JP2016540369A - 多孔性のシリコン層を連続的に製造する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
―前記ワークピースを連続的に搬送する少なくとも一つの搬送装置、
―電解液とエッチングされるべきワークピースの一面のみを前記電解液で湿潤することができるように配置されたカソードとを備える少なくとも一つのエッチング室、
―エッチングされない面上の接点ユニットを介してワークピースと電気的に接触されるアノード。
図1は、電解液コンテナ6、カソード2、電流源1から成るエッチングユニットの実施例を示す。ワークピース3、代表的には、シリコンウエハが、例えば、O-リングによってエッチングユニット上にシールされる。アノード4が、直接には固体接点(例えば、プラチナ)あるいは間接には図示しない更なる電解液コンテナを介してワークピースに接触されている。多孔性シリコン層を製造するため、エッチング電流が、カソード2およびアノード4を介してワークピースに印加され、その大きさおよび時間は、積層される層の数および多孔率による。再構成後に切り離すことができる多孔性シリコンの二重層を製造するため、次のパラメータが適切である。
・層2(高多孔層、約60%多孔率):エッチング電流密度200mA/cm2、エッチング時間5秒、電解液50%エタノール+50%フッ化水素酸
・低多孔層、約30%多孔率のため:エッチング電流密度10mA/cm2、搬送方向における電極の移動領域60cm、送り速度60cm/分、電解液50%エタノール+50%フッ化水素酸
・高多孔層、約60%多孔率のため:エッチング電流密度200mA/cm2、搬送方向における電極の移動領域5cm、送り速度60cm/分、電解液50%エタノール+50%フッ化水素酸
・エッチング室2(高多孔性層、約60%多孔率のため):エッチング電流密度200mA/cm2、搬送方向における電極の移動領域5cm、送り速度60cm/分、電解液50%エタノール+50%フッ化水素酸
−搬送速度8:60cm/分
−クリーニングユニット9の接触長さ:100cm、例えば、1分のエッチング時間と40秒のリンス時間とを形成する
−リンスユニット11の接触長さ:40cm、40秒のリンス時間を形成する
−乾燥・再構成ユニット:接触長さ240cm、そのうち、加熱/冷却ゾーン60cm、再構成ゾーン120cmである。これは、1分の加熱時間、2分の再構成時間、1分の冷却時間を形成する。再構成ゾーンの温度:摂氏1200度(多孔性シリコン層で測定された)、加熱ゾーン雰囲気:100%水素
−搬送速度8(円周速度):20cm/分
−クリーニングユニット9の接触長さ:10cm、30秒のエッチング時間を形成する
−リンスユニット11の接触長さ:10cm、30秒のリンス時間を形成する
−乾燥・再構成ユニット:接触長さ20cm、これは、1分の工程時間を形成する。再構成ゾーンの温度:摂氏1200度(多孔性シリコン層で測定された)、加熱領域の雰囲気:100%水素
−エッチング室1(低多孔層、約30%多孔率のため):エッチング電流密度10mA/cm2、搬送方向における電極の活性領域20cm、電解液50%エタノール+50%フッ化水素酸
−エッチング室2(高多孔層、約60%多孔率のため):エッチング電流密度200mA/cm2、搬送方向における電極の活性領域2cm、電解液50%エタノール+50%フッ化水素酸
2:カソード
3:シリコンワークピース
4:アノード/アノード接点
5:電解液
6:エッチングコンテナ
7:搬送ユニット
8:搬送方向
9:エッチングタンク
10:エッチング調整
11:リンスユニット
12:脱イオン化水―スプレー/又はオーバーフローリンスユニット
13:乾燥・再構成ユニット
14;分離ユニット
Claims (23)
- シリコンから作られたワークピースあるいはシリコンコーティングを有するワークピースに、一側エッチングにより多孔性シリコン層を連続的に製造する装置であって、
前記ワークピースを連続的に搬送する少なくとも一つの搬送装置と、
電解液と、エッチングされるべきワークピースの一面のみを前記電解液で湿潤することができるように配置されたカソードとを備える少なくとも一つのエッチング室と、
エッチングされない面上の接点ユニットを介してワークピースと電気的に接触されるアノードとを備えている多孔性シリコン層を連続的に製造する装置。 - 前記エッチング室は、ワークピースの下方に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記カソードは、平坦な電極、電極金網、個々の電極ワイヤ又はその組み合わせ、および、好ましくは、プラチナ、ニッケル合金および/又はガラス質のカーボンから成るカソードの材料のグループから選択されることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- エッチングされるべきワークピースの面に対する少なくとも一つのカソードの間隔は、1乃至500mm、好ましくは10乃至100mmの範囲にあることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 前記少なくとも一つのアノードは、摺動接触、転動接触、又は回転接触として構成され、該少なくとも一つのアノードの材料は、好ましくは、プラチナ、ニッケル合金、耐腐食ステンレススチール、チタン、アルミニウム、グラファイトおよび/又はガラス質のカーボンから成ることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 前記少なくとも一つのアノードの接点ユニットは、露出された接点材料が電解液又はその反応蒸気と接触しないように、保護ガス、好ましくは、エア又は窒素で浄化されることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 装置が、特に、表面処理、リンス又は乾燥のための更なる調整又は後処理ユニットに接続されることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 装置が、多孔性シリコン層を熱的に再構成するために、好ましくは、ワークピースの温度制御のための温度又はパワー制御を有する更なるユニットおよび前側の少なくとも加熱部分の制御ガス雰囲気を好ましくはエアロックによって発生する装置に接続されることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 前記熱的に再構成するユニットが、多孔性シリコン層を再構成するのに必要な温度を調整する平面又は集光ランプを有し、該ランプは、好ましくは、ハロゲンランプ、LEDランプ又は半導体レーザのグループから選択されることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 前記ワークピースは、特に、シリコンから作られ前側と後側とを有する平坦なディスクであり、前記搬送装置は、前記平坦なディスクの水平搬送を行い、エッチングされるべき面は、平坦なディスクの前側であり、電解液と接触しない後側は、接点ユニットを介してアノードと電気的に接触されることを特徴とする前記請求項の1項に記載の装置。
- 前記少なくとも一つの搬送装置は、ローラ搬送、エア/流体クッション搬送又は摺動搬送から成るグループから選択されることを特徴とする前記請求項に記載の装置。
- 前記ワークピースが、特に、シリコンインゴットの円筒体であり、前記搬送装置が前記円筒体の回転を行い、エッチングされるべき面は前記円筒体の外面であり、前記円筒体は、エッチングされない面の接点ユニットを介してアノードと電気的に接触されることを特徴とする請求項1乃至10の1項に記載の装置。
- 前記カソードは、凹面を有し、カソードが前記円筒体の外面領域に対して均一な間隔を有するように、該カソードの前記凹面の曲率は、前記円筒体の外面領域の曲率に適合されていることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- シリコンから作られたワークピースあるいはシリコンコーティングを有するワークピースに、一側エッチングにより多孔性シリコン層を連続的に製造する方法であって、少なくとも一つのワークピースを、電解液とカソードを備える少なくとも一つのエッチング室を通過させて該ワークピースの面がエッチングされるように少なくとも一つの搬送装置によって案内し、エッチングされるべき面のみが電解液で湿潤され、ワークピースがエッチングされない面上の接点ユニットを介してアノードに電気的に接触され、この結果として、前記表面の電気化学的エッチングが可能とされる多孔性シリコン層を連続的に製造する方法。
- 前記エッチング室は、ワークピースの下方に配置されていることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記電気化学的エッチングが、0.1乃至1000mA/cm2、好ましくは5乃至500mA/cm2のエッチング電流で実行されることを特徴とする請求項14又は15の1項に記載の方法。
- 前記電解液は、フッ化水素酸および少なくとも一種類のアルコール又は界面活性剤、特に、エタノール、アセト窒化物、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、酢酸、および界面活性剤、例えば、シロキサンおよびポリアルキレンオキシド重合体の混合物を備えることを特徴とする請求項14乃至16の1項に記載の方法。
- 前記電解液の対流が泡の形成を避けるために行われることを特徴とする請求項14乃至17の1項に記載の方法。
- シリコンから作られたワークピースあるいはシリコンコーティングを有するワークピースには、電子欠落(孔)を生じさせるために光が放射され、該光は、200nmおよび1200nmとの間、好ましくは400nmおよび1100nmとの間の波長を有することを特徴とする請求項14乃至18の1項に記載の方法。
- 前記ワークピースは、平坦なディスク、特に、50μm乃至500mmの厚さを有し前側と後側とを有するシリコンから作られ前側と後側とを有するシリコンディスクであり、前記平坦なディスクは、前記平坦なディスクの搬送が水平に行われ、前記平坦なディスクの前側が、エッチングされ、該平坦なディスクは、エッチングされない領域における接点ユニットを介してアノードと電気的に接触されることを特徴とする請求項14乃至19の1項に記載の方法。
- 前記ワークピースが、特に、シリコンインゴットの円筒体であり、前記搬送装置が円筒体の回転を行い、エッチングされるべき面が、円筒体の外面領域であり、前記円筒体は、エッチングされない面の接点ユニットを介してアノードと電気的に接触されることを特徴とする請求項14乃至20の1項に記載の方法。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に係る装置が用いられることを特徴とする請求項14乃至21の1項に記載の方法。
- PVセル又はSi−Li電池又はSi−エア電池の電極を製造するため請求項1乃至13の1項に記載の装置の用途。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018538699A (ja) * | 2015-12-11 | 2018-12-27 | ネックスヴァーフェ・ゲー・エム・ベー・ハーNexwafe Gmbh | 半導体基板の片面エッチングを行うための装置及び方法 |
JP2021524668A (ja) * | 2018-05-17 | 2021-09-13 | ネックスヴァーフェ・ゲー・エム・ベー・ハーNexwafe Gmbh | ワークの半導体層の一面をエッチングするための装置及び方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015118042A1 (de) | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Nexwafe Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleiterschicht |
DE102016117912A1 (de) | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Nexwafe Gmbh | Verfahren zum Anordnen mehrerer Saatsubstrate an einem Trägerelement und Trägerelement mit Saatsubstraten |
WO2018145699A2 (de) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | RENA Technologies GmbH | Verfahren zum texturieren einer oberfläche eines halbleitermaterials sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
CN107644828B (zh) * | 2017-09-14 | 2024-03-22 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种多孔硅薄膜的制备装置及其制备多孔硅薄膜的方法 |
CN109935836A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-06-25 | 成都亦道科技合伙企业(有限合伙) | 集流体结构、锂电池电芯及其锂电池 |
CN110240118A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-09-17 | 江苏大学 | 一种孔隙率较高的中阻p型多孔硅薄膜及其快速制备方法 |
CN110294454A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-10-01 | 江苏大学 | 一种高深宽比中阻p型宏孔硅结构及其快速制备方法 |
US11817479B2 (en) | 2021-09-29 | 2023-11-14 | Globalfoundries U.S. Inc. | Transistor with air gap under raised source/drain region in bulk semiconductor substrate |
US11677000B2 (en) | 2021-10-07 | 2023-06-13 | Globalfoundries U.S. Inc. | IC structure including porous semiconductor layer under trench isolations adjacent source/drain regions |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07254729A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujikura Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH08333696A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Achilles Corp | 金属多孔体の製造方法とその装置 |
JPH09116181A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Canon Inc | 光起電力素子の製造方法及び装置 |
JPH1081998A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-31 | Sony Corp | インゴット表面の陽極化成方法と、これを用いた薄膜半導体および薄膜太陽電池の製造方法と、陽極化成装置 |
JP2000349319A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体基材及び太陽電池の製造方法 |
JP2003092285A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Canon Inc | 半導体基板の製造方法 |
JP2007281448A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
JP2008025030A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Hoellmueller Maschinenbau Gmbh | 平坦な壊れやすい基板を取り扱うための方法及び装置 |
WO2008071239A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Apparatus and process for single-side wet chemical and electrolytic treatment of goods |
JP2010129630A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Japan Carlit Co Ltd:The | 多孔性シリコンウェーハの製造方法 |
JP2010251647A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Tokyo Metropolitan Univ | ポーラスシリコンの製造方法 |
JP2010539324A (ja) * | 2008-05-30 | 2010-12-16 | レナ ゲーエムベーハー | インライン設備における平面状製品の電気的接触装置および方法 |
JP2012515453A (ja) * | 2009-01-15 | 2012-07-05 | ソレクセル、インコーポレイテッド | 多孔質シリコン電解エッチングシステム及び方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6311693A (ja) | 1986-07-02 | 1988-01-19 | Fuji Plant Kogyo Kk | 帯状物のメツキ装置 |
JP2781945B2 (ja) * | 1993-04-06 | 1998-07-30 | ユケン工業株式会社 | 連続電解研磨方法及び連続電解研磨装置 |
DE19548115C2 (de) * | 1994-12-27 | 2002-08-29 | Nissan Motor | Elektrochemisches Ätzverfahren für ein Halbleitersubstrat sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US5516412A (en) * | 1995-05-16 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Vertical paddle plating cell |
EP0797258B1 (en) * | 1996-03-18 | 2011-07-20 | Sony Corporation | Method for making thin film semiconductor, solar cell, and light emitting diode |
JP2000077381A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | エッチング方法、エッチング装置、及び分析方法 |
US6664169B1 (en) * | 1999-06-08 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus |
DE19936569B4 (de) * | 1999-08-03 | 2006-04-27 | Robert Bosch Gmbh | Herstellung von porösem Silicium |
WO2002075800A1 (fr) | 2001-03-19 | 2002-09-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de gravure electrochimique, et produit obtenu par gravure electrochimique |
DE10311893B3 (de) * | 2003-03-18 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur grossflächigen Herstellung von Solarzellen |
DE10313127B4 (de) | 2003-03-24 | 2006-10-12 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen |
DE102005062528A1 (de) | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
FR2898138B1 (fr) * | 2006-03-03 | 2008-05-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de structuration electrochimique d'un materiau conducteur ou semi-conducteur, et dispositif de mise en oeuvre. |
DE102007054093B3 (de) | 2007-11-13 | 2009-07-23 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Transport von flachem Gut in Durchlaufanlagen |
DE102008037404A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Schott Solar Ag | Verfahren zur chemischen Behandlung eines Substrats |
WO2010129719A1 (en) * | 2009-05-05 | 2010-11-11 | Solexel, Inc. | High-productivity porous semiconductor manufacturing equipment |
EP2481080B1 (de) | 2009-09-22 | 2018-10-24 | RENA Technologies GmbH | Verfahren und vorrichtung zum rückätzen einer halbleiterschicht |
DE102009050845A1 (de) | 2009-10-19 | 2011-04-21 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Substratoberfläche eines Substrats |
JP2011181689A (ja) | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置、アニール方法及び薄膜基板製造システム |
ITMI20100407A1 (it) * | 2010-03-12 | 2011-09-13 | Rise Technology S R L | Cella foto-voltaica con regioni di semiconduttore poroso per ancorare terminali di contatto |
DE102013219839B4 (de) * | 2013-10-01 | 2018-08-30 | RENA Technologies GmbH | Vorrichtung zur Porosifizierung eines Siliziumsubstrates |
JP6311693B2 (ja) * | 2015-11-25 | 2018-04-18 | 日本精工株式会社 | 車載用電子機器の制御装置及び制御方法 |
-
2013
- 2013-10-01 DE DE102013219886.8A patent/DE102013219886A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-09-29 EP EP14776891.5A patent/EP3053186B1/de active Active
- 2014-09-29 JP JP2016519788A patent/JP6383411B2/ja active Active
- 2014-09-29 US US15/025,362 patent/US10790170B2/en active Active
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- 2014-09-29 CN CN201480054361.2A patent/CN105637625B/zh active Active
- 2014-09-29 ES ES14776891T patent/ES2880739T3/es active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07254729A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujikura Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH08333696A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Achilles Corp | 金属多孔体の製造方法とその装置 |
JPH09116181A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Canon Inc | 光起電力素子の製造方法及び装置 |
JPH1081998A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-31 | Sony Corp | インゴット表面の陽極化成方法と、これを用いた薄膜半導体および薄膜太陽電池の製造方法と、陽極化成装置 |
JP2000349319A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体基材及び太陽電池の製造方法 |
JP2003092285A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Canon Inc | 半導体基板の製造方法 |
JP2007281448A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
JP2008025030A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Hoellmueller Maschinenbau Gmbh | 平坦な壊れやすい基板を取り扱うための方法及び装置 |
WO2008071239A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Apparatus and process for single-side wet chemical and electrolytic treatment of goods |
JP2010539324A (ja) * | 2008-05-30 | 2010-12-16 | レナ ゲーエムベーハー | インライン設備における平面状製品の電気的接触装置および方法 |
JP2010129630A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Japan Carlit Co Ltd:The | 多孔性シリコンウェーハの製造方法 |
JP2012515453A (ja) * | 2009-01-15 | 2012-07-05 | ソレクセル、インコーポレイテッド | 多孔質シリコン電解エッチングシステム及び方法 |
JP2010251647A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Tokyo Metropolitan Univ | ポーラスシリコンの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018538699A (ja) * | 2015-12-11 | 2018-12-27 | ネックスヴァーフェ・ゲー・エム・ベー・ハーNexwafe Gmbh | 半導体基板の片面エッチングを行うための装置及び方法 |
JP7014435B2 (ja) | 2015-12-11 | 2022-02-01 | ネックスヴァーフェ・ゲー・エム・ベー・ハー | 半導体基板の片面エッチングを行うための装置及び方法 |
JP2021524668A (ja) * | 2018-05-17 | 2021-09-13 | ネックスヴァーフェ・ゲー・エム・ベー・ハーNexwafe Gmbh | ワークの半導体層の一面をエッチングするための装置及び方法 |
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