JP2017041909A - 固体撮像装置及びスイッチング回路 - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 66
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 104
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100443251 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100041128 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rst2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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Abstract
Description
まず、本発明の実施形態を説明する前に、本発明の比較例に係る固体撮像装置について説明する。
比較例1において、1画素当たりのトランジスタは3個である。より微細化を進めるためには、1画素当たりのトランジスタ数を削減することが求められる。一般的な埋め込みフォトダイオードを用いたCMOSイメージセンサにおいて、1画素当たりのトランジスタ数を削減する方法として、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、及び選択トランジスタを複数の光電変換部で共有させる方法が一般的に知られている。
以下、本発明の第1の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、既に説明した要素と同様の要素には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、以下で、トランジスタはn型MOSを想定しているが、p型MOSの場合も同様に動作できることはいうまでもない。さらに以下で、トランジスタのソース・ドレインと記述する場合、ソース又はドレインのいずれか一方を表す(実際の素子では、ソースとドレインとは同じであり、区別できないため)。ただし、これらのうちの一方に与える電圧がもう一方よりも高い場合、ドレインと記す。
={C2+(1−α)×C3}×Vn ・・・(3)
以下、本発明における第2の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下では、第1の実施形態との相違点を主に説明し、重複する説明は省略する。
以下、本発明における第3の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下では、第1の実施形態との相違点を主に説明し、重複する説明は省略する。
13 垂直走査部
15 水平走査部
21 列信号処理部
31 半導体基板
33 素子分離領域
35 絶縁膜
36 コンタクト
41、42、43 ゲート電極
45 光電変換膜
46 画素電極
47 透明電極
50、100、200、300、400 固体撮像装置
51、52、53、54、55 拡散層
101、101a、101b 転送トランジスタ
105 増幅トランジスタ
108 第1の増幅回路
110、110a、110b、410、410a、410b 画素
111、211、311 画素共有回路
112、212 列回路
113 選択トランジスタ
114 垂直信号線
115 フィードバック線
116 リセットトランジスタ
120、120a、120b 光電変換部
121 アドレス制御線
123 リセット制御線
131 光電変換部制御線
142 水平出力端子
202、203 容量
204、404 容量素子
206 第2の増幅回路
207、209、317 スイッチ
230 蓄積部
318 電源線
Claims (10)
- 光を信号電荷に変換する光電変換部と、
前記信号電荷を蓄積する蓄積部と、
前記光電変換部と前記蓄積部との間に接続されており、前記光電変換部で変換された前記信号電荷を前記蓄積部へ転送する転送トランジスタと、
前記蓄積部にゲートが接続されており、前記蓄積部に蓄積されている前記信号電荷を増幅することで電圧信号を生成する増幅トランジスタと、
前記蓄積部の電圧をリセットするリセットトランジスタと、
前記増幅トランジスタにより生成された前記電圧信号を前記リセットトランジスタのソース及びドレインの一方に負帰還する第1の増幅回路と、
前記増幅トランジスタにより生成された前記電圧信号を前記増幅トランジスタのゲートに正帰還する第2の増幅回路とを備え、
前記転送トランジスタ及び前記リセットトランジスタをオンした後、前記第1の増幅回路を動作させることで、前記電圧信号を前記リセットトランジスタのソース及びドレインの一方に負帰還させながら前記リセットトランジスタをオフする第1の行程と、
前記リセットトランジスタをオフし、かつ前記転送トランジスタをオンした後、前記第2の増幅回路を動作させることで、前記電圧信号を前記増幅トランジスタのゲートに正帰還させながら前記転送トランジスタをオフする第2の行程とを行う、
固体撮像装置。 - 光を信号電荷に変換する光電変換部と、
前記信号電荷を蓄積する蓄積部と、
前記光電変換部と前記蓄積部との間に接続されており、前記光電変換部で変換された前記信号電荷を前記蓄積部へ転送する転送トランジスタと、
前記蓄積部にゲートが接続されており、前記蓄積部に蓄積されている前記信号電荷を増幅することで電圧信号を生成する増幅トランジスタと、
前記蓄積部の電圧をリセットするリセットトランジスタと、
前記増幅トランジスタにより生成された前記電圧信号を前記リセットトランジスタのソース及びドレインの一方に負帰還する第1の増幅回路と、
前記増幅トランジスタにより生成された前記電圧信号を前記増幅トランジスタのソース及びドレインの一方に正帰還する第2の増幅回路とを備え、
前記転送トランジスタ及び前記リセットトランジスタをオンした後、前記第1の増幅回路を動作させることで、前記電圧信号を前記リセットトランジスタのソース及びドレインの一方に負帰還させながら前記リセットトランジスタをオフする第1の行程と、
前記リセットトランジスタをオフし、かつ前記転送トランジスタをオンした後、前記第2の増幅回路を動作させることで、前記電圧信号を前記増幅トランジスタのソース及びドレインの一方に正帰還させながら前記転送トランジスタをオフする第2の行程とを行う、
固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記増幅トランジスタのゲートと前記第2の増幅回路の出力端子との間に接続された容量素子を備え、
前記第2の増幅回路は、前記電圧信号を、前記容量素子を介して前記増幅トランジスタのゲートに正帰還する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記容量素子の容量値と前記第2の増幅回路の利得との積は、前記蓄積部の容量値に略等しい
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記増幅トランジスタのソース及びドレインの一方に電圧を供給するための電源線を備え、
前記第2の増幅回路は、前記電圧信号を前記電源線を介して、前記増幅トランジスタの前記ソース及びドレインの一方に正帰還する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記電源線の容量値と前記第2の増幅回路の利得との積は、前記蓄積部の容量値に略等しい
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記転送トランジスタのソース及びドレインのうち、前記光電変換部側の第1端子と、前記第2の増幅回路の出力端子との間に接続された容量素子を備え、
前記第2の増幅回路は、前記電圧信号を、前記容量素子及び前記転送トランジスタを介して、前記増幅トランジスタのゲートに正帰還する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記容量素子の容量値と前記第2の増幅回路の利得との積は、前記蓄積部の容量値と略等しい
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、複数の画素と、前記複数の画素のうち2以上の画素毎に対応して設けられた画素共有回路とを有し、
前記複数の画素の各々は、前記光電変換部と、前記光電変換部に接続された前記転送トランジスタとを含み、
前記画素共有回路の各々は、対応する2以上の画素に含まれる2以上の前記転送トランジスタに接続される前記蓄積部と、前記増幅トランジスタと、前記リセットトランジスタとを含む
請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 第1の容量及び第2の容量と、
前記第1の容量と前記第2の容量との間に接続されている転送トランジスタと、
前記第2の容量にゲートが接続されており、前記第2の容量に蓄積されている電荷を増幅することで電圧信号を生成する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタのゲートに接続されている第3の容量と、
前記増幅トランジスタにより生成された前記電圧信号を、前記第3の容量を介して、前記増幅トランジスタのゲートに正帰還する増幅回路とを備え、
前記転送トランジスタをオンした後、前記増幅回路を動作させることで、前記電圧信号を前記増幅トランジスタのゲートに正帰還させながら前記転送トランジスタをオフする
スイッチング回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011171388 | 2011-08-04 | ||
JP2011171388 | 2011-08-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013526730A Division JPWO2013018293A1 (ja) | 2011-08-04 | 2012-07-12 | 固体撮像装置及びスイッチング回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017041909A true JP2017041909A (ja) | 2017-02-23 |
JP6226254B2 JP6226254B2 (ja) | 2017-11-08 |
Family
ID=47628845
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013526730A Ceased JPWO2013018293A1 (ja) | 2011-08-04 | 2012-07-12 | 固体撮像装置及びスイッチング回路 |
JP2016223553A Expired - Fee Related JP6226254B2 (ja) | 2011-08-04 | 2016-11-16 | 固体撮像装置及びスイッチング回路 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013526730A Ceased JPWO2013018293A1 (ja) | 2011-08-04 | 2012-07-12 | 固体撮像装置及びスイッチング回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9570486B2 (ja) |
JP (2) | JPWO2013018293A1 (ja) |
CN (1) | CN103703760B (ja) |
WO (1) | WO2013018293A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019134418A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 日本放送協会 | 固体撮像素子、その駆動回路および撮像装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8736733B2 (en) | 2010-03-19 | 2014-05-27 | Invisage Technologies, Inc. | Dark current reduction in image sensors via dynamic electrical biasing |
JP6183718B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2017-08-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6124220B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2017-05-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
US9491383B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-11-08 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensor with noise reduction |
KR102303870B1 (ko) * | 2014-05-26 | 2021-09-23 | 소니그룹주식회사 | 신호 처리 장치, 제어 방법, 촬상 소자 및 전자 기기 |
WO2016009943A1 (ja) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
US10104322B2 (en) * | 2014-07-31 | 2018-10-16 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensors with noise reduction |
JP6351423B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-07-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
CN106716994B (zh) * | 2014-09-19 | 2020-01-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置 |
JP6555468B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2019-08-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US9967496B2 (en) * | 2016-06-30 | 2018-05-08 | Sony Corporation | Active reset circuit for reset spread reduction in single-slope ADC |
JP6886267B2 (ja) * | 2016-10-13 | 2021-06-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
KR20180060308A (ko) | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
WO2018181582A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 株式会社ニコン | 撮像素子、焦点調節装置、および撮像装置 |
US10425601B1 (en) | 2017-05-05 | 2019-09-24 | Invisage Technologies, Inc. | Three-transistor active reset pixel |
US10270992B1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Sampling device and method for reducing noise |
CN110099229B (zh) | 2018-01-30 | 2023-04-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292367A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-04-27 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 撮像素子 |
JP2008042814A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置および電子情報機器 |
WO2011058684A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5850030B2 (ja) | 1979-03-08 | 1983-11-08 | 日本放送協会 | 光電変換装置およびそれを用いた固体撮像板 |
JPH10281870A (ja) | 1997-02-04 | 1998-10-23 | Matsushita Electron Corp | 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法 |
US6469740B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Physical quantity distribution sensor and method for driving the same |
US6356148B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-03-12 | Ami Semiconductor, Inc. | Systems and methods for enhancing charge transfer amplifier gain |
US6777660B1 (en) * | 2002-02-04 | 2004-08-17 | Smal Technologies | CMOS active pixel with reset noise reduction |
JP4025586B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2007-12-19 | 日本放送協会 | 固体撮像装置 |
JP2004266597A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Shoji Kawahito | 全画素同時電子シャッタ機能つきイメージセンサ |
EP1508920A1 (en) * | 2003-08-21 | 2005-02-23 | STMicroelectronics S.A. | CMOS light sensing cell |
KR100559451B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2006-03-10 | 한국과학기술원 | Cmos 이미지센서 |
JP2005244355A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびカメラ |
US7205522B2 (en) * | 2005-05-18 | 2007-04-17 | Alexander Krymski D. B. A Alexima | Pixel circuit for image sensor |
US7468500B2 (en) * | 2005-09-13 | 2008-12-23 | Texas Instruments Incorporated | High performance charge detection amplifier for CCD image sensors |
CN101815179B (zh) * | 2010-04-15 | 2012-06-20 | 昆山锐芯微电子有限公司 | Cmos图像传感器 |
-
2012
- 2012-07-12 CN CN201280036570.5A patent/CN103703760B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-12 JP JP2013526730A patent/JPWO2013018293A1/ja not_active Ceased
- 2012-07-12 WO PCT/JP2012/004526 patent/WO2013018293A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-01-22 US US14/161,166 patent/US9570486B2/en active Active
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292367A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-04-27 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 撮像素子 |
JP2008042814A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置および電子情報機器 |
WO2011058684A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019134418A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 日本放送協会 | 固体撮像素子、その駆動回路および撮像装置 |
JP7198675B2 (ja) | 2018-01-29 | 2023-01-04 | 日本放送協会 | 固体撮像素子、その駆動回路および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9570486B2 (en) | 2017-02-14 |
JPWO2013018293A1 (ja) | 2015-03-05 |
WO2013018293A1 (ja) | 2013-02-07 |
JP6226254B2 (ja) | 2017-11-08 |
CN103703760B (zh) | 2017-08-25 |
CN103703760A (zh) | 2014-04-02 |
US20140131554A1 (en) | 2014-05-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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