦合在所述相应感测节点与接地之间；

第一附加电阻器，耦合在所述过电流保护节点与负电压源之间；

第一附加二极管，耦合在接地与过电流保护接地节点之间；以及

第二附加电阻器，耦合在所述过电流保护接地节点与所述负电压源之间。

12.根据权利要求11所述的电路，其中所述多个二极管耦合到相应的多个晶体管并且一起集成在模块中。

13.根据权利要求11所述的电路，其中所述多个二极管一起集成在模块中。

14.根据权利要求11所述的电路，进一步包括耦合到所述过电流保护节点和所述过电流保护接地节点的控制子电路。

15.根据权利要求11所述的电路，其中所述负电压源包括电荷泵。

16.一种保护多个晶体管的方法，包括：

感测所述多个晶体管中的每个晶体管的发射极电压；

检测峰值发射极电压；

评估检测到的所述峰值发射极电压，以确定所述峰值发射极电压大于过电流阈值电压；以及

使用所评估的检测到的所述峰值发射极电压来改变所述多个晶体管中的至少一个晶体管的操作条件。

17.根据权利要求16所述的方法，其中感测包括：感测所述多个晶体管中的每个晶体管的感测发射极电压。

18.根据权利要求16所述的方法，其中检测包括：激励多个二极管中的一个二极管，所述多个二极管中的每个二极管与所述多个晶体管中的相应晶体管相关联。

19.根据权利要求18所述的方法，其中检测进一步包括：将多个电阻器分别耦合到所述多个二极管。

20.根据权利要求16所述的方法，其中使用检测到的所述峰值发射极电压包括：将检测到的所述峰值发射极电压耦合到与所述多个晶体管通信的控制电路。