JP2013197406A - 磁気抵抗素子および磁気メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。
【選択図】図1
Description
第1実施形態による磁気抵抗素子を図1に示す。図1は第1実施形態の磁気抵抗素子1の断面図である。この実施形態の磁気抵抗素子1はMTJ素子であって、下地層100上に、強磁性層2、非磁性層4(以下、トンネルバリア層4ともいう)、および強磁性層8がこの順序で積層された構造を有している。下地層100は、強磁性層2および強磁性層2より上の層の結晶配向性、結晶粒径などの結晶性を制御するために用いられるが、詳細な性質については後述する。強磁性層2および強磁性層8の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。MTJ素子の抵抗値はトンネルバリアを介して配される二つの磁性層の磁化方向の角度により決まる。外部磁場あるいは素子に流す電流により磁化方向の角度を制御することができる。その際、二つの磁性層の保磁力の大きさに差をつけることにより、より安定的に磁化方向の角度を制御することが可能となる。ここでは保磁力の大きい磁性層を参照層、保磁力の小さな磁性層を記憶層と呼ぶ。したがって、一般的には参照層に用いる場合にはより大きな保磁力、記憶層に用いる場合にはより小さな保磁力を持つことが望まれる。MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜は、組成変調をすることで飽和磁化と保磁力の制御が可能であるために、強磁性層2および強磁性層8に適用可能である。
図2に、第2実施形態による磁気抵抗素子1Aを示す。この磁気抵抗素子1Aは、図1に示す第1実施形態の磁気抵抗素子1において、非磁性層4と強磁性層8との間に界面磁性層6を設けた構成になっている。このうち、強磁性層2および界面磁性層6のうち少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。
図3に、第3実施形態による磁気抵抗素子1Bを示す。この磁気抵抗素子1Bは、図1に示す第1実施形態の磁気抵抗素子1において、強磁性層2と非磁性層4との間に界面磁性層3を挿入するとともに、非磁性層4と強磁性層8との間に界面磁性層6を挿入した構成となっている。このうち、界面磁性層3および界面磁性層6のうち少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。界面磁性層3および界面磁性層6の詳細な性質については後述する。
図4に、第4実施形態による磁気抵抗素子1Cを示す。この磁気抵抗素子1Cは、図3に示す第3実施形態の磁気抵抗素子3において、強磁性層8上に非磁性層10、強磁性層11を積層した構成となっている。なお、本実施形態においては、界面磁性層6と強磁性層8が参照層となっている。強磁性層11はバイアス層とも呼ばれ、強磁性層8とは、磁化の向きが反平行(逆向き)の磁化を有している。強磁性層11は、非磁性層10を介して強磁性層8と反強磁性結合(Synthetic Anti-Ferromagnetic結合)していてもよい。これにより、界面磁性層6と強磁性層8より成る参照層からの漏れ磁場による界面磁性層3と強磁性層2より成る記憶層の反転電流のシフトを緩和および調整することが可能となる。非磁性層10は、強磁性層8と強磁性層11とが熱工程によって混ざらない耐熱性、および強磁性層11を形成する際の結晶配向を制御する機能を具備することが望ましい。
なお、第4実施形態で説明した強磁性層11は、第1乃至第2実施形態の磁気抵抗素子にも適用することができる。この場合、参照層となる強磁性層上に非磁性層10を間に挟んで積層される。
次に、単結晶構造の磁性膜を有するMTJ素子(以下、単結晶MTJ素子ともいう)の製造方法について説明する。第1乃至第4実施形態のいずれかの磁気抵抗素子(MTJ素子)は、強磁性層2および強磁性層8のうちの少なくとも一方が単結晶構造を備えていることが好ましい。これは、膜面内方向の結晶配向が一方向にそろった単結晶構造の磁性膜を形成することにより、膜面内の磁気結合が強くなることで磁気特性のばらつきを大幅に抑制できる。また、結晶粒界の形成が抑制されるので原子レベルで平坦であり且つ結晶性の良い磁性膜や絶縁層を形成できるので従来のMTJ素子に比べより大きな磁気抵抗比(MR比)が得られることも期待できる。したがって数十Gbitの大容量MRAMの実現のためには単結晶MTJ素子の製造が必要となる。
強磁性層2は垂直磁化膜であり、かつ高い熱擾乱耐性と低電流での磁化反転とを両立するためには、飽和磁化Msが小さく、熱擾乱指数Δを維持するに足る高い磁気異方性Kuを持ち、また、高分極率を示す材料であることが好ましい。このような要請を満たす材料としてMn、Al、およびGeを含むMnAlGe合金磁性材料が考えられる。以下により具体的に説明する。
下地層100は、強磁性層2および強磁性層2より上の層の結晶配向性、結晶粒径などの結晶性を制御するために用いられる。そのため、下地層100の材料の選択が重要となる。以下に下地層100の材料および構成について説明する。なお、下地層としては、導電性および絶縁性のいずれでもよいが、下地層に通電する場合には導電性材料を用いることが好ましい。
非磁性層4は、導電性および絶縁性のいずれでもよいが、絶縁材料から形成されたトンネルバリア層を用いることが好ましい。非磁性層4は、隣接する強磁性層または界面磁性層との適切な組み合わせにより、選択的なトンネル伝導と高い磁気抵抗比が実現できる。そのため、非磁性層4の材料の選択が重要となる。以下に非磁性層4の材料について説明する。
ここでa(MgO)、a(MnAlGe)はそれぞれ膜面内方向のMgOおよびMnAlGeの格子定数である。格子ミスマッチが大きいと、格子歪みによる界面エネルギーを低減させるために界面に転移などが生成される。その場合、結晶粒の間でエピタキシャル関係が成立し、膜面内にわたって均一にエピタキシャル成長させることは困難である。MTJ素子に電流を流すと転移が電子の散乱源になるために磁気抵抗比は低減されてしまう。したがって、転移を発生させず膜面内に均一にエピタキシャル成長させるためには、格子ミスマッチがより小さい材料で積層させることが重要である。そのため、格子ミスマッチの観点から非磁性層としては、ペロブスカイト系酸化物、スピネル系酸化物、NaCl構造酸化物の順に適している。
強磁性層8は膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、かつ飽和磁化Msが小さく、熱擾乱指数Δを維持するに足る高い磁気異方性Kuを持ち、また、高保磁力と高分極率を示す材料であることが好ましい。このような要請を満たす材料としてMn、Al、およびGeを含むMnAlGe合金磁性材料が考えられる。以下により具体的に説明する。
界面磁性層3および界面磁性層6は垂直磁化膜であり、かつ高い熱擾乱耐性と低電流での磁化反転とを両立するためには、飽和磁化Msが小さく、熱擾乱指数Δを維持するに足る高い磁気異方性Kuを持ち、また、高分極率を示す材料であることが好ましい。このような要請を満たす材料としてMn、Al、およびGeを含むMnAlGe合金磁性材料が考えられる。以下により具体的に説明する。
次に、第5実施形態によるスピン注入書き込み型の磁気メモリ(MRAM)について説明する。
2 記憶層
3 界面磁性層
4 非磁性層(トンネルバリア層)
6 界面磁性層
8 参照層
10 非磁性層
11 強磁性層(シフト磁界調整層)
20a、20b 金属接着層
200 単結晶基板
220 基板
Claims (11)
- 第1磁性層と、
前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、
前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、
を備え、
前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、単結晶構造を有していることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗素子。
- 前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間、および前記第2磁性層と前記第1非磁性層との間の少なくとも一方に、第3磁性層が挿入されることを特徴とする請求項1または2記載の磁気抵抗素子。
- 前記第3磁性層はMn、Al、Geの群から選択される少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗素子。
- 前記第3磁性層はCo、Fe、Niの群から選択される少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗素子。
- 前記第1非磁性層は、
Mg、Ca、Ba、Al、Be、Sr、Zn、Ti、V、Nbの群から選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物、または
Sr、Ce、Dy、La、K、Ca、Na、Pb、Baの群から選択される少なくとも1つの元素と、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Nb、Mo、Ru、Ir、Ta、Ce、Pbの群から選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物、
のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の磁気抵抗素子。 - 前記第1磁性層は下地層上に設けられており、
前記下地層は、
Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ceの群から選択される少なくとも1つの元素を含むNaCl構造を有する窒化物の層、
Sr、Ce、Dy、La、K、Ca、Na、Pb、Baの群から選択される少なくとも1つの元素と、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Nb、Mo、Ru、Ir、Ta、Ce、Pbの群から選択される少なくとも1つの元素とを含む酸化物の層、
Mg、Al、Ceの群から選択される少なくとも1つの元素を含むNaCl構造を有する酸化物の層、
Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Auの群から選択される少なくとも1つの元素を含み、(001)配向した正方晶構造または立方晶構造を有する層、
のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気抵抗素子。 - 前記第1および第2磁性層はそれぞれが膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、前記第1非磁性層を介して前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に書き込み電流を流したときに、前記第1磁性層は磁化方向が可変でかつ前記第2磁性層は磁化方向が不変であり、
前記第2磁性層に対して前記第1非磁性層と反対側に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化方向が前記第2磁性層の磁化方向と互いに反平行な第4磁性層と、前記第2磁性層と前記第4磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、を更に備え、
前記第2磁性層の飽和磁化をMs2、膜厚をt2とし、前記第4磁性層の飽和磁化をMs4、膜厚をt4とするとき、
Ms2×t2<Ms4×t4
の関係を満たすことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気抵抗素子。 - 前記第1および第2磁性層はそれぞれが膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、前記第1非磁性層を介して前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に書き込み電流を流したときに、前記第1磁性層は磁化方向が不変でかつ前記第2磁性層は磁化方向が可変であり、
前記下地層に対して前記第1磁性層と反対側に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化方向が前記第1磁性層の磁化方向と互いに反平行な第4磁性層を更に備え、
前記第1磁性層の飽和磁化をMs1、膜厚をt1とし、前記第4磁性層の飽和磁化をMs4、膜厚をt4とするとき、
Ms1×t1<Ms4×t4
の関係を満たすことを特徴とする請求項7記載の磁気抵抗素子。 - 前記第1および第2磁性層はそれぞれが膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、前記第1非磁性層を介して前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に書き込み電流を流したときに、前記第1磁性層は磁化方向が可変でかつ前記第2磁性層は磁化方向が不変であり、
前記下地層に対して前記第1磁性層と反対側に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化方向が前記第2磁性層の磁化方向と互いに反平行な第4磁性層を更に備え、
前記第2磁性層の飽和磁化をMs2、膜厚をt2とし、前記第4磁性層の飽和磁化をMs4、膜厚をt4とするとき、
Ms2×t2>Ms4×t4
の関係を満たすことを特徴とする請求項7記載の磁気抵抗素子。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子の前記第1磁性層と電気的に接続する第1配線と、
前記磁気抵抗素子の前記第2磁性層と電気的に接続する第2配線と、
を備えていることを特徴とする磁気メモリ。
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