JP2017143254A - 積層埋込キャパシタを有する配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
505 接合ラミネート
510、520 キャパシタ担持層
100、512、552 キャパシタ担持層のコア基板
R10、518、558 キャビティ(コア基板の開口部分)
200、522、562 チップキャパシタ
210、524、564 チップキャパシタの第1の電極
220、526、566 チップキャパシタの第2の電極
530 上部絶縁層
540 中央絶縁層
550 下部絶縁層
560 スルーホール
565 導電スルーホール
570 導電コーティング
573 絶縁体
575 絶縁体充填導電スルーホール
577 上部導電キャップ
579 下部導電キャップ
584 マイクロプロセッサ接合部分
600 上部プリプレグ層
610 中央プリプレグ層
620 下部プリプレグ層
Claims (17)
- 配線基板を製造する方法であって、
第1のチップキャパシタを埋め込んだ第1のキャパシタ担持層を形成し、
第2のチップキャパシタを埋め込んだ第2のキャパシタ担持層を形成し、
前記第1のキャパシタ担持層の第1の絶縁層の上面上に配置される上部絶縁層と、前記第1のキャパシタ担持層の第2の絶縁層の下面上に配置される中央絶縁層であり、前記第2のキャパシタ担持層が当該中央絶縁層の下面上に配置される、中央絶縁層と、前記第2のキャパシタ担持層の第2の絶縁層の下面上に配置される下部絶縁層と、を有する接合ラミネートを形成し、
前記上部絶縁層の外表面及び前記下部絶縁層の外表面まで前記接合ラミネートを貫いて延在するスルーホールを形成し、且つ
前記スルーホール内に導電コーティングを形成することで、導電スルーホールを提供する、
ことを有する方法。 - 前記第1のキャパシタ担持層は、上面、下面、及び第1の開口部分を持つ第1のコア基板と、前記第1の開口部分に埋め込まれる、第1の電極及び第2の電極を持つ前記第1のチップキャパシタと、該上面上に配置される前記第1の絶縁層と、該下面上に配置される前記第2の絶縁層と、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触する第1の上部導電ビアと、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触する第2の上部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触する第1の下部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触する第2の下部導電ビアとを有し、
前記第2のキャパシタ担持層は、上面、下面、及び第2の開口部分を持つ第2のコア基板と、前記第2の開口部分に埋め込まれる、第1の電極及び第2の電極を持つ前記第2のチップキャパシタと、該上面上に配置される第1の絶縁層と、該下面上に配置される前記第2の絶縁層と、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触する第1の上部導電ビアと、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触する第2の上部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触する第1の下部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触する第2の下部導電ビアとを有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記導電スルーホールを絶縁体で充填することで、絶縁体充填導電スルーホールを形成する、ことを更に有する請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁体充填導電スルーホールを覆って上部導電キャップ及び下部導電キャップを形成する、ことを更に有する請求項3に記載の方法。
- 前記第1のキャパシタ担持層の、前記第1の上部導電ビア、前記第2の上部導電ビア、前記第1の下部導電ビア、及び前記第2の下部導電ビアは、前記第1のキャパシタ担持層の独立したそれぞれの導電体への独立した電気接続のために構成され、前記第2のキャパシタ担持層の、前記第1の上部導電ビア、前記第2の上部導電ビア、前記第1の下部導電ビア、及び前記第2の下部導電ビアは、前記第2のキャパシタ担持層の独立したそれぞれの導電体への独立した電気接続のために構成される、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のチップキャパシタは、複数の離間された第1の開口部分に埋め込まれる複数の第1のチップキャパシタを有し、前記第2のチップキャパシタは、複数の離間された第2の開口部分に埋め込まれる複数の第2のチップキャパシタを有する、請求項1乃至5の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1のチップキャパシタが前記第2のチップキャパシタの上に配置されるように、前記第1のキャパシタ担持層を前記第2のキャパシタ担持層に対して位置合わせする、ことを更に有する請求項1乃至6の何れか一項に記載の方法。
- 前記配線基板は、マイクロプロセッサ接合部分を有し、前記第1のチップキャパシタ及び前記第2のチップキャパシタは、前記マイクロプロセッサ接合部分の下で前記配線基板に埋め込まれる、請求項1乃至7の何れか一項に記載の方法。
- 前記接合ラミネートを形成することは、
順に、上部プリプレグ層、前記第1のキャパシタ担持層、中央プリプレグ層、前記第2のキャパシタ担持層、及び下部プリプレグ層を積み重ね、且つ
圧力及び温度の下で、前記上部プリプレグ層、前記中央プリプレグ層、及び前記下部プリプレグ層をラミネートすることで、前記接合ラミネート、並びに、前記上部絶縁層、前記中央絶縁層、及び前記下部絶縁層を形成する
ことを有する、請求項1乃至8の何れか一項に記載の方法。 - 前記接合ラミネートを貫いて延在するスルーホールを形成することは、前記接合ラミネートを貫いて機械的に孔を開けることを有する、請求項1乃至9の何れか一項に記載の方法。
- 接合ラミネートを有する配線基板であって、
前記接合ラミネートは、
第1のチップキャパシタを埋め込んだ第1のキャパシタ担持層と、
第2のチップキャパシタを埋め込んだ第2のキャパシタ担持層と、
前記第1のキャパシタ担持層の第1の絶縁層の上面上に配置された上部絶縁層と、
前記第1のキャパシタ担持層の第2の絶縁層の下面上に配置された中央絶縁層であり、前記第2のキャパシタ担持層が当該中央絶縁層の下面上に配置されている、中央絶縁層と、
前記第2のキャパシタ担持層の第2の絶縁層の下面上に配置された下部絶縁層と
を有する、
配線基板。 - 前記第1のキャパシタ担持層は、上面、下面、及び第1の開口部分を持つ第1のコア基板と、前記第1の開口部分に埋め込まれた、第1の電極及び第2の電極を持つ前記第1のチップキャパシタと、該上面上に配置された前記第1の絶縁層と、該下面上に配置された前記第2の絶縁層と、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触した第1の上部導電ビアと、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触した第2の上部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触した第1の下部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触した第2の下部導電ビアとを有し、
前記第2のキャパシタ担持層は、上面、下面、及び第2の開口部分を持つ第2のコア基板と、前記第2の開口部分に埋め込まれた、第1の電極及び第2の電極を持つ前記第2のチップキャパシタと、該上面上に配置された第1の絶縁層と、該下面上に配置された前記第2の絶縁層と、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触した第1の上部導電ビアと、該第1の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触した第2の上部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第1の電極と導電接触した第1の下部導電ビアと、該第2の絶縁層を貫いて延在して該第2の電極と導電接触した第2の下部導電ビアとを有する、
請求項11に記載の配線基板。 - 前記上部絶縁層の外表面及び前記下部絶縁層の外表面まで前記接合ラミネートを貫いて延在した少なくとも1つの導電スルーホール、を更に有する請求項11又は12に記載の配線基板。
- 前記導電スルーホールは、スルーホール孔上に形成された導電コーティングと、前記導電コーティング上に配置されて前記スルーホール孔を充填した絶縁体と、前記導電コーティングに導電接続されて、前記上部絶縁層及び前記下部絶縁層の外表面上に配置された、一対の反対側の導電キャップとを有する、請求項13に記載の配線基板。
- 前記少なくとも1つの導電スルーホールは、複数の導電スルーホールを有する、請求項13又は14に記載の配線基板。
- 前記第1のチップキャパシタは、複数の離間された第1の開口部分に埋め込まれた複数の第1のチップキャパシタを有し、前記第2のチップキャパシタは、複数の離間された第2の開口部分に埋め込まれた複数の第2のチップキャパシタを有する、請求項11乃至15の何れか一項に記載の配線基板。
- 当該配線基板は、マイクロプロセッサ接合部分を有し、前記第1のチップキャパシタ及び前記第2のチップキャパシタは、前記マイクロプロセッサ接合部分の下で当該配線基板に埋め込まれている、請求項11乃至16の何れか一項に記載の配線基板。
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