JP2017010826A - コンタクトの接触構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2コンタクトの移動経路に沿って第1コンタクトに連続する中間接触体を、第1コンタクトより電気抵抗率が高い材料で形成し、移動経路に直交する横断面の断面積を移動経路の離反方向に向かって漸減する形状に形成する。中間接触体の抵抗値は、第1コンタクトに接続する基端からの距離に比例する以上に大きく増加するので、基端から先端までの短い長さで高抵抗値とすることができ、中間接触体の先端付近で分離する第2コンタクトの間にアーク放電が発生しない。
【選択図】図1
Description
R=x/Sで表される。
Sx=π・(b2−b2・x/a2−b1)2
で表される。
ΔR=ρ・Δx/Sx=ρ・Δx/π・(b2−b2・x/a2−b1)2
で表され、
基端(x=0)から距離x離れたプラグピン3の接触位置xpまでの中間接触体4の抵抗値Rxは、円錐の勾配−b2/a2をkとおけば、
Sx=L・(b2−b2・x/a2)
で表される。
ΔR=ρ・Δx/Sx=ρ・Δx/L・(b2−b2・x/a2)
で表され、
基端(x=0)から距離x離れた第2コンタクト23の接触位置xpまでの中間接触体4の抵抗値Rxは、
2 ソケットコンタクト(第1コンタクト)
2a 円筒接触部
2b リング接続部
2c 連結部
3 プラグピン(第2コンタクト)
3a 球体部
4 中間接触体
5 プラグ挿通孔(移動経路)
10 コンタクトの接触構造(第2の実施の形態)
20 コンタクトの接触構造(第3の実施の形態)
22 第1コンタクト
23 第2コンタクト
24 中間接触体
25 移動経路
30 コンタクトの接触構造(第4の実施の形態)
Sx=π・(b 2 −b 2 ・x/a 2 ) 2 −π・b 1 2
で表される。
ΔR=ρ・Δx/Sx=ρ・Δx/π・{(b 2 −b 2 ・x/a 2 ) 2 −b 1 2 }
で表され、
基端(x=0)から距離x離れたプラグピン3の接触位置xpまでの中間接触体4の抵抗値Rxは、円錐の勾配−b2/a2をkとおけば、
Claims (7)
- 互いに電気接続する第1コンタクトと、第1コンタクトより電気抵抗率が高い中間接触体が、第1コンタクトに接離する第2コンタクトの移動経路に沿って連続して露出し、移動経路に沿って第1コンタクトから離反方向に移動する第2コンタクトが、第1コンタクトから中間接触体に接触した後、中間接触体から離反するコンタクトの接触構造であって、
中間接触体は、第1コンタクトに電気接続する基端から離反方向の先端までの少なくともいずれかの区間で、移動経路に直交する横断面の断面積が、離反方向に向かって漸減する形状に形成されることを特徴とするコンタクトの接触構造。 - 中間接触体は、前記基端から離反方向の前記先端までの形状が、中空の移動経路の軸周りに裁頭円錐形に形成され、裁頭円錐形の先端を、第1コンタクトと第2コンタクト間の電圧と、第1コンタクトと第2コンタクト間が接触した際に流れる電流とから、第2コンタクトとの間に蓄積されるエネルギーがアーク放電が発生するエネルギー未満となる位置としたことを特徴とする請求項1に記載のコンタクトの接触構造。
- 中間接触体は、金属若しくは合金からなる第1コンタクトより電気抵抗率が高いフェライトで形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載のコンタクトの接触構造。
- 第2コンタクトは、金属若しくは合金からなる基端接触部と、基端接触部から前記離反方向よりの周囲に突設されたフェライトからなる保護接触部とから構成され、中間接触体が露出する移動経路の位置で保護接触部が中間接触体に接触するとともに、第1コンタクトが露出する移動経路の位置で基端接触部が第1コンタクトに接触することを特徴とする請求項3に記載のコンタクトの接触構造。
- 中間接触体は、金属若しくは合金からなる第1コンタクトより電気抵抗率が高いセラミック樹脂で形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載のコンタクトの接触構造。
- 中間接触体は、金属若しくは合金からなる第1コンタクトより電気抵抗率が高い導電性樹脂で形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載のコンタクトの接触構造。
- 第2コンタクトは、雄コネクタに設けられたプラグピンであり、第1コンタクトは、前記雄コネクタに嵌合接続する雌コネクタに設けられ、前記プラグピンの挿抜を案内するプラグ挿入孔に臨むソケットコンタクトであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のコンタクトの接触構造。
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