JP2017085106A - 容量素子、半導体装置、モジュールおよび電子機器の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の導電体と、第2の導電体と、絶縁体と、を有し、第1の導電体は、第2の導電体と、絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを有し、絶縁体は、第1の導電体を酸化することによって形成される酸化シリコン膜を有する容量素子。
【選択図】図1
Description
本発明の一態様は、第1の導電体と、第2の導電体と、絶縁体と、を有し、第1の導電体は、第2の導電体と、前絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを有し、絶縁体は、第1の導電体を酸化することによって形成される酸化シリコン膜を有することを特徴とする容量素子である。
本発明の一態様は、タングステンおよびシリコンを有する第1の導電体と、第2の導電体と、第1の導電体と接する絶縁体と、を有し、第1の導電体は、第2の導電体と、前絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、第2の導電体と絶縁体は、互いに接する領域を有し、絶縁体は、酸化シリコン膜であり、15nm以下の膜厚であることを特徴とする容量素子である。
本発明の一態様は、半導体装置は、容量素子およびトランジスタを有し、トランジスタは、ドレイン電極を有し、容量素子は、第1の電極および第2の電極を有し、容量素子の第1の電極とドレイン電極は電気的に接続され、容量素子は、(1)または(2)に記載の容量素子であることを特徴とする半導体装置である。
本発明の一態様は、モジュールは、(1)または(2)に記載の容量素子、(3)に記載の半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールである。
本発明の一態様は、電子機器は、(1)または(2)に記載の容量素子、(3)に記載の半導体装置、(4)に記載のモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器である。
本発明の一態様は、第1の導電体を成膜し、第1の導電体に、酸素を含むプラズマ処理を行うことで、第1の導電体の表面に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜上に、第2の導電体を成膜し、第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを有することを特徴とする容量素子の作製方法である。
本発明の一態様は、プラズマ処理は、高密度プラズマを用いた処理を含むことを特徴とする(6)に記載の容量素子の作製方法である。
本発明の一態様は、半導体装置の作製方法であって、半導体装置は、容量素子およびトランジスタを有し、トランジスタは、ドレイン電極を有し、容量素子は、第1の電極および第2の電極を有し、容量素子の第1の電極、とドレイン電極は電気的に接続され、容量素子は、(6)または(7)のいずれか一に記載の容量素子の作製方法を用いて作製されていることを特徴とする半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、モジュールの作製方法であって、モジュールは、(6)または(7)のいずれか一に記載の容量素子の作製方法を用いて作製された容量素子、(8)に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールの作製方法である。
本発明の一態様は、電子機器の作製方法であって、電子機器は、(6)または(7)のいずれか一に記載の容量素子の作製方法を用いて作製された容量素子、(8)に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、(9)に記載のモジュールの作製方法を用いて作製されたモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器の作製方法である。
本発明の一態様は、第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体上に、半導体を成膜し、半導体上に、第1の導電体を成膜し、第1の導電体を第1のリソグラフィー法により、第1の導電体の一部をエッチングし、第1の導電体、半導体および第2の絶縁体を第2のリソグラフィー法により、第1の導電体、半導体および第2の絶縁体の一部をエッチングすることで、第1の導電体を第2の導電体と第3の導電体とに分離し、第2の導電体、第3の導電体、半導体および第2の絶縁体からなる多層膜を形成し、第2の導電体および第3の導電体に、酸素を含むプラズマ処理を行うことによって、第2の導電体の側面、第2の導電体の上面、第3の導電体の側面および第3の導電体の上面に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜上、第1の絶縁体上、第2の絶縁体の側面および半導体の側面を覆うように、第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体上に、第4の絶縁体を成膜し、第4の絶縁体上に第4の導電体を成膜し、第4の導電体を第3のリソグラフィー法により、第4の導電体の一部をエッチングし、第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを含むことを特徴とするトランジスタの作製方法である。
本発明の一態様は、プラズマ処理は、高密度プラズマを用いた処理を含むことを特徴とする(11)に記載のトランジスタの作製方法である。
本発明の一態様は、半導体装置の作製方法であって、半導体装置は、(11)または(12)のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法を用いて作製されたトランジスタを有することを特徴とした半導体装置の作製方法である。
本発明の一態様は、モジュールの作製方法であって、(11)または(12)のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法を用いて作製されたトランジスタ、(13)に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールの作製方法である。
本発明の一態様は、電子機器の作製方法であって、電子機器は、(11)または(12)のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法を用いて作製されたトランジスタ、(13)に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、(14)に記載のモジュールの作製方法を用いて作製されたモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器の作製方法である。
本実施の形態では本発明の一態様に係る容量素子の構成とその作製方法について説明する。
<トランジスタ構造1>
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置が有するトランジスタの構造について説明する。
ここでは、図4と異なる構成のトランジスタについて、図5を用いて説明する。図5(A)、(B)および(C)は、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図である。図5(A)は上面図である。図5(B)は、図5(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図である。図5(C)は、図5(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図5(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
<酸化物半導体の構造>
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
<トランジスタの作製方法1>
以下では、本発明に係る図4のトランジスタの作製方法を図15から図21を用いて説明する。
以下では、本発明に係る図5のトランジスタの作製方法を図22から図32を用いて説明する。なお、導電体414を成膜するところまでは、上述のトランジスタの作製方法1と同様である(図22(A)、(B)および(C)参照。)。
<記憶装置1>
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図33に示す。
図34は、図33(A)に対応する半導体装置の断面図である。図34に示す半導体装置は、トランジスタ3200と、トランジスタ3300と、容量素子3400と、を有する。また、トランジスタ3300および容量素子3400は、トランジスタ3200の上方に配置する。なお、トランジスタ3300としては、図4に示したトランジスタを用いた例を示し、容量素子3400は、図1に示した容量素子を用いた例を示しているが、本発明の一態様に係る半導体装置は、これに限定されない。よって適宜上述したトランジスタおよび容量素子についての記載を参酌する。
図33(B)に示す半導体装置は、トランジスタ3200を有さない点で図33(A)に示した半導体装置と異なる。この場合も図33(A)に示した半導体装置と同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
<半導体装置の構造2>
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
<断面構造>
図36(A)および(B)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図36(A)において、X1−X2方向はチャネル長方向、図36(B)において、Y1−Y2方向はチャネル幅方向を示す。図36(A)および(B)に示す半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100を有している。図36(A)および(B)では、第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100として、図4に例示したトランジスタを適用した例を示している。
〔CMOS回路〕
図36(C)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS回路の構成を示している。
また図36(D)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるアナログスイッチとして機能させることができる。本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせて実施することができる。
<CPU>
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUについて説明する。
<撮像装置>
図39(A)は、本発明の一態様に係る撮像装置200の例を示す上面図である。撮像装置200は、画素部210と、画素部210を駆動するための周辺回路260と、周辺回路270、周辺回路280と、周辺回路290と、を有する。画素部210は、p行q列(pおよびqは2以上の整数)のマトリクス状に配置された複数の画素211を有する。周辺回路260、周辺回路270、周辺回路280および周辺回路290は、それぞれ複数の画素211に接続し、複数の画素211を駆動するための信号を供給する機能を有する。なお、本明細書等において、周辺回路260、周辺回路270、周辺回路280および周辺回路290などの全てを指して「周辺回路」または「駆動回路」と呼ぶ場合がある。例えば、周辺回路260は周辺回路の一部といえる。
撮像装置200が有する1つの画素211を複数の副画素212で構成し、それぞれの副画素212に特定の波長帯域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、本発明の一態様に係る酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。
<RFタグ>
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図43を参照して説明する。
<表示装置>
以下では、本発明の一態様に係る表示装置について、図44および図45を用いて説明する。
<単一電源回路>
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した酸化物半導体を用いたトランジスタ(OSトランジスタ)を有する複数の回路を有する半導体装置の一例について、図46乃至54を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を適用した表示モジュールについて、図53を用いて説明を行う。
図53に示す表示モジュール6000は、上部カバー6001と下部カバー6002との間に、FPC6003に接続されたタッチパネル6004、FPC6005に接続された表示パネル6006、バックライトユニット6007、フレーム6009、プリント基板6010、バッテリー6011を有する。なお、バックライトユニット6007、バッテリー6011、タッチパネル6004などは、設けられない場合もある。
<リードフレーム型のインターポーザを用いたパッケージ>
図54(A)に、リードフレーム型のインターポーザを用いたパッケージの断面構造を表す斜視図を示す。図54(A)に示すパッケージは、本発明の一態様に係る半導体装置に相当するチップ551が、ワイヤボンディング法により、インターポーザ550上の端子552と接続されている。端子552は、インターポーザ550のチップ551がマウントされている面上に配置されている。そしてチップ551はモールド樹脂553によって封止されていてもよいが、各端子552の一部が露出した状態で封止されるようにする。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
本発明の一態様の半導体装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の半導体装置を用いて、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また本発明の一態様の半導体装置を用いて、タッチセンサの検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置を用いたRFタグの使用例について図58を用いながら説明する。
RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図58(A)参照)、乗り物類(自転車等、図58(B)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図58(C)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図58(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図58(E)、図58(F)参照)等に設けて使用することができる。
110 絶縁体
115 導電体
120 絶縁体
125 絶縁体
160 導電体
165 導電体
170 導電体
200 撮像装置
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
210 画素部
211 画素
212 副画素
212B 副画素
212G 副画素
212R 副画素
220 光電変換素子
230 画素回路
231 配線
247 配線
248 配線
249 配線
250 配線
253 配線
254 フィルタ
254B フィルタ
254G フィルタ
254R フィルタ
255 レンズ
256 光
257 配線
260 周辺回路
270 周辺回路
280 周辺回路
290 周辺回路
291 光源
300 シリコン基板
301 絶縁体
302 絶縁体
303 絶縁体
305 層
306a 絶縁体
306b 半導体
310a 導電体
310b 導電体
310c 導電体
320 層
330 トランジスタ
331 層
340 層
351 トランジスタ
352 トランジスタ
353 トランジスタ
354 トランジスタ
360 フォトダイオード
361 アノード
362 カソード
363 低抵抗領域
365 フォトダイオード
366 半導体層
367 半導体層
368 半導体層
370 プラグ
371 配線
372 配線
373 配線
374 配線
380 絶縁体
381 絶縁体
400 基板
401 絶縁体
402 絶縁体
404 導電体
406 絶縁体
406a 絶縁体
406b 半導体
406c 絶縁体
407 領域
408 絶縁体
409 絶縁体
410 絶縁体
412 絶縁体
414 導電体
415 導電体
416a1 導電体
416a2 導電体
418 絶縁体
423 レジストマスク
424a1 絶縁体
424a2 絶縁体
426 導電体
427 絶縁体
428 絶縁体
429 導電体
430 導電体
431 導電体
432 導電体
433 導電体
434 導電体
437 導電体
438 導電体
440 導電体
442 導電体
444 導電体
446 絶縁体
450 半導体基板
454 導電体
460 領域
462 絶縁体
464 絶縁体
465 絶縁体
466 絶縁体
467 絶縁体
468 絶縁体
469 絶縁体
470 絶縁体
472 絶縁体
474a 領域
474b 領域
475 絶縁体
476a 導電体
476b 導電体
476c 導電体
477a 導電体
477b 導電体
477c 導電体
478a 導電体
478b 導電体
478c 導電体
479a 導電体
479b 導電体
479c 導電体
480a 導電体
480b 導電体
480c 導電体
483a 導電体
483b 導電体
483c 導電体
483d 導電体
483e 導電体
483f 導電体
484a 導電体
484b 導電体
484c 導電体
484d 導電体
485a 導電体
485b 導電体
485c 導電体
485d 導電体
487a 導電体
487b 導電体
487c 導電体
488a 導電体
488b 導電体
488c 導電体
489a 導電体
489b 導電体
490a 導電体
490b 導電体
491a 導電体
491b 導電体
491c 導電体
492a 導電体
492b 導電体
492c 導電体
494 導電体
496 導電体
498 絶縁体
550 インターポーザ
551 チップ
552 端子
553 モールド樹脂
600 パネル
601 プリント配線基板
602 パッケージ
603 FPC
604 バッテリー
700 基板
704a 導電体
706a 絶縁体
706b 半導体
706c 絶縁体
710 絶縁体
712 絶縁体
712a 絶縁体
714a 導電体
714b 導電体
716a1 導電体
716a2 導電体
718 絶縁体
718b 絶縁体
719 発光素子
720 絶縁体
721 絶縁体
722 導電体
723 絶縁体
724a1 絶縁体
724a2 絶縁体
728 絶縁体
731 端子
732 FPC
733a 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素
741 トランジスタ
742 容量素子
743 スイッチ素子
744 信号線
750 基板
751 トランジスタ
752 容量素子
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 導電体
782 発光層
783 導電体
784 隔壁
791 導電体
792 絶縁体
793 液晶層
794 絶縁体
795 スペーサ
796 導電体
797 基板
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
900 半導体装置
901 電源回路
902 回路
903 電圧生成回路
903A 電圧生成回路
903B 電圧生成回路
903C 電圧生成回路
903D 電圧生成回路
903E 電圧生成回路
904 回路
905 電圧生成回路
905A 電圧生成回路
905E 電圧生成回路
906 回路
911 トランジスタ
912 トランジスタ
912A トランジスタ
912B トランジスタ
921 制御回路
922 トランジスタ
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁体
2202 配線
2203 プラグ
2204 絶縁体
2205 配線
2207 絶縁体
2208 絶縁体
2211 半導体基板
2212 絶縁体
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁体
2215 ソース領域およびドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
3600sec 処理時間
4000 RFタグ
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6003 FPC
6004 タッチパネル
6005 FPC
6006 表示パネル
6007 バックライトユニット
6008 光源
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリー
7101 筐体
7102 筐体
7103 表示部
7104 表示部
7105 マイク
7106 スピーカー
7107 操作キー
7108 スタイラス
7302 筐体
7304 表示部
7305 表示部
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 外部接続ポート
7505 スピーカー
7506 マイク
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
7902 表示部
7921 電柱
7922 表示部
8000 カメラ
8001 筐体
8002 表示部
8003 操作ボタン
8004 シャッターボタン
8005 結合部
8006 レンズ
8100 ファインダー
8101 筐体
8102 表示部
8103 ボタン
8121 筐体
8122 表示部
8123 キーボード
8124 ポインティングデバイス
8200 ヘッドマウントディスプレイ
8201 装着部
8202 レンズ
8203 本体
8204 表示部
8205 ケーブル
8206 バッテリー
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
Claims (15)
- 第1の導電体と、第2の導電体と、絶縁体と、を有し、
前記第1の導電体と、前記第2の導電体と、は前記絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、
前記第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを有し、
前記絶縁体は、前記第1の導電体を酸化することによって形成される酸化シリコン膜を有することを特徴とする容量素子。 - タングステンおよびシリコンを有する第1の導電体と、第2の導電体と、前記第1の導電体と接する絶縁体と、を有し、
前記第1の導電体と、前記第2の導電体とは、重なる領域を有し、
前記第2の導電体と前記絶縁体は、互いに接する領域を有し、
前記絶縁体は、酸化シリコン膜であり、15nm以下の膜厚であることを特徴とする容量素子。 - 半導体装置は、容量素子およびトランジスタを有し、
前記トランジスタは、ドレイン電極を有し、
前記容量素子は、第1の電極および第2の電極を有し、
前記容量素子の前記第1の電極と前記ドレイン電極が電気的に接続され、前記容量素子は、請求項1または請求項2に記載の容量素子であることを特徴とする半導体装置。 - モジュールは、請求項1または請求項2に記載の容量素子、請求項3に記載の半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュール。
- 電子機器は、請求項1または請求項2に記載の容量素子、請求項3に記載の半導体装置、請求項4に記載のモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器。
- 第1の導電体を成膜し、前記第1の導電体に、酸素を含むプラズマ処理を行うことで、前記第1の導電体の表面に酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜上に、第2の導電体を成膜し、
前記第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを有することを特徴とする容量素子の作製方法。 - 前記プラズマ処理は、高密度プラズマを用いた処理を含むことを特徴とする請求項6に記載の容量素子の作製方法。
- 半導体装置の作製方法であって、
前記半導体装置は、容量素子およびトランジスタを有し、
前記トランジスタは、ドレイン電極を有し、
前記容量素子は、第1の電極および第2の電極を有し、
前記容量素子は、前記ドレイン電極と前記第1の電極と電気的に接続され、前記容量素子は、請求項6または7のいずれか一に記載の容量素子の作製方法を用いて作製されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - モジュールの作製方法であって、
前記モジュールは、請求項6または7のいずれか一に記載の容量素子の作製方法を用いて作製された容量素子、請求項8に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールの作製方法。 - 電子機器の作製方法であって、
前記電子機器は、請求項6または7のいずれか一に記載の電極の作製方法を用いて作製された容量素子、請求項8に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、請求項9に記載のモジュールの作製方法を用いて作製されたモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器の作製方法。 - 第1の絶縁体上に第2の絶縁体を成膜し、
前記第2の絶縁体上に、半導体を成膜し、
前記半導体上に、第1の導電体を成膜し、
前記第1の導電体を第1のリソグラフィー法により、前記第1の導電体の一部をエッチングし、
前記第1の導電体、前記半導体および前記第2の絶縁体を第2のリソグラフィー法により、前記第1の導電体、前記半導体および前記第2の絶縁体の一部をエッチングすることで、
前記第1の導電体を第2の導電体と第3の導電体とに分離し、
前記第2の導電体、前記第3の導電体、前記半導体および前記第2の絶縁体からなる多層膜を形成し、
前記第2の導電体および前記第3の導電体に、酸素を含むプラズマ処理を行うことによって、前記第2の導電体の側面、前記第2の導電体の上面、前記第3の導電体の側面および前記第3の導電体の上面に酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜上、前記第1の絶縁体上、前記第2の絶縁体の側面および前記半導体の側面を覆うように、第3の絶縁体を成膜し、
前記第3の絶縁体上に、第4の絶縁体を成膜し、
前記第4の絶縁体上に第4の導電体を成膜し、
前記第4の導電体を第3のリソグラフィー法により、前記第4の導電体の一部をエッチングし、
前記第1の導電体は、タングステンおよびシリコンを含むことを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 前記プラズマ処理は、高密度プラズマ処理を用いた処理を含むことを特徴とする請求項11に記載のトランジスタの作製方法。
- 半導体装置の作製方法であって、
前記半導体装置は、請求項11または請求項12のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法を用いて作製されたトランジスタを有することを特徴とした半導体装置の作製方法。 - モジュールの作製方法であって、請求項11または請求項12のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法を用いて作製されたトランジスタ、請求項13に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、およびプリント基板を有することを特徴とするモジュールの作製方法。
- 電子機器の作製方法であって、
前記電子機器は、請求項11または請求項12のいずれか一に記載のトランジスタの作製方法を用いて作製されたトランジスタ、請求項13に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置、請求項14に記載のモジュールの作製方法を用いて作製されたモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有することを特徴とする電子機器の作製方法。
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