JP5717915B2 - 電力用スイッチング回路 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態1による電力用スイッチング回路を示す回路図である。ここでは、電力用半導体素子としてMOSFETを用いた電力用スイッチング回路100を例として説明する。電力用スイッチング回路100における電力用半導体素子10は、メインスイッチング素子としてのメインMOSFET1と、このメインMOSFET1に並列に接続されたメインボディダイオード3、およびセンススイッチング素子としてのセンスMOSFET2と、このセンスMOSFET2に並列に接続されたセンスボディダイオード4を備えている。電力用スイッチング回路100は、メインMOSFET1、センスMOSFET2のオン、オフ動作を制御する制御回路5を備えている。さらに、電力用スイッチング回路100は、センス抵抗6に流れる電流による電圧降下を入力して、メインMOSFET1、センスMOSFET2の、矢印で示すMOSFETの順方向(以下順方向とする)とは逆の、逆方向に流れる過電流を検出する逆方向過電流検出回路7を備えている。
図4に本発明の実施の形態2による電力用スイッチング回路の回路図を示す。実施の形態2では、実施の形態1の図1の回路に加え、電力用スイッチング回路100は、フリーホイールダイオード20がメインMOSFET1、メインボディダイオード3と並列に接続されている。フリーホイールダイオード20を用いる場合には電流はメインボディダイオード3、センスボディダイオード4、およびフリーホイールダイオード20に分流して流れるため、全体の損失を小さくできる等のメリットがある。また、同期整流の回路に適用した場合、電流はメインMOSFET1にも並列に流れるため、フリーホイールダイオード20の小型化も可能となる。
図5に本発明の実施の形態3による電力用スイッチング回路の回路図を示す。本実施の形態3では、電力用スイッチング回路100は、実施の形態1に加え順方向過電流検出回路11を備えている。順方向過電流検出回路11はセンス抵抗6の電圧降下より、順方向の過電流が流れているか否かを検出するもので、例えば過電流検知レベルを設定する基準電圧とセンス抵抗の電圧を比較するコンパレータ等で構成される。メインMOSFET1、センスMOSFET2の順方向に過電流が流れた場合、順方向過電流検出回路11が過電流を検出し、制御回路5がメインMOSFET1、センスMOSFET2をオフする。オフする速度は正常動作時のオフの速度よりも遅い速度であっても良い。
図7に本発明の実施の形態4による電力用スイッチング回路の回路図を示す。本実施の形態4では逆方向過電流の検出は、センスMOSFET2、センスボディダイオード4、およびセンス抵抗6によって行い、順方向過電流の検出は、センスMOSFET12、センスボディダイオード13、およびセンス抵抗14によって行っている。このように、順方向過電流の検出と逆方向過電流の検出に別々のセンスMOSFET、センスボディダイオードを用いている。このように、センススイッチング素子が複数のチップで構成される場合には、順方向過電流と逆方向過電流とを別々のチップを用いて検出する構成としても良い。また、その場合、順方向過電流検出と逆方向過電流検出とで同一構造のチップを用いても良いし、別構造、例えばセル比が異なるものを用いても良い。
2、12:センスMOSFET(センススイッチング素子)
3:メインボディダイオード 4、13:センスボディダイオード
5:制御回路 6、14:センス抵抗
7:逆方向過電流検出回路 10:電力用半導体素子
11:順方向過電流検出回路 20:フリーホイールダイオード
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f:電力用スイッチング回路
Claims (8)
- 並列にメインボディダイオードが接続されたメインスイッチング素子と、並列にセンスボディダイオードが接続されたセンススイッチング素子とを備えた電力用半導体素子と、前記センススイッチング素子と前記センスボディダイオードとの並列体に流れる電流のうち逆方向に流れる過電流を検出する逆方向過電流検出回路と、前記電力用半導体素子のゲートを駆動する制御回路とを備え、この制御回路は前記逆方向過電流検出回路が逆方向過電流を検出した場合に、前記メインスイッチング素子および前記センススイッチング素子をオンするように制御することを特徴とする電力用スイッチング回路。
- 前記メインスイッチング素子と並列にフリーホイールダイオードが接続されたことを特徴とする請求項1に記載の電力用スイッチング回路。
- 前記制御回路は、前記メインスイッチング素子および前記センススイッチング素子をオンする制御後、前記逆方向過電流検出回路が、逆方向過電流が所定の値以下に減衰したことを検知した信号を受けて、前記メインスイッチング素子および前記センススイッチング素子をオフすることを特徴とする請求項1に記載の電力用スイッチング回路。
- 前記センススイッチング素子と前記センスボディダイオードとの並列体に流れる電流のうち順方向に流れる過電流を検出する順方向過電流検出回路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電力用スイッチング回路。
- 前記逆方向過電流検出回路に接続される、前記センススイッチング素子と前記センスボディダイオードとの並列体と、前記順方向過電流検出回路に接続される、前記センススイッチング素子と前記センスボディダイオードとの並列体とは、別の並列体であることを特徴とする請求項4に記載の電力用スイッチング回路。
- 前記電力用半導体素子の少なくとも一部が珪素よりバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電力用スイッチング回路。
- 前記フリーホイールダイオードが珪素よりバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電力用スイッチング回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の電力用スイッチング回路。
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