JP2017108118A5 - SiCウェハのCMP材料除去レートを向上させるためのシリコンカーバイドエッチング剤としての岩塩型塩 - Google Patents
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非酸化物ウェハ研磨に有用な研磨剤が開示される。この研磨剤は、少なくともMXO2エッチング剤を含む混合物と、少なくとも7のモース硬度を有する高純度研磨粒子の分散液とを、適切なpHの水性製剤中に、上記エッチング剤と上記研磨粒子との適切な混合比で、かつ、上記エッチング剤と上記研磨粒子との適切な濃度で、含有する。本発明者は、一般式MXO2を有する一連の水溶性の岩塩型(halite)シリコンカーバイドエッチング剤を発見した。上記一般式において、Mは、一価の陽イオン、二価の陽イオンおよび三価の陽イオンからなる群から選択される金属またはアンモニウムであり、好ましくは、Mは、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、リチウムおよびこれらの混合物からなる群から選択され、より好ましくは、Mは、ナトリウム、カリウムおよびこれらの混合物からなる群から選択される。そして、Xは、塩素、臭素、ヨウ素およびこれらの混合物からなるハロゲン基から選択される。岩塩型塩(halite salts)MXO2は、一定のpHおよび一定の研磨粒子の存在下で、ラップパッドへのあまり望ましくない汚染作用およびあまり望ましくない研磨後の環境影響をともなって、CMP中のSiC研磨の進行を速めることができる。最も費用効果のあるMXO2の1つは、例えば、亜塩素酸ナトリウム、NaClO2であり、これは、使用後の廃水流中に亜硫酸ナトリウムを添加することによって処理した場合、容易に無害な塩に変化させることができる。結果として生じる中和された廃棄物には、アルミナ除去後の無毒な塩化ナトリウム(食塩)および硫酸ナトリウムのみが含まれる。これら無害のナトリウム塩は、容易に処分することができ、このことは、上記先行技術の製剤で使用された毒性のマンガン塩、クロム塩およびセリウム塩とは際立って対照的である。
上記基準のすべてが、MXO2エッチング剤(上記岩塩型塩)と水溶性のナノ径アルファアルミナ分散液との混合物から配合されたスラリーによって満たされた。上記陽イオンMの選択は、その溶解性および毒性の考慮は別として、重要ではなく、商業的入手性が決定要因である。例えば、MXO2エッチング剤は金属亜塩素酸塩(MClO2)であって、ここで、Mはアルカリ金属(Na、K)またはアンモニウム(NH4)であり、Xは塩素である。別の例において、MXO2エッチング剤は金属亜臭素酸塩(MBrO2)であって、ここで、Mはアルカリ金属(Na、K)またはアンモニウム(NH4)であり、Xは臭素である。MXO2の具体的な例としては、亜塩素酸ナトリウム(NaClO2)、亜塩素酸カリウム(KClO2)、亜臭素酸ナトリウム(NaBrO2)、亜臭素酸カリウム(KBrO2)またはこれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されるものではない。好適なMXO2は亜塩素酸ナトリウムであって、ここで、M=Na、X=Clであり、すなわちNaClO2ある。塩化アンモニウム(NH4ClO2)または亜臭素酸ナトリウム(NaBrO2)のような他の岩塩型塩は類似の効果を示したが、亜塩素酸ナトリウムは、最も低コストで利用可能な亜塩素酸塩であり、また、室温で高い溶解性を、そして比較的低いpH(pH<7)下で化学的安定性を示すことから、さらなる利点は提供していない。例えば、亜臭素酸塩は、米国特許第5,032,203号に参照されるように、異なる非SiC研磨用途において、より広いpH(pH<8)範囲で分解する傾向がある。このことから、亜臭素酸塩を含む製剤は、その研磨剤中の亜臭素酸塩濃度を維持するためよりもむしろ、最適なエッチング性能のためではないpHに調節されなければならない場合がある。亜硫酸ナトリウムと亜臭素酸ナトリウムはいずれも、非SiC研磨用途のためのCMPスラリーに用いられてきた。それゆえ、特定の条件下で、上記岩塩型塩が、有用なエッチング速度(MRR>200nm/hr)で、その外見的には破壊できそうもないシリコンカーバイド基板を実際にエッチングできることを発見したのは驚くべきことである。先行米国特許出願である米国特許出願第2008/0,305,718号では、例えば、亜塩素酸ナトリウムが、ある特定の条件下(pH=8.8で、40%のコロイドシリカおよび濃度10g/LのNaClO2を有して)で試験され、研磨中、SiC除去(MRR=6.6nm/hr)が極端に低いという結果になった。
式[1]は、溶液相において、高い酸性度(pH<4)下で、たとえトライボケミカルやトライボメカニカル力のような他の物理的な力がなくとも、その研磨溶液中の二酸化塩素の黄色がかった色の存在から明らかなように、容易に進行する。しかしながら、低い酸性度(高pH)下では、特にpH>4の場合、溶液そのものの低濃度のせいで、遊離二酸化塩素の存在を明確に光学的に検出することはできない。SiC除去レートデータは、その高速作業スラリー中に遊離二酸化塩素が明確に存在しない場合、最大材料除去レート(MRR)が生じることを明らかにしている。このことは、発生した二酸化ハロゲンが、特定のトライボメカニカル条件下、すなわち加圧下のナノ径研磨粒子の存在下で、かつ近接して十分な量の利用可能な岩塩型塩(halite)イオンがあり、相対的に高い溶液pHにおいて、研磨面に近接している場合に、その最適なSiCエッチングが起こることを示している。このような条件下では、その場で生成された二酸化ハロゲンエッチング剤は、常に上記研磨粒子と上記シリコンカーバイド表面の両方に密着しており、そこにおいて、上記SiCエッチングは上記式[2]によって、最も効果的に進行する。
それゆえ、SiC研磨物質は、以下の重要要件を満たす限り、様々な形態で配合され得ることが当業者に理解される:
1.そのスラリー中の十分に高濃度の岩塩型塩(halite salt)。
2.その研磨剤中の岩塩型塩(halite)の大部分が、トライボメカニカルおよび/またはトライボケミカル反応によって、活性エッチング剤である二酸化ハロゲンの放出を誘発し得る、適切なスラリー溶液のpH。
3.SiCまたは他の非酸化物ウェハを用いた化学機械研磨プロセス中、必要とされるトライボメカニカルまたはトライボケミカル反応を引き起こすのに十分な高濃度であって、適切な径および硬度を有する研磨物質。
1.そのスラリー中の十分に高濃度の岩塩型塩(halite salt)。
2.その研磨剤中の岩塩型塩(halite)の大部分が、トライボメカニカルおよび/またはトライボケミカル反応によって、活性エッチング剤である二酸化ハロゲンの放出を誘発し得る、適切なスラリー溶液のpH。
3.SiCまたは他の非酸化物ウェハを用いた化学機械研磨プロセス中、必要とされるトライボメカニカルまたはトライボケミカル反応を引き起こすのに十分な高濃度であって、適切な径および硬度を有する研磨物質。
本発明の研磨剤は、岩塩型塩(halite salts)の水溶液と研磨粉の分散とに基づくものであって、そのままで効果を奏するものであるが、本発明の範囲から逸脱することなく選択的にさらに変更されてもよい。ここで、上記混合物中における上記高純度研磨粒子に対する上記MXO2エッチング剤の割合は特に限定されず、重量ベースで1:1〜1:10、または重量ベースで1:1〜1:3の間とすることができる。好ましい上記研磨粒子はアルミナであるが、少なくとも7のモース硬度、好ましくは8以上のモース硬度を有する高純度研磨剤であれば、効果がある。特に、ダイヤモンド、立方窒化ホウ素、および炭化ホウ素、シリコンカーバイド、SiO2、Cr2O3、ZrO2、CeO2のような他の研磨剤の微粒子(直径10nm〜1000nm)は、上記岩塩型塩(halite)含有スラリーのトライボメカニカル性能を改善するために、上記アルミナ含有研磨剤中に混合されてもよい。例えば、ダイヤモンド粒子(モース硬度10)は、高速除去レートでSiC(モース硬度9)をラッピングするのに広く使用されているが、通常は平滑な作業表面を達成するために何時間ものさらなる精密なCMP研磨を必要とするスクラッチされた非常に粗い表面をもたらす。はるかに滑らかな研磨表面は、例えば、米国特許第9,343,321号明細書に参照されるように、ナノ径の超分散ダイヤモンドを使用することにより達成することができるが、製造の観点からはコスト的な不利益がある可能性がある。一方、より軟質のアルファアルミナ(モース硬度8)が上記スラリー中に岩塩型塩(halite salt)なしで使用される場合、著しいSiC研磨は起こらないであろう。しかしながら、亜塩素酸ナトリウムの存在下では、上記より軟質のアルファアルミナでさえも、上記より硬質のカーバイド表面を効果的に研磨することができる。いくつかの実施形態においては、上記高純度研磨粒子は、モース硬度8のアルファアルミナである。その研磨された表面は、一般的に表面粗さが小さく(Ra<0.5nm)、このことは、ダイヤモンド粉末が、上記向上されたエッチングのための上記岩塩型塩なしで使用された唯一の研磨剤であった場合、その粗面仕上げに好適である。さらに軟質のヒュームシリカ(モース硬度7)または球状シリカが、同じ濃度の亜塩素酸塩を用いて上記スラリー中に使用された場合、その除去レートは、上記当初のより硬質のアルファアルミナ含有スラリーのそれと比べて、約1/5またはそれ以上まで大幅に減少した。いくつかの実施形態においては、上記高純度研磨粒子は、モース硬度7のシリカである。上記アルファアルミナを類似の粒径のより軟質のガンマアルミナと置き換えることによって、上記スラリーがSiC除去不良となることもまた実証された。
本発明において使用された上記アルファアルミナ研磨剤の実際の粒径は、粒子の凝集のため、上記好ましい実施形態で述べた粒径とは著しく異なっていてもよい。理論モデルは、材料除去レート(MRR)は、他の研磨パラメータが一定に保たれる場合、アルミナの粒径が小さいほど、速くなることを示している。しかしながら、実験データは上記理論予測とは相関しなくともよい。50nm未満の粒径を有するアルミナ粉末は凝集する傾向があり、このことは他のスラリー剤に制限をもたらしてもよい。粒径(D50)は、通常、試験したのと同様のアルミナ試料の粒径よりもはるかに大きい。例えば、本発明で使用される粒径200nmのアルファアルミナは、レーザ回折測定によって3.19μmの粒径(D50)を示す。より大きい粒径(>1000nm)のアルミナは、生成のための特定のMRRおよび研磨表面の品質要件を満たさなくともよいが、全体的に向上されたCMP研磨レートはそれでも、上記岩塩型塩エッチング剤の存在下で、より大きな粒径のアルファアルミナがCMP剤に使用される場合、非常に重要である。
要約すると、本発明者は、岩塩型塩(halite)‐アルミナ混合物の効果的なSiC研磨スラリーは、約3〜8(好ましくは4〜6、最も好ましくは4.6〜5.6)のpHで配合され得るという結論に達した。上記岩塩型塩、MXO2は、約11g/L〜200g/Lの濃度で、またはより好ましくは、約20g/L〜100g/Lの濃度で存在し得る。いくつかの実施形態において、MXO2の濃度は、48g/Lである。ナノ径のアルファアルミナのような上記高純度研磨粒子の水性懸濁液における高純度研磨粒子の濃度は、約11g/L〜1100g/Lで、または好ましくは11g/L〜600g/Lで、またはより好ましくは20g/L〜300g/Lで存在し得る。いくつかの実施形態において、上述の高純度研磨粒子の濃度は86g/Lである。上記の重要な配合パラメータで適切に作業すると同時に、他の酸化防止剤、分散剤、消泡剤、湿潤剤およびpH緩衝剤等の他の必須ではない性能向上成分を、上記研磨性能をさらに向上させるために、上記研磨剤に組み込むこともできる。
〔実施例16:200nmのアルミナおよび亜臭素酸ナトリウムのエッチング剤を有するより高pHの高負荷スラリー〕
当実験では、エッチング剤として、200nmのアルミナおよび異なる岩塩型塩(halite)、亜臭素酸ナトリウム(山東天信化工社製,中華人民共和国山東省)を用いて、SiC除去レートを試験している。60%NaBrO2溶液327gおよび粒径200nmの99.99%アルファアルミナ(嵩山特材社製,中華人民共和国河南省)306gを、2ppmのポリエチレングリコール系界面活性剤を含有する3.5Lの脱イオン水に加えた。次に、上記混合物を高速ブレンダーで均質化し、pHを塩酸で5.13に調整し、最終容量を4.0Lに調査した。次に、そのスラリーをCMPツール上へ分注した。SiC材料除去レートは、60分間の研磨後に868nm/hrであることが測定された。同様の組成のスラリーのpHをさらに低下させるための試みを行ったが、過度の酸性化により生成した危険レベルの臭素の存在により成功しなかった。
当実験では、エッチング剤として、200nmのアルミナおよび異なる岩塩型塩(halite)、亜臭素酸ナトリウム(山東天信化工社製,中華人民共和国山東省)を用いて、SiC除去レートを試験している。60%NaBrO2溶液327gおよび粒径200nmの99.99%アルファアルミナ(嵩山特材社製,中華人民共和国河南省)306gを、2ppmのポリエチレングリコール系界面活性剤を含有する3.5Lの脱イオン水に加えた。次に、上記混合物を高速ブレンダーで均質化し、pHを塩酸で5.13に調整し、最終容量を4.0Lに調査した。次に、そのスラリーをCMPツール上へ分注した。SiC材料除去レートは、60分間の研磨後に868nm/hrであることが測定された。同様の組成のスラリーのpHをさらに低下させるための試みを行ったが、過度の酸性化により生成した危険レベルの臭素の存在により成功しなかった。
これまでに本発明者は、3個の異なる大きさ(50nm、200nmおよび300nm)、かつ水溶性スラリー状で亜塩素酸ナトリウムまたは亜臭素酸ナトリウムの様々な濃度を有する高純度アルファアルミナの混合物が、適切なpHの下、適切な研磨パラメータを有する市販のCMPツールを用いて、シリコンカーバイド基板のSi表面を効果的に除去することができることを実証してきた。具体的には、上記表の実施例12において、pH4.59かつ亜塩素酸ナトリウムおよびナノサイズのアルファアルミナの濃度がそれぞれ47.8g/Lおよび85.9g/L、岩塩型塩(halite)に対する研磨剤の混合比が1〜1.797で、1120nm/hrのSicのMRRが達成された。これらの非限定的な実施例は、必要であれば、化学機械研磨操作中に、研磨スラリー中の岩塩型塩(halite salts)を、SiCを含む非酸化物半導体表面の効果的な除去のためのエッチング剤として使用している本発明の当初の範囲から逸脱することなく、他の性能向上剤のさらなる添加により変更または変換されることが可能である。SiCの場合と同様の研磨条件下でSiC積層上のGaNを効果的に除去することの実証は、このアルミナ−岩塩型塩(halite)研磨組成物が、他のほとんどの非酸化物ウェハの研磨用途のための一般的なCMP溶液となり得ることも示唆している。
Claims (14)
- 少なくともMXO2エッチング剤を含有する混合物と、
少なくとも7のモース硬度を有する高純度研磨粒子の分散剤とを、
水溶性製剤中に含み、
Mが金属またはアンモニウム、Xがハロゲン、Oが酸素であり、
前記高純度研磨粒子がアルファアルミナであり、
前記混合物の酸性度(pH)がpH3〜pH8の間であり、
前記混合物中の前記高純度研磨粒子に対する前記MXO2エッチング剤の混合比が、重量ベースで、1:1〜1:10の間であり、
前記MXO2エッチング剤の濃度が11g/L〜200g/Lの間であり、かつ、前記高純度研磨粒子の濃度が11g/L〜600g/Lの間である
SiCウェハ研磨に有用な研磨剤。 - 前記MXO2エッチング剤が金属亜塩素酸塩(MClO2)であって、Mがアルカリ金属またはアンモニウム(NH4)であり、Xが塩素である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記MXO2エッチング剤が金属亜臭素酸ナトリウム(MBrO2)であって、Mがアルカリ金属またはアンモニウム(NH4)であり、Xが臭素である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記MXO2エッチング剤が、亜塩素酸ナトリウム(NaClO2)、亜塩素酸カリウム(KClO2)、亜臭素酸ナトリウム(NaBrO2)、亜臭素酸カリウム(KBrO2)、またはこれらの組み合わせを含む混合物である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記混合物中の前記高純度研磨粒子に対する前記MXO2エッチング剤の混合比が、重量ベースで、1:1〜1:3の間である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記MXO2 エッチング剤の濃度が20g/L〜100g/Lの間であり、前記高純度研磨粒子の濃度が20g/L〜300g/Lの間である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記MXO2 エッチング剤の濃度が48g/Lであり、前記高純度研磨粒子の濃度が86g/Lである請求項1に記載の研磨剤。
- 前記混合物の酸性度(pH)がpH4〜pH6の間である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記高純度研磨粒子がモース硬度8を有するアルファアルミナである請求項1に記載の研磨剤。
- 前記高純度研磨粒子が純度99%以上のアルファアルミナである請求項9に記載の研磨剤。
- 前記高純度アルファアルミナが10nm〜1000nmの間の粒径を有する請求項9に記載の研磨剤。
- 前記高純度アルファアルミナが200nmの粒径および6m2/gの比表面積を有する請求項11に記載の研磨剤。
- 前記高純度アルファアルミナが50nmの粒径および15m2/gの比表面積を有する請求項11に記載の研磨剤。
- 前記高純度アルファアルミナが300nmの粒径および5.5m2/gの比表面積を有する請求項11に記載の研磨剤。
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