JP2017022226A - 基板加工装置および基板加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被加工基板を基板搭載部の搭載面に搭載し、静電チャックを利用して固定して加工するにあたって、搭載面と水平方向への被加工基板の位置ずれを防止する。【解決手段】基板搭載部２０は、被加工基板１０の他面１２側が搭載される搭載面２１と、基板搭載部２０の内部に設けられ、搭載面２１に向かう方向に静電引力Ｐ１を発生する第１の静電チャック部３０と、搭載面２１に対して鉛直方向に突出する壁面４１を有する位置決め部４０と、位置決め部４０の内部に設けられ、壁面４１に向かう方向に静電引力Ｐ２を発生する第２の静電チャック部５０と、を備え、被加工基板１０を搭載面２１に搭載したとき、静電引力Ｐ１により被加工基板１０を搭載面２１に吸着するとともに、被加工基板１０の側面１２を壁面４１に接触させ、静電引力Ｐ２により被加工基板１０を壁面４１に吸着する。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体チップ等の被加工基板を搭載して保持する基板搭載部を有する基板加工装置、および、そのような基板加工装置を用いた基板加工方法に関し、特に静電チャックを用いたものに関する。

従来、この種の基板加工装置としては、特許文献１に記載のものが提案されている。このものは、たとえば被加工基板としての半導体チップ同士を接合するチップ接合加工等を行うために用いられる。そして、基板加工装置は、表裏の板面の一方を一面、他方を他面とする半導体チップ等の被加工基板を加工するために、被加工基板を搭載して保持する基板搭載部を有している。

ここで、基板搭載部は、被加工基板の他面側が搭載される搭載面を有しており、基板搭載部の内部には、静電引力を発生する電極を有する静電チャック部が設けられている。そして、この静電チャック部の静電引力は、外部から搭載面に向かう方向すなわち搭載面に対し垂直方向に作用する。こうして、基板搭載部には、被加工基板を搭載面に対し垂直方向に保持する保持力が作用し、被加工基板の吸着による固定がなされる。

特許第５４７６６５７号公報

しかしながら、近年、半導体チップ等を用いた電子装置においては小型化が要望されており、被加工基板としての半導体チップも小型化され、小面積化される傾向にある。基板加工において吸着対象である被加工基板の吸着面積が小さくなると、上記した静電引力による垂直方向の保持力が弱くなる。

さらに、この垂直方向の保持力が弱くなると、搭載面に対する水平方向の保持力も弱くなり、加工時に被加工基板に発生する水平方向の力の影響により、水平方向への被加工基板の位置ずれが発生しやすくなる。たとえば、このような水平方向への位置ずれは、基板の加工精度の悪化等につながる。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、被加工基板を基板搭載部の搭載面に搭載し、静電チャックを利用して固定して加工するにあたって、搭載面と水平方向への被加工基板の位置ずれを防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表裏の板面の一方を一面（１１）、他方を他面（１２）とする被加工基板（１０）を加工するために、被加工基板を搭載して保持する基板搭載部（２０）を有する基板加工装置であって、
基板搭載部は、被加工基板の他面側が搭載される搭載面（２１）と、基板搭載部の内部に設けられ、外部から搭載面に向かう方向に静電引力（Ｐ１）を発生する第１の静電チャック部（３０）と、搭載面に対して鉛直方向に突出する壁面（４１）を有する位置決め部（４０）と、位置決め部の内部に設けられ、外部から壁面に向かう方向に静電引力（Ｐ２）を発生する第２の静電チャック部（５０）と、を備え、
被加工基板を搭載面に搭載したとき、第１の静電チャック部の静電引力により被加工基板を搭載面に吸着するとともに、被加工基板の側面を壁面に接触させ、第２の静電チャック部の静電引力により被加工基板を壁面に吸着するようにしたことを特徴とする。

それによれば、基板搭載部においては、被加工基板は、第１の静電チャック部の静電引力によって搭載面に対して垂直方向に吸着されるとともに、第２の静電チャック部の静電引力によって搭載面と直交する位置決め部の壁面に対して垂直方向に吸着されることになる。

つまり、本発明によれば、被加工基板を搭載する搭載面に対して、静電引力による垂直方向への保持力と静電引力による水平方向への保持力との両方が作用するため、搭載面と水平方向への被加工基板の位置ずれを防止することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかる基板加工装置を搭載面側から視たときの概略平面図である。 図１中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる基板加工装置を搭載面側から視たときの概略平面図である。 図３中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる基板加工装置を搭載面側から視たときの概略平面図である。 図５中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。 第３実施形態の他の例としての基板加工装置を搭載面側から視たときの概略平面図である。 第３実施形態のもう一つの他の例としての基板加工装置を搭載面側から視たときの概略平面図である。 本発明の第４実施形態にかかる基板加工装置の製造方法を示す工程図である。 図９に続く基板加工装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の第５実施形態にかかる基板加工装置の製造方法を示す工程図である。 図１１に続く基板加工装置の製造方法を示す工程図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる基板加工装置Ｓ１について、図１、図２を参照して述べる。この基板加工装置Ｓ１は、たとえば被加工基板１０としての２個の半導体チップを接合するチップ接合加工（基板接合加工）等を行う場合に適用されるものである。

被加工基板１０は、表裏の板面の一方を一面１１、他方を他面１２とする板材であり、典型的にはシリコン（Ｓｉ）等の矩形板状をなす半導体チップが挙げられる。そして、基板加工装置Ｓ１は、被加工基板１０を搭載して保持する基板搭載部２０を備える。基板搭載部２０は、石英（ＳｉＯ_２）やアルミナ等のセラミックなどの電気絶縁性材料よりなり、ここでは、板状をなす。

この基板搭載部２０は、被加工基板１０が搭載される搭載面２１を有する。搭載面２１は、被加工基板１０よりも面積の大きい平坦面であり、ここでは、板状の基板搭載部２０における一方の板面が搭載面２１を構成している。そして、搭載面２１に対して被加工基板１０の他面１２側が接して搭載されており、被加工基板１０の一面１１は搭載面２１とは反対側（つまり、図１の上方側）を向いている。

なお、本実施形態の基板加工装置Ｓ１を用いて上記チップ接合加工を行う場合、図１、図２に示されるワークと同じもの、すなわち、半導体チップとしての被加工基板１０が基板搭載部２０に搭載されてなるワークと同じものを、もう一つ用意する。そして、互いのワークにおける被加工基板１０の一面１１を対向させ、接触させることにより、チップ接合を行う。

また、基板搭載部２０の内部には、外部から搭載面２１に向かう方向に静電引力Ｐ１（図２中の矢印Ｐ１参照）を発生する第１の静電チャック部３０が設けられている。この第１の静電チャック部３０は、その構成は通常の静電チャックと同様である。

具体的には、第１の静電チャック部３０は、基板搭載部２０の内部ここでは搭載面２１の直下に設けられたＣｕ（銅）やＡｌ（アルミ）等の電極３１と、この電極３１に電圧を印加するために電極３１に接続された図示しない配線および図示しない電源と、を備えたものである。

ここで、図示しない配線は、たとえば基板搭載部２０の内部に設けられたコンタクトホール等を有して構成されたものであり、基板搭載部２０の表面の適所に引き出されて、上記図示しない電源と電気的に接続されるようになっている。

また、基板搭載部２０には、搭載面２１上に突出する位置決め部４０が設けられている。この位置決め部４０は、基板搭載部２０と同様の石英やセラミックなどの電気絶縁性材料よりなる。そして、位置決め部４０の側面の一部は、搭載面２１に対して鉛直方向に突出する壁面４１とされている。

そして、位置決め部４０の内部には、外部から壁面４１に向かう方向に静電引力Ｐ２（図２中の矢印Ｐ２参照）を発生する第２の静電チャック部５０が設けられている。この第２の静電チャック部５０は、通常の静電チャックとは搭載面２１に対する静電引力の作用方向が相違するが、その静電引力Ｐ２を発生するための構成については通常の静電チャックと同様である。

すなわち、具体的には、第２の静電チャック部５０は、位置決め部４０の内部に設けられたＣｕやＡｌ等の電極５１と、この電極５１に電圧を印加するために電極５１に接続された図示しない配線および図示しない電源と、を備えたものである。

ここでは、第２の静電チャック部５０を構成する電極５１は、複数個であり、位置決め部４０の内部にて、第２の静電チャック部５０を構成する複数個の電極５１は、搭載面２１に対する鉛直方向に配列されている。

ここでは、図２に示されるように、鉛直方向の上下に２個の電極５１が配置されているが、個々の電極５１は、図１に示されるように、壁面４１の長さ方向に延びるものとされている。また、第２の静電チャック部５０においても、図示しない配線や電源は、第１の静電チャック部３０の場合と同様である。

そして、上記電源から上記配線を介して、第１の静電チャック部３０の電極３１および第２の静電チャック部５０の電極５１に電圧が印加されることで、第１の静電チャック部３０においては、搭載面２１に向かう静電引力Ｐ１が発生し、第２の静電チャック部５０においては、壁面４１に向かう静電引力Ｐ２が発生するようになっている。

これにより、基板加工装置Ｓ１においては、被加工基板１０を搭載面２１に搭載したとき、第１の静電チャック部３０の静電引力Ｐ１により被加工基板１０が搭載面２１に吸着、固定されるようになっている。同時に、当該搭載時には、被加工基板１０の側面１３を壁面４１に接触させた状態とすることで、第２の静電チャック部５０の静電引力Ｐ２により被加工基板１０は壁面４１に吸着され、固定されるようになっている。

このように、本実施形態の基板加工装置Ｓ１によれば、基板搭載部２０においては、被加工基板１０は、第１の静電チャック部３０の静電引力Ｐ１によって搭載面２１に対して垂直方向に吸着されるとともに、第２の静電チャック部５０の静電引力Ｐ２によって搭載面２１と直交する壁面４１に対して垂直方向に吸着されることになる。

つまり、本実施形態によれば、被加工基板１０を搭載する搭載面２１に対して、静電引力Ｐ１による垂直方向への保持力と静電引力Ｐ２による水平方向への保持力との両方が作用する。そのため、搭載面２１と水平方向への被加工基板１０の位置ずれを防止することができる。

また、本実施形態によれば、本実施形態の基板加工装置Ｓ１を用いて、上記したチップ接合等、被加工基板１０の加工を行う基板加工方法が提供される。

なお、電極３１、５１および配線については、石英やセラミック等よりなる基板搭載部２０や位置決め部４０の内部に設けられたものとなるが、これについては、たとえば基板搭載部２０や位置決め部４０を多層形成されたものとすることで容易に実現できる。すなわち、基板搭載部２０や位置決め部４０を、たとえば石英やセラミック等よりなる複数の層が積層されたものとして形成すればよい。

具体的には、たとえば、基板搭載部２０や位置決め部４０を多層形成するときに、層間にて、電極３１、５１や配線、さらにはコンタクトホールの形成を行えばよい。これら多層形成および電極等の形成は、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ、エッチング等の公知の成膜手法、パターニング手法により容易に行える。なお、この形成方法の詳細については図９、図１０を参照して後述する。

また、ここでは、第１の静電チャック部３０を構成する電極３１、第２の静電チャック部５０を構成する電極５１は、それぞれ複数個であるが、これら静電チャック部は単極方式および双極方式のいずれであってもよい。

また、本実施形態では、図１に示されるように、搭載面２１側から視た位置決め部４０の平面パターンは、位置決め部４０における隣り合う壁面４１がＬ字状に交差して配置されたＬ字パターンを有するものとされている。ここで、第２の静電チャック部５０は、位置決め部４０の内部において、Ｌ字を構成する隣り合う２個の壁面４１のそれぞれに対応して設けられている。

そして、当該Ｌ字パターンにおける隣り合う壁面４１のそれぞれに被加工基板１０の側面１３が接触し吸着されるようになっている。ここでは、矩形板状の被加工基板１０における隣り合って直交する２つの側面１３が、Ｌ字状パターンの壁面４１に接して固定されている。これによれば、水平方向において交差する２方向への被加工基板１０の位置ずれを、防止することができる。

また、図２に示されるように、位置決め部４０における壁面４１の搭載面２１からの突出高さｈは、被加工基板１０の板厚ｔ以下であること（ｈ≦ｔ）が好ましい。たとえば、基板加工として上記チップ接合を行う場合、上述したように被加工基板１０が搭載された基板搭載部２０よりなるワークを２個用意し、互いの被加工基板１０の一面１１を対向させ、接触させることにより、チップ接合を行う。

このとき、たとえば、対向する基板搭載部２０において位置決め部４０同士が同じ位置にある場合、壁面４１の突出高さｈが被加工基板１０の板厚ｔよりも大きいと、上記ワークにおいて被加工基板１０の一面１１よりも壁面４１が突出した状態となる。そうすると、互いの被加工基板１０の一面１１同士が接触するよりも先に、対向する位置決め部４０同士が干渉してしまい、チップ接合が行えなくなってしまう。

その点、壁面４１の突出高さｈを被加工基板１０の板厚ｔ以下とすれば、対向する位置決め部４０同士が干渉することなく、互いの被加工基板１０の一面１１同士の接触が行え、チップ接合が可能となる。

なお、このような点を考慮すれば、壁面４１の突出高さｈを被加工基板１０の板厚ｔ以下とすることが好ましいが、これに限定されるものではなく、場合によっては、本実施形態において、壁面４１の突出高さｈを被加工基板１０の板厚ｔよりも大きい（ｈ＞ｔ）ものとしてもよい。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる基板加工装置Ｓ２について、図３、図４を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

本実施形態の基板加工装置Ｓ２は、上記第１実施形態の基板加工装置Ｓ１に比べて、位置決め部４０における壁面４１の配置パターンおよび位置決め部４０内の第２の静電チャック部５０における電極５１の配列パターンを変更したものである。

図３、図４に示されるように、本実施形態では、搭載面２１側から視た位置決め部４０の平面パターンは、上記第１実施形態に示したＬ字状ではなく、位置決め部４０における１個の壁面４１がＩ字状に配置されたＩ字パターンを有するものとされている。

そして、第２の静電チャック部５０は、位置決め部４０の内部において、Ｉ字を構成する１個の壁面４１に対応して設けられている。これにより、本実施形態では、Ｉ字パターンの壁面４１に被加工基板１０の側面１３が接触し吸着されるようになっていることから、搭載面２１と水平方向において、Ｉ字の壁面４１と直交する方向への被加工基板１０の位置ずれが防止されるようになっている。

また、上記第１実施形態では、第２の静電チャック部５０の複数個の電極５１は、搭載面２１に対する鉛直方向に配列されたパターンであったが、本実施形態では、図３、図４に示されるように、当該複数個の電極５１は、搭載面２１に対する水平方向に配列されている。つまり、当該複数個（図４では４個）の電極５１は、搭載面２１に対する水平方向に沿って壁面４１の長さ方向に配列されている。

なお、この水平方向の配列に限定するものではなく、Ｉ字パターンの壁面４１とされた本実施形態においても、上記第１実施形態と同様、第２の静電チャック部５０の複数個の電極５１を、搭載面２１に対する鉛直方向に配列されたパターンとしてもよい。

さらに言えば、Ｌ字パターンの壁面４１とされた上記第１実施形態において、本実施形態のように、第２の静電チャック部５０の複数個の電極５１を、搭載面２１に対する水平方向に配列してもよい。

このように第２の静電チャック部５０が、位置決め部４０の内部に設けられた複数個の電極５１により構成されている場合、これら複数個の電極５１は、搭載面２１に対して鉛直方向に配列されてもよいし、搭載面２１に対して水平方向に配列されてもよい。つまり、壁面４１の高さや長さあるいは形状等に応じて、当該複数個の電極５１を上記鉛直方向の配列や水平方向の配列に適宜変更してやればよい。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる基板加工装置Ｓ３について、図５、図６を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

本実施形態の基板加工装置Ｓ３は、上記第１実施形態の基板加工装置Ｓ１に比べて、基板搭載部２０における搭載面２１側に被加工基板１０が入り込む凹部６０を形成することにより、搭載面２１および位置決め部４０を形成したところが相違するものである。

図５、図６に示されるように、本実施形態では、基板搭載部２０は、搭載面２１を底面とする凹部６０を有するものであり、被加工基板１０の全体が、凹部６０内に収まるようになっている。そして、搭載面２１の直下には、第１の静電チャック部３０が設けられており、これによる垂直方向の保持力により、被加工基板１０は搭載面２１に吸着され、固定されている。

また、凹部６０の周囲の凸部６１が、第２の静電チャック部５０を内包する位置決め部４０とされ、凹部６０の段差面が壁面４１として構成されている。そして、被加工基板１０の側面１３が壁面４１に接触し、第２の静電チャック部５０による保持力によって、被加工基板１０は壁面４１に吸着され、固定されている。

このように、本実施形態においては、凹部６０およびその周りの凸部６１によって、搭載面２１、および、搭載面２１に対して鉛直方向に突出する壁面４１を有する位置決め部４０が構成されている。

この凹部６０は、第２の静電チャック部５０を含む基板搭載部２０を、多層形成した後、凹部６０となる部位をエッチング等で除去することで形成される。なお、このような凹部６０を有する基板搭載部２０の作り方の詳細については、図１１、図１２を参照して後述する。

また、この場合、凹部６０の開口形状は、被加工基板１０よりも一回り大きい矩形であり、凹部６０におけるＬ字状パターンの壁面４１に対して第２の静電チャック部５０を設けることで、被加工基板１０の側面１３が接して吸着されている。このＬ字状パターンの壁面４１に対する被加工基板１０の吸着の形態については、上記第１実施形態と同様である。

そして、凹部６０内に被加工基板１０全体が入り込むサイズ関係であるため、当然ながら、図５に示されるＬ字状パターンの壁面４１の長さＬ１、Ｌ２は、それぞれ、これに吸着される被加工基板１０の側面１３の長さＷ１、Ｗ２よりも大きいものとされている。

なお、本実施形態においても、凹部６０の段差面の１個のみを壁面４１とし、これに第２の静電チャック部５０を設けることにより、この１個の壁面４１に対して被加工基板１０の１個の側面１３を吸着させるようにしてもよい。この場合、上記第２実施形態と同様のＩ字状パターンの壁面４１による吸着形態と同様のものとなる。

また、図６に示される例では、第２の静電チャック部５０の複数個の電極５１は、搭載面２１に対する鉛直方向に配列されたパターンであるが、本実施形態においても、上記図４に示したような搭載面２１に対する水平方向への配列パターンを採用してよい。

また、凹部６０の開口形状として、図５、図６に示される例では矩形（四角形）を示したが、凹部６０としては、段差面が壁面４１となって被加工基板１０の側面１３が接触して位置決めできるものであればよく、その開口形状としては、四角形以外にも三角形や五角形、あるいは六角以上の多角形であってもよい。

図７は、開口形状が三角形である凹部６０の例を示し、図８は、開口形状が五角形である凹部６０の例を示している。図７、図８の例では、いずれの場合にも、隣り合う２辺が、被加工基板１０の側面１３に接触するＬ字状パターンの壁面４１を構成している。

次に述べる第４実施形態、第５実施形態は、上記各実施形態に示した基板加工装置Ｓ１〜Ｓ３における基板搭載部２０の形成方法の具体的な一例を示すものである。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる形成方法について、図９、図１０を参照して述べるが、本形成方法は、上記第１実施形態および第２実施形態に示した基板加工装置Ｓ１、Ｓ２における基板搭載部２０の形成方法の一つの具体例であり、この具体例に限定するものではない。

［図９（ａ）の工程］
まず、基板搭載部２０を、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ等により、石英やセラミック等の電気絶縁材料よりなる多層のものとして形成する。このとき、スパッタ、蒸着、エッチング等により、層間において、第１の静電チャック部３０の電極３１形成する。これにより、位置決め部４０を除く基板搭載部２０ができあがる。

［図９（ｂ）の工程］
次に、基板搭載部２０の搭載面２１上に、スパッタや蒸着等により金属薄膜１００を形成し、搭載面２１を金属薄膜１００で被覆する。この金属薄膜１００は、Ｃｒ（クロム）たＡｕ（金）等よりなるもので、後述する絶縁膜加工（図１０（ｄ）参照）の際におけるエッチングストッパとして用いられるものである。また図示しないが、この工程では、電極３１を外部に取り出すために、上記配線を構成するコンタクトホールを、基板搭載部２０の表面の適所に形成する。

［図９（ｃ）の工程］
次に、位置決め部４０を形成するための各工程を行っていく。まず、図９（ｃ）に示されるように、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ等により、石英やセラミック等の電気絶縁材料よりなる第１の絶縁膜２００を、金属薄膜１００上に形成する。

［図９（ｄ）、（ｅ）の工程］
次に、図９（ｄ）に示されるように、第１の絶縁膜２００の上に、第２の静電チャック部５０の電極５１となる電極膜３００を、ＣｕやＡｌ等を用いたスパッタや蒸着等により形成する。そして、図９（ｅ）に示されるように、この電極膜３００をエッチングして電極５１の形状となるようにパターニング加工することで、電極５１を形成する。

［図１０（ａ）の工程］
次に、この上に、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ等により、石英やセラミック等の電気絶縁材料よりなる第２の絶縁膜２１０を形成する。図１０（ａ）において、第２の絶縁膜２１０は、電極５１を被覆するとともに第１の絶縁膜２００と一体化されたものとして表されている。

［図１０（ｂ）の工程］
次に、第２の絶縁膜２１０の表面を、研削や研磨等により平坦化する。また、図示しないが、この工程では、第２の静電チャック部５０の電極５１を基板搭載部２０の表面の適所に取り出すためのコンタクトホール等を、形成する。

［図１０（ｃ）の工程］
次に、平坦化された第２の絶縁膜２１０の上にて、上記図９（ｄ）の工程、上記図９（ｅ）の工程、上記図１０（ａ）の工程、上記図１０（ｂ）の工程を行う。

具体的には、平坦化された第２の絶縁膜２１０の上に、上記同様の電極膜３００の形成および上記同様のパターニング加工による電極５１の形成を行う。そして、その上に、上記第２の絶縁膜２１０と同様の方法で、第３の絶縁膜２２０を形成し、これの平坦化およびコンタクトホールの形成を行う。ここで、図１０（ｃ）において、第３の絶縁膜２２０は、第１の絶縁膜２００および第２の絶縁膜２１０と一体化されたものとして表されている。

［図１０（ｄ）の工程］
次に、第２の静電チャック部５０を内包し一体化された各絶縁膜２００〜２２０を、エッチングして位置決め部２０の形状にパターニング加工することで、位置決め部４０を形成する。このとき、金属薄膜１００がエッチングストッパとして機能するため、絶縁膜２００〜２２０と同一材料である基板搭載部２０がエッチングされることはなく、搭載面２１の平坦性が確保される。

［図１０（ｅ）の工程］
その後、エッチングにより、搭載面２１上の金属薄膜１００を除去する。こうして、上記第１実施形態や第２実施形態に示したものと同様の基板搭載部２０が、できあがる。この場合、搭載面２１と位置決め部４０との間には、金属薄膜１００が介在している構成とされる。

なお、図１０（ｄ）に示される絶縁膜加工において、エッチング条件の調整等により、金属薄膜１００が省略された構成であっても、エッチングによる搭載面２１の荒れ等を抑制して平坦性が確保できるならば、金属薄膜１００の形成は省略してもよい。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる形成方法について、図１１、図１２を参照して述べるが、本形成方法は、上記第３実施形態に示した基板加工装置Ｓ３における凹部６０を有する基板搭載部２０の形成方法の一つの具体例であり、この具体例に限定するものではない。

［図１１（ａ）の工程］
本工程では、上記図９（ａ）の工程と同様にして、位置決め部４０を除く基板搭載部２０を形成する。

［図１１（ｂ）の工程］
次に、位置決め部４０および凹部６０を形成するための各工程を行っていく。まず、図１１（ｂ）に示されるように、基板搭載部２０の表面上に、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ等により第１の絶縁膜２００を形成する。また図示しないが、この工程では、電極３１を外部に取り出すためのコンタクトホールを、基板搭載部２０および第１の絶縁膜２００の適所に形成する。

［図１１（ｃ）、（ｄ）の工程］
次に、図１１（ｃ）に示されるように、第１の絶縁膜２００の上に、第２の静電チャック部５０の電極５１となる電極膜３００を、ＣｕやＡｌ等を用いたスパッタや蒸着等により形成する。そして、図１１（ｄ）に示されるように、この電極膜３００をエッチングして電極５１の形状となるようにパターニング加工することで、電極５１を形成する。

［図１２（ａ）の工程］
次に、この上に、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ等により第２の絶縁膜２１０を形成する。図１２（ａ）において、第２の絶縁膜２１０は、電極５１を被覆するとともに第１の絶縁膜２００と一体化されたものとして表されている。

［図１２（ｂ）の工程］
次に、第２の絶縁膜２１０の表面を、研削や研磨等により平坦化する。また、図示しないが、この工程では、第２の静電チャック部５０の電極５１を基板搭載部２０の表面の適所に取り出すためのコンタクトホール等を、形成する。

［図１２（ｃ）の工程］
次に、平坦化された第２の絶縁膜２１０の上にて、上記図１１（ｄ）の工程、上記図１２（ａ）の工程、上記図１２（ｂ）の工程を行う。

具体的には、平坦化された第２の絶縁膜２１０の上に、上記同様の電極膜３００の形成および上記同様のパターニング加工による電極５１の形成を行う。そして、その上に、上記第２の絶縁膜２１０と同様の方法で、第３の絶縁膜２２０を形成し、これの平坦化およびコンタクトホールの形成を行う。ここで、図１２（ｃ）において、第３の絶縁膜２２０は、第１の絶縁膜２００および第２の絶縁膜２１０と一体化されたものとして表されている。

［図１２（ｄ）の工程］
次に、第２の静電チャック部５０を内包し一体化された各絶縁膜２００〜２２０に対し、凹部６０となる部位をエッチングしてパターニング加工することで、凹部６０を形成する。このとき、絶縁膜２００〜２２０の底側を残すことで、凹部６０の底面である搭載面２１を形成する。こうして、上記第３実施形態に示したものと同様の基板搭載部２０が、できあがる。

（他の実施形態）
なお、被加工基板１０としては板状のものであれば、上記した半導体チップに限定されるものではなく、たとえば半導体ウェハ等であってもよい。

また、被加工基板１０の加工としては、上記したチップ接合以外でもよい。たとえば、可能ならば、成膜チャンバ内に被加工基板１０を固定して成膜加工を行う場合等に、上記各実施形態を適用してもよい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１０ 被加工基板
１１ 被加工基板の一面
１２ 被加工基板の他面
１３ 被加工基板の側面
２０ 基板搭載部
３０ 第１の静電チャック部
３１ 第１の静電チャック部を構成する電極
４０ 位置決め部
４１ 位置決め部の壁面
５０ 第２の静電チャック部
５１ 第２の静電チャック部を構成する電極
Ｐ１ 第１の静電チャック部による静電引力
Ｐ２ 第２の静電チャック部による静電引力

Claims (8)

1. 表裏の板面の一方を一面（１１）、他方を他面（１２）とする被加工基板（１０）を加工するために、前記被加工基板を搭載して保持する基板搭載部（２０）を有する基板加工装置であって、
   前記基板搭載部は、前記被加工基板の他面側が搭載される搭載面（２１）と、
   前記基板搭載部の内部に設けられ、外部から前記搭載面に向かう方向に静電引力（Ｐ１）を発生する第１の静電チャック部（３０）と、
   前記搭載面に対して鉛直方向に突出する壁面（４１）を有する位置決め部（４０）と、
   前記位置決め部の内部に設けられ、外部から前記壁面に向かう方向に静電引力（Ｐ２）を発生する第２の静電チャック部（５０）と、を備え、
   前記被加工基板を前記搭載面に搭載したとき、前記第１の静電チャック部の静電引力により前記被加工基板を前記搭載面に吸着するとともに、
   前記被加工基板の側面を前記壁面に接触させ、前記第２の静電チャック部の静電引力により前記被加工基板を前記壁面に吸着するようにしたことを特徴とする基板加工装置。
2. 前記搭載面側から視た前記位置決め部の平面パターンは、前記位置決め部における隣り合う前記壁面がＬ字状に交差して配置されたＬ字パターンを有するものであり、
   当該Ｌ字パターンにおける前記壁面のそれぞれに前記被加工基板の側面が接触し吸着されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の基板加工装置。
3. 前記搭載面側から視た前記位置決め部の平面パターンは、前記位置決め部における１個の前記壁面がＩ字状に配置されたＩ字パターンを有するものであり、
   当該Ｉ字パターンの前記壁面に前記被加工基板の側面が接触し吸着されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の基板加工装置。
4. 前記位置決め部の内部にて、前記第２の静電チャック部を構成する複数個の電極（５１）が、前記搭載面に対する鉛直方向に配列されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板加工装置。
5. 前記位置決め部の内部にて、前記第２の静電チャック部を構成する複数個の電極（５１）が、前記搭載面に対する水平方向に配列されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板加工装置。
6. 前記位置決め部における前記壁面の前記搭載面からの突出高さｈは、前記被加工基板の板厚ｔ以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板加工装置。
7. 前記基板搭載部は、前記搭載面を底面とする凹部（６０）を有するものであり、
   前記被加工基板の全体が、前記凹部内に収まるようになっており、
   前記凹部の周囲の凸部（６１）が前記位置決め部とされ、前記凹部の段差面が前記壁面とされるものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の基板加工装置。
8. 請求項１ないし７のいずれか１つに記載の基板加工装置を用いて、前記被加工基板を加工することを特徴とする基板加工方法。

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