JP2017148810A - アンモニア合成触媒及びアンモニアの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、低温でアンモニアを合成できる新規のアンモニア合成触媒及びアンモニアの製造方法を提供することを課題とする。
本発明は、窒素及び水素からアンモニアを合成するための触媒であって、遷移元素を含む半導体からなる担体に金属が担持されていることを特徴とするアンモニア合成触媒を提供する。
本発明のアンモニア合成触媒においては、前記担体が、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移元素を含むことが好ましい。
本発明のアンモニア合成触媒においては、前記担体がペロブスカイト型酸化物を含むことが好ましい。
本発明のアンモニア合成触媒においては、前記担体が、光照射によって電位が負にシフトする半導体を含むことが好ましい。
本発明のアンモニア合成触媒は、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種を有する塩基性化合物を含んでいてもよい。
本発明のアンモニアの製造方法においては、前記担体が吸収可能なエネルギーの光を、前記担体に照射してアンモニア合成反応を行うことが好ましい。
本発明のアンモニアの製造方法においては、窒素及び水素を含む原料ガス中の水及び酸素の含有量をそれぞれ1モル%以下とすることが好ましい。
本発明に係るアンモニア合成触媒は、窒素及び水素からアンモニアを合成するための触媒であって、遷移元素を含む半導体からなる担体に金属が担持されていることを特徴とする。
かかるアンモニア合成触媒は、低温でアンモニアを合成できるものであり、反応温度を従来よりも低くすることも可能なものである。これは、前記担体が前記半導体を含み、前記担体から前記金属への電子の供与が可能となっていることにより、アンモニア合成触媒が高い活性を有し、窒素分子における窒素原子間の結合の解離を促進するからであると推測される。
前記金属で好ましいものとしては、鉄、コバルト、モリブデン、ルテニウム、タングステン、レニウム、オスミウムが例示でき、窒素の活性化から解離(窒素の活性化、吸着及び解離)に対する活性がより高いことから、ルテニウム、オスミウム、鉄であることがより好ましく、ルテニウムであることが特に好ましい。
本発明において、前記金属は、鉄、コバルト、モリブデン、ルテニウム、タングステン、レニウム及びオスミウムからなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
前記遷移元素としては、第3属〜第11属の元素が例示でき、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウムであることが好ましく、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、タングステンであることがより好ましい。
本発明において、前記担体は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移元素を含むことが好ましく、前記担体が含む遷移元素は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のみであることが好ましい。
前記遷移元素の酸化物は、遷移元素以外の金属元素を有する酸化物でもよいし、遷移元素以外の金属元素を有しない酸化物でもよく、具体的には、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、ニオブ酸カリウム(KNbO3)、ジルコン酸カルシウム(CaZrO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングステン(WO3)等が例示できる。
前記遷移元素の窒化物としては、Ta3N5等が例示できる。
前記遷移元素の酸窒化物としては、TaON等が例示できる。
これらの中でも、前記担体は、前記遷移元素を酸化物として含むことがより好ましい。
前記ペロブスカイト型酸化物は、前記遷移元素の酸化物でもよいし、前記遷移元素の酸化物以外のものでもよく、SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、KNbO3、BaSnO3、CaZrO3、SrCeO3であることが好ましく、SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3であることがより好ましい。
前記アルカリ土類金属で好ましいものとしては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等が例示できる。
前記ランタノイドで好ましいものとしては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジウム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが例示できる。
本発明において、前記担体は、塩基性金属元素としてアルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましく、前記担体が含む塩基性金属元素は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種のみであることが好ましい。
なかでも、前記塩基性化合物は、アルカリ金属を有するものがより好ましく、セシウムを有するものが特に好ましい。
アンモニア合成触媒は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種を有する塩基性化合物を含むことが好ましく、アンモニア合成触媒が含む前記塩基性化合物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種を有するもののみであることが好ましい。
本発明に係るアンモニアの製造方法は、前記アンモニア合成触媒を用いることを特徴とする。
かかる製造方法においては、例えば、前記アンモニア合成触媒を用いる点以外は、従来の製造方法と同様にアンモニアを合成し、製造でできる。
前記アンモニア合成触媒は、反応容器内に充填して用いることが好ましい。
また、前記アンモニア合成触媒は、予め粉砕、成型、整粒等を行ってから用いてもよい。
このような観点から、前記原料ガス中の水及び酸素の含有量を、それぞれ1モル%以下とする(前記反応ガス中の水の含有量を1モル%以下とし、酸素の含有量を1モル%以下とする)ことが好ましく、それぞれ0.1モル%以下とすることがより好ましく、それぞれ0.01モル%以下とすることが特に好ましい。
また、アンモニアの合成反応時の圧力(反応圧力)は、0.1〜20MPaであることが好ましく、0.1〜10MPaであることがより好ましく、0.1〜5MPaであることが特に好ましい。
前記アンモニア合成触媒は活性が高いので、反応温度及び反応圧力のいずれか一方又は両方を低く設定しても、充分な量のアンモニアを合成できる。
前記担体に照射する光は、人工光、太陽光等、担体を構成する半導体が吸収可能な光、すなわち前記半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光であれば、特に限定されない。
また、前記担体への光の照射形態は、担体の電位が負の状態を維持できる限り特に限定されず、例えば、光の照射を継続的に(光の照射を停止することなく連続して)行ってもよいし、断続的に(光の照射を停止してからさらに再開することを1回のみ、又は2回以上繰り返して)行ってもよい。
前記触媒層は、例えば、アンモニア合成触媒が溶媒に溶解又は分散されてなる触媒液を調製し、これを基材上に塗工して乾燥させることにより、基材表面に形成できる。
すなわち、担体を構成する半導体にそのバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射すると、伝導帯に励起電子が生成し、価電子帯に正孔が生成する。このとき、通常の光触媒反応では、還元反応及び酸化反応がそれぞれ生じるが、窒素及び水素からアンモニアを合成する反応では、このような還元反応及び酸化反応は想定できない。特に窒素は、通常の光触媒を用いた場合に想定される電位(例えば、−0.1〜5V(NHE)程度)で、電気化学的に酸化還元を受けることはない。そこで、還元反応及び酸化反応を伴う通常の光触媒反応以外の反応が進行すると考えられる。このときの反応機構としては、以下のようなものが考えられる。担体(半導体)では光照射によって電子と正孔が生成し、電子は担体の準位(伝導帯、トラップ準位、表面準位等)に蓄えられ、さらに金属に移動して金属中に電子が蓄えられた状態となる。そして時間経過によって、蓄えられた電子は正孔と再結合する。光照射後の一定時間又は光照射中の定常状態においては、光照射前と比べて電子の一部はその準位が負に大きい状態で存在し、担体(半導体)の電位が負にシフトするとともに、そこに担持された前記金属の電位も負にシフトした状態になる。この金属の電位の負のシフトが窒素や水素の活性化によい影響を与えていると推測される。このように、担体やその上に担持された金属が負に分極した状態にあり、さらに加熱による効果が加わって、アンモニアの合成が促進されるのではないかと推測される。
なお、以下の実施例及び比較例において、濃度単位「M」は「モル/l」を意味する。
(アンモニア合成触媒及び触媒層の製造)
ペロブスカイト型酸化物の半導体であるチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の粉末に、このチタン酸ストロンチウムに対して1質量%のルテニウム(Ru)を混合して、500℃で1時間空気焼成して、アンモニア合成触媒を得た。
次いで、得られた触媒をガラス基板上にドクターブレード法で塗工することにより成膜し、表面積が2cm×5cm、厚さが0.02mmの触媒層を形成した。
この触媒層付きガラス基板を、流通型パイレックス(登録商標)製のガラスセル内に配置した。そして、熱線吸収用の石英製ウォータージャケット付きの高圧水銀灯と、上記のガラスセルとを、マントルヒーター中において並設し、前記高圧水銀灯の水銀灯ランプの中央部の高さと、前記ガラスセル内の触媒層の中央部の高さとを一致させた。次いで、前記高圧水銀灯から、前記ウォータージャケット及びガラスセルを通して、光を前記触媒層に照射した。このときの光は、チタン酸ストロンチウムが吸収可能な紫外線を含むものとした。なお、マントルヒーターの内面はアルミホイルで覆い、照射された光を有効利用するとともに、マントルヒーター内の温度が均一になるようにしておいた。また、マントルヒーターの熱電対は、触媒層付きガラス基板の基板側のすぐ後ろに位置するようにして、照射光が直接熱電対に当たらないようにしておいた。
前記触媒層(アンモニア合成触媒)は、予め500℃で2時間、還元前処理を行った。
次いで、原料ガスとして、窒素ガス(96モル%)及び水素ガス(4モル%)の混合ガスを流速20ml/minで前記触媒層に供給し、反応時の圧力を常圧、反応温度を250℃として、2時間アンモニア合成反応を行った。この間、前記ガラスセルから排出された反応ガスを、バイアル中の硫酸水溶液(0.1M、10ml)中でバブリングさせて、アンモニアをトラップした。トラップしたアンモニアは、ニトロプルシドナトリウム法で定量した。なお、ここでは、原料ガス中の水及び酸素の含有量をそれぞれ1モル%以下とした。
その結果、アンモニアの生成速度は22.3μg/hであった。
実施例1と同様にアンモニア合成触媒を製造した。そして、光をガラス基板上の触媒層(アンモニア合成触媒)に照射しなかった点以外は、実施例1と同様にアンモニアを製造した。
その結果、アンモニアの生成速度は12.3μg/hであった。
チタン酸ストロンチウムに代えて、同じペロブスカイト型酸化物の半導体であるチタン酸バリウム(BaTiO3)を用いた点以外は、実施例1と同様にアンモニア合成触媒を製造し、アンモニアを製造した。
その結果、アンモニアの生成速度は9.8μg/hであった。
実施例3と同様にアンモニア合成触媒を製造した。そして、光をガラス基板上の触媒層(アンモニア合成触媒)に照射しなかった点以外は、実施例3と同様にアンモニアを製造した。
その結果、アンモニアの生成速度は5.9μg/hであった。
チタン酸ストロンチウムに代えて、半導体ではない酸化ケイ素(SiO2)を用いた点以外は、実施例1と同様にアンモニア合成触媒を製造し、アンモニアを製造した。
その結果、アンモニアの生成速度は2.4μg/hであった。
比較例1と同様にアンモニア合成触媒を製造した。そして、光をガラス基板上の触媒層(アンモニア合成触媒)に照射しなかった点以外は、比較例1と同様にアンモニアを製造した。
その結果、アンモニアの生成速度は1.1μg/hであった。
Claims (10)
- 遷移元素を含む半導体からなる担体と、金属と、を混合する工程と、
前記混合する工程で得られた混合物を空気存在下で焼成し、アンモニア合成触媒を得る工程と、を含むことを特徴とするアンモニア合成触媒の製造方法。 - 前記金属が鉄、コバルト、モリブデン、ルテニウム、タングステン、レニウム及びオスミウムからなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載のアンモニア合成触媒の製造方法。
- 前記担体が、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移元素を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のアンモニア合成触媒の製造方法。
- 前記担体が、さらにアルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のアンモニア合成触媒の製造方法。
- 前記担体がペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のアンモニア合成触媒の製造方法。
- 前記担体が、光照射によって電位が負にシフトする半導体を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のアンモニア合成触媒の製造方法。
- 前記混合する工程において、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びランタノイドからなる群から選ばれる少なくとも1種を有する塩基性化合物を混合することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のアンモニア合成触媒の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法によりアンモニア合成触媒を製造し、得られたアンモニア合成触媒の存在下、100〜300℃で窒素と水素とを反応させる工程を含むことを特徴とするアンモニアの製造方法。
- 前記担体が吸収可能なエネルギーの光を、前記担体に照射してアンモニア合成反応を行うことを特徴とする請求項8に記載のアンモニアの製造方法。
- 窒素及び水素を含む原料ガス中の水及び酸素の含有量をそれぞれ1モル%以下とすることを特徴とする請求項8又は9に記載のアンモニアの製造方法。
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