JP2017019709A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017019709A5 JP2017019709A5 JP2016104578A JP2016104578A JP2017019709A5 JP 2017019709 A5 JP2017019709 A5 JP 2017019709A5 JP 2016104578 A JP2016104578 A JP 2016104578A JP 2016104578 A JP2016104578 A JP 2016104578A JP 2017019709 A5 JP2017019709 A5 JP 2017019709A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- incident
- plane
- gan substrate
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- （０００１）面に対し、傾斜角度が４５°以上１３５°以下で、傾斜方向が＜１０−１０＞方向を中心とする±５°の範囲内の方向であるおもて面と、該おもて面とは反対側の主表面である裏面と、当該基板の中心から見て⊥ｃ方向に位置する第１の側面と、を有するＧａＮ基板であって、
該おもて面または裏面の面方位とのズレが１０°以下の主表面を持つＧａＮシードの該主表面上に成長したバルクＧａＮ結晶で形成されており、
該第１の側面にＸ線を入射したときに｛１１−２０｝面のＸ線回折ピークが得られることを特徴とするＧａＮ基板。 - 前記第１の側面にＸ線を入射したときに得られる｛１１−２０｝面のＸ線回折ピークが、Ｘ線としてＣｕＫα 1 を用い回折Ｘ線の２θ角を｛１１−２０｝面のブラッグ角の２倍に固定しつつ入射Ｘ線の入射角θを変化させるθスキャンを行うことにより得られる回折ピークである、請求項１に記載のＧａＮ基板。
- 前記第１の側面とは反対側に第２の側面を有し、該第２の側面にＸ線を入射したときに｛１１−２０｝面のＸ線回折ピークが得られる、請求項１または２に記載のＧａＮ基板。
- 前記第２の側面にＸ線を入射したときに得られる｛１１−２０｝面のＸ線回折ピークが、Ｘ線としてＣｕＫα 1 を用い回折Ｘ線の２θ角を｛１１−２０｝面のブラッグ角の２倍に固定しつつ入射Ｘ線の入射角θを変化させるθスキャンを行うことにより得られる回折ピークである、請求項３に記載のＧａＮ基板。
- 前記おもて面が略矩形である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
- 前記バルクＧａＮ結晶は、アルカリ金属およびハロゲンの濃度が１×１０ 15 ｃｍ -3 未満かつ４５０ｎｍにおける吸収係数が２ｃｍ -1 以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
- 前記バルクＧａＮ結晶の赤外吸収スペクトルの３１００〜３５００ｃｍ −１ には、ガリウム空孔−水素複合体（gallium vacancy‐hydrogen complex）に帰属するピークが観察さ
れない、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014254462 | 2014-12-16 | ||
| JP2014254462 | 2014-12-16 | ||
| JP2015010670 | 2015-01-22 | ||
| JP2015010670 | 2015-01-22 | ||
| JP2015140702 | 2015-07-14 | ||
| JP2015140702 | 2015-07-14 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016512147A Division JP5950070B1 (ja) | 2014-12-16 | 2015-11-18 | ＧａＮ基板 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017019709A JP2017019709A (ja) | 2017-01-26 |
| JP2017019709A5 true JP2017019709A5 (ja) | 2018-11-29 |
| JP6597481B2 JP6597481B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=56126416
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016512147A Active JP5950070B1 (ja) | 2014-12-16 | 2015-11-18 | ＧａＮ基板 |
| JP2016104578A Active JP6597481B2 (ja) | 2014-12-16 | 2016-05-25 | ＧａＮ基板 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016512147A Active JP5950070B1 (ja) | 2014-12-16 | 2015-11-18 | ＧａＮ基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10612161B2 (ja) |
| JP (2) | JP5950070B1 (ja) |
| WO (1) | WO2016098518A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9564320B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-02-07 | Soraa, Inc. | Large area nitride crystal and method for making it |
| KR102335452B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2021-12-07 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 |
| JP7084123B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2022-06-14 | 古河機械金属株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板 |
| CN108922849B (zh) * | 2018-07-13 | 2019-07-12 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体结构制造方法 |
| US11466384B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-10-11 | Slt Technologies, Inc. | Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate |
| US11195973B1 (en) * | 2019-05-17 | 2021-12-07 | Facebook Technologies, Llc | III-nitride micro-LEDs on semi-polar oriented GaN |
| WO2020241760A1 (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 三菱ケミカル株式会社 | ＧａＮ基板ウエハおよびその製造方法 |
| US11175447B1 (en) | 2019-08-13 | 2021-11-16 | Facebook Technologies, Llc | Waveguide in-coupling using polarized light emitting diodes |
| US11721549B2 (en) | 2020-02-11 | 2023-08-08 | Slt Technologies, Inc. | Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use |
| WO2021163230A1 (en) * | 2020-02-11 | 2021-08-19 | Slt Technologies, Inc. | Large area group iii nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use |
| US11705322B2 (en) | 2020-02-11 | 2023-07-18 | Slt Technologies, Inc. | Group III nitride substrate, method of making, and method of use |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053413B2 (en) * | 2000-10-23 | 2006-05-30 | General Electric Company | Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing |
| JP4915128B2 (ja) | 2005-04-11 | 2012-04-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法 |
| JPWO2007119433A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物層およびその製造方法 |
| JP5332168B2 (ja) | 2006-11-17 | 2013-11-06 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
| JP5040977B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-10-03 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体基板、半導体装置およびそれらの製造方法 |
| JP5445105B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物結晶 |
| JP5821164B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2015-11-24 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＮ基板および発光デバイス |
| US8253162B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-08-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN substrate and light-emitting device |
| US9564320B2 (en) * | 2010-06-18 | 2017-02-07 | Soraa, Inc. | Large area nitride crystal and method for making it |
| JP5808208B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-11-10 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板の製造方法 |
| US8471366B2 (en) * | 2011-11-30 | 2013-06-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor substrate |
| JP2014028720A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第１３族窒化物基板 |
| JP2014043388A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-03-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第１３族窒化物結晶の製造方法 |
| JP2014118323A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法及び周期表第１３族金属窒化物半導体結晶 |
-
2015
- 2015-11-18 JP JP2016512147A patent/JP5950070B1/ja active Active
- 2015-11-18 WO PCT/JP2015/082439 patent/WO2016098518A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-05-25 JP JP2016104578A patent/JP6597481B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-16 US US15/625,019 patent/US10612161B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017019709A5 (ja) | ||
| Tanaka et al. | Two types of Dirac-cone surface states on the (111) surface of the topological crystalline insulator SnTe | |
| Kriegner et al. | Unit cell structure of crystal polytypes in InAs and InSb nanowires | |
| JP2016074580A5 (ja) | 酸化物半導体膜 | |
| JP2014205902A5 (ja) | 金属酸化物膜 | |
| JP2011521477A5 (ja) | ||
| JP2014208571A5 (ja) | ||
| Suzuki | Theoretical discovery of stable structures of group III-V monolayers: The materials for semiconductor devices | |
| JP2016138040A5 (ja) | エピタキシャルウエハ | |
| JP2017524647A5 (ja) | ||
| WO2015031833A3 (en) | Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity | |
| Durnev et al. | Indium incorporation and optical transitions in InGaN bulk materials and quantum wells with arbitrary polarity | |
| WO2012063110A3 (en) | Nanocomposite thermoelectric conversion material, method of producing same, and thermoelectric conversion element | |
| JP2015073114A5 (ja) | 非単結晶金属酸化物膜 | |
| TWI657172B (zh) | 鈣鈦礦單晶的合成方法 | |
| Barman et al. | Structural and optical studies of chemically prepared CdS nanocrystalline thin films | |
| Yao et al. | Zinc vacancy related emission in homoepitaxial N-doped ZnO microrods | |
| PH12020550149A1 (en) | Crystal | |
| JP2013100220A5 (ja) | ||
| Pung et al. | Structural and infrared properties of zinc oxide film and nanowires | |
| AR111906A1 (es) | Formas cristalinas de 5-bromo-2,6-di(1h-pirazol-1-il)pirimidin-4-amina y sales | |
| Urakami et al. | Epitaxial growth of ReS2 (001) thin film via deposited-Re sulfurization | |
| JP2016200537A5 (ja) | ||
| JP2017108179A5 (ja) | ||
| Tawarazako et al. | Long wavelength red to green emissions from {112} semipolar multi-quantum wells on fully relaxed InGaN underlayer |