JP2017143227A - 半導体集積回路素子の放熱構造、ならびに、半導体集積回路素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1Aは、本実施の形態に係る半導体集積回路素子10の放熱構造1を示す斜視図である。図1Bは、図1Aに示す放熱構造1において、放熱板20を他の構成要素から分離して示す分解斜視図である。
上記実施の形態では、半導体集積回路素子10は、絶縁層131を貫通するビア導体133を有するとした。しかし、半導体集積回路素子の構成はこれに限らない。そこで、以下、実施の形態の変形例に係る半導体集積回路素子について詳細に説明する。
以上、本発明の実施の形態及び変形例に係る半導体集積回路素子の放熱構造、ならびに、半導体集積回路素子及びその製造方法について説明したが、本発明は、個々の実施の形態及び変形例には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態及びその変形例に施したものや、異なる実施の形態及びその変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
10、210 半導体集積回路素子
11、21、21A 半導体基板
12 実装面側再配線層
13、23 天面側再配線層
14 外部接続電極
20 放熱板
20a 突起部
21a 凹部
30 プリント配線板
41、42 チップコンデンサ
43 チップインダクタ
44 金属ポスト
111 回路領域
112 中間領域
121、131、131A 絶縁層
122 配線導体
123、133、233 ビア導体
131B、231B 貫通孔
133a 天面
133b 底面
411、412、421、422 端面電極
431、432 電極
441 底面側端部
Claims (11)
- プリント配線板と、
前記プリント配線板に実装されていて、半導体基板を素体とし、前記半導体基板の実装面側に集積回路を有する半導体集積回路素子と、
前記半導体基板の天面側に搭載された放熱板と、
を有する、半導体集積回路素子の放熱構造であって、
前記半導体集積回路素子は、前記半導体基板の天面側に、一端が前記半導体基板に接した複数の柱状導体を有し、
前記集積回路は、前記半導体基板および前記柱状導体を介して、前記放熱板に熱的に接続されている、
半導体集積回路素子の放熱構造。 - 前記プリント配線板には、さらに、前記プリント配線板と前記放熱板とを熱的に接続する放熱補助部材が実装されている、
請求項1に記載の半導体集積回路素子の放熱構造。 - 前記放熱補助部材は、LGA(Land Grid Array)またはBGA(Ball Grid Array)の電極を有し、前記プリント配線板に実装されているチップ部品である、
請求項2に記載の半導体集積回路素子の放熱構造。 - 前記放熱補助部材は、底面から天面にわたって設けられた電極を両端部に有し、天面側から見て、一方の端部の電極のみが前記放熱板に重なるように前記プリント配線板に実装されているチップ部品である、
請求項2に記載の半導体集積回路素子の放熱構造。 - 前記柱状導体の一端は前記半導体基板に直接的に接しており、他端は前記放熱板に直接的に接している、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路素子の放熱構造。 - 半導体集積回路素子の素体であって、実装面側に集積回路を有する半導体基板と、
前記半導体基板の天面側に設けられ、一端が前記半導体基板に接した複数の柱状導体と、
を有する、
半導体集積回路素子。 - 前記複数の柱状導体はそれぞれ、前記半導体基板に近づくにつれて断面が小さくなる逆テーパ形状を有する、
請求項6に記載の半導体集積回路素子。 - 前記半導体集積回路素子は、さらに、前記半導体基板の天面側に設けられた絶縁層を有し、
前記複数の柱状導体は、前記絶縁層を厚み方向に貫通しているビア導体である、
請求項6または7に記載の半導体集積回路素子。 - 前記絶縁層は磁性体粉を含有した樹脂層である、
請求項8に記載の半導体集積回路素子。 - 前記柱状導体の一端は、前記半導体基板の前記天面に埋め込まれている、
請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路素子。 - 半導体集積回路素子の製造方法であって、
前記半導体集積回路素子の素体であり、実装面側に集積回路を有する半導体基板の天面側に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を貫通して前記半導体基板を露出させる複数の貫通孔を形成する工程と、
前記複数の貫通孔に導体を充填することにより、前記半導体基板の天面側に設けられ、一端が前記半導体基板に接した複数の柱状導体を形成する工程と、
を含む、半導体集積回路素子の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019165054A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社Ihi | コンデンサ及びプリント回路板 |
JP2020534697A (ja) * | 2017-09-21 | 2020-11-26 | エイブイエックス コーポレイション | 低い熱抵抗率を有する電気絶縁性サーマルコネクタ |
JP2021005674A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、電子部品ユニット、および、電子部品モジュールの製造方法 |
JP2021052082A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | キオクシア株式会社 | モジュール基板およびプリント基板 |
JP7456304B2 (ja) | 2020-06-19 | 2024-03-27 | 日本電気株式会社 | 量子デバイス |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0655297U (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | 横河電機株式会社 | モジュールの放熱構造 |
JPH08186200A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH09232482A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Denso Corp | 半導体の表面処理方法および半導体装置 |
JP2003110069A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Kyocera Chemical Corp | 熱伝導シートおよびそれを用いた複合部材 |
JP2004253703A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7049695B1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method and device for heat dissipation in semiconductor modules |
JP2009123785A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Kitagawa Ind Co Ltd | 熱伝放射材 |
US20090189255A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer having heat dissipation structure and method of fabricating the same |
JP2011035221A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Jsr Corp | 伝熱シートおよびその製造方法 |
US7960827B1 (en) * | 2009-04-09 | 2011-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Thermal via heat spreader package and method |
JP2012129355A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2013222950A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体モジュール |
JP2014220451A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | Fdk株式会社 | 電子モジュール |
JP2015177157A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | 電子機器 |
JP2017518647A (ja) * | 2014-06-19 | 2017-07-06 | ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation | ウェハレベルz軸サーマルインターポーザ用の光パターン化可能シリコーン |
-
2016
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Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0655297U (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | 横河電機株式会社 | モジュールの放熱構造 |
JPH08186200A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH09232482A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Denso Corp | 半導体の表面処理方法および半導体装置 |
JP2003110069A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Kyocera Chemical Corp | 熱伝導シートおよびそれを用いた複合部材 |
JP2004253703A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20070117272A1 (en) * | 2003-02-21 | 2007-05-24 | Fujitsu Limited | Method of making a semiconductor device with improved heat dissipation |
US7049695B1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method and device for heat dissipation in semiconductor modules |
JP2006196885A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体モジュールにおける熱放散のための方法および装置 |
JP2009123785A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Kitagawa Ind Co Ltd | 熱伝放射材 |
US20090189255A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer having heat dissipation structure and method of fabricating the same |
US7960827B1 (en) * | 2009-04-09 | 2011-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Thermal via heat spreader package and method |
JP2011035221A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Jsr Corp | 伝熱シートおよびその製造方法 |
JP2012129355A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2013222950A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体モジュール |
JP2014220451A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | Fdk株式会社 | 電子モジュール |
JP2015177157A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | 電子機器 |
JP2017518647A (ja) * | 2014-06-19 | 2017-07-06 | ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation | ウェハレベルz軸サーマルインターポーザ用の光パターン化可能シリコーン |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020534697A (ja) * | 2017-09-21 | 2020-11-26 | エイブイエックス コーポレイション | 低い熱抵抗率を有する電気絶縁性サーマルコネクタ |
JP2019165054A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社Ihi | コンデンサ及びプリント回路板 |
JP7155556B2 (ja) | 2018-03-19 | 2022-10-19 | 株式会社Ihi | コンデンサ及びプリント回路板 |
JP2021005674A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、電子部品ユニット、および、電子部品モジュールの製造方法 |
JP7124795B2 (ja) | 2019-06-27 | 2022-08-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、電子部品ユニット、および、電子部品モジュールの製造方法 |
JP2021052082A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | キオクシア株式会社 | モジュール基板およびプリント基板 |
JP7456304B2 (ja) | 2020-06-19 | 2024-03-27 | 日本電気株式会社 | 量子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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