JP2005120180A - 珪酸質材料用研磨剤組成物およびそれを用いた研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化珪素粒子を含有する水性コロイド溶液であって、酸化珪素粒子の平均一次粒子径が30〜200nm、その濃度が5〜40重量%であり、リン酸塩化合物を酸化珪素1Kg当たり、リン酸として0.01〜0.5モル含み、pH9.0〜11.0の範囲でpHが緩衝作用を呈する緩衝溶液として調整されたことを特徴とする研磨用組成物。
【選択図】なし
Description
一般に、研磨材は経済的な理由から、その一定量を循環させることにより、繰り返し使用されており、そのような使用に際しては、経時的に研磨速度が低下し、所定時間毎に、研磨材のうちの一部を新しい研磨材と交換したり、或いはまた、所定の研磨時間の経過後に、その全てを新しいものに交換する必要性が生じる。このため、作業効率や作業性に不具合があったり、また研磨材や設備にかかるコストが高額になっているといった問題があった。このように、コロイダルシリカ研磨材にあっては、研磨面の精度を高度に達成し得るという特徴を保ったまま、研磨速度が高く、その研磨速度が長時間に亘って一定に維持され得ることが、要請されている。
また、層間絶縁膜の二酸化珪素の研磨において、研磨剤を繰り返し使用をして研磨する方法として、特許文献5には、フュームドシリカのスラリーに塩基性カリウム化合物を添加した研磨剤が開示されている。特許文献6には、含窒素塩基性化合物を添加したコロイダルシリカが開示されている。しかし、これらの方法は単にデバイス汚染の原因となるナトリウムを使用しないと言う目的は達成されているが、珪酸質材料からなるウエハの研磨には研磨速度が不十分である。
すなわち、本発明の第1の発明は、酸化珪素粒子を含有する水性コロイド溶液であって、酸化珪素粒子の平均一次粒子径が30〜200nm、その濃度が5〜40重量%であり、リン酸塩化合物を酸化珪素1Kg当たり、リン酸として0.01〜0.5モル含み、pH9.0〜11.0の範囲でpHが緩衝作用を呈する緩衝溶液として調整されたことを特徴とする研磨用組成物である。酸化珪素粒子の平均一次粒子径は、(a)40〜60nmの粒子と、(b)60〜100nmの粒子の2種類からなり、その重量比(a:b)が1:0.05〜1:0.3であることが好ましい。また、本発明の緩衝溶液は、強アルカリと弱酸の組み合わせで構成され、その陽イオンが、四級アンモニウムイオン及びアルカリ金属イオンの少なくとも1種以上であり、陰イオンが、炭酸イオン、炭酸水素イオン、及びホウ酸イオンの少なくとも1種以上であることがさらに好ましい。
本発明の第2の発明は、上記第1の発明にさらにフッ素イオンまたはフッ素が配位した陰イオンを酸化珪素1Kg当たり、フッ素として0.01〜0.2モル含有する、研磨用組成物である。
本発明の第3の発明は、上下両面あるいは片面に研磨布を貼付した回転可能な定盤を有する研磨装置に、被加工物を載置押圧し、前記定盤及び被加工物の双方あるいは一方を回転させながら、前記第1の発明または第2の発明の研磨用組成物を用いて、被加工物を研磨することを特徴とする珪酸質材料の研磨方法である。
本発明の第4の発明は、珪酸質材料が、水晶またはガラスである、上記第3の発明に記載した研磨方法である。
酸化珪素の微粒子はその製法から気相法酸化珪素と液相法酸化珪素に二分される。気相法酸化珪素としてはフュームドシリカを水性媒体に分散させたスラリーが半導体研磨に多用されてきたが、この微粒子は粒度分布が広く、更に凝集して二次粒子を構成し、典型的な多分散系である。液相法酸化珪素は水ガラスを原料とした一般のコロイダルシリカと、有機珪素化合物の加水分解法によって得られる高純度コロイダルシリカがある。本発明に用いる酸化珪素微粒子のコロイド溶液は、この一般のコロイダルシリカと高純度コロイダルシリカである。特に水ガラスを原料とした一般のコロイダルシリカは安価であり、研磨速度も速く、好適に用いられる。
また、酸化珪素粒子の平均一次粒子径が、(a)40〜60nmの粒子と、(b)60〜100nmの粒子の2種類であり、その重量比(a:b)が1:0.05〜1:0.3であるコロイド溶液の使用は、優れた研磨性能と経済性を兼ね備えた研磨方法であり特に好ましい。
さらに、本発明においては、研磨用組成物中に水溶性リン酸塩化合物が含まれることが必要である。水溶性リン酸塩化合物としては特に限定されないが、リン酸3ナトリウム、リン酸2ナトリウム、リン酸1ナトリウム、リン酸3カリウム、リン酸2カリウム、リン酸1カリウム、リン酸を水酸化テトラメチルアンモニウムで中和した混合溶液などが使用できる。要点は、後述のpHの範囲でリン酸イオンが存在することにある。リン酸塩化合物は、酸化珪素1Kg当たり、リン酸として0.01〜0.5モル(モル/Kg−SiO2)含まれることが好ましく、0.03〜0.2モル/Kg−SiO2含まれることがより好ましい。
リン酸塩化合物が0.01モル/Kg−SiO2未満では充分な研磨速度が得られず、0.5モル/Kg−SiO2より多いとコロイドの安定性が確保できず、安定した研磨速度が得られないし、スクラッチやピットの発生原因となる。
リン酸塩はいわゆる正リン酸塩であることが必須で、縮合リン酸塩では効果がない。
本発明においては研磨用組成物はpH9.0〜11.0の範囲にあることが肝要である。更に好ましくはpH9.5〜10.5の範囲にあることが好ましい。
pHが9.0以下であると研磨速度は著しく低下し実用の範囲からは外れる。また、pHが11.0以上になると、研磨用組成物の安定性が低下し研磨中に粘度が上昇する。そしてまた、このpHは摩擦、熱、外気との接触あるいは他の成分との混合等、考えられる外的条件の変化により容易に変化するようなものであってはならないが、本発明においては研磨用組成物溶液自体を、外的条件の変化に対してpHの変化幅が少ない、いわゆる緩衝作用の強い液とすることが必要である。
pH9.0〜11.0の範囲で強く緩衝溶液を形成するイオンとしては、陽イオンが第四級アンモニウムイオン及びアルカリ金属イオンの少なくとも1種以上であり、陰イオンが炭酸イオン、炭酸水素イオン、ホウ酸イオン、及びフェノールの少なくとも1種以上であることが好ましい。特に好適なのは炭酸イオンと炭酸水素イオンの混合物、あるいはホウ酸イオンである。
本発明の研磨用組成物は、フッ素イオンまたはフッ素が配位した陰イオンを酸化珪素1Kg当たり、フッ素として0.01〜0.2モルさらに含有することが好ましい。特に、本発明のようにpH緩衝液を使用して比較的低いpHで研磨を行う場合には、このような浸食作用の大きい成分を用いることは有効である。フッ素イオンはフッ酸として添加しても良く、上記の各塩基のフッ化物として添加することもできる。フッ素が配位した陰イオンとしては、テトラフルオロホウ酸イオンやヘキサフルオロ珪酸イオンが良い。これらは酸化珪素15〜65重量%の濃厚原液に添加しておくこともできるが、原液を使用の都度希釈して調整するときに添加しても良い。フッ素イオンもしくはフッ素が配位した陰イオンは、珪酸質材料基板の表面または端面の研磨速度を向上させると同時に、研磨加工後の洗浄性の向上作用がある。フッ素イオンもしくはフッ素が配位した陰イオンをフッ素として0.01モル/Kg−SiO2以下では研磨速度の向上は得られない。0.2モル/Kg−SiO2以上の添加は、浸食が強すぎて平坦な鏡面を得ることが出来ず、洗浄性も悪化する。好ましくは0.02〜0.1モル/Kg−SiO2である。
本発明の研磨用組成物の調整方法を示す。水及び酸化珪素粒子よりなり、酸化珪素粒子の濃度が15〜65%のコロイド溶液に、緩衝溶液を構成する強アルカリ及び弱酸を加える。続いて、リン酸塩化合物を加え、さらに必要に応じてフッ素またはフッ素が配位した陰イオンを酸化珪素1kg当たり、フッ素として0.01〜0.2モルとなるように加える。水の代わりに、水と有機溶媒の混合物を用いることもできる。
また、一般的には酸化珪素濃度25〜65%の高濃度の組成物を調製しておき、水あるいは、水と有機溶媒の混合物で希釈して使用することが便利である。 高濃度の組成物には酸化珪素以外の上記必須成分のうちいずれかを欠いておき、希釈時に添加することもできる。
本発明の研磨組成物の物性を改良するため、界面活性剤、分散剤などを併用することができる。また、本発明の研磨組成物は基本的には水溶液としているが、有機溶媒を添加してもかまわない。
本発明の研磨用組成物を用いて、珪酸質材料の研磨を行うことができる。研磨は、上下両面あるいは片面に、研磨布を貼付した回転可能な定盤を有する研磨装置に、ウエハ等の被加工物を載置押圧し、前記定盤及び被加工物の双方あるいは一方を回転することにより、上述の研磨用組成物を用いて、前記被加工物の研磨を行なう方法が適用できる。研磨布は、合成樹脂発泡体、合成皮革あるいは不織布等、通常使用されるものを用いることができる。
リン酸水素2カリウムは日本化学工業(株)製の「食添用第二燐酸カリ」を用いた。フッ化カリウムは試薬を使用した。
緩衝溶液形成のためのその他の薬品としては、試薬の炭酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム十水塩,水酸化カリウム、炭酸水素カリウムを使用した。
研磨装置: (株)マルトー製 卓上小型研磨機ドクターラップ
定盤回転数:150rpm
研磨布:SUBA800(ロデールニッタ社製)
研磨組成物流量:20ml/分
加工荷重:100gf/cm2
加工時間:180分
ワーク:25mm角形
研磨速度は、水晶ウエハの研磨前後の重量差より求めμm/分に換算した。研磨組成物のpHはpHメーターを用い測定した。研磨面の評価は、集光灯下で肉眼にて表面状態を観察した。
平均一次粒子径80nmのコロイダルシリカを使用し、酸化珪素濃度とリン酸塩濃度を表1に示した組成となるように調整した研磨用組成物を用いて、水晶ウエハの表面研磨を行った。
結果は表1に示したように、実施例では良好な研磨性能が得られたが、リン酸塩を添加しない比較例1ではエッチングが強い割に研磨速度が不十分であったためにピットの発生が起こり表面状態が不良となった。比較例2は市販品をそのまま使用した例で、研磨速度が不十分で表面状態が不良であった。緩衝組成を形成しない比較例3と4でも、研磨速度が不十分であり表面状態も不良であった。比較例4は、配合当初のpHは12.5であったが、使用時(配合から半日後)にはpHは11.6に変化した。特に実施例1〜5の表面状態は良好であった。
表2、3に示す組成となるように調整した研磨用組成物を用いて、水晶ウエハの表面研磨を行った。ここでは、酸化珪素濃度とリン酸塩濃度を一定にして使用し、実施例6と7では緩衝液組成を変え、実施例8〜11では主に粒子径の異なるコロイダルシリカを使用し、実施例12〜13では更にフッ素イオンを添加した。
結果は表2及び3に示したように、実施例6〜13では良好な研磨性能が得られたが、緩衝組成とリン酸塩の組み合わせを構成しない比較例5〜7では良好な研磨性能が得られなかった。比較例6ではエッチングが強い割に研磨速度が不十分であったためにピットの発生が起こり表面状態が不良となった。実施例9と10は平均粒子径40nmと平均粒子径80nmの酸化珪素粒子を重量比で9:1で使用しているが、平均粒子径80nmだけを使用した時と同等の研磨速度が得られており経済性で優位である。実施例12と13はフッ素イオンの効果で実施例9と10よりも更に研磨速度が向上している。
実施例2と比較例4の研磨組成液を循環使用した水晶ウエハの表面研磨の実施例を示す。研磨は450mlの研磨組成液を使用して、1枚のウエハを6時間研磨し、60、120、180、240、300及び360分目で、研磨組成物のpHを測定し、ウエハ重量から研磨速度を測定した。結果は表4に示した。実施例14のpHは比較例8と比べて360分まで変化が少なく、研磨速度も高い値を保っており、更に続けて使用できる状態にある。
Claims (6)
- 酸化珪素粒子を含有する水性コロイド溶液であって、酸化珪素粒子の平均一次粒子径が30〜200nm、その濃度が5〜40重量%であり、リン酸塩化合物を酸化珪素1Kg当たり、リン酸として0.01〜0.5モル含み、pH9.0〜11.0の範囲でpHが緩衝作用を呈する緩衝溶液として調整されたことを特徴とする研磨用組成物。
- 酸化珪素粒子の平均一次粒子径が、(a)40〜60nmの粒子と、(b)60〜100nmの粒子の2種類からなり、その重量比(a:b)が1:0.05〜1:0.3であることを特徴とする請求項1に記載の研磨用組成物。
- 緩衝溶液が強アルカリと弱酸の組み合わせで構成され、その陽イオンが、四級アンモニウムイオン及びアルカリ金属イオンの少なくとも1種以上であり、陰イオンが、炭酸イオン、炭酸水素イオン、及びホウ酸イオンの少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1ないし2に記載の研磨用組成物。
- フッ素イオンまたはフッ素が配位した陰イオンを酸化珪素1Kg当たり、フッ素として0.01〜0.2モルさらに含有することを特徴とする請求項1ないし3に記載の研磨用組成物。
- 上下両面あるいは片面に研磨布を貼付した回転可能な定盤を有する研磨装置に、被加工物を載置押圧し、前記定盤及び被加工物の双方あるいは一方を回転させながら、前記請求項1ないし4に記載の研磨用組成物を用いて、被加工物を研磨することを特徴とする珪酸質材料の研磨方法。
- 珪酸質材料が、水晶またはガラスである請求項5に記載の研磨方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214173A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2007300070A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2009297815A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
WO2011016323A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
WO2011090686A3 (en) * | 2009-12-29 | 2011-10-06 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Coated abrasive backings with cloth treated with colloidal silicon oxide |
US20150021292A1 (en) * | 2008-06-11 | 2015-01-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425372A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-29 | Seiko Electronic Components Ltd | 両面研磨装置 |
JPH0699346A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Tipton Mfg Corp | 硬脆材料製溝付ローラのバレル研磨方法 |
JPH06330025A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | ガラス研磨用研磨材 |
JPH10172936A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JPH10172937A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JP2000008024A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
JP2001110761A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Tokuyama Corp | 金属膜用研磨剤 |
JP2001118815A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 |
WO2002031072A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Anam Semiconductor Inc. | Cmp slurry composition and a method for planarizing semiconductor device using the same |
JP2003183630A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2003209076A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤および基板の研磨方法 |
JP2003529662A (ja) * | 2000-03-31 | 2003-10-07 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | 研磨剤ならびに平面層の製造法 |
JP2003313543A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 硬脆材料用研磨剤組成物およびそれを用いた研磨方法 |
-
2003
- 2003-10-15 JP JP2003355225A patent/JP4291665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425372A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-29 | Seiko Electronic Components Ltd | 両面研磨装置 |
JPH0699346A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Tipton Mfg Corp | 硬脆材料製溝付ローラのバレル研磨方法 |
JPH06330025A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | ガラス研磨用研磨材 |
JPH10172936A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JPH10172937A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
JP2000008024A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
JP2001110761A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Tokuyama Corp | 金属膜用研磨剤 |
JP2001118815A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法 |
JP2003529662A (ja) * | 2000-03-31 | 2003-10-07 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | 研磨剤ならびに平面層の製造法 |
WO2002031072A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Anam Semiconductor Inc. | Cmp slurry composition and a method for planarizing semiconductor device using the same |
JP2004511900A (ja) * | 2000-10-12 | 2004-04-15 | アナン セミコンダクター インコーポレイテッド | Cmpスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の平坦化方法 |
JP2003183630A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2003209076A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤および基板の研磨方法 |
JP2003313543A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 硬脆材料用研磨剤組成物およびそれを用いた研磨方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214173A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2007300070A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2009297815A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
US20150021292A1 (en) * | 2008-06-11 | 2015-01-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
US9919962B2 (en) | 2008-06-11 | 2018-03-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polishing agent for synthetic quartz glass substrate |
WO2011016323A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
JPWO2011016323A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2013-01-10 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
WO2011090686A3 (en) * | 2009-12-29 | 2011-10-06 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Coated abrasive backings with cloth treated with colloidal silicon oxide |
US8940063B2 (en) | 2009-12-29 | 2015-01-27 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Coated abrasive backings with cloth treated with colloidal silicon oxide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4291665B2 (ja) | 2009-07-08 |
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