JP2006186376A - Mems素子パッケージおよびその製造方法。 - Google Patents
Mems素子パッケージおよびその製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006186376A JP2006186376A JP2005374221A JP2005374221A JP2006186376A JP 2006186376 A JP2006186376 A JP 2006186376A JP 2005374221 A JP2005374221 A JP 2005374221A JP 2005374221 A JP2005374221 A JP 2005374221A JP 2006186376 A JP2006186376 A JP 2006186376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mems
- substrate
- electrode pad
- internal electrode
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】 上面にMEMS活性素子11が形成された素子用基板10と、素子用基板のMEMS活性素子の両側にMEMS活性素子と電気的に接続された内部電極パッド20と、内部電極パッドの外側に位置するシーリングパッド30と、シーリングパッドを介して素子用基板と結合し、内部電極パッドに位置する部分にビアホール41が形成されたカバー用基板40と、ビアホールを介して内部電極パッドと電気的な接続が行われるようカバー用基板の上面に形成された外部電極パッド50とを含む。内部電極パッドおよびシーリングパッドはAuから形成され、素子用基板とカバー用基板はAu−Auダイレクトボンディングされる。
【選択図】 図2
Description
MEMS素子、例えば、加速度センサーや角速度センサー、または共振型ジャイロスコープなどのような素子は、保護および/または感度を高めることを目標としパッケージングされる。MEMS素子の製造技術の急速な発展により高密度および小型化が実現されるにつれ、パッケージもこれによる小型化が求められる。このため、素子をウェハー状態にてパッケージするウェハースケールパッケージ(Wafer Scale Package:WSP)が試みられている。
図1は一般なMEMS素子パッケージの一例を概略的に示す断面図である。図示した通りに、素子用基板1にはMEMS活性素子2が備えられる。このMEMS活性素子2を保護するためのカバー用ガラス基板3が素子用基板1と結合されている。MEMS活性素子2は一般にスプリング構造物およびこれにより支持されるステージなどを備える。
さらに、素子用基板1の両側にはMEMS活性素子2と電気的に接続される内部電極パッド5が形成されている。また、カバー用ガラス基板3にはMEMS活性素子2が位置する空間を提供する空洞(cavity)部4が形成されており、カバー用ガラス基板3と素子用基板1とは陽極ボンディングされている。
また、カバー用ガラス基板3の両側にはビアホール6が形成されており、このビアホール6を介して内部電極パッド5と接続される外部電極パッド7が形成される。なお、ビアホール6はサンドブラスター(sand blaster)工程により形成され、外部電極パッド7はスパッタリング工程に基づいて金属(通常Al)がビアホール6に充填されることにより形成される。この外部電極パッド7は、図示されない回路基板のシグナルラインとワイヤ、あるいはバンプなどにより連結される。
また、一般のMEMS素子パッケージはガラス材質のカバー用ガラス基板3を使用することによって、電極配線のためのビアホール6の形成工程および外部電極パッド7の形成工程は複雑で長い時間を必要とするため、収率低下および生産性の低下といった問題が伴なう。
さらに、一般的なMEMS素子パッケージは、陽極ボンディング時の高い温度(通常460℃)によりMEMS活性素子2が変形および損傷される恐れがあるので、カバー用ガラス基板3と素子用シリコン基板1との間の熱膨張係数の違いによる基本ストレス(stress)を内在している問題も抱えている。
なお、シリコン材質の内部電極パッド5および金属材質の外部電極パッド7による回路結線は、接触部での電気的な接触抵抗と高周波のRFに対する高いインダクタンスを発生させることによって大きい信号損失を誘発することから素子の信頼性を落としてしまう。
本発明の他の目的は、同一材質または伝導度の高い金属同士の接触からなされる回路結線構造を採用することによって、信号損失を最小化することのできるMEMS素子パッケージおよびその製造方法を提供することにある。
本願第3発明は、第1又は第2発明において、前記外部電極パッドもAuから形成される。
本願第4発明の他の目的を達成するためのMEMS素子パッケージ製造方法は、(a)MEMS活性素子およびこの活性素子と電気的に接続されるリードラインを備えた素子用基板を備えるステップと、(b)カバー用基板に内部電極パッドおよびこの内部電極パッドの外側に配置するシーリングパッドを所定の高さで形成するステップと、(c)前記MEMS活性素子が前記内部電極パッドにより提供された空間に位置し、前記内部電極パッドが前記リードラインと接するよう前記素子用基板とカバー用基板とをボンディングするステップと、(d)前記カバー用基板を所定の厚さで研摩するステップと、(e)前記カバー用基板の前記内部電極パッドが位置する部分にビアホールを形成するステップと、(f)前記ビアホールを介して前記内部電極パッドと電気的に接触される外部電極パッドを形成するステップとを含む。
本願第6発明は、第5発明において、前記(b1)ステップにおいて、Auを1000Å厚さで塗布することが好ましい。
本願第8発明は、第7発明において、前記Au−Auダイレクトボンディングは320±10℃の温度で20分以内に行われることがよい。
本願第9発明は、第5発明において、前記(d)ステップにおいて、カバー用基板の所定厚さは40μmであることが好ましい。
本願第10発明は、第5発明において、前記(e)ステップにおいて、該当部分をICPエッチングすることが好ましい。
本願第11発明は、第2発明において、前記(f)ステップにおいて、Auをスパッタリングすることが好ましい。
また、動作が安定的で信頼性の高いパッケージを提供することができるので、このパッケージが使用される装置の信頼性および品質向上を図ることができる。
また、安定的ながらも簡単な工程でパッケージを製造することができるので、収率の向上およびコスト節減を図ることができる。
<実施例>
図2は、本発明の一実施の形態に係るMEMS素子パッケージの概略的な構造断面図の一例である。図示された通り、シリコン基板からなる素子用基板10の上面中央部にはMEMS活性素子11が形成されている。MEMS活性素子11は、一般にスプリング要素とこれにより支持されるステージ、このステージに対して駆動力を提供したりステージの変位を検知する電極を含む。係るMEMS活性素子11は本発明の技術的な範囲を制限しない。さらに、素子用基板10には、MEMS活性素子11と電気的に接続されたリードライン13が形成されている。
また、素子用基板10のMEMS活性素子11の両側にはMEMS活性素子11が位置する空間を提供すると同時に、MEMS活性素子11の電気的な経路を提供するためにリードライン13と接続される所定高さの内部電極パッド20が配置している。内部電極パッド20はAuから形成される。
また、内部電極パッド20の外郭には、この内部電極パッド20と同じ材質のAuから形成され、内部電極パッド20と同一の高さに形成されたシーリングパッド30が設けられている。
シリコン基板からなるカバー用基板40は、シーリングパッド30を介して素子用基板10と結合されている。内部電極パッド20およびシーリングパッド30の上下部、即ち、素子用基板10とカバー用基板40との境界面には、ほぼ1000Å程度の厚さを有するAu層21a、21b、31a、31bがそれぞれ形成されている。
従って、素子用基板10とカバー用基板40とは、Au層、シーリングパッド30、内部電極パッド20を介してAu−Auダイレクトボンディングされる。例えば、Au層31a、シーリングパッド30及びAu層31bを順に介して素子用基板10とカバー用基板40とがパッケージボンディングされる。そのため、従来のシリコン基板とガラス基板とを陽極ボンディングする方法に比べて低温で短時間にボンディングできる。なお、Au−Auのボンディングであるため、ボンディング温度は約320℃程度と低温であり、ボンディング時間は20分程度である。これは、従来に比べてボンディング時素子の変形や損傷が減らされることを意味する。また、本発明は素子用基板10およびカバー用基板40が同一材質からなっているため、従来のような熱膨張係数の違いによるストレスが除去できる。例えば、一方の基板の膨張が他方の基板の膨張よりも大きい場合、膨張の度合いが異なって基板が割れたり変形するなどの弊害があるが、本発明では同一材料で基板を形成するため、膨張度合いの違いによる弊害を防止できる。
また、カバー用基板40の内部電極パッド20が位置する部分には内部電極パッド20を露出するためのビアホール41が形成されており、ビアホール41を介して内部電極パッド20と電気的に接続する外部電極パッド50が形成されている。
なお、ビアホール41はICP(Inductively Coupled Plasma)エッチングにより形成される一方、外部電極パッド50はスパッタリングにより形成される。ここで、カバー用基板を上述のようにシリコン基板で形成することで、ガラス基板を用いる場合と比較してカバー用基板の厚みを薄くすることができる。よって、ガラスでない薄い基板40にビアホール41を形成するので、サンドブラスター工程を用いる必要が無い。よって、製造工程を簡単化して製造コストを削減することができる。また、簡単なエッチング工程でビアホールを形成可能であり、且つスパッタリング工程も適用可能である。また、ICP(Inductively Coupled Plasma)エッチングにより、サイズの小さなビアホールを精度良く形成することができる。よって、MEMS素子パッケージの小型化・薄型化・軽量化を図ることができる。また、外部電極パッド50はAuから形成されているため伝導度の高い同一系列に接続される。係る回路結線の構造は従来のシリコンやアルミニウムの結線に比べて接触抵抗が低く、高周波のRFに対して低いインダクタンスを有することから信号損失を防ぐことができる。
係る本発明のMEMS素子パッケージは薄いカバー用基板40を採用することによって軽薄短小型化に近づけることができ、内部抵抗の低い電気的な信号経路を有することから信号損失を減らすことができる。また、カバー用基板40の表面に外部電極パッド50が形成されているのでダイレクトボンディング方式に基づき回路基板に実装されることができると共に多数のパッケージを容易に積層できる。
以下、本発明に係るMEMS素子パッケージの製造方法について、図3Aないし図3Gに基づいて詳説する。本発明に係るMEMS素子パッケージの製造方法は一般に、積層、パターニングなどの方法が適用されるため、その詳細な加工法に対する説明は除く。
まず、図3Aに示すように、カバー用基板40の全面にAuを1000Å程度の厚さで塗布しシードメタル層110を形成する。その上、フォトリソグラフィー工程などを介してメッキフレーム120を形成する。このメッキフレーム120は、内部電極パッド20とシーリングパッド30を形成するためのものである。
それから、図3Bに示すように、メッキフレーム120にAuを電気メッキしてからメッキフレームを取除いた後、露出されたシードメタル層を取除く。
係る工程を介して図3Cに示すように、カバー用基板40に内部電極パッド20およびシーリングパッド30の形成されている構造物を用意する。
それから、図3Dに示すように、予め用意されたMEMS活性素子11およびリードライン13が備えられた素子用基板10とカバー用基板40とを、シーリングパッド30を用いてボンディングする。なお、MEMS活性素子11は内部電極パッド20により備えられた空間に位置し、内部電極パッド20はリードライン13と接続する。
前述のようなボンディングの際には、Auから形成されたシーリングパッド30と素子用基板10に形成されているAu層31bと接しているAu−Auダイレクトボンディング方法に基づくことから、従来の陽極ボンディングに比べて低温度でボンディングを行うことができ、その時間も短縮できる。前記ボンディング温度は約320℃であり、ボンディング時間は20分程度である。従って、従来に比べてボンディング時に素子の変形や損傷を減らして、より安定駆動可能かつ信頼性の高いMEMS素子パッケージを効率よく製造することができる。
また、従来のようガラス基板対シリコン基板のボンディングを行わず、同じ材質の基板をボンディングすることから、材質の違いによって熱膨張係数が異なることにより生じたストレス発生が除去され、より安定的なMEMS素子パッケージを提供することができる。
前述のように、素子用基板10とカバー用基板40をボンディングした後、図3Eに示すように、カバー用基板40を一定厚さで研摩する。ここで、一定厚さはほぼ40μmである。係る研摩はグラインディング、ラッピング、および科学的な機械研摩の順に行われる。
図3Fに示すように、一定厚さで研摩されたカバー用基板40の一定位置、つまり、内部電極パッド20が位置する部分に電極配線のためのビアホール41を形成する。このビアホール41は、ガラス基板でなく薄いシリコン基板に形成されるため、その工程が従来の複雑したなサンドブラスターではない、簡単なICPエッチングにより行われる。
ビアホール41に金属、即ちAuをスパッタリング工程に基づいて充填させて、図3Gに示すようビアホール41を介して内部の内部電極パッド20と電気的に接続される外部電極パッド50を形成する。このときにもカバー用基板40は薄いので、スパッタリング時間などを従来に比べて短縮させることができる。
本発明による作用効果をまとめると、Au−Auダイレクトボンディングを用いることで、ボンディング温度は約320℃程度と低温であり、ボンディング時間は20分程度である。よって、ボンディング時に素子の変形や損傷を減らして、より安定駆動可能かつ信頼性の高いMEMS素子パッケージを効率よく製造することができる。
また、素子用基板10およびカバー用基板40が同一材質のため、熱膨張係数が同一でありストレスが除去でき、より安定的なMEMS素子パッケージを提供することができる。
以上より、MEMS素子パッケージの収率の向上、生産性の向上を図ることができる。
本発明は例示的な方法に基づいて説明されている。ここで使用された用語は説明のためのものであり、限定的な意味として理解されてはならない。前述の内容に基づいて本発明の多様な修正および変形が可能となる。例えば、本発明に係るパッケージはMEMS素子のみならず高集積素子のパッケージに至って適用されることができる。従って、特に言及されない限り本発明は請求項の範囲内で自在に実行されることができる。
11 MEMS活性素子
13 リードライン
20 内部電極パッド
30 シーリングパッド
21a、21b、31a、31b Au層
40 カバー用基板
41 ビアホール
50 外部電極パッド
Claims (11)
- MEMS活性素子が上面に形成された素子用基板と、
前記MEMS活性素子が位置する空間を提供すべく、前記MEMS活性素子の両側に配置し、前記MEMS活性素子と電気的に接続された内部電極パッドと、
前記内部電極パッドの外側に位置するシーリングパッドと、
前記シーリングパッドを介して前記素子用基板と結合し、前記内部電極パッドに位置する部分にビアホールが形成されたカバー用基板と、
前記ビアホールを介して前記内部電極パッドと電気的な接続が行われるよう前記カバー用基板の上面に形成された外部電極パッドと
を含むことを特徴とするMEMS素子パッケージ。 - 前記内部電極パッドおよびシーリングパッドはAuから形成され、前記素子用基板と前記カバー用基板はAu−Auダイレクトボンディングされることを特徴とする請求項1に記載のMEMS素子パッケージ。
- 前記外部電極パッドはAuから形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載のMEMS素子パッケージ。
- (a)MEMS活性素子およびこの活性素子と電気的に接続されるリードラインを備えた素子用基板を備えるステップと、
(b)カバー用基板に内部電極パッドおよびこの内部電極パッドの外側に配置するシーリングパッドを所定の高さで形成するステップと、
(c)前記MEMS活性素子が前記内部電極パッドにより提供された空間に位置し、前記内部電極パッドが前記リードラインと接するよう前記素子用基板とカバー用基板とをボンディングするステップと、
(d)前記カバー用基板を所定の厚さで研摩するステップと、
(e)前記カバー用基板の前記内部電極パッドが位置する部分にビアホールを形成するステップと、
(f)前記ビアホールを介して前記内部電極パッドと電気的に接触される外部電極パッドを形成するステップと
を含むことを特徴とするMEMS素子パッケージ製造方法。 - 前記(b)ステップにおいて、
(b1)前記カバー用基板の全面にシードメタルを塗布するステップと、
(b2)前記シードメタル層上にフォトリソグラフィー工程を介して内部電極パッドおよびシーリングパッドの形成のためのメッキフレームを形成するステップと、
(b3)前記メッキフレームにAuを電気メッキするステップと、
(b4)前記メッキフレームを取除くステップと
を更に含むことを特徴とする請求項4に記載のMEMS素子パッケージ製造方法。 - 前記(b1)ステップにおいて、Auを1000Å厚さで塗布することを特徴とする請求項5に記載のパッケージ製造方法。
- 前記(c)ステップにおいて、Au−Auダイレクトボンディングを用いることを特徴とする請求項5に記載のMEMS素子パッケージ製造方法。
- 前記Au−Auダイレクトボンディングは320±10℃の温度で20分以内に行われることを特徴とする請求項7記載のMEMS素子パッケージ製造方法。
- 前記(d)ステップにおいて、カバー用基板の所定厚さは40μmである
ことを特徴とする請求項5に記載のMEMS素子パッケージ製造方法。 - 前記(e)ステップにおいて、該当部分をICPエッチングすることを特徴とする請求項5記載のMEMS素子パッケージ製造方法。
- 前記(f)ステップにおいて、Auをスパッタリングすることを特徴とする請求項5に記載のMEMS素子パッケージ製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040112700A KR100636823B1 (ko) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Mems 소자 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186376A true JP2006186376A (ja) | 2006-07-13 |
Family
ID=36612204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005374221A Pending JP2006186376A (ja) | 2004-12-27 | 2005-12-27 | Mems素子パッケージおよびその製造方法。 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060141652A1 (ja) |
JP (1) | JP2006186376A (ja) |
KR (1) | KR100636823B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831405B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-05-21 | (주) 파이오닉스 | 웨이퍼 본딩 패키징 방법 |
CN101941673B (zh) * | 2010-09-10 | 2012-05-09 | 北京航天时代光电科技有限公司 | 一种微机电系统圆片级真空封装方法 |
US9802813B2 (en) * | 2014-12-24 | 2017-10-31 | Stmicroelectronics (Malta) Ltd | Wafer level package for a MEMS sensor device and corresponding manufacturing process |
CN108190828A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-06-22 | 北京先通康桥医药科技有限公司 | Mems传感器线阵、触诊探头及其制造方法 |
US10813228B2 (en) * | 2018-06-22 | 2020-10-20 | Indium Corporation | Preventing post reflow interconnect failures in VIPPO solder joints via utilization of adhesive material |
CN111137839A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-05-12 | 清华大学 | 用于面内运动式微机电系统器件的三维圆片级封装结构 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6265246B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-07-24 | Agilent Technologies, Inc. | Microcap wafer-level package |
US7429495B2 (en) * | 2002-08-07 | 2008-09-30 | Chang-Feng Wan | System and method of fabricating micro cavities |
KR100447851B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2004-09-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 플립칩 방식 측면 접합 본딩 방법 및 이를이용한 mems 소자 패키지 및 패키지 방법 |
JP4342174B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-10-14 | 新光電気工業株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
US7230513B2 (en) * | 2004-11-20 | 2007-06-12 | Wireless Mems, Inc. | Planarized structure for a reliable metal-to-metal contact micro-relay MEMS switch |
-
2004
- 2004-12-27 KR KR1020040112700A patent/KR100636823B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-28 US US11/260,090 patent/US20060141652A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-27 JP JP2005374221A patent/JP2006186376A/ja active Pending
-
2007
- 2007-05-21 US US11/802,231 patent/US7537952B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060141652A1 (en) | 2006-06-29 |
KR20060074076A (ko) | 2006-07-03 |
US20070224719A1 (en) | 2007-09-27 |
US7537952B2 (en) | 2009-05-26 |
KR100636823B1 (ko) | 2006-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4353939B2 (ja) | Mems素子パッケージおよびその製造方法 | |
US10913655B2 (en) | Manufacturing of integrated circuit resonator | |
KR100907514B1 (ko) | 센서 장치, 센서 시스템 및 그것의 제조 방법 | |
EP1953814B1 (en) | Wafer level package structure and method for manufacturing same | |
JP2006247833A (ja) | Mems素子パッケージ及びその製造方法 | |
JP5610177B2 (ja) | 機能デバイス及びその製造方法 | |
WO2004035461A2 (en) | Manufacturing methods and vacuum or hermetically packaged micromachined or mems devices formed thereby having substantially vertical feedthroughs | |
WO2007061062A1 (ja) | ウェハレベルパッケージ構造体の製造方法 | |
KR20100039814A (ko) | 웨이퍼 레벨의 밀폐형 인터페이스 칩 구현 시스템 및 방법 | |
JP2007036060A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006186376A (ja) | Mems素子パッケージおよびその製造方法。 | |
US20220221363A1 (en) | Pressure Sensor Device and Method for Forming a Pressure Sensor Device | |
JP2005129888A (ja) | センサ装置、センサシステム、センサ装置の製造方法及びセンサシステムの製造方法 | |
JP2008039626A (ja) | 圧力検出装置 | |
JP5423399B2 (ja) | コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 | |
JP2014205235A (ja) | 機能デバイス | |
JP5407250B2 (ja) | 角速度センサ素子、角速度センサ素子の製造方法、角速度センサ及び電子機器 | |
JP2005228863A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びセンサ | |
JP5151569B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP2007184810A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JP6004957B2 (ja) | 水晶振動子及びその製造方法 | |
JP2010107215A (ja) | 圧力センサ、圧力センサパッケージ及びその製造方法、並びに圧力センサモジュール及び電子部品 | |
TW201210097A (en) | Manufacturing method of via type resonating device wafer level package structure | |
JP2002181845A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090210 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090511 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090714 |