JP5423399B2 - コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 - Google Patents
コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5423399B2 JP5423399B2 JP2009548964A JP2009548964A JP5423399B2 JP 5423399 B2 JP5423399 B2 JP 5423399B2 JP 2009548964 A JP2009548964 A JP 2009548964A JP 2009548964 A JP2009548964 A JP 2009548964A JP 5423399 B2 JP5423399 B2 JP 5423399B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- built
- substrate
- forming
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 457
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 104
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 76
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 59
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 48
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 23
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 17
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000909 Lead-bismuth eutectic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16265—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16265—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component
- H01L2224/16268—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
- H01L2924/19103—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device interposed between the semiconductor or solid-state device and the die mounting substrate, i.e. chip-on-passive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
- H01L2924/19104—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device on the semiconductor or solid-state device, i.e. passive-on-chip
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明は、日本国特許出願:特願2008−002340号(2008年 1月 9日出願)の優先権主張に基づくものであり、同出願の全記載内容は引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
本発明は、電子装置にコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵装置(特に半導体装置)の製造方法及び該コンデンサ内蔵装置を回路基板に実装したコンデンサ内蔵パッケージの製造方法に関する。
△V=−L×di/dt・・・・・・(1)
ここで、di/dtはスイッチングによって回路を流れる負荷電流の時間変化、LはLSIと電源装置との間の配線のインダクタンスである。
以下の分析は本発明の観点から与えられる。
2 コンデンサ基板
2a 一方の面
2b 他方の面
3 下部電極
4 誘電体
5 上部電極
6 レジスト
7 凹部
8(8a,8b) 層間絶縁膜
9 導電体
10 コンデンサ
11 接続パッド
12 コンデンサ内蔵素子
13 カバー絶縁膜
14 ハンダバンプ
15 電子素子
16 アンダーフィル樹脂
17 モールド樹脂
18 カバー絶縁膜
19 ハンダバンプ
20 回路基板
21 アンダーフィル樹脂
31 コンデンサ内蔵パッケージ
38 第1層間絶縁膜
38a コンタクトホール
39 第2層間絶縁膜
41 コンデンサ内蔵装置
42 コンデンサ内蔵素子
43 第3絶縁膜
43a コンタクトホール
51 コンデンサ内蔵装置
52 コンデンサ内蔵素子
53 貫通孔
54 接続パッド
61 コンデンサ内蔵パッケージ
コンデンサ基板2上にコンデンサ10を形成すると共に、凹部7を形成する(図6(a))。次に、以下に形成する導電体とコンデンサ基板とが電気的に接続しないように、コンデンサ基板2(凹部7内壁含む)及びコンデンサ10上に、CVD法等を用いてシリコン酸化膜等の第1層間絶縁膜38を形成する(図6(b))。次に、下部電極3又は上部電極5と電気的接続と形成するためのコンタクトホール38aを第1層間絶縁膜38に形成する(図6(c))。次に、図2(e)〜図3(i)と同様にして、導電体9の形成(図6(d))、無機材料や樹脂等で第2層間絶縁膜39の形成、電子素子と電気的に接続するための接続パッド11の形成、コンデンサ10の電気的試験、コンデンサ内蔵素子の集合体の個片化、カバー絶縁膜13及びハンダバンプ14の形成を実施する(図6(e))。
なお、前述の特許文献等の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
Claims (10)
- 電子素子にコンデンサ内蔵素子を実装したコンデンサ内蔵装置の製造方法であって、
上部電極、誘電体及び下部電極を有する少なくとも1つのコンデンサを一単位として、コンデンサ基板の一方の面に、前記コンデンサを複数単位形成するコンデンサ形成工程と、
前記コンデンサ基板の前記一方の面の前記コンデンサが形成されていない所定の領域に、前記コンデンサ基板を貫通しない所定の深さの少なくとも1つの凹部を形成する凹部形成工程と、
前記コンデンサ基板の前記一方の面上に、層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記凹部内を被覆ないし充填し、前記層間絶縁膜を貫通すると共に、前記上部電極及び前記下部電極のいずれかと電気的に接続された導電体を形成する導電体形成工程と、
前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵素子の集合体をコンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵素子個片化工程と、
前記導電体と前記電子素子とが電気的に接続するように前記コンデンサ基板の前記一方の面を前記電子素子と対向させて複数のコンデンサ内蔵素子を前記電子素子にフリップチップ実装するコンデンサ内蔵素子実装工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記凹部内の前記導電体が露出するように前記コンデンサ基板を薄化するコンデンサ基板薄化工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記電子素子を薄化する電子素子薄化工程と、
前記コンデンサ基板薄化工程及び前記電子素子薄化工程後において、前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵装置の集合体を前記コンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵装置個片化工程と、
を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵装置の製造方法。 - 前記コンデンサ基板が非絶縁性である場合、
前記層間絶縁膜形成工程において、前記コンデンサ基板と前記導電体が電気的に接続しないように層間絶縁膜を形成し、
前記コンデンサ薄化工程後、前記凹部内の前記導電体が露出するように、前記コンデンサ基板の前記他方の面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ内蔵装置の製造方法。 - 電子素子にコンデンサ内蔵素子を実装したコンデンサ内蔵装置の製造方法であって、
上部電極、誘電体及び下部電極を有する少なくとも1つのコンデンサを一単位として、コンデンサ基板の一方の面に、前記コンデンサを複数単位形成するコンデンサ形成工程と、
前記コンデンサ基板の前記一方の面上に、層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
少なくとも一部が前記電子装置の前記一方の面の前記コンデンサが形成されていない所定の領域に接し、前記層間絶縁膜を貫通すると共に、前記上部電極及び前記下部電極のいずれかと電気的に接続された導電体を形成する導電体形成工程と、
前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵素子の集合体をコンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵素子個片化工程と、
前記導電体と前記電子素子とが電気的に接続するように前記コンデンサ基板の前記一方の面を前記電子素子と対向させて複数のコンデンサ内蔵素子を前記電子素子にフリップチップ実装するコンデンサ内蔵素子実装工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記コンデンサ基板を所定の厚さまで薄化するコンデンサ基板薄化工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記電子素子を薄化する電子素子薄化工程と、
前記所定の領域の前記導電体が露出するように、前記コンデンサ基板の他方の面から前記コンデンサ基板に少なくとも1つの貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記導電体と電気的接続するように前記貫通孔を被覆ないし充填する貫通孔導電体を形成する貫通孔導電体形成工程と、
前記コンデンサ基板薄化工程及び前記電子素子薄化工程後において、前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵装置の集合体を前記コンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵装置個片化工程と、
を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵装置の製造方法。 - 前記コンデンサ基板が非絶縁性である場合、
前記層間絶縁膜形成工程において、前記コンデンサ基板と前記導電体が電気的に接続しないように層間絶縁膜を形成し、
前記貫通孔導電体形成工程前に、前記貫通孔内壁及び前記コンデンサ基板の他方の面に絶縁膜を形成する絶縁膜工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のコンデンサ内蔵装置の製造方法。 - 前記コンデンサ基板薄化工程において、前記コンデンサ基板は、研削加工及びエッチング加工のうち少なくとも一方によって薄化されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のコンデンサ内蔵装置の製造方法。
- 前記コンデンサ内蔵素子実装工程前に、前記コンデンサ内蔵素子及び前記電子素子を電気的に試験する第1良品選別工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のコンデンサ内蔵装置の製造方法。
- 前記コンデンサ内蔵素子実装工程において、前記電子素子の不良領域及び前記電子素子の周縁領域が存在する場合には、少なくとも一方の領域には、前記コンデンサ内蔵素子ではなくダミーチップを実装することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のコンデンサ内蔵装置の製造方法。
- 前記コンデンサ内蔵装置個片化工程前に、前記コンデンサ内蔵装置を電気的に試験する第2良品選別工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のコンデンサ内蔵装置の製造方法。
- 電子素子にコンデンサ内蔵素子を実装したコンデンサ内蔵装置を、回路基板に実装したコンデンサ内蔵パッケージの製造方法であって、
上部電極、誘電体及び下部電極を有する少なくとも1つのコンデンサを一単位として、コンデンサ基板の一方の面に、前記コンデンサを複数単位形成するコンデンサ形成工程と、
前記コンデンサ基板の前記一方の面の前記コンデンサが形成されていない所定の領域に、前記コンデンサ基板を貫通しない少なくとも1つの凹部を形成する凹部形成工程と、
前記コンデンサ基板の前記一方の面上に、層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記凹部内を被覆ないし充填し、前記層間絶縁膜を貫通すると共に、前記上部電極及び前記下部電極のいずれかと電気的に接続された導電体を形成する導電体形成工程と、
前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵素子の集合体をコンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵素子個片化工程と、
前記導電体と前記電子素子とが電気的に接続するように前記コンデンサ基板の前記一方の面を前記電子素子と対向させて複数のコンデンサ内蔵素子を前記電子素子にフリップチップ実装するコンデンサ内蔵素子実装工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記凹部内の前記導電体が露出するように前記コンデンサ基板を薄化するコンデンサ基板薄化工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記電子素子を薄化する電子素子薄化工程と、
前記コンデンサ基板薄化工程及び前記電子素子薄化工程後において、前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵装置の集合体を前記コンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵装置個片化工程と、
前記導電体と前記回路基板とが電気的に接続するように前記コンデンサ基板の他方の面を前記回路基板と対向させて、個片化された前記コンデンサ内蔵装置を前記回路基板にフリップチップ実装するコンデンサ内蔵装置実装工程と、
を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵パッケージの製造方法。 - 電子素子にコンデンサ内蔵素子を実装したコンデンサ内蔵装置を、回路基板に実装したコンデンサ内蔵パッケージの製造方法であって、
上部電極、誘電体及び下部電極を有する少なくとも1つのコンデンサを一単位として、コンデンサ基板の一方の面に、前記コンデンサを複数単位形成するコンデンサ形成工程と、
前記コンデンサ基板の前記一方の面上に、層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
少なくとも一部が前記電子装置の前記一方の面の前記コンデンサが形成されていない所定の領域に接し、前記層間絶縁膜を貫通すると共に、前記上部電極及び前記下部電極のいずれかと電気的に接続された導電体を形成する導電体形成工程と、
前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵素子の集合体をコンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵素子個片化工程と、
前記導電体と前記電子素子とが電気的に接続するように前記コンデンサ基板の前記一方の面を前記電子素子と対向させて複数のコンデンサ内蔵素子を前記電子素子にフリップチップ実装するコンデンサ内蔵素子実装工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記コンデンサ基板を所定の厚さまで薄化するコンデンサ基板薄化工程と、
前記コンデンサ内蔵素子実装工程後において、前記電子素子を薄化する電子素子薄化工程と、
前記所定の領域の前記導電体が露出するように、前記コンデンサ基板の他方の面から前記コンデンサ基板に少なくとも1つの貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記導電体と電気的接続するように前記貫通孔を被覆ないし充填する貫通孔導電体を形成する貫通孔導電体形成工程と、
前記コンデンサ基板薄化工程及び前記電子素子薄化工程後において、前記各工程によって形成されたコンデンサ内蔵装置の集合体を前記コンデンサ内蔵素子一単位毎に個片化するコンデンサ内蔵装置個片化工程と、
前記貫通孔導電体と前記回路基板とが電気的に接続するように前記コンデンサ基板の前記他方の面を前記回路基板と対向させて、個片化された前記コンデンサ内蔵装置を前記回路基板にフリップチップ実装するコンデンサ内蔵装置実装工程と、
を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009548964A JP5423399B2 (ja) | 2008-01-09 | 2009-01-09 | コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002340 | 2008-01-09 | ||
JP2008002340 | 2008-01-09 | ||
PCT/JP2009/050200 WO2009088069A1 (ja) | 2008-01-09 | 2009-01-09 | コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 |
JP2009548964A JP5423399B2 (ja) | 2008-01-09 | 2009-01-09 | コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009088069A1 JPWO2009088069A1 (ja) | 2011-05-26 |
JP5423399B2 true JP5423399B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=40853178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009548964A Expired - Fee Related JP5423399B2 (ja) | 2008-01-09 | 2009-01-09 | コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5423399B2 (ja) |
WO (1) | WO2009088069A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6395600B2 (ja) | 2012-05-30 | 2018-09-26 | オリンパス株式会社 | 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 |
CN104364894B (zh) * | 2012-05-30 | 2019-04-23 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像装置、半导体装置及摄像单元 |
WO2013179767A1 (ja) | 2012-05-30 | 2013-12-05 | オリンパス株式会社 | 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 |
WO2013179764A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | オリンパス株式会社 | 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 |
KR102592640B1 (ko) * | 2016-11-04 | 2023-10-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
TWI775280B (zh) * | 2021-01-20 | 2022-08-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 電容集成結構、電容單元及其製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005012199A (ja) * | 2003-05-27 | 2005-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007096232A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | インターポーザ及び電子装置の製造方法 |
JP2007184324A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Nec Corp | キャパシタ、チップキャリア型キャパシタ、半導体装置および実装基板ならびにキャパシタの製造方法 |
JP2007234843A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Fujitsu Ltd | 薄膜キャパシタ素子、インターポーザ、半導体装置、及び、薄膜キャパシタ素子或いはインターポーザの製造方法 |
-
2009
- 2009-01-09 JP JP2009548964A patent/JP5423399B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-09 WO PCT/JP2009/050200 patent/WO2009088069A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005012199A (ja) * | 2003-05-27 | 2005-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007096232A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | インターポーザ及び電子装置の製造方法 |
JP2007184324A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Nec Corp | キャパシタ、チップキャリア型キャパシタ、半導体装置および実装基板ならびにキャパシタの製造方法 |
JP2007234843A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Fujitsu Ltd | 薄膜キャパシタ素子、インターポーザ、半導体装置、及び、薄膜キャパシタ素子或いはインターポーザの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2009088069A1 (ja) | 2011-05-26 |
WO2009088069A1 (ja) | 2009-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10825693B2 (en) | Carrier warpage control for three dimensional integrated circuit (3DIC) stacking | |
TWI397977B (zh) | 積體電路結構及其形成方法 | |
US8835221B2 (en) | Integrated chip package structure using ceramic substrate and method of manufacturing the same | |
US8232644B2 (en) | Wafer level package having a stress relief spacer and manufacturing method thereof | |
US9030029B2 (en) | Chip package with die and substrate | |
US8119446B2 (en) | Integrated chip package structure using metal substrate and method of manufacturing the same | |
KR100604049B1 (ko) | 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
EP2546876B1 (en) | System and method for wafer level packaging | |
JP5423399B2 (ja) | コンデンサ内蔵装置の製造方法及びコンデンサ内蔵パッケージの製造方法 | |
US20120228755A1 (en) | Semiconductor module and manufacturing method thereof | |
JP2004079701A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002368160A (ja) | ウェーハレベルパッケージ及びその製造方法 | |
US10211082B2 (en) | Fabrication method of electronic package | |
TWI574333B (zh) | 電子封裝件及其製法 | |
US20140103522A1 (en) | Semiconductor substrate, semiconductor device, and method of manfacturing semiconductor substrate | |
CN111223819A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
US10276528B2 (en) | Semicondcutor device and manufacturing method thereof | |
US7498676B2 (en) | Semiconductor device | |
US20230275077A1 (en) | Chip-on-wafer-on-substrate package with improved yield | |
TW202226396A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |