JP2017005064A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (6)
- トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域において、前記第１の酸化物半導体膜は、第１の層と、前記第１の層の上面と接し、且つ前記第１の層のチャネル幅方向の側面を覆う第２の層と、を有することを特徴とする半導体装置。 - トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域において、前記第１の酸化物半導体膜は、第１の層と、前記第１の層の上面と接し、且つ前記第１の層のチャネル幅方向の側面を覆う第２の層と、前記第１の層の下面と接する第３の層と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１のゲート電極は、前記第２のゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜のソース領域及びドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、または希ガスの１以上を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜、及び前記第２の酸化物半導体膜の少なくとも一方は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜、及び前記第２の酸化物半導体膜の少なくとも一方は、ｃ軸配向性を有する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
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