JP2017017322A - 調整可能なセルビット形状を有する不揮発性メモリ - Google Patents
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Abstract
Description
102 プロセッサ
104 記憶装置
106 ロウデコーダ
108 カラムデコーダ
200 メモリセル
202 ゲート電極
204 絶縁層
206 チャネル層
208 記録層
210 基板層
300 操作
402A〜C 電圧信号
404A〜C 書き込み電流信号
406A〜C 記録ビット領域
w1〜w3 幅
502A〜C 電圧信号
504A〜C 書き込み電流信号
506A〜C 記録ビット領域
d1〜d3 深さ
600 ストリング
602、604、606 メモリセル
702、704、706 ビット領域
800 メモリセル
802 記録層
808 電圧信号シーケンス
804 第1の空乏拡張
806 第2の空乏拡張
810 電流信号シーケンス
812 第1の独立領域
814 第2の独立領域
900 グラフ
1000 メモリセル
Claims (20)
- 1つ以上のビットを少なくとも1つのメモリセルに記録するための方法であって、
前記少なくとも1つのメモリセルのチャネル層に電流を印加することと、
前記少なくとも1つのメモリセルのゲートを、電圧を前記少なくとも1つのメモリセルの前記ゲートに印加することによって作動させることと、
前記ゲートを作動させると、前記電流を前記少なくとも1つのメモリセルの前記チャネル層から記録層へ流すために、前記チャネル層を欠乏させることであって、前記記録層が第1の抵抗状態にあることと、
1つ以上のビットを前記記録層に書き込むために、前記記録層の少なくとも一部を、前記第1の抵抗状態から第2の抵抗状態へ転換することであって、前記第1の抵抗状態及び前記第2の抵抗状態は異なっており、前記記録層の前記少なくとも1つの転換部分の大きさ又は形状のうちの少なくとも1つは、前記ゲートに印加される前記電圧と、前記チャネル層に印加される前記電流とによって部分的に制御されることと、を含む、
方法。 - 前記記録層は、相変化材料又は抵抗変化型ランダムアクセスメモリ材料のうちの1つを備える、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上のビットを書き込むよう前記記録層の前記少なくとも一部を転換することは、前記少なくとも一部の第1の部分を抵抗状態に転換し、前記少なくとも一部の第2の部分を異なる抵抗状態に転換することを含み、各転換部分は、記録されたビットに対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの転換部分の前記大きさ及び形状のうちの前記少なくとも1つを制御することは、一定の電圧を前記ゲートに印加し、前記チャネル層に印加される前記電流を変化させることによって、前記少なくとも1つの転換部分の幅を制御することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの転換部分の前記大きさ又は形状のうちの前記少なくとも1つを制御することは、前記少なくとも1つのメモリセルの前記ゲートに印加される電圧を変化させ、前記少なくとも1つのメモリセルの前記チャネルに印加される電流を変化させることによって、前記少なくとも1つの転換部分の深さを制御することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのメモリセルは、ストリング内で接続される複数のメモリセルを備える、請求項1に記載の方法。
- 書き込まれていないいかなるメモリセルの前記ゲートもオフにすることによって、前記複数のメモリセルのそれぞれに1つずつシーケンシャルに書き込むことを更に含む、
請求項6に記載の方法。 - 一定の電流信号を印加し、前記複数のメモリセルのそれぞれに印加される前記電圧を変化させることによって、前記複数のメモリセルのそれぞれに同時に書き込むことを更に含む、
請求項6に記載の方法。 - 前記ゲートを作動させると、
前記チャネル層の空乏を前記少なくとも1つのメモリセルの前記記録層に拡張することと、
1つ以上のビットを書き込むために、前記ゲートに印加される前記電圧に基づいて、前記記録層への前記空乏の前記拡張の深さを制御することと、を更に含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記記録層に書き込まれる多数の前記1つ以上のビットに基づいて、複数の抵抗トポロジーを符号化すること、を更に含む、
請求項9に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの転換部分の前記大きさ又は形状のうちの前記少なくとも1つを制御することは、電圧が前記少なくとも1つのメモリセルの前記ゲートに印加される時間と、電流が前記少なくとも1つのメモリセルの前記チャネルに印加される時間とのうちの少なくとも1つを変化させることによって、前記少なくとも1つの転換部分の深さを制御することを含む、請求項1に記載の方法。
- 調整可能な不揮発性メモリセルであって、
ゲートと、
少なくとも1つの記録層と、
チャネル層であって、空乏領域を支持することが可能であり、前記ゲートと前記少なくとも1つの記録層との間に配設され、電流は最初に前記チャネル層を通って流れ、前記ゲートを作動させると、前記チャネル層が欠乏され、最初に前記チャネル層に流れる電流は、前記少なくとも1つの記録層を通って向けられ、前記少なくとも1つの記録層の一部は、前記少なくとも1つの記録層を通って向けられる前記電流に基づいて、第1の抵抗状態から第2の抵抗状態へ転換されることができ、前記転換部分の大きさ又は形状のうちの少なくとも1つは、少なくとも1つのビットを格納するために、制御されることができる、チャネル層と、を備える、
調整可能な不揮発性メモリセル。 - 前記少なくとも1つの記録層の複数の部分は、前記少なくとも1つの記録層を通って向けられる電流信号のシーケンスに基づいて、第1の抵抗状態から第2の抵抗状態へ転換されることができ、前記複数の転換部分のそれぞれの大きさ又は形状のうちの少なくとも1つは、複数のビットを格納するために、制御されることができる、請求項12に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- 前記複数の転換部分のそれぞれの幅は、前記ゲートに印加される一定の電圧及び前記チャネル層に印加される変化する電流シーケンスによって制御されることができる、請求項13に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- 前記複数の転換部分のそれぞれの深さは、前記チャネル層に印加される変化する電流シーケンス及び前記ゲートに印加される変化する電圧によって制御されることができる、請求項13に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- 前記少なくとも1つの記録層は、空乏領域を支持することができる、請求項12に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- 前記少なくとも1つの記録層の複数の部分は、前記少なくとも1つの記録層への前記空乏領域の深さの拡張に基づいて、第1の抵抗状態から第2の抵抗状態へ転換されることができる、請求項16に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- 前記少なくとも1つの記録層は、相変化材料又は抵抗変化型ランダムアクセスメモリ材料のうちの少なくとも1つを備える、請求項12に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- 前記少なくとも1つの記録層は、複数の層を備え、各層は異なる材料特性を有する、請求項12に記載の調整可能な不揮発性メモリセル。
- システムであって、
複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルのそれぞれをアドレス指定するよう構成されるプロセッサであって、前記複数のメモリセルのそれぞれのために、前記プロセッサは、
前記メモリセルのチャネル層に電流を印加し、
前記メモリセルのゲートを、電圧を前記メモリセルの前記ゲートに印加することによって作動させ、
前記ゲートを作動させると、前記電流を前記メモリセルの前記チャネル層から記録層へ流すよう構成され、前記記録層は第1の抵抗状態にあり、
1つ以上のビットを前記記録層に書き込むために、前記記録層の少なくとも一部を、前記第1の抵抗状態から第2の抵抗状態へ転換するよう構成され、前記第1の抵抗状態及び前記第2の抵抗状態は異なっており、前記記録層の前記少なくとも1つの転換部分の大きさ又は形状のうちの少なくとも1つは、前記ゲートに印加される前記電圧と、前記チャネル層に印加される前記電流とによって部分的に制御されるプロセッサと、を備える、
システム。
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