JP2017092451A - Cmos駆動回路との間における磁気メモリ統合の実装 - Google Patents
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Abstract
Description
第 号という連番を有すると共に「IMPLEMENTING ENHANCED MAGNETIC MEMORY CELL」(H20141164US1)という名称を有する本譲受人及び発明者による関連出願が本出願と同日付けで出願されている。
102 第1導体
104 第2導体
1320 磁気メモリアレイ
1302 相補型金属酸化物半導体(CMOS)ウエハ
Claims (20)
- 相補型金属酸化物半導体(CMOS)駆動回路との間における磁気メモリの統合を実装する方法であって、
相補型金属酸化物半導体(CMOS)ウエハを形成するステップと、
前記CMOSウエハの上部において磁気メモリを形成して機能する磁気メモリチップを提供するステップと、
を有する方法。 - 前記相補型金属酸化物半導体(CMOS)ウエハを形成するステップは、第1プロセスにおいてCMOSウエハを成長させるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記CMOSウエハの上部において前記磁気メモリを形成して機能する磁気メモリチップを提供するステップは、磁気メモリウエハを形成するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記CMOSウエハと前記磁気メモリウエハを1つに接合するステップを含む請求項3に記載の方法。
- 前記磁気メモリウエハを形成するステップは、三次元(3D)のスケーラブルな磁気メモリアレイを形成するステップを含む請求項3に記載の方法。
- 前記三次元(3D)のスケーラブルな磁気メモリアレイを形成するステップは、磁気ピラーメモリセルを形成する単一のエッチングステップを含む請求項5に記載の方法。
- 前記三次元(3D)のスケーラブルな磁気メモリアレイを形成するステップは、個々のIDLによって分離されたワードプレーンの層間誘電体(IDL)積層体を堆積させるステップと、複数のピラー孔を形成するステップと、酸化物バリアによって前記ピラー孔を被覆するステップと、前記ピラー孔の内部において第1導体M1及び第2導体M2を堆積させ、これにより、磁気ピラーメモリセルを形成するステップと、を含む請求項5に記載の方法。
- 個々のプレーンレベルにおけるすべての磁気ピラーメモリセルによってそれぞれの前記個々のワードプレーンを共有するステップと、前記個々のピラーホールの内部の前記磁気ピラーメモリセルによってのみ、1つのビットラインを共有するステップと、を含む請求項7に記載の方法。
- 電界によって導電性フィラメントを生成する能力を可能にする仕上げにより、前記磁気メモリウエハ及び前記CMOSウエハを処理するステップを含む請求項3に記載の方法。
- 前記磁気メモリ及び前記CMOSウエハを接合するステップと、一連のダイスに切断するステップと、を含む請求項9に記載の方法。
- 前記機能する磁気メモリチップのための電気的接続を提供するべく前記導電性フィラメントを形成するために、前記磁気メモリ及び前記CMOSウエハダイスを起動するステップを含む請求項10に記載の方法。
- 前記CMOSウエハの上部において前記磁気メモリを形成して機能する磁気メモリチップを提供するステップは、前記CMOSウエハ内においてアライメントマークを露出させるための予備的エッチングを実行するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 磁気メモリセルのピラーを成長させるべく前記アライメントマークを使用するステップを含む請求項12に記載の方法。
- 前記磁気メモリセルのピラーは、磁性材料から形成された第1導体M1と、前記導体M1よりも大きな導電性を有する前記第2導体M2と、を含み、且つ、前記第2導体M2を成長させるステップと、非磁性スペーサ層によって前記第2導体M2を被覆するステップと、前記被覆された第2導体M2上において前記第1磁気導体M1を成長させるステップと、を含む請求項13に記載の方法。
- 個々のIDLによって分離されたワードプレーンの層間誘電体(IDL)積層体を堆積させるステップを含む請求項13に記載の方法。
- 個々のプレーンレベル内のすべての磁気ピラーメモリセルによってそれぞれの前記個々のワードプレーンを共有するステップと、前記磁気メモリセルのピラー内においてのみ、1つのビットラインを共有するステップと、を含む請求項15に記載の方法。
- 前記IDL積層体内においてビアを形成するステップと、その他の導電性電気接続を形成するステップと、を含む請求項15に記載の方法。
- 相補型金属酸化物半導体(CMOS)駆動回路と統合された磁気メモリであって、
相補型金属酸化物半導体(CMOS)ウエハと、
機能する磁気メモリチップを提供する、前記CMOSウエハの上部において形成された磁気メモリと、
を有する磁気メモリ。 - 前記CMOSウエハの上部において形成された前記磁気メモリは、磁気メモリセルのピラーのアレイと、個々のIDLによって分離されたワードプレーンの層間誘電体(IDL)積層体と、を含む請求項18に記載の磁気メモリ。
- 前記CMOSウエハの上部において形成された前記磁気メモリは、前記相補型金属酸化物半導体(CMOS)ウエハに接合された磁気メモリアレイを含む磁気メモリウエハを含む請求項18に記載の磁気メモリ。
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