JP2017088422A - フェライト及びフェライトの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】飽和磁束密度が大きく、直流重畳特性が良好なフェライトの提供。【解決手段】主成分原料として、Fe2O3を45〜50mol%、ZnOを10〜30mol%、CuOを0〜15mol%、MnOを2.5〜12mol%、残部にNiOを含む。また、副成分原料として、TiをTiO2換算で0〜3wt%、LiをLiCl換算で0〜1.5wt%を含むフェライト。更に、副成分原料として、NbをNb2O5換算で0〜1wt%含んでよいフェライト。そして、主成分原料及び副成分原料を混合S02、成形S08し、大気中にて焼成S09してなるフェライト。【選択図】図1

Description

本発明は、フェライト及びフェライトの製造方法に関する。
従来、電源回路等に用いられるトランスやコイル等のフェライトコアには、Mn系フェライトが用いられている。これは、Mn系フェライトは、Ni系フェライトと比べ低損失であり、高い磁気特性を有するためである。
近年、電子機器の小型化が進んでおり、トランスやコイル等も小型化が求められ、これに伴い、トランスやコイル等のフェライトコアも小型化が進められてきている。しかし、Mn系フェライトコアでは、その抵抗が低いためにコアに直接巻線することができず、トランスやコイル等の小型化に限界がある。
そこで、例えば特許文献1及び特許文献2に示されるように、トランスやコイル等のフェライトコアに、Ni系フェライトを用いる技術が提案されている。Ni系フェライトコアは、その抵抗が高いためコアに直接巻線することができ、トランスやコイル等の小型化を可能とする。
特開2002−289421号公報 特開2003−321272号公報
しかしながら、上記の従来技術では、Ni系フェライトコアは、飽和磁束密度が小さいため、直流重畳特性が劣るという問題がある。すなわち、Ni系フェライトコアは、小さいコイル電流(励磁電流)であっても磁気飽和が生じるため、直流重畳電流が低電流領域にあってもインダクタンスが大きく変動するという問題がある。
本願の開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、飽和磁束密度が大きく、直流重畳特性が良好なフェライトを提供することを目的とする。
本願の開示の技術は、例えば、フェライトは、主成分原料として、Feを45〜50mol%、ZnOを10〜30mol%、CuOを0〜15mol%、MnOを2.5〜12mol%、残部にNiOを含み、副成分原料として、TiをTiO換算で0〜3wt%、LiをLiCl換算で0〜1.5wt%を含んだことを特徴とする。
また、本願の開示の技術は、例えば、フェライトは、副成分原料として、NbをNb換算で0〜1wt%さらに含んだことを特徴とする。
開示の技術によれば、例えば、飽和磁束密度が大きく、直流重畳特性が良好なフェライトを提供することができる。
図1は、実施形態に係るフェライトの製造手順の一例を示す図である。
[実施形態]
実施形態に係るフェライトは、主成分原料に、透磁率及び飽和磁束密度を確保するために第1の副成分原料が添加されたものである。さらに、実施形態に係るフェライトは、主成分原料に、焼結性を確保するために、第2の副成分原料が添加されたものである。実施形態に係る磁性材料においては、第1の副成分原料及び第2の副成分原料(以下、第1の副成分原料及び第2の副成分原料を、副成分原料と総称する場合がある)の種類及び添加量が最適化される。この最適化によって、適切な焼成温度で、密度が十分に確保された焼結体(磁性磁器組成物)が得られるとともに、その磁性磁器組成物が十分高い透磁率及び飽和磁束密度を有する。例えば、トランスやコイル等の電源回路等の内部に、実施形態に係るフェライトを適用することにより、高い抵抗を有するフェライトにコイルを直接巻線でき、優れた直流重畳特性の小型のトランス等を得ることができる。
実施形態の一例に係るフェライトは、主成分原料として、Feを45〜50mol%、ZnOを10〜30mol%、CuOを0〜15mol%、MnOを2.5〜12mol%、NiOを残部として含有するNi−Zn系フェライトにおいて、Fe及びMnOを合計で50mol%以上含有し、第1の副成分原料として、TiをTiO換算で0〜3wt%、LiをLiCl換算で0〜1.5wt%含有する。これにより、実施形態の一例に係るフェライトは、MnOの含有量を増加させたことによりNi−ZnフェライトにおいてMn置換量が増加しても、大気中焼成によるフェライトの酸化を防止するとともに、異相の生成を抑制するので、飽和磁束密度を得ることができる。
さらに、実施形態の一例に係るフェライトは、第2の副成分原料として、NbをNb換算で0〜1wt%を含有する。これにより、大気中での焼成の際のフェライトの焼結性を改善してより低温での焼成を可能として焼結性を高めるとともに、透磁率を高めることができる。
[実施形態に係るフェライト焼成物の製造方法]
図1は、実施形態に係るフェライトの製造手順の一例を示す図である。先ず、フェライトの主成分原料を秤量する(ステップS01)。例えば、実施形態に係るフェライトの主成分原料において、Feを45〜50mol%、ZnOを10〜30mol%、CuOを0〜15mol%、MnOを2.5〜12mol%、残部にNiOを秤量する。
次に、ステップS01により秤量されたフェライトの主成分原料、つまり、Fe、ZnO、CuO、MnO、NiOを、湿式ボールミル等を用いて、例えば1時間にわたり湿式混合する(ステップS02)。
次に、ステップS02により混合されたフェライトの主成分原料の混合物を乾燥させ、乾燥後、大気中で例えば2時間にわたり850℃で仮焼成する(ステップS03)。次に、ステップS03により仮焼成されたフェライトの主成分原料の混合物を、例えばボールミルを用いて48時間にわたり、所定粒度になるまで粉砕する(ステップS04)。そして、TiOを0〜3wt%、LiClを0〜1.5wt%(以上、第1の副成分原料)秤量する(ステップS05)。なお、ステップS05において、第1の副成分原料に加え、Nbを0〜1wt%(以上、第2の副成分原料)秤量してもよい。
次に、ステップS04により粉砕して得られた粉砕物に、ステップS05により秤量されたフェライトの副成分原料を十分に混合する(ステップS06)。このようにして、フェライトの原料の組成が定まる。
次に、上述したステップS01〜S06で生成した混合物であるフェライトの原料にバインダー(PVA溶液等)を適宜添加して、適切な大きさの粒体となるように造粒を行う(ステップS07)。
次に、ステップS07による造粒によって得られた造粒物を、例えばトロイダル状に成形する(ステップS08)。次に、ステップS08による成形によって得られた成形物を、例えば1150℃の焼成温度で3時間にわたり大気中で焼成する(ステップS09)。ステップS09による焼成により、フェライトの原料が焼成されたフェライトが得られる。
開示の技術に係るフェライトの主成分原料の組成及び副成分原料の添加重量比を規定するにあたり、先ず、主成分原料のうちMnOのmol%を求めた。下記の(表1)は、主成分原料として、Feを49.5mol%、ZnOを20mol%、NiOを10.5〜22.5mol%、CuOを8mol%、MnOを0〜12mol%含有するNi−Zn系フェライトについて、副成分原料を添加せず、NiO及びMnOの各mol%をNiO+MnO=22.5mol%の条件下で変化させたときの各サンプルの透磁率μ、飽和磁束密度Bs[mT]、密度D[g/m]、焼成温度[℃]を示す。
Figure 2017088422
(表1)に示すサンプル11は、主成分原料にMnOを含有しない例を示す。以下、透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが、サンプル11(以下、比較例と呼ぶ)の透磁率μ及び飽和磁束密度Bs以上のサンプルを合格サンプルとした。また、各サンプルの密度D、焼成温度が、それぞれ、概ね5.0〜5.1[g/m]、概ね1000〜1200[℃]である場合に、このサンプルを合格サンプルとした。なお、(表1)及び下記の(表2)〜(表4)において、合格サンプルは、サンプル13〜16、21〜23、31〜36、41〜46である。
(表1)に示すサンプル13〜16は、主成分原料にMnOを2.5〜12mol%含有することにより、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが向上した。サンプル13〜16は、密度D、焼成温度が、いずれも、それぞれ、5.0〜5.1[g/m]、1000〜1200[℃]であった。また、サンプル16よりもさらにMnOを12mol%より増加させたとしても、サンプル13〜16から分かるとおり、MnOのmol%が増大するにつれて飽和磁束密度Bsが低下するため、比較例と比べて飽和磁束密度Bsが下回り、合格サンプルとはならない。
以上から、透磁率μ及び飽和磁束密度Bsの向上は、主成分原料において、MnOが2.5mol%以上12mol%以下の組成比である場合に得られたとして、主成分原料におけるMnOのmol%の組成比の最大値を12mol%、最小値を2.5mol%と判断できる。よって、MnOの適正組成比は、2.5mol%以上12mol%以下と規定することができる。
次に、開示の技術に係るフェライトの副成分原料の添加重量比を規定するため、主成分原料のmol%を固定し、副成分原料のうちTiOのwt%を求めた。下記の(表2)は、主成分原料として、Feを49.5mol%、ZnOを20mol%、NiOを17.5mol%、CuOを8mol%、MnOを5mol%含有するNi−Zn系フェライトについて、添加する副成分原料のwt%を変化させたときの各サンプルの透磁率μ、飽和磁束密度Bs[mT]、密度D[g/m]、焼成温度[℃]を示す。
Figure 2017088422
(表2)に示すサンプル21は、副成分材料を全く添加しない例であり、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが向上した。また、(表2)に示すサンプル22〜23は、LiClを0.5wt%、Nbを0.15wt%と添加重量比を固定し、TiOを1〜3wt%添加することにより、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが向上した。一方、(表2)に示すサンプル24は、LiClを0.5wt%、Nbを0.15wt%と固定し、TiOを5wt%添加することにより、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが低下した。特に、透磁率が向上した。サンプル21〜24は、いずれも、密度D、焼成温度が、それぞれ、5.1[g/m]、1100〜1200[℃]であった。
なお、(表2)の各サンプルは、MnOのmol%を5wt%とした。しかし、(表2)のサンプル22〜23から、MnOのmol%が一定であれば、TiOのwt%が増大するにつれて飽和磁束密度Bsが低下する。また、(表1)のサンプル13〜16から分かるとおり、MnOのmol%を5wt%より増加させても、増加に応じて飽和磁束密度Bsが低下するだけである。さらに、(表1)のサンプル13〜14から分かるとおり、MnOを、2.5mol%としても5mol%としても、飽和磁束密度Bsは477mT、470mTと大差なく、MnOのmol%増加に応じて、飽和磁束密度Bsが若干低下しただけである。よって、(表2)に示すように、MnOを5mol%としてTiOのwt%の最大値及び最小値を定めてもよい。
以上から、透磁率μ及び飽和磁束密度Bsの向上は、主成分原料に添加する副成分原料としてTiOを0wt%以上3wt%以下の添加重量比である場合に得られたとして、副成分原料であるTiOの添加重量比の最大値を3wt%、最小値を0wt%と判断できる。よって、TiOの適正添加重量比は、0wt%以上3wt%以下と規定することができる。
また、下記の(表3)に示すサンプル31〜33は、主成分原料として、Feを49.5mol%、ZnOを20mol%、NiOを18.5mol%、CuOを8mol%、MnOを4mol%含有するNi−Zn系フェライトについて、副成分原料としてTiOを1wt%、Nbを0.15wt%と添加重量比を固定し、LiClを0〜1wt%添加したときの各サンプルの透磁率μ、飽和磁束密度Bs[mT]、密度D[g/m]、焼成温度[℃]を示す。
Figure 2017088422
(表3)に示すサンプル31〜33は、LiClを0〜1wt%添加することにより、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが向上した。また、サンプル31〜33は、いずれも、密度D、焼成温度が、それぞれ、5.1〜5.2[g/m]、1000[℃]であった。また、サンプル33と比較して、さらにLiClを1wt%より増加させたとしても、サンプル32〜33から分かるとおり、LiClのwt%が増大するにつれて飽和磁束密度Bsが低下するため、比較例と比べて飽和磁束密度Bsが下回り、合格サンプルとはならない。
よって、透磁率μ及び飽和磁束密度Bsの向上は、主成分原料に添加する副成分原料としてLiClを0wt%以上1wt%以下の添加重量比である場合に得られたとして、副成分原料であるLiClの添加重量比の上限値を1wt%、最小値を0wt%と判断できる。
さらに、(表3)に示すサンプル34〜36は、主成分原料として、Feを49.5mol%、ZnOを20mol%、NiOを16.5mol%、CuOを8mol%、MnOを6mol%含有するNi−Zn系フェライトについて、副成分原料としてTiOを3wt%、Nbを0.15wt%と添加重量比を固定し、LiClを1〜2wt%添加したときの各サンプルの透磁率μ、飽和磁束密度Bs[mT]、密度D[g/m]、焼成温度[℃]を示す。
(表3)に示すサンプル34〜35は、LiClを1〜1.5wt%添加することにより、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが向上した。一方、(表3)に示すサンプル36は、LiClを2wt%添加することにより、比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが低下した。また、サンプル34〜35は、いずれも、密度D、焼成温度が、それぞれ、5〜5.1[g/m]、1200[℃]であった。一方、サンプル36は、密度D、焼成温度が、それぞれ、4.8[g/m]、1200[℃]であった。また、サンプル36と比較して、さらにLiClを2wt%より増加させたとしても、比較例と比べて飽和磁束密度Bsが下回るため、合格サンプルとはならない。
以上から、LiClの適正添加重量比をまとめると、適正添加重量比は、0wt%以上1.5wt%以下と規定することができる。
また、下記の(表4)に示すサンプル41〜46は、主成分原料として、Feを49.5mol%、ZnOを20mol%、NiOを19.5mol%、CuOを8mol%、MnOを3mol%含有するNi−Zn系フェライトについて、副成分原料としてTiOを1wt%、LiClを0.5wt%と添加重量比を固定し、Nbを0〜1wt%添加したときの各サンプルの透磁率μ、飽和磁束密度Bs[mT]、密度D[g/m]、焼成温度[℃]を示す。
Figure 2017088422
(表4)に示すサンプル41〜46は、いずれも比較例に対して透磁率μ及び飽和磁束密度Bsが向上した。また、サンプル41〜46は、いずれも、密度D、焼成温度が、それぞれ、5〜5.1[g/m]、1100[℃]であった。また、サンプル46と比較して、さらにMnOを12mol%より増加させたとしても、比較例と比べて飽和磁束密度Bsが下回るため、合格サンプルとはならない。
以上から、透磁率μ及び飽和磁束密度Bsの向上は、主成分原料に添加する副成分原料としてNbを0wt%以上1wt%以下の添加重量比である場合に得られたとして、副成分原料であるNbの添加重量比の最大値を1wt%、最小値を0wt%と判断できる。よって、Nbの適正添加重量比は、0wt%以上1wt%以下と規定することができる。
なお、実施形態に係るフェライトを積層インダクタ内に配置するには、成形の際にフェライトの原料をシート状に成形し、シート状のフェライトの原料を、シート状の磁性層とともに積層する。そして、シート状のフェライトの原料と磁性層とが積層された積層体を焼成して焼結体にするとしてもよい。

Claims (4)

  1. 主成分原料として、
    Feを45〜50mol%、ZnOを10〜30mol%、CuOを0〜15mol%、MnOを2.5〜12mol%、残部にNiO
    を含み、
    副成分原料として、
    TiをTiO換算で0〜3wt%、LiをLiCl換算で0〜1.5wt%
    を含んだことを特徴とするフェライト。
  2. 前記副成分原料として、
    NbをNb換算で0〜1wt%
    さらに含んだことを特徴とする請求項1に記載のフェライト。
  3. Feを45〜50mol%、ZnOを10〜30mol%、CuOを0〜15mol%、MnOを2.5〜12mol%、残部にNiOを含んだフェライトの主成分原料を仮焼成する仮焼成ステップと、
    前記仮焼成ステップにより仮焼成したフェライトの主成分原料を所定粒度になるまで粉砕する粉砕ステップと、
    前記粉砕ステップにより粉砕されたフェライトの主成分原料に、TiをTiO換算で0〜3wt%、LiをLiCl換算で0〜1.5wt%を含んだ副成分原料を混合し、混合物を生成する混合物生成ステップと、
    前記混合物にバインダーを添加して造粒物を生成する造粒ステップと、
    前記造粒ステップにより生成された造粒物を所定形状の成形物に成形する成形ステップと、
    前記成形ステップにより成形された成形物を、大気中にて焼成する焼成ステップと
    を含んだことを特徴とするフェライトの製造方法。
  4. 前記副成分原料として、
    NbをNb換算で0〜1wt%
    さらに含んだことを特徴とする請求項3に記載のフェライトの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113004031A (zh) * 2021-04-19 2021-06-22 西南科技大学 一种微波铁氧体材料及其制备与应用方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08104562A (ja) * 1994-09-30 1996-04-23 Taiyo Yuden Co Ltd 酸化物磁性材料
JPH09270314A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Taiyo Yuden Co Ltd フェライト材料及びフェライト
JPH11219812A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Tokin Corp 酸化物磁性材料
JP2002289421A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Tdk Corp 酸化物磁性材料、フェライトコア、コイル部品およびトランス
CN1587193A (zh) * 2004-08-19 2005-03-02 浙江大学 低温度系数、低损耗和高饱和磁通密度铁氧体材料及制备方法
JP2006151742A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Tdk Corp フェライト材料およびそれを用いた電子部品
KR20120115810A (ko) * 2011-04-11 2012-10-19 주식회사 이엠따블유 NiZnCu 페라이트 및 이의 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08104562A (ja) * 1994-09-30 1996-04-23 Taiyo Yuden Co Ltd 酸化物磁性材料
JPH09270314A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Taiyo Yuden Co Ltd フェライト材料及びフェライト
JPH11219812A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Tokin Corp 酸化物磁性材料
JP2002289421A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Tdk Corp 酸化物磁性材料、フェライトコア、コイル部品およびトランス
CN1587193A (zh) * 2004-08-19 2005-03-02 浙江大学 低温度系数、低损耗和高饱和磁通密度铁氧体材料及制备方法
JP2006151742A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Tdk Corp フェライト材料およびそれを用いた電子部品
KR20120115810A (ko) * 2011-04-11 2012-10-19 주식회사 이엠따블유 NiZnCu 페라이트 및 이의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113004031A (zh) * 2021-04-19 2021-06-22 西南科技大学 一种微波铁氧体材料及其制备与应用方法

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