JP2017011672A - 導波路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、めっきを行なわずにスパッタリング法のみにより非貫通孔の底面付近での金属膜の膜厚を確保しようとすると、基板表面に形成される接地導体用の金属膜の膜厚が必要以上に厚くなり、金属膜と基板との膨張率の違いから金属膜が基板から剥がれやすくなるという問題がある。
図1は、導波路基板100を示す斜視図であり、図2は、導波路基板100を示す端面図である。なお、導体柱114と伝送路122は、図1に示すように同一面上に存在しないが、図2では便宜上、同じ端面図に示している。
ガラス基板101は、単一材料から構成されたガラス基板である。ガラス基板の代わりに、石英基板や半導体基板を用いてもよい。
導波路110は、ガラス基板101の表裏面に設けられた第1接地導体層111及び第2接地導体層112と、これらの第1接地導体層111及び第2接地導体層112の間に立設された複数のポスト壁である導体柱114とで囲まれた領域であり、導体ピン123から放射される電磁波信号が伝搬する経路として機能する。導体柱114は、ガラス基板101の両側面115及び一端面116に沿って配列されており、他端面117側には配置されていない。そのため、他端面117側には導体やポスト壁が形成されていないので、電磁波信号が放射される開口部102となっている。
導体柱114は、第1接地導体層111及び第2接地導体層112と同じ材料からなる金属膜とされており、ガラス基板101の表裏を貫いて複数本形成されている。具体的には、導体柱114は、ガラス基板101の表裏面に貫通する貫通孔の内壁に形成された金属膜であり、導体柱114のそれぞれの端部が第1接地導体層111と第2接地導体層112とに接続されている。複数の導体柱114は、ガラス基板101の平面視において、開口部102に対応する他端面117を除いた両端面115及び一端面116に沿って略矩形のコの字状に配列されている。この複数の導体柱114の配列の位置や寸法は、導体ピン123から放射される信号を導体柱114間等から外部に漏洩しないように設定される。
導波路基板100の製造方法について以下に説明する。図3〜図5は、導波路基板100の製造方法の工程を示す端面図である。
続いて本実施形態に係る導波路基板100の製造方法についての作用効果を説明する。一般に、図3(c)に示すように、非貫通孔103が形成されたガラス基板101の上面101a及び下面101bに同時にスパッタリング法により第1金属膜113aを形成した場合、図6に示すように、上面101a上の第1金属膜113aの厚さDt'と、非貫通孔103の底面103a上の第1金属膜113aの厚さDb'との関係は、Dt'>Db'となる。つまり、ガラス基板101の上面101a上に形成される第1金属膜113aよりも、非貫通孔103の内壁、特に底面103a上に形成される第1金属膜113aの方が薄くなる。このため、非貫通孔103を導体ピン123として機能させるようにするためには、底面103a上に形成される第1金属膜113aの厚さをある程度厚くする必要がある。
101a…上面
101b…下面
102… 開口部
103… 非貫通孔
103a…底面
103b…側壁
103c…開口部
104… 貫通孔
104b…側壁
104c…上面開口部
104d …下面開口部
105,106,107…レジスト
110… 導波路
111…第1接地導体層
111a …開口
112… 第2接地導体層
113a…第1金属膜
113b…第2金属膜
113c…第3金属膜
114… 導体柱
115… 両側面
116… 一端面
117… 他端面
122… 伝送路
123… 導体ピン
123a…底部
123b…基端
123c …ランド
124…絶縁部
Claims (2)
- 基板と、前記基板の一方の主面に形成された第1接地導体層及び前記基板の他方の主面に形成された第2接地導体層と、前記第1接地導体層と前記第2接地導体層との間の貫通孔の内壁に形成された複数の導体柱と、前記基板の一方の主面側に形成された信号伝搬用の平面回路と、前記基板の一方の主面に開口して設けられる非貫通孔の内壁に形成されると共に、前記平面回路に接続された導体ピンと、を備える導波路基板の製造方法において、
前記非貫通孔が形成された前記基板の前記一方の主面及び前記非貫通孔の内壁にスパッタリング法により第1金属膜を形成する第1金属膜形成工程と、
前記基板の前記一方の主面側に前記非貫通孔の開口を塞ぐようにレジストを形成するレジスト形成工程と、
前記一方の主面に形成された前記第1金属膜を除去する金属膜除去工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記非貫通孔の内壁に第1金属膜が形成された状態で前記基板の前記一方の主面に対してスパッタリング法により第2金属膜を形成する第2金属膜形成工程と、
を有することを特徴とする導波路基板の製造方法。 - 前記第1金属膜形成工程において、前記基板の前記他方の主面及び前記貫通孔の内壁にもスパッタリング法により前記第1金属膜を形成し、
前記レジスト形成工程において、前記基板の両面側に前記貫通孔の開口も塞ぐように前記レジストを形成し、
前記金属膜除去工程において、前記他方の主面に形成された前記第1金属膜も除去し、
前記第2金属膜形成工程において、前記基板の前記他方の主面及び前記貫通孔の内壁にもスパッタリング法により前記第2金属膜を形成することを特徴とする請求項1記載の導波路基板の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007520051A (ja) * | 2003-09-23 | 2007-07-19 | マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド | 導電性構成部品、貫通ビア及び導電性貫通ウェーハ・ビアを含む半導体構成部品を製造するためのプロセス及び集積化スキーム |
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JP2014236291A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社フジクラ | モード変換器 |
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---|---|---|---|---|
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