JP2008301594A - 電源ユニット - Google Patents
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Abstract
【課題】電源ユニットの温度上昇を抑制することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、放熱体11と、この放熱体11に接合された電源モジュール12と、この電源モジュール12を取り付けた放熱体11面と所定間隔をおいて配置された回路基板13とを備えたこの電源ユニット10において、電源モジュール12は、放熱体11に接合された伝熱板14と、この伝熱板14に実装されたパワー半導体素子18A、18Bおよびインダクタ部品19とを備え、このインダクタ部品19は、コア部21と、このコア部21を軸に磁界を発生させるコイル部22とを有し、このコイル部22とコア部21との間には伝熱板14が挿入されるとともに、トランス19の下方には放熱体11を貫通する通気部25Aが形成され、回路基板13には通気部25Bが形成されたものであり、電源ユニット10の温度上昇を抑制することができる。
【選択図】図1
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、放熱体11と、この放熱体11に接合された電源モジュール12と、この電源モジュール12を取り付けた放熱体11面と所定間隔をおいて配置された回路基板13とを備えたこの電源ユニット10において、電源モジュール12は、放熱体11に接合された伝熱板14と、この伝熱板14に実装されたパワー半導体素子18A、18Bおよびインダクタ部品19とを備え、このインダクタ部品19は、コア部21と、このコア部21を軸に磁界を発生させるコイル部22とを有し、このコイル部22とコア部21との間には伝熱板14が挿入されるとともに、トランス19の下方には放熱体11を貫通する通気部25Aが形成され、回路基板13には通気部25Bが形成されたものであり、電源ユニット10の温度上昇を抑制することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、電源ユニットに関する。
図12に示すように、従来開示されている電源ユニット1は、放熱体2と、この放熱体2に取り付けられた電源モジュール3と、放熱体2と対向する位置に配置された回路基板4とを備えている。そして、電源モジュール3は、放熱体4に接合された金属板5と、この金属板5上に形成された絶縁層6と、この絶縁層6上に形成された導体パターン7とを備え、この導体パターン7上にはFETやダイオードなどのパワー半導体素子8Aが実装され、絶縁層6上にはインダクタ部品8Bであるトランスが実装されている。また回路基板4には、複数の制御用素子9が実装されている。
このように複数の電子部品をユニットとして一体化することにより、電子部品間の配線距離が短くなり、ノイズを低減することができる。また、個々の電子部品毎に実装したり、回路配置等を設計したりする必要がなくなるため、設計工数が削減され、生産性向上にも大きく寄与するのである。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2005−184883号公報
上記構成では、電源ユニット1が高温になるという問題があった。
それは、インダクタ部品8Bやパワー半導体素子8Aなどが発する熱によって、電源モジュール3内部、すなわち放熱体2と回路基板4との間で熱がこもるためである。そしてこのように熱がこもると、インダクタ部品8Bやパワー半導体素子8Aが熱劣化してしまうことがあった。
そこで本発明は、電源ユニットの温度上昇を抑制することを目的とする。
この目的を達成するため本発明は、インダクタ部品のコイル部とコア部との間には伝熱板の一部が挿入されるとともに、インダクタ部品の下方には放熱体を貫通する第一の通気部が形成され、回路基板には第二の通気部が形成されているものとした。
これにより本発明は、電源ユニットの温度上昇を抑制することが出来る。
それはコイル部とコア部との間に伝熱板を挿入したことで、電源ユニット全体の均熱性が向上するとともに、インダクタ部品の上方および下方にそれぞれ第一および第二の通気部を設けたことで、熱対流によって電源ユニットの内部から外部へと、熱せられた空気が流れ出し、さらに電源ユニットの外部から内部へと冷気を流れ込ませることが出来るためである。そしてその結果、電源ユニットの温度上昇を抑制することが出来る。
(実施の形態1)
以下、本実施の形態における電源ユニットについて説明する。
以下、本実施の形態における電源ユニットについて説明する。
はじめに、本実施の形態の構造について説明する。
図1に示すように、本実施の形態の電源ユニット10は、放熱体11と、この放熱体11に取り付けられた電源モジュール12と、放熱体11と所定間隔をおいて電源モジュール12の取り付け面側に配置された回路基板13とを備えた二階建て構造をしている。
そして放熱体11には、伝熱板14が接合されている。ここで本実施の形態では、伝熱板14として、金属板15と、この金属板15の左右にそれぞれ形成された絶縁層16と、この絶縁層16上に形成された導体パターン17とを備えた高熱伝導性の基板を用いた。
また電源モジュール12は、伝熱板14と、この伝熱板14の導体パターン17上に半田付けあるいは接着剤を用いて面実装されたパワー半導体素子18A、18Bと、金属板15と熱的に接続されたトランス19(インダクタ部品)とを備えている。なお、本実施の形態では、導体パターン17端部の接続端子17A部分は曲げ起こされて回路基板13と接続されている。また本実施の形態におけるパワー半導体素子18A、18Bは、トランス19の入力回路側に配置された方がFET(18A)、出力回路側に配置された方がダイオード(18B)である。
なお、本実施の形態では、トランス19の両端にそれぞれパワー半導体素子18A、18Bを配置し、これらを一列に配置している。そして回路基板13上には複数の制御用素子20が実装されている。
また本実施の形態では、トランス19は、コア部21と、このコア部21を軸に磁界を発生させるコイル部22とからなり、コア部21は上下で分割された中脚23と、この中脚23の端にそれぞれ形成された背脚24とを有している。コイル部22は、中脚23の外周であって上下の背脚24間に配置されている。
そして伝熱板14の金属板15がむき出しになった部分は、このコイル部22とコア部21の背脚24との間に挿入されている。そして背脚24と金属板15との間は、接着剤で接着されている。なお本実施の形態では、金属板15は、トランス19の周辺で上方に折り曲げられ、さらにトランス19内側へと折り曲げられている。すなわち本実施の形態における金属板15は、放熱体11およびトランス19のコイル部22双方と面接触している。
また本実施の形態では、トランス19直下の放熱体11に、それを貫通する孔25Aを形成している。
そして本実施の形態では、回路基板13はトランス19上面より大きく開口した孔25Bを有し、この孔25Bには、トランス19の上部が挿入され、孔25B外周とトランス19との隙間を通気部26Bとしている。
また本実施の形態では、図1に示すように、トランス19の下面は放熱体11上面よりも上方に位置するため、トランス19と放熱体11との間にはスペースが形成され、これにより孔25Aが小さくとも、孔25Aで通気部26Aを構成することができる。
以下に本実施の形態の部材について説明する。
本実施の形態では、コイル部22として巻線コイルを用い、巻線としては銅線に絶縁層16を被覆したものを用いた。コイル部22としてはその他、巻線以外にも、銅板などで形成してもよい。またコア部21は鉄、マンガンなどの金属酸化物を焼結させた軟磁性体のフェライトを用いた。コア部21としてはその他、フェライト以外でも磁性体であればよい。
また本実施の形態における絶縁層16は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に、アルミナなどの無機フィラを70重量%〜95重量%程度混練させた高熱伝導性コンポジット樹脂を熱硬化して形成したものである。また絶縁耐圧を強化するため厚みは0.6mmとした。なお、無機フィラの粒径は0.1μm〜100μmとし、絶縁層16の熱伝導率は2.0W/mK〜5.0W/mKとした。
また金属板15としては、厚み0.5mm〜1.0mm程度のアルミ板あるいは銅板などの金属製の基板を用い、導体パターン17には厚み0.1mm〜0.5mm程度の銅板を用いた。
またトランス19のコア部21を金属板15に接着する接着剤としては、絶縁層16の高熱伝導性コンポジット樹脂よりも弾性率の小さい(軟らかい)樹脂を用いた。
なお、本実施の形態では、絶縁層16として熱硬化性樹脂を用いたが、光硬化性樹脂や熱伝導性の高い液晶ポリマー、PPSなどの熱可塑性樹脂を用いる場合もある。
そして放熱体11としては、厚み2.0mm程度のアルミニウム製のシャーシを用いた。このシャーシのかわりにフィンを配置すれば、表面積が広がり、より放熱性を高めることができる。
次に、本実施の形態における電源ユニット10の製造方法について説明する。
まず高熱伝導性コンポジット樹脂の塊を、中央が凸になるように丸型(あるいは蒲鉾型、台形、円柱、球状)にまとめ、図1に示す金属板15の左右に置く。そしてこの高熱伝導性コンポジット樹脂を加熱プレス、あるいは真空加熱プレス等によってシート状となるように延伸する。なお、図2に示すように、金属板15の中央にはコア部21の中脚(図1の23)を挿入するための開口部27と、この開口部27から金属板15の外側面に向けてスリット28を設けておく。このスリット28は、1次巻線に電流が流れることで発生する磁束により、金属板15に短絡電流が発生し、この短絡電流の発生による逆方向の磁束の発生を防ぐためである。
次にこの金属板15を100℃で1〜2分間加熱し、絶縁層16を固体化させ、金型から取り外す。そしてその後200℃の炉に数時間入れ、絶縁層16のエポキシ樹脂を重合させて本硬化させる。本実施の形態では、絶縁層16を硬化させる前に、絶縁層16上に予め導体パターン17を配置し、一体化させてから硬化させた。ここで導体パターン17に回路を形成している場合、導体パターン17を絶縁層16と略面一となるまで埋め込むと、パターン間にも高熱伝導性コンポジット樹脂が入り込み、電気的絶縁性を向上させることができるとともに、導体パターン17上に電子部品が実装しやすくなる。なお、導体パターン17は、絶縁層16を硬化させた後、高熱伝導性の接着剤などで絶縁層16上に配置してもよい。また導体パターン17の上面には、電気メッキで半田層あるいは錫層(図示せず)を形成してもよい。
このようにして、金属板15の中央部分を除き、絶縁層16を形成する。
次に、図1に示すように、金属板15を、中央部分が凸状になるように折り曲げる。
その後トランス19のコア部21中脚23の外周に、コイル部22を配置する。
次に金属板15の開口部(図2の27)の下方から下側の中脚23を挿入し、背脚24と金属板15とを接着剤で接着させる。
その後、下側のコア部21と対向するように上側のコア部21を配置する。
そして最後に、導体パターン17上にFETやダイオードなどのパワー半導体素子18A、18Bを実装し、導体パターン17の接続端子17A部分を曲げ起こし、回路基板13に挿入することで実装される。
なお、本実施の形態では、この回路基板13には、トランス19上方に孔25Bを設けておき、この孔25B部分にトランス19をはめ込んでいる。このようにはめ込むことで、モジュール全体の低背化につながる。なお、導体パターン17の一端をコイル部22の引出端子と電気的に接続し、他端を回路基板13に挿入すれば、コイル部22の電極を回路基板13表面まで引き出すことができる。
本実施の形態における効果を以下に説明する。
本実施の形態では、電源ユニット10の温度上昇を抑制することが出来る。
それはコイル部22とコア部21との間に伝熱板14(金属板15)が配置されるとともに、トランス19の上方および下方にそれぞれ通気部26A、26Bを設けたためである。
これにより本実施の形態は、電源ユニット10全体の均熱性が向上するとともに、熱対流によって電源ユニット10の内部から外部へと、熱せられた空気が流れ出し、さらに電源ユニット10の外部から内部へと冷気を流れ込ませることが出来る。そしてその結果、電源ユニット10の温度上昇を抑制することが出来る。
また本実施の形態では、コア部21とコイル部22の間に金属板15を挿入しているため、発熱性の高いコイル部22と熱伝導率の高い金属板15とが面接触し、コイル部22の熱を、金属板15に素早く逃がすことができる。さらに本実施の形態では、パワー半導体素子18A、18Bが導体パターン17に面実装されているため、パワー半導体素子18A、18Bの熱はまずこの導体パターン17で拡散し、この導体パターン17から高濃度にフィラを含有させた高熱伝導性コンポジット樹脂を介して金属板15にすみやかに熱を拡散させることができる。よってトランス19またはパワー半導体素子18A、18Bのいずれかが高温になった場合も、共有する金属板15へとすみやかに熱を拡散し、電源モジュール12全体の均熱性を保つことができる。
またパワー半導体素子18A、18Bを導体パターン17上に実装することで、この導体パターン17端部を接続端子17Aとして用いることができる。なお、パワー半導体素子18A、18Bを導体パターン17上に実装しない場合は、パワー半導体素子18A、18Bから端子を引き出して回路基板13と接続してもよいが、本実施の形態のように導体パターン17の接続端子17A部分を回路基板13に接続する方が、位置精度に優れ、また強度も向上する。
さらに本実施の形態では、金属板15を折り曲げ、トランス19の下面が放熱体11上面よりも上方に位置する構成としたことによって、トランス19と放熱体11との間にはスペースが形成されている。したがって、放熱体11に形成する孔25Aが小さくとも、この孔25Aがそのまま通気部26Aとして機能する。ここで孔25Aは小さい方が放熱体11の放熱面積は大きくとれるため、電源ユニット10の放熱性を向上させ、温度上昇を抑制することができる。
さらに本実施の形態では、回路基板13に形成した孔25Bにトランス19の上部を挿入することにより、電源ユニット10全体を低背化することができる。ここで、このように低背化すると、回路基板13と電源モジュール12との間ではさらに熱がこもりやすくなるが、通気部26A、26Bを形成することにより放熱性を高めることができる。またこの孔25Bの一部を通気部26Bとして用いることで、製造工程が減り生産効率を高めることが出来る。
また本実施の形態では、トランス19を金属板15に接着するための接着剤として、比較的弾性率の小さい(軟らかい)樹脂を用いたことにより、トランス19の振動を吸収させることが出来る。
なお、本実施の形態では、孔25Aをトランス19の直下に形成したが、その他任意の位置に形成してもよい。たとえば図3に示すように、トランス19近傍であってパワー半導体素子18A、18Bとトランス19の間に相当する部分に形成した場合、金属板15を折り曲げた部分は、金属板15と放熱体11との間にスペースができるため、放熱体11に設けた孔25Aをそのまま通気部26Aとして用いることができる。
また図4の模式図に示すように、放熱体11とトランス19、あるいは放熱体11と金属板15(伝熱板)とが接する場合は、孔25Aを形成する際、放熱体11の上面(金属板15との接合面)側から下面側に向けてプレスにより打抜くことが望ましい。これにより、孔25Aの上側の開口部には、放熱体11の上面から孔25Aの内壁に向けて内側に湾曲した湾曲面29が形成される。すなわち、放熱体11を貫通する際に形成される突起30を下側に配置し、湾曲面29を上側に配置することによって、放熱体11と金属板15あるいはトランス19との密着性を向上させることができ、結果として電源ユニット10の温度上昇を抑制することができるのである。
(実施の形態2)
本実施の形態と実施の形態1との違いは、図5に示すように、トランス19とパワー半導体素子18A、18Bとの間の下方に相当する部分は金属板15が連続して繋がった状態とし、図6に示すように、通気部26Aはトランス19の下部近傍であって、パワー半導体素子18A、18Bと対向しない側に形成した点である。
本実施の形態と実施の形態1との違いは、図5に示すように、トランス19とパワー半導体素子18A、18Bとの間の下方に相当する部分は金属板15が連続して繋がった状態とし、図6に示すように、通気部26Aはトランス19の下部近傍であって、パワー半導体素子18A、18Bと対向しない側に形成した点である。
また本実施の形態では、図5に示すように、放熱体11の上面と、トランス19の下面とを接触させている。これにより本実施の形態では、トランス19下面の一部が放熱体11と接触しているとともに、パワー半導体素子18A、18Bとトランス19間をつなぐ直線距離においては孔25Aが形成されておらず、放熱体11が連続して繋がっていることから、これらの発熱部品の温度をさらに均一化させることが出来る。
なお、本実施の形態においても、孔25Aの上側の開口部には、放熱体11の上面から孔25Aの内壁に向けて内側に湾曲した湾曲面(図示せず)を形成することによって、放熱体11と金属板15あるいはトランス19との密着性を向上させることができ、結果として電源ユニット10の温度上昇を抑制することができる。
その他実施の形態1と同様の構成および効果は説明を省略する。
(実施の形態3)
本実施の形態と実施の形態1との違いは、図7に示すように、トランス19の下部およびその近傍にかけて大きく形成した孔25Aの一部を通気部26Aとして用いた点である。また本実施の形態では、トランス19の下面を放熱体11の上面と接触させている。
本実施の形態と実施の形態1との違いは、図7に示すように、トランス19の下部およびその近傍にかけて大きく形成した孔25Aの一部を通気部26Aとして用いた点である。また本実施の形態では、トランス19の下面を放熱体11の上面と接触させている。
本実施の形態では、図8に示すように、放熱体11に形成された孔25Aは、トランス19下面の横幅よりも大きな横幅であって、トランス19下面の縦幅よりも小さな縦幅である。そして、この孔25Aからトランス19の下面の一部を露出させつつ、放熱体11にトランス19を設置するスペースを確保している。そして孔25Aがトランス19と対向しない部分は、通気部26Aとして機能している。
これにより本実施の形態では、図7に示すように、通気部26Aから通気部26Bにかけて空気の通路ができ、熱対流によって熱い空気が電源ユニット10外部へと流出し、電源ユニット10の温度上昇を抑制することができる。
また本実施の形態では、孔25Aを大きく形成したことにより、コア部21の下面が大きくむき出しになり、このコア部21に電源ユニット10外部からの冷気を当てることで、結果として電源ユニット10の温度上昇を抑制することができる。
また本実施の形態では、孔25Aを比較的大きく形成しているが、折り曲げた金属板15でトランス19のコア部21を保持しているため、トランス19が振動した場合も、トランス19の位置ずれを抑制することができる。
なお、本実施の形態では、トランス19の下面と放熱体11の上面とを接触させているが、トランス19の下面を放熱体11の上面より上方に配置すれば、孔25A全体が通気部26Bとして機能し、熱対流が起こりやすくなる。この場合は、金属板15のみでトランス19を保持することができるよう、金属板15の厚みを十分とり機械的強度を上げておくこと、またトランス19と金属板15との接着強度を高めておくことが望ましい。
また、本実施の形態では、トランス19を放熱体11でも保持できるよう、孔25Aの縦幅はトランス19の縦幅よりも小さくしたが、図9に示すように、孔25Aの横幅、縦幅ともにトランス19よりも大きくしてもよい。このように孔25Aを大きく形成した場合も、本実施の形態では、金属板15(伝熱板14)でトランス19を保持することができる。
その他実施の形態1と同様の構成および効果は説明を省略する。
(実施の形態4)
本実施の形態と実施の形態1との違いは、図10、図11に示すように、通気部26Aを構成する孔25Aの開口面積を、トランス19下面の面積よりも大きくとり、図10に示すように、トランス19の下部を孔25Aに挿入した点である。すなわち本実施の形態では、トランス19の下面は放熱体11上面よりも下方に位置している。そして本実施の形態では、この孔25Aとトランス19との隙間を通気部26Aとしている。
本実施の形態と実施の形態1との違いは、図10、図11に示すように、通気部26Aを構成する孔25Aの開口面積を、トランス19下面の面積よりも大きくとり、図10に示すように、トランス19の下部を孔25Aに挿入した点である。すなわち本実施の形態では、トランス19の下面は放熱体11上面よりも下方に位置している。そして本実施の形態では、この孔25Aとトランス19との隙間を通気部26Aとしている。
これにより本実施の形態では、電源ユニット10全体を低背化することができる。ここで、このように低背化すると、回路基板13と電源モジュール12との間ではさらに熱がこもりやすくなるが、通気部26A、26Bを形成することにより通気性が向上し、電源ユニット10の放熱性を高めることができる。またこの孔25Aの一部を通気部26Aとして用いることで、製造工程が減り生産効率を高めることが出来る。
その他の実施の形態1と同様の構成および効果は説明を省略する。
なお、上記実施の形態では、コイル部22には巻線コイルを用いたが、偏平形でもコア部21に組み込まれる形態でもよいものとする。またコア部21の形状も、いわゆるE型とE型とを組み合わせた分割型(EE型)、EI型、UU型でもよく、非分割型のいわゆるトロイダルコアでもよいものとする。
また上記実施の形態では、伝熱板14として金属板15、絶縁層16、導体パターン17とを備えた基板を用いたが、実装部品の電気的絶縁性が確保できる場合は単なるアルミ板や銅板を用いてもよく、あるいは樹脂板でもよい。
さらに、上記実施の形態では、インダクタ部品としてトランスの例を挙げたが、その他チョークコイルなどのパワーインダクタ部品を実装してもよい。
本発明はインダクタ部品とパワー半導体素子と回路基板とを一体化した電源ユニットであって、電源ユニットの温度上昇を抑制することができるため、安全使用温度規制の厳しい車載用や発熱の多いPDP用など、大電流対応の装置に利用できる。
10 電源ユニット
11 放熱体
12 電源モジュール
13 回路基板
14 伝熱板
15 金属板
16 絶縁層
17 導体パターン
17A 接続端子
18A、18B パワー半導体素子
19 トランス(インダクタ部品)
20 制御用素子
21 コア部
22 コイル部
23 中脚
24 背脚
25A、25B 孔
26A、26B 通気部
27 開口部
28 スリット
29 湾曲面
30 突起
11 放熱体
12 電源モジュール
13 回路基板
14 伝熱板
15 金属板
16 絶縁層
17 導体パターン
17A 接続端子
18A、18B パワー半導体素子
19 トランス(インダクタ部品)
20 制御用素子
21 コア部
22 コイル部
23 中脚
24 背脚
25A、25B 孔
26A、26B 通気部
27 開口部
28 スリット
29 湾曲面
30 突起
Claims (10)
- 放熱体と、この放熱体に取り付けられた電源モジュールと、この電源モジュールが取り付けられた放熱体面と所定間隔をおいて配置された回路基板とを備えた電源ユニットにおいて、
前記電源モジュールは、
前記放熱体に接合された伝熱板と、この伝熱板に実装されたパワー半導体素子およびインダクタ部品とを備え、
このインダクタ部品は、
コア部と、このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、
このコイル部と前記コア部との間には、前記伝熱板の一部が挿入されるとともに、
前記インダクタ部品の下方には前記放熱体を貫通する第一の通気部が形成され、
前記回路基板には第二の通気部が形成されている電源ユニット。 - 前記伝熱板は、
前記インダクタ部品のコイル部および前記放熱体と面接触するように折り曲げられている請求項1に記載の電源ユニット。 - 前記回路基板は孔を有し、
この孔には、前記インダクタ部品の上部が挿入され、
前記孔と前記インダクタ部品との隙間を前記第二の通気部とした請求項1または2に記載の電源ユニット。 - 前記第一の通気部は、
前記インダクタ部品の下部近傍に形成されるとともに、
前記放熱体の、前記インダクタ部品と前記パワー半導体素子との間に相当する部分は連続して繋がっている請求項1から3のいずれか一つに記載の電源ユニット。 - 前記第一の通気部は、
前記インダクタ部品の下部およびその近傍にかけて前記放熱体に形成された孔で構成された請求項1から3のいずれか一つに記載の電源ユニット。 - 前記第一の通気部は、
前記インダクタ部品の下部およびその近傍にかけて前記放熱体に形成された孔で構成されるとともに、
この孔の開口面積は、前記インダクタ部品下面の面積よりも大きく、
このインダクタ部品の下部は前記孔に挿入されている請求項1から3のいずれか一つに記載の電源ユニット。 - 前記第一の通気部は、
前記インダクタ部品の下部近傍であって、
前記放熱体の、前記インダクタ部品と前記パワー半導体素子との間に相当する部分に形成されている請求項1から3のいずれか一つに記載の電源ユニット。 - 前記第一の通気部は、
前記放熱体に形成された孔で構成されるとともに、
この孔の上側の開口部は、
前記放熱体の上面から前記孔の内壁に向けて内側に湾曲した曲面で形成される請求項1から7のいずれか一つに記載の電源ユニット。 - 前記伝熱板は、
前記放熱体に接合された金属板と、
この金属板上の一部に形成された絶縁層とを備え、
前記インダクタ部品は前記金属板と熱的に接続されるとともに、
この金属板は、
前記インダクタ部品の前記コア部と前記コイル部との間に挿入されている請求項1から8のいずれか一つに記載の電源ユニット。 - 前記伝熱板は、
前記放熱体に接合された金属板と、
この金属板上の一部に形成された絶縁層と、
この絶縁層上に配置された導体パターンとを備え、
この導体パターン上には、
前記パワー半導体素子が面実装されている請求項1から9のいずれか一つに記載の電源ユニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007143263A JP2008301594A (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 電源ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007143263A JP2008301594A (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 電源ユニット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008301594A true JP2008301594A (ja) | 2008-12-11 |
Family
ID=40174574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007143263A Pending JP2008301594A (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 電源ユニット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008301594A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011192809A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Omron Corp | パワーコンディショナー装置およびこの装置に使用するモジュール基板構造 |
WO2014019384A1 (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 华为技术有限公司 | 电源模块和电源模块的封装方法 |
WO2014187267A1 (zh) * | 2013-12-25 | 2014-11-27 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种集成封装电源 |
KR102320181B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2021-11-03 | 영화테크(주) | 수소연료 자동차용 전력변환장치 |
CN116916633A (zh) * | 2023-09-11 | 2023-10-20 | 深圳市德兰明海新能源股份有限公司 | 谐振变换器和储能电源 |
-
2007
- 2007-05-30 JP JP2007143263A patent/JP2008301594A/ja active Pending
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