JP2017103441A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017103441A5 JP2017103441A5 JP2015245637A JP2015245637A JP2017103441A5 JP 2017103441 A5 JP2017103441 A5 JP 2017103441A5 JP 2015245637 A JP2015245637 A JP 2015245637A JP 2015245637 A JP2015245637 A JP 2015245637A JP 2017103441 A5 JP2017103441 A5 JP 2017103441A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- silicon substrate
- adhesive layer
- wheel
- bumped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 110
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 108
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 108
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 108
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 60
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims description 60
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 241000960387 Torque teno virus Species 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Description
本発明は、バンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法に関する。本発明の平坦化加工方法によれば、シリコン基板面の肉厚を150μm以下に研削加工減少させることが可能である。
バンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法に関しては、バンプの段差をバックグラインディングテープで完全に吸収できないことからシリコン基板面の肉厚を150μm以下に研削加工減少させること、および研削加工されたシリコン基板面のTTVを5.0μm以下とすることが不可能であった。
先に、本願発明者らは、特開2011−222877号公報(特許文献1)にて、バンプ付き基板の裏面を研削砥石で研削加工して基板を薄肉化する際に使用されるバンプ付き基板用チャックであって、ショア硬度A(JIS K7312)が0〜50、圧縮弾性率(JIS K7312)が1〜7Kgf/cm2、粘着強度(JIS Z0237)が0.01〜100gf/25mm幅、厚みがバンプ高さより5μm以上厚い100〜1,000μmのゲルシートを剛体製ロータリーテーブルの表面に接着剤を用いて貼着し、ついで、前記バンプ付き基板用チャックのゲルシートの表面にバンプ付き基板のバンプ面をゲルシート側に対向させながらシリコン基板面を押圧してバンプ面をゲルシート厚み内に埋没させて固定し、ついで、カップホイール型研削砥石を用いて前記バンプ付き基板裏面を研削加工して基板厚みを減少させることを特徴とするバンプ付きシリコン基板の裏面研削加工方法を提案した。
また、本願発明者らによる特許第5827277号公報(特許文献2)にて、次の工程を経て半導体装置のシリコン基板面からの銅貫通電極の頭出しを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提案した。
(1).半導体回路を形成したシリコン基板の表面側に孔を多数穿孔し、この穿孔内面に絶縁膜とシード層を設け、更にこのシード層内面空間に銅を充填した貫通電極柱を形成する工程。
(2).接着剤シート材または接着剤を用いて前記銅貫通電極が形成されたシリコン基板の表面を基板チャック上に貼付する工程。
(3).基板チャック上の前記銅貫通電極が形成されたシリコン基板の裏面をカップホイール型研削砥石によりシリコンおよび銅を同時に除く研削加工を行い、50nm以下のSi−Cu段差の平坦化表面を得る銅貫通電極の第一次頭出し加工を行う工程。この研削加工の際、基板の研削加工に供されていないカップホイール型砥石の刃先部分に高圧ジェット水を噴出させて刃先に付着した研削屑残滓や砥粒屑を洗い流す。
(4).前記シリコン基板の露出した銅貫通電極柱頭面にのみ、選択的にニッケル無電解メッキ層を形成させる工程。
(5).前記ニッケル無電解メッキ層の形成されていないシリコン面を、アルカリエッチングまたは化学的機械研磨加工して銅貫通電極の第二次頭出し加工を行う工程。
(6).前記銅貫通電極の第二次頭出し加工を行ったシリコン基板の表面に絶縁膜を堆積した後に、研磨加工またはエッチング加工により銅貫通電極柱上の前記絶縁膜を除去する工程。
(1).半導体回路を形成したシリコン基板の表面側に孔を多数穿孔し、この穿孔内面に絶縁膜とシード層を設け、更にこのシード層内面空間に銅を充填した貫通電極柱を形成する工程。
(2).接着剤シート材または接着剤を用いて前記銅貫通電極が形成されたシリコン基板の表面を基板チャック上に貼付する工程。
(3).基板チャック上の前記銅貫通電極が形成されたシリコン基板の裏面をカップホイール型研削砥石によりシリコンおよび銅を同時に除く研削加工を行い、50nm以下のSi−Cu段差の平坦化表面を得る銅貫通電極の第一次頭出し加工を行う工程。この研削加工の際、基板の研削加工に供されていないカップホイール型砥石の刃先部分に高圧ジェット水を噴出させて刃先に付着した研削屑残滓や砥粒屑を洗い流す。
(4).前記シリコン基板の露出した銅貫通電極柱頭面にのみ、選択的にニッケル無電解メッキ層を形成させる工程。
(5).前記ニッケル無電解メッキ層の形成されていないシリコン面を、アルカリエッチングまたは化学的機械研磨加工して銅貫通電極の第二次頭出し加工を行う工程。
(6).前記銅貫通電極の第二次頭出し加工を行ったシリコン基板の表面に絶縁膜を堆積した後に、研磨加工またはエッチング加工により銅貫通電極柱上の前記絶縁膜を除去する工程。
前記特許文献1のデバイスシリコン基板の平坦化加工方法では、従来技術と同じく、シリコン基板面の肉厚を100μm以下に研削加工減少させること、および研削加工されたシリコン基板面のTTVを3.5μm以下とすることが不可能であった。また、基板の研削枚数が増加するにつれて、ゲル材研削屑がカップホイール型砥石の刃先に付着し、10枚程度の基板の研削加工により研削砥石を新しい研削砥石に交換する必要に迫られ、基板研削加工による加工基板の大量生産に向かないことが判明した。
前記特許文献2の半導体装置の製造方法は、カップホイール型砥石の刃先に付着したシリコン研削屑や銅屑を洗い流す高圧ジェット洗浄技術を開示するが、樹脂粘着剤、ゲル化剤、接着剤屑を除去する示唆はなされていない。
本願発明者らは、特許文献1発明に、特許文献2発明の高圧ジェット洗浄技術を応用するに適した高圧ジェット洗浄溶液の圧力および噴射角度を見出すことにより、シリコン基板面の肉厚を50μm〜100μm未満までに研削加工減少させること、および研削加工されたシリコン基板面のTTVを2.0μm未満とすることが可能であるとの着想に到った。
請求項1の発明は、次の(1)から(5)の工程を経ることを特徴とするバンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法を提供するものである。
(1).バンプ付きデバイスシリコン基板のバンプ面に接着剤層を設ける。
(2).この接着剤層が上面となり前記バンプ付きデバイスシリコン基板のシリコン基板面が下面となるように前記バンプ付きデバイスシリコン基板を研削装置の吸着チャックに固定する。
(3).前記吸着チャックに固定された前記バンプ付きデバイスシリコン基板の前記接着剤層をカップホイール型研削砥石によりダウンフィード研削加工し、前記接着剤層の表面が前記バンプ付きデバイスシリコン基板のバンプを被覆している厚みまで前記接着剤層を研削加工除去し、この際、前記バンプ付きデバイスシリコン基板の前記接着剤層の研削加工に供されていないカップホイール型研削砥石の刃先部分に開口角度4〜15度の噴射ノズルより圧力5〜12MPaの高圧水を噴射し、前記刃先部分に付着した接着剤残滓を洗い流し、研削加工作業ステージ外へ排水する。
(4).ついで、前記研削装置の前記吸着チャックに前記研削加工された前記接着剤層を下面に前記シリコン基板面を上方にして前記バンプ付きデバイスシリコン基板を固定する。
(5).前記シリコン基板面に研削水溶液を供給しつつ、カップホイール型研削砥石を用いて前記シリコン基板面をダウンフィード研削加工し、前記バンプ付きデバイスシリコン基板のシリコン基板厚みが30〜100μmとなるまで研削加工を行う。
(1).バンプ付きデバイスシリコン基板のバンプ面に接着剤層を設ける。
(2).この接着剤層が上面となり前記バンプ付きデバイスシリコン基板のシリコン基板面が下面となるように前記バンプ付きデバイスシリコン基板を研削装置の吸着チャックに固定する。
(3).前記吸着チャックに固定された前記バンプ付きデバイスシリコン基板の前記接着剤層をカップホイール型研削砥石によりダウンフィード研削加工し、前記接着剤層の表面が前記バンプ付きデバイスシリコン基板のバンプを被覆している厚みまで前記接着剤層を研削加工除去し、この際、前記バンプ付きデバイスシリコン基板の前記接着剤層の研削加工に供されていないカップホイール型研削砥石の刃先部分に開口角度4〜15度の噴射ノズルより圧力5〜12MPaの高圧水を噴射し、前記刃先部分に付着した接着剤残滓を洗い流し、研削加工作業ステージ外へ排水する。
(4).ついで、前記研削装置の前記吸着チャックに前記研削加工された前記接着剤層を下面に前記シリコン基板面を上方にして前記バンプ付きデバイスシリコン基板を固定する。
(5).前記シリコン基板面に研削水溶液を供給しつつ、カップホイール型研削砥石を用いて前記シリコン基板面をダウンフィード研削加工し、前記バンプ付きデバイスシリコン基板のシリコン基板厚みが30〜100μmとなるまで研削加工を行う。
請求項2の発明は、上記(5)の研削加工工程において、研削加工される前記シリコン基板面にシリコン研削屑を活性化する光線を照射しながら前記ダウンフィード研削加工を行うことを特徴とするバンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法を提供するものである。
接着剤層の研削加工中、砥石刃先に付着した接着剤残滓は、高圧ジェット水により研削加工作業面より系外に排水されるので、研削砥石の研削性能が低下することはない。また、接着剤層の研削加工中にバンプ外郭と接着剤表面間に存在していた空気層の段差が研削砥石の荷重圧力により埋められるので、TTVが2.0μm未満のシリコン基板面を得ることが可能となった。
高圧水銀灯(活性光線照射光源)からシリコン基板面上に照射される紫外線光、または、プラズマ照射光の光線によりシリコン研削屑(SiO2粒)を含む研削水溶液が活性化され、TTVが1.5μm未満のシリコン基板面を得ることが可能となった。
図1において、研削装置1は、吸着チャック2(基板吸着チャック)、刃先3ga(砥石刃先)を台座に備えたカップホイール型研削砥石3gを備える砥石頭3、高圧水発生装置4、高圧水を噴射する噴射ノズル4a、研削水溶液(クーラント)を供給する研削水供給ノズル5、活性光線照射光源6を有する。バンプ付きデバイスシリコン基板wは、シリコン基板w1の上面にデバイス層w2が形成され、さらに、このデバイス層w2の表面にバンプw3(はんだボール)が設けられている。図1において、接着剤層t(バンプ付き基板用BGテープ)は、テープ基材t2(BGテープ基材層)により裏面を覆われている。
接着剤層tの接着剤t1(BGテープ粘着層)としては、紫外線硬化性粘着剤、硬化剤含有アクリル系粘着剤または接着剤、電子線照射硬化性粘着剤、ポリシリコンゲル剤等、市場に出回っている接着剤を利用できる。バンプw3への接着剤層t被覆は、図1に示すように、BGテープを利用してもよいが、接着剤t1を直接、バンプw3表面に塗布した後、接着剤t1表面をローラで押圧して接着剤層t表面を平坦化してもよい。接着剤t1の素材は、シリコン基板w1面の研削加工後、バンプw3面から除去しやすい接着剤を選ぶと良い。
図1に示す研削装置1を用いてバンプ付きデバイスシリコン基板wを平坦化研削加工する工程は、次のように行われる。
(1).バンプ付きデバイスシリコン基板wのバンプw3面に接着剤層tを設ける。
(2).この接着剤層tが上面にシリコン基板w1面が下面となるように研削装置1の吸着チャック2に固定する。
(3).吸着チャック2に固定されたバンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層tを砥番が3,000〜5,000のカップホイール型研削砥石3g(ダイアモンドカップホイール型研削砥石)を1,200〜1,500min−1の回転速度で、送り速度5〜15μm/分で回転速度250〜320min−1で回転しているバンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層t表面にダウンフィードし、ダウンフィード研削加工を開始する。接着剤層tの表面がバンプw3を被覆している厚みまで接着剤層tを研削加工除去する。この際、バンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層tの研削加工に供されていないカップホイール型研削砥石3gの刃先3ga部分に開口角度4〜15度の噴射ノズル4aより圧力5〜12MPaの高圧水を噴射し、刃先3gaに付着した接着剤層t残滓を洗い流し、研削加工作業ステージ外へ排水する。また、研削水供給ノズル5から研削水溶液(クーラント水)が接着剤層t面へ供給される。
(2).この接着剤層tが上面にシリコン基板w1面が下面となるように研削装置1の吸着チャック2に固定する。
(3).吸着チャック2に固定されたバンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層tを砥番が3,000〜5,000のカップホイール型研削砥石3g(ダイアモンドカップホイール型研削砥石)を1,200〜1,500min−1の回転速度で、送り速度5〜15μm/分で回転速度250〜320min−1で回転しているバンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層t表面にダウンフィードし、ダウンフィード研削加工を開始する。接着剤層tの表面がバンプw3を被覆している厚みまで接着剤層tを研削加工除去する。この際、バンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層tの研削加工に供されていないカップホイール型研削砥石3gの刃先3ga部分に開口角度4〜15度の噴射ノズル4aより圧力5〜12MPaの高圧水を噴射し、刃先3gaに付着した接着剤層t残滓を洗い流し、研削加工作業ステージ外へ排水する。また、研削水供給ノズル5から研削水溶液(クーラント水)が接着剤層t面へ供給される。
(4).ついで、研削装置1の吸着チャック2に上記研削加工された接着剤層tを下面にシリコン基板w1面を上方にして固定する。
(5).シリコン基板w1面に研削水溶液を供給しつつ、砥番400〜600のカップホイール型研削砥石3g(ダイアモンドカップホイール型研削砥石)を用い、これを1,200〜1,500min−1の回転速度で、送り速度150〜250μm/分で、回転速度250〜320min−1で回転しているバンプ付きデバイスシリコン基板wのシリコン基板w1表面にダウンフィードし、ダウンフィード研削加工を開始する。前記シリコン基板面w1をダウンフィード研削加工し、シリコン基板w1厚みが30〜100μmとなるまで研削加工を行う。この際、研削水供給ノズル5から研削水溶液(クーラント水)がシリコン基板w1面へ供給される。必要により、シリコン基板w1面にシリコン研削屑(SiO2)を活性化する紫外線光またはプラズマ光線を活性光線照射光源6から照射する。
研削水溶液としては、純水、イオン交換水、過酸化水素水、オゾン水、水素水などが利用できる。中でもpHが3〜6.5の研削水溶液がシリコン基板w1面の研削加工用に適している。
(6).研削加工後、研削加工されたシリコン基板w1’面を洗浄水で洗浄し、研削残滓を洗い流す。
実施例1
図1に示す研削装置1の吸着チャック2上に接着剤層tが上面に、シリコン基板w1面が下面となるように固定した。
図1に示す研削装置1の吸着チャック2上に接着剤層tが上面に、シリコン基板w1面が下面となるように固定した。
吸着チャック2に固定されたバンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層tを砥番が4,000のダイアモンドカップホイール型ビトリファイド研削砥石であるカップホイール型研削砥石3gを1,450min−1の回転速度で、送り速度10μm/分で、回転速度299min−1で回転しているバンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層t表面にダウンフィードし、ダウンフィード研削加工を開始した。接着剤層tの表面がバンプw3を被覆している厚みまで接着剤層tを研削加工除去した。この際、バンプ付きデバイスシリコン基板wの接着剤層tの研削加工に供されていないカップホイール型研削砥石3gの刃先3ga部分に開口角度4〜15度の噴射ノズル4aより圧力8MPaの高圧純水を噴射し、刃先3gaに付着した接着剤層t残滓を洗い流し、研削加工作業ステージ外へ排水した。また、研削水供給ノズル5から研削水溶液(クーラント水)が10リットル/分の量、接着剤層t面へ供給した。接着剤層tの粗さRyは、0.4μmであった。
ついで、研削装置1の吸着チャック2に上記研削加工された接着剤層tを下面にシリコン基板w1面を上方にして固定した。
シリコン基板w1面に研削水溶液を供給しつつ、砥番500のダイアモンドカップホイール型ビトリファイド研削砥石であるカップホイール型研削砥石3gを用い、これを1,450min−1の回転速度で、送り速度200μm/分で、回転速度299min−1で回転しているバンプ付きデバイスシリコン基板wのシリコン基板w1表面にダウンフィードし、ダウンフィード研削加工を開始した。前記シリコン基板w1面をダウンフィード研削加工し、シリコン基板w1厚みが約50μmとなるまで研削加工を行った。この際、研削水供給ノズル5から研削水溶液(クーラント水)をシリコン基板w1面へ10リットル/分の量を供給し続けた。
さらに、砥番8,000のダイアモンドカップホイール型ビトリファイド研削砥石であるカップホイール型研削砥石3gを用い、これを3,000min−1の回転速度で、送り速度15μm/分で、回転速度299min−1で回転しているバンプ付きデバイスシリコン基板wのシリコン基板w1表面にダウンフィードし、ダウンフィード仕上げ研削加工を開始した。前記シリコン基板w1面を仕上げタウンフィード研削加工し、シリコン基板w1厚みが50μmとなるまで研削加工を行った。この際、研削水供給ノズル5から研削水溶液(クーラント水)をシリコン基板w1面へ10リットル/分の量、供給し続けた。
得られたバンプ付きデバイスシリコン基板wの薄層化されたシリコン基板w1’面のTTVは、1.64μmであった。
実施例2
実施例1において、研削水としてpH6の過酸化水素水を用い、シリコン基板w1面に活性光線照射光源6より紫外線照射する外は同様にして、TTVが1.20μmのシリコン基板w1’面を有するバンプ付きデバイスシリコン基板wを得た。
実施例1において、研削水としてpH6の過酸化水素水を用い、シリコン基板w1面に活性光線照射光源6より紫外線照射する外は同様にして、TTVが1.20μmのシリコン基板w1’面を有するバンプ付きデバイスシリコン基板wを得た。
本発明のバンプ付きデバイスシリコン基板wの研削加工方法は、シリコン基板w1’厚み100μm未満、TTV 1.80μm以下のバンプ付きデバイスシリコン基板wを得ることができる。
1 研削装置
2 吸着チャック
3 砥石頭
3g カップホイール型研削砥石
3ga 刃先
4 高圧水発生装置
4a 噴射ノズル
5 研削水供給ノズル
6 活性光線照射光源
w バンプ付きデバイスシリコン基板
w1 シリコン基板
w1’ 薄層化されたシリコン基板
w2 デバイス層
w3 バンプ(はんだボール)
t 接着剤層
t1 接着剤
t2 テープ基材
t2’ 研削後のテープ基材
2 吸着チャック
3 砥石頭
3g カップホイール型研削砥石
3ga 刃先
4 高圧水発生装置
4a 噴射ノズル
5 研削水供給ノズル
6 活性光線照射光源
w バンプ付きデバイスシリコン基板
w1 シリコン基板
w1’ 薄層化されたシリコン基板
w2 デバイス層
w3 バンプ(はんだボール)
t 接着剤層
t1 接着剤
t2 テープ基材
t2’ 研削後のテープ基材
Claims (2)
- 次の(1)から(5)の工程を経ることを特徴とするバンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法。
(1).バンプ付きデバイスシリコン基板のバンプ面に接着剤層を設ける。
(2).この接着剤層が上面となり前記バンプ付きデバイスシリコン基板のシリコン基板面が下面となるように前記バンプ付きデバイスシリコン基板を研削装置の吸着チャックに固定する。
(3).前記吸着チャックに固定された前記バンプ付きデバイスシリコン基板の前記接着剤層をカップホイール型研削砥石によりダウンフィード研削加工し、前記接着剤層の表面が前記バンプ付きデバイスシリコン基板のバンプを被覆している厚みまで前記接着剤層を研削加工除去し、この際、前記バンプ付きデバイスシリコン基板の前記接着剤層の研削加工に供されていない前記カップホイール型研削砥石の刃先部分に開口角度4〜15度の噴射ノズルより圧力5〜12MPaの高圧水を噴射し、前記刃先部分に付着した接着剤残滓を洗い流し、研削加工作業ステージ外へ排水する。
(4).ついで、前記研削装置の前記吸着チャックに前記研削加工された前記接着剤層を下面に前記シリコン基板面を上方にして前記バンプ付きデバイスシリコン基板を固定する。
(5).前記シリコン基板面に研削水溶液を供給しつつ、カップホイール型研削砥石を用いて前記シリコン基板面をダウンフィード研削加工し、前記バンプ付きデバイスシリコン基板のシリコン基板厚みが30〜100μmとなるまで研削加工を行う。 - 請求項1記載の前記(5)の研削加工工程において、研削加工される前記シリコン基板面にシリコン研削屑を活性化する光線を照射しながら前記ダウンフィード研削加工を行うことを特徴とするバンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015245637A JP6616174B2 (ja) | 2015-12-01 | 2015-12-01 | バンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015245637A JP6616174B2 (ja) | 2015-12-01 | 2015-12-01 | バンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017103441A JP2017103441A (ja) | 2017-06-08 |
JP2017103441A5 true JP2017103441A5 (ja) | 2018-11-22 |
JP6616174B2 JP6616174B2 (ja) | 2019-12-04 |
Family
ID=59017036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015245637A Active JP6616174B2 (ja) | 2015-12-01 | 2015-12-01 | バンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6616174B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6980341B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-12-15 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP2019062146A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP2019059007A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP2019059008A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP2019081218A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP2019081217A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP2019081219A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社ディスコ | 保護部材の加工方法 |
JP7025249B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-02-24 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法。 |
TW202209548A (zh) | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 經加工的基材的製造方法、半導體元件的製造方法、及暫時黏合劑層形成用組成物 |
WO2023017832A1 (ja) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体加工用粘着シート付き半導体ウエハ |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001096461A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削砥石の目立て方法及び目立て装置 |
JP2014192464A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ |
JP5827277B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-12-02 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-12-01 JP JP2015245637A patent/JP6616174B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6616174B2 (ja) | バンプ付きデバイスシリコン基板の平坦化加工方法 | |
JP2017103441A5 (ja) | ||
US11450578B2 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
KR20180105571A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
TWI746645B (zh) | 半導體裝置的製造方法和半導體製造裝置 | |
JP5671510B2 (ja) | 半導体デバイス基板の研削方法 | |
CN110364482B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2019079884A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN110364481B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP5827277B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN113400101A (zh) | 磨削方法 | |
JP7154697B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2009269128A (ja) | 研削装置及び研削方法 | |
JP2009147044A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP7171138B2 (ja) | デバイスチップの製造方法 | |
JP2018006587A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
CN111347304A (zh) | 包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置 | |
JP2020170740A (ja) | 積層デバイスチップの製造方法 | |
JP2013021209A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP7490311B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP7251899B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP7118536B2 (ja) | 被加工物の切削加工方法 | |
JP2023101146A (ja) | 洗浄機構 | |
JP2021125518A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2023114076A (ja) | 被加工物の加工方法 |