JP2016537862A - 強化された信頼性及び密度を有する較正出力ドライバ - Google Patents

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Abstract

出力ノードを駆動するように構成された出力ドライバは、複数のレッグを有するプルダウンセクションと、複数のプルアップレッグを有するプルアップセクションとを含む。各レッグ及びプルアップレッグは、データ経路及び較正経路を含む。プルダウンセクション内のデータ経路が、補完データ出力信号のアサーションに応じて接地に導通するように構成されるのに対して、プルアップセクション内のデータ経路は、補完データ出力信号のデアサーションに応じて電源ノードに導通するように構成される。【選択図】図2

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、参照により全体が本明細書に組み込まれる、2013年10月17日に出願された、米国特許非仮出願第14/056913号の優先権を主張する。
[0002] 本願は、出力ドライバに関し、より具体的には、インピーダンス較正のためのデュアルモードレッグ(dual-mode legs)を有する出力ドライバに関する。
[0003] 集積回路を外部デバイスに結合するプリント配線(traces)及び相互接続(interconnections)は、集積回路の出力ドライバによって整合されるべき特性インピーダンスを有する。出力ドライバが、関連する回路基板の特性インピーダンスに不整合である出力インピーダンスを有する場合、ジッタ及び信号反射のような望ましくない効果が発生する。故に、従来、集積回路の出力ドライバは、それが所望の出力インピーダンスに較正され得るように何等かの設定可能性(configurability)を有する。
[0004] 出力信号を出力パッド105へと駆動する従来のインピーダンス較正出力ドライバ100が図1に示される。パッド105において出力インピーダンスを調整又は較正するために、ドライバ100は、プルダウンセクション110及びプルアップセクション(図示せず)を含む。名称から示唆されるように、プルダウンセクション110は、データ出力信号の補完(complement)(datab)がハイにアサートされるとパッド105を接地するように機能する。反対に、プルアップセクションは、データ出力信号がハイのときにパッド105を電源電圧VDDに充電するように機能する。プルアップセクション及びプルダウンセクション110は両方とも、デフォルトレッグ(default leg)に加え多数の選択可能レッグ(selectable leg)を含む。プルダウンセクション110では、各選択可能レッグが、接地(VSS)への電流路を形成し得るのに対して、プルアップセクションでは、それらは、電源電圧VDDを搬送する電源ノードへの電流路を形成し得る。
[0005] 両セクション内のデフォルトレッグは、較正設定に関わらず常に導通している。故に、プルダウンセクション110内のデフォルトレッグは、NMOSデータトランジスタM1を駆動する補完データ信号datab及びNMOSトランジスタM2を駆動するイネーブル信号dnvmの両方がアサートされると、接地への経路を形成するように構成される。しかしながら、残りのレッグは、較正トランジスタ(calibration transistor)M3〜M7に其々対応する較正ビット(calibration bit)dn<0>〜dn<4>に従って選択可能である。故に、レッグ0からレッグ4までの範囲にわたる、5つの較正ビットに対応する5つの選択可能レッグがプルダウンセクション110内に存在する。各レッグは、デフォルトであろうと選択可能であろうと、補完データ出力信号databによって駆動されるゲートを有するNMOSデータトランジスタM1を含む。故に、databがハイになるとき、全てのM1データトランジスタは導通している。しかしながら、各選択可能レッグは、対応する較正ビットがアサートされる場合にのみ導通するだろう。
[0006] 各選択可能レッグ及びデフォルトレッグによって引き出される電流は、各レッグの抵抗器の抵抗に依存する。デフォルトレッグが抵抗器Rを含むのに対して、残りの選択可能レッグの抵抗は、較正スキーム(calibration scheme)に依存する。多数の較正スキームが、ドライバ100について出力インピーダンスを調整するために使用され得る。例えば、バイナリ較正スキームでは、選択可能レッグ0は、最も大きい抵抗R0を有する。後続の選択可能レッグの各々は、先行のレッグの抵抗の半分の抵抗を有する。故に、選択可能レッグ1は、抵抗R0/2を有し、選択可能レッグ2は、抵抗R0/4を有し、選択可能レッグ3は、抵抗R0/8を有し、選択可能レッグ4は、抵抗R0/16を有する。
[0007] プルアップセクションは、デフォルトレッグ及び選択可能レッグがVSSの代わりにVDDに結合されており、NMOSトランジスタが、PMOSトランジスタと置き換えられている点を除き、類似している。較正ビットは、ドライバ100を製造するために使用される特定のプロセスコーナ(process corner)に依存する。例えば、プルダウンセクション110は、出力パッド105において所望の出力インピーダンスを提供するために、電流Iをシンクしなければならないと仮定する。例えば、遅いプロセスコーナの場合など、全ての選択可能レッグが導通している場合、その電流Iは、デフォルトレッグだけでなく選択可能レッグにわたって分布される。しかしながら、選択可能レッグが何れも導通していない速いプロセスコーナでは、デフォルトレッグ内のトランジスタM1及びM2が、所望の電流Iの全量(full amount)を導通しなければならない。デフォルトレッグ内の抵抗器Rは、その結合バイアスに関するエレクトロマイグレーション問題を減らすのに十分なサイズでなければならない。故に、より速いプロセスコーナにおいてデフォルトレッグによって搬送される比較的大量の電流は、結果として生じるエレクトロマイグレーションのリスクから信頼性問題を引き起こす。拠って、デフォルトレッグの比較的大きな抵抗器サイズは、その他のレッグまで引き継がれる。故に、出力ドライバ100は比較的巨大になり、これは、対応する集積回路の密度を減らす。これは、特に、選択可能レッグの抵抗器が速いプロセスコーナですら使用されないであろうという点で不十分である。
[0008] 従って、当技術分野では、より高い密度と改善された信頼性を有する改良されたドライバが必要である。
[0009] 出力ノードを駆動するように構成された出力ドライバは、プルダウンセクション及びプルアップセクションを含む。各セクションは、データ経路及び較正経路を各々備える対応する複数のデュアルモードレッグを含む。プルダウンセクション内のデータ経路が、補完データ出力信号のアサーションに応じて出力ノードから接地に電流を導通するように構成されるのに対して、プルアップセクション内のデータ経路は、補完データ出力信号のデアサーションに応じて電源ノードから出力ノードに電流を導通するために導通するように構成される。故に、プルアップセクション及びプルダウンセクション内のデータ経路は其々出力ノードのプルダウン又はプルアップ中、アクティブである。
[0010] 対照的に、プルダウンセクション内のデュアルモードレッグにおける較正経路は、補完データ出力信号がアサートされたとき、且つ、対応する較正ビットがアサートされたときにのみ、接地に結合するように構成される。同様に、プルアップセクション内の各デュアルモードレッグにおける較正経路は、補完データ出力信号がデアサートされ、且つ、対応する較正ビットの補完がアサートされるときにのみ、電源ノードに結合するように構成される。故に、デュアルモードレッグは、データ経路のみが導通する第1の動作モードを有する。同様に、デュアルモードレッグは、データ経路及び較正経路の両方が導通している第2の動作モードを有する。
[0011] 図1は、従来の較正出力ドライバのプルダウンセクションの概略図である。 [0012] 図2は、本開示の実施形態に係る、較正出力ドライバのプルダウンセクションの概略図である。 [0013] 図3は、本開示の実施形態に係る、較正出力ドライバのプルアップセクションの概略図である。 [0014] 図4は、本開示の実施形態に係る、較正ドライバについての例となる使用方法のためのフローチャートである。
[0015] より高い密度及び線形性を提供するために、複数のデュアルモードレッグをプルダウンセクション内に、対応する複数のデュアルモードレッグをプルアップセクション内に含むインピーダンス較正出力ドライバが提供される。各デュアルモードレッグは、対応する抵抗器に並列に結合されたデータ経路及び較正経路を備える。プルアップセクションが、データ出力信号のアサーションに応じて、出力ノードを電源電圧VDDに充電するように機能するのに対して、プルダウンセクションは、データ出力信号の補完のアサーションに応じて、出力パッドを接地に放電するように機能する。この点では、データ出力信号がバイナリであるため、出力ドライバがデータ出力信号又はその補完に応答することを示すことは任意である。例えば、データ出力信号がハイにアサートされると、プルアップセクションは、出力パッドをハイに駆動する必要がある。しかしながら、それは、補完データ出力信号がデアサートされること(接地へと引き下げられること(pulled low))に応答してプルアップセクションが出力パッドをハイに駆動することと同等である。故に、以下の説明は、プルダウンセクション及びプルアップセクションの両方が、一般性の喪失なく、補完データ出力信号に応答することを想定するだろう。
[0016] プルダウンセクション及びプルアップセクションは、其々の較正ワード(calibration word)に応答するように構成される。例えば、プルダウンセクションのための較正ワードは、それを、プルアップセクションのための較正ワード(結果的に、第2の較正ワードと表され得る)と区別するために第1の較正ワードと表され得る。各較正ワードは、対応するプルアップセクション又はプルダウンセクション内の複数のデュアルモードレッグに対応する複数の較正ビットを備える。デュアルモードレッグの各較正経路は、対応する較正ビットのアサーションに応じて、導通するように構成される。故に、デュアルモードレッグは、対応する較正ビットがアサートされていないためその較正経路が導通していない第1の動作モードを有することが分かり得る。この第1の動作モードでは、データ経路だけが、補完データ出力信号がアサートされること(プルダウンセクションの場合)又はデアサートされること(プルアップセクションの場合)の何れかに応じて導通する。第2の動作モードでは、デュアルモードレッグのデータ経路及び較正経路の両方は、対応する較正ビットがアサートされることに応じて及び補完データ出力信号がアサートされること(プルダウンセクションの場合)又はデアサートされること(プルアップセクションの場合)に応じて導通する。
[0017] プルダウンセクションでは、デュアルモードレッグは、出力パッドから接地(VSS)に導通する。対照的に、プルアップセクション内のデュアルモードレッグは、電源電圧VDDを供給する電源ノードから出力パッドに導通する。較正ビット値に関わらず各データ経路は導通するため、プルダウンセクション又はプルアップセクションの何れにおいても1つのデュアルモードレッグが電流の全て又は大半を引き受ける必要がないように、電流は、データ経路にわたって分布される。この方式では、各レッグの抵抗器は、比較的コンパクトであり得る。対照的に、上述された出力ドライバ100のような従来の出力ドライバ内のデフォルトレッグの抵抗器は、より一層ロバストであり、よって巨大でなければならない。故に、本明細書で開示される出力ドライバは、有利にコンパクトであり、エレクトロマイグレーションのリスクを低下させる。これらの有利な特徴は、以下の例となる実施形態に関連してより良く認識され得る。
例となる実施形態
[0018] 例となるドライバ200が図2に示される。ドライバ100に類似して、ドライバ200は、以下で更に説明されるプルダウンセクション205及びプルアップセクションを含む。プルダウンセクション205は、レッグ0からレッグ3までの範囲にわたる複数のデュアルモードレッグを含む。簡潔さのために、本明細書で開示されるデュアルモードレッグは、単純に、レッグとも表され得る。代替的な実施形態におけるレッグの数が、プルダウンセクション205で使用される4つよりも多い又は少ない可能性があることは認識されるだろう。各レッグは、レッグ3について示されるように、データ経路と、データ経路と並列に配列された較正経路とを有する。データ経路及び較正経路は両方とも、接地と、対応するレッグの抵抗器との間に結合される。データ経路は、補完データ出力信号ndのアサーションに応じて、接地に導通するように構成される。反対に、以下に更に説明されるプルアップセクション内のデータ経路は、データ出力信号のアサーション(従って、補完データ出力信号ndのデアサーション)に応じて、電源ノードに導通するように構成される。この方式では、プルアップセクション及びプルダウンセクション内のデータ経路は、プルダウンセクション205内のデータ経路が導通しているときにプルアップセクション内のデータ経路が導通しないように、互いに180度位相がずれて導通する。同様に、プルアップセクション内のデータ経路が導通しているとき、プルダウンセクション205内のデータ経路は導通していない。
[0019] この位相整合(phasing)を提供するために、プルダウンセクション205内の各レッグのデータ経路は、補完データ出力信号ndによって駆動されるゲートを有するNMOSデータトランジスタM1を含む。各レッグのデータトランジスタM1は、接地に結合されたソースと、レッグの抵抗器のための第1の端子に結合されたドレインとを有する。各レッグの抵抗器のための反対側の第2の端子は、出力パッド210に結合される。データ出力信号がロー(低)のとき、各レッグ内の抵抗器を通じて出力パッドを接地へと放電するためにプルダウンセクション205においてデータ経路が導通するように補完データ出力信号dbはハイ(高)である。各レッグにおける較正経路は、接地に結合されたソースと、レッグの抵抗器のための第1の端子に結合されたドレインとを有するNMOS較正トランジスタを備える。一実施形態では、各抵抗器は、窒化チタン薄膜抵抗器のような薄膜抵抗器を備え得る。各レッグの抵抗器の抵抗は、較正スキームに依存する。例えば、バイナリスキームでは、レッグ0内の抵抗器は、最大抵抗Rを有し得る。そして、レッグ1内の抵抗器は、抵抗R/2を有し、レッグ2内の抵抗器は、抵抗R/4を有するだろう。最後に、レッグ3は、抵抗R/8を有するだろう。抵抗器は、各較正経路がオフに切り替えられる第1の動作モードにおいて各レッグについての電流密度が一定となるようにサイズ付けされ得る。故に、第1のモードは、各データ経路における各トランジスタM1が、レッグの抵抗に依存する電流を導通する速いプロセスコーナに対応し得る。各トランジスタM1のサイズがレッグの電流に依存することに留意されたい。例えば、レッグ3内のトランジスタM1は、レッグ2と比べてレッグ3が2倍の量の電流を導通するため、レッグ2内のトランジスタM1の2倍のサイズである。同様に、レッグ2内のトランジスタM1は、レッグ0内のトランジスタM1の2倍のサイズであるレッグ1内のトランジスタM1の2倍のサイズである。
[0020] データ経路において異なるサイズのトランジスタを使用することの代替として、所望の強度を提供するために、同じサイズのトランジスタが、必要に応じて組み合わせて、各レッグにおいて使用され得る。例えば、レッグ0内のM1が、データ経路において直列の2つのトランジスタと置き換えられ得るのに対して、レッグ1は、そのデータ経路において、同じサイズの1つのトランジスタだけを有するだろう。そして、レッグ2が、そのデータ経路において並列にこれらトランジスタのうちの2つを有するのに対して、レッグ3は、そのデータ経路においてこれらのトランジスタのうちの4つを並列に有するだろう。同じサイズのトランジスタが使用されるか異なるサイズのトランジスタが使用されるかに関わらず、幾つかの(various)較正経路が、出力ドライバ200の製造で使用されるプロセスに関する相対的な「遅さ(slowness)」の度合いに依存してオンに切り替えられるだろう。例えば、極めて遅いプロセスコーナでは、全てのデータ経路のトランジスタM1は、速いプロセスコーナの場合にそれらが導通していることと比べて、最小量の電流を導通している。各較正経路がレグ毎にデータ経路と並列であるため、較正経路が全て導通している場合、出力パッド210上への電流引き込みは最大化される。目標(goal)は、これらのプロセスコーナに関わらず、プルダウンセクション205及びプルアップセクションが、それらの其々の導通期間(conductivity period)中に、所望の量の電流を導通することである。例えば、出力パッド210のための整合された出力インピーダンスは、プルダウンセクション205が、補完データ出力信号dbがアサートされている間2mAの電流を導通することを必要とするものと仮定する。データ経路の集合体(collection)がこの量の電流をパスすることができないようなプロセスコーナである場合、較正経路は、所望の量の電流に達するまで選択的にオンにされ得、それによって、外部の回路基板配線又は相互接続に出力インピーダンスを整合する。プルアップセクションはまた、補完データ出力信号ndがデアサートされるとプルアップ段階中に同量の電流を導通するように較正され得るだろう。
[0021] 較正経路をオン及びオフに切り替える能力を提供するために、各較正経路は、NMOSトランジスタのようなスイッチを含む。ドライバ200では、レッグ0は、NMOS較正トランジスタM2を含み、レッグ1は、NMOS較正トランジスタM3を含み、レッグ2は、NMOS較正トランジスタM4を含み、レッグ3は、NMOS較正トランジスタM5を含む。データトランジスタM1と類似して、較正トランジスタは、その抵抗によって決定される、各レッグにおいてパスされる電流の量に依存して異なるサイズであり得る。代替的に、同じサイズの較正トランジスタの適切な集合体が、また、データトランジスタM1に関連して説明されたように、各レッグにおいて使用され得る。較正トランジスタM2〜M5は、其々の較正ビットnc0〜nc3によって制御される。例えば、較正ビットnc3がアサートされる場合、レッグ3における較正経路が導通する。故に、各レッグを通る電流は、較正トランジスタがオフのときのデフォルト値、及び、較正トランジスタがオンのときの増加値、という2つの選択可能な値を有する。しかしながら、目標は、プルダウンセクション205が、増加又は減少した量の電流をシンクすることとは反対に全てのプロセスコーナについて所望の量の電流Iをシンクすることであることに留意されたい。バイナリ較正スキームでは、レッグ3は電流I’を導通するように構成され得ることが仮定され得、それにより、レッグ0は、電流I’/8を導通するように構成され、レッグ1は、電流I’/4を導通するように構成され、レッグ2は、電流I’/2を導通するように構成される。故に、プルダウンセクション205内のこれらレッグを通る全電流は、合計(I’+I’/2+I’/4+I’/8)に等しい。そして、この合計は、所望の電流に等しくなるはずであり、これは、式I’+I’/2+I’/4+I’/8=Iとなる。この式を解くことで、(8/15)Iに等しいI’に値が与えられる。換言すると、レッグ0が、所望の電流Iの(8/15)分の1を導通するように構成され、全ての残りのレッグが、上述されたバイナリ関係を有する場合、プルダウンセクション205は、所望の電流Iをシンクするだろう。
[0022] プルダウンセクション(又は、プルアップセクション)についてのそのような所望の電流Iの目標を前提として、デュアルモードレッグの設計は、以下のように導通され得る。予期される最も速いプロセスコーナについて、電流Iの所望の割合を導通するのに十分なサイズを有する所与のレッグについてデータトランジスタを構成する。予期される最も遅いプロセスコーナについて、較正トランジスタは、それがデータトランジスタとの組み合わせでIの所望の割合を導通するのに十分なサイズを有するように構成される。この方式では、プルダウンセクション(又は、プルアップセクション)についての較正ワードは、対応するセクションが、予期される全てのプロセスコーナについて所望の量の電流を導通するように、適切な数の較正ビットがアサートされ得る。本明細書で使用される場合、「セクション」という用語は、更なる限定なく、一般に、プルアップセクション又はプルダウンセクションの何れかを指す。
[0023] 故に、所望の出力インピーダンスを達成するために、セクションの較正ワードのための較正ビットがプロセスコーナに依存して調整され得る。これは、抵抗器が、全ての必要な電流を搬送するように設計される必要がないため、かなり有利である。対照的に、従来のドライバ100のデフォルトレッグ内の抵抗器Rは、エレクトロマイグレーションを軽減するために十分なバイアスがそれに結合され得るように十分大きくなければならない。しかしながら、ドライバ200内の各レッグの抵抗器は、較正状態に関わらず電流を導通するだろう。ドライバ200内の抵抗器は、故に、従来のドライバ100に関連して説明されたものほど大きい必要はなく、これは、実質的に密度を増加させる。更に、幾つかの較正経路が選択されるため達成されるインピーダンス差分は全てが実質的に等しい。故に、線形性もまた強化される。
[0024] 一実施形態では、各データトランジスタは、補完データ出力信号のアサーションに応じて、出力パッドと接地との間にデータ経路を提供するための第1の手段を形成するものと考えられ得る。同様に、各較正トランジスタは、レッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて、出力パッドと接地との間に較正経路を提供するための第2の手段を形成するものと考えられ得る。
[0025] ドライバ200のための対応するプルアップセクション300が図3に示される。プルアップセクション300内のデュアルモードレッグ0〜デュアルモードレッグ3が、プルダウンセクション250内の対応するデュアルモードレッグに類似することに留意されたい。プルアップセクション300内のレッグとプルダウンセクション205内のそれらとをより一層区別するために、プルアップセクション300内のデュアルモードレッグは、本明細書では、プルアップデュアルモードレッグ(又は、単純にプルアップレッグ)と表される。各プルアップレッグは、PMOSデータトランジスタM1を含むデータ経路と、対応する較正トランジスタを有する較正経路とを有する。各PMOSデータトランジスタM1は、補完データ出力信号ndのデアサーション又は接地に応答するように構成される。各データトランジスタM1は、電源電圧VDDを供給する電源ノードに結合されたソースと、プルアップレッグの抵抗器のための第1の端子に結合されたドレインとを有する。プルアップレッグの抵抗器のための第2の端子は、出力パッド210に結合される。補完データ出力信号ndがデアサートされると、各データトランジスタM1は導通することとなり、これは、プルアップレッグの抵抗器を通じて電源ノードから導通される電流を通じて出力パッド210を充電する。故に、プルアップセクション300内のデータ経路は、データ出力信号がアサートされるときに、導通するように構成され、これは、補完データ出力信号ndのデアサーションに対応する。各プルアップレッグは、プルダウンセクション205に関連して説明されたものと類似して、所望の電流Iのある割合を導通するように構成される。
[0026] プルアップレッグは、複数の較正経路に対応する複数の較正ビットを備える較正ワードに応答する。プルアップレッグ0における較正経路は、PMOS較正トランジスタM2を備える。同様に、プルアップレッグ1が、PMOS較正トランジスタM3を含むのに対して、プルアップレッグ2は、PMOS較正トランジスタM4を含む。最後に、プルアップレッグ3は、PMOS較正トランジスタM5を含む。各較正トランジスタは、電源ノードに結合されたソースと、プルアップレッグの抵抗器のための第1の端子に結合されたドレインとを有する。対応する較正ビットは、各較正トランジスタのゲートを駆動し、例えば、較正ビットC0が較正トランジスタM2のゲートを駆動し、較正ビットC1が較正トランジスタM3のゲートを駆動する。同様に、較正ビットC2が、較正トランジスタM4のゲートを駆動するのに対して、較正ビットC3は、較正トランジスタM5のゲートを駆動する。プルアップセクション300のための較正ビットは、全てアクティブローであり、それにより、それらは、アサートされると接地に引き下げられる。例えば、較正ビットC3がアサートされる場合、第2の動作モードにおいてレッグ3が導通するようにPMOS較正トランジスタM5はオンに切り替わる。故に、プルアップセクション300によって電源ノードから調達される電流は、プルダウンセクション205によって接地にシンクされる電流に類似する。この方式では、出力パッド210のための較正出力インピーダンスは、プルダウンセクション205がアクティブであるかプルアップセクション300がアクティブであるかに関わらず、変化しない。
[0027] バイナリ較正スキームでは、プルアップレッグは、第1のプルアップレッグから最後のプルアップレッグまでの範囲であると考えられ得る。プルアップレッグ0が、第1のレッグと表され得るのに対して、プルアップレッグ3は、最後のレッグであろう。この一連のバイナリ重み付けレッグでは、第1のプルアップレッグの後の各プルアップレッグは、先行のプルアップレッグの半分の抵抗を有する。例えば、プルアップレッグ2における抵抗器が、抵抗1/4Rを有するのに対して、プルアップレッグ1の抵抗器は、抵抗1/2Rを有する。それに応じて、バイナリ較正スキームにおけるプルダウンセクションの抵抗器が構成される。例えば、プルダウンセクション205において、レッグ3は、レッグ2の半分の抵抗を有する。
[0028] 出力ドライバ200についての例となる使用方法がここから説明されるだろう。
例となる使用方法
[0029] 例となる使用方法のためのフローチャートが図4に示される。方法は、補完データ信号のアサーションに応じて、各レッグにおける接地へのデータ経路をオンに切り替えることによって異なる抵抗を有する複数のレッグを通じて出力パッドを接地に結合する動作400を含む。加えて、方法は、レッグのうちの選択されたレッグにおける接地への較正経路をオンに切り替えることによって出力パッドについての出力インピーダンスを較正する動作405を含む。故に、図4の方法は、プルダウンセクションの使用に向けられる。プルアップセクション使用方法は類似する。両方のケースにおいて、較正経路作動が、対応する補完データ出力信号状態に関係していることは認識されるだろう。例えば、プルダウンセクション205は、補完出力データ信号ndがアサートされるときにのみアクティブである。故に、所望の出力インピーダンス較正のためにアサートされることとなる較正ビットは、補完出力データ信号ndがアサートされる間だけアサートされる。較正ビットアサーションが、補完出力データ信号ndのアサーションに関係していない場合、プルダウンセクション205内の較正経路は、プルアップセクション300がアクティブであった間導通しているだろう。同様に、プルアップセクション300のための較正ビットアサーションは、プルダウンセクション205がアクティブの間、プルアップセクション300が、プルダウンセクション205のアクティビティに干渉するのを防ぐために、補完出力データ信号ndのデアサーションにも関係している。
[0030] 現時点で当業者が認識するように、及び、手元の特定のアプリケーションに依存して、多くの改良、置換、及び変形が、本願の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示のデバイスの材料、装置、構成、及び使用方法において及びそれらに対してなされ得る。この点を踏まえて、本開示の範囲は、それらが単に幾つかの例であるため、本明細書で例示及び説明される特定の実施形態のそれに限定されるべきではなく、むしろ、以降に添付されている特許請求の範囲のもの及びそれらの機能的な等価物と十分に釣り合うべきである。
[0030] 現時点で当業者が認識するように、及び、手元の特定のアプリケーションに依存して、多くの改良、置換、及び変形が、本願の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示のデバイスの材料、装置、構成、及び使用方法において及びそれらに対してなされ得る。この点を踏まえて、本開示の範囲は、それらが単に幾つかの例であるため、本明細書で例示及び説明される特定の実施形態のそれに限定されるべきではなく、むしろ、以降に添付されている特許請求の範囲のもの及びそれらの機能的な等価物と十分に釣り合うべきである。
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
出力ドライバであって、
出力ノードと接地との間に並列に結合された複数のデュアルモードレッグを含むプルダウンセクションを備え、ここにおいて、前記プルダウンセクションは、前記複数のデュアルモードレッグに対応する複数の較正ビットを有する較正ワードを受けるように構成され、各デュアルモードレッグは、
前記出力ノードに結合された第1の端子を有する抵抗器と、
前記抵抗器のための第2の端子と接地との間に結合されたデータトランジスタと、ここで、前記データトランジスタは、補完データ信号のアサーションに応じて、導通するように構成され、
前記第2の端子と接地との間に結合された較正トランジスタと、ここで、前記較正トランジスタは、前記レッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて導通するように構成される、
を含む、出力ドライバ。
[C2]
前記デュアルモードレッグは、第1のデュアルモードレッグから最後のデュアルモードレッグへと配列され、ここで、前記第1のデュアルモードレッグの後の各デュアルモードレッグは、先行のデュアルモードレッグに続く、及び、前記第1のデュアルモードレッグの後の各デュアルモードレッグの抵抗器は、前記先行のデュアルモードレッグの抵抗器の抵抗の半分である抵抗を有する、C1に記載の出力ドライバ。
[C3]
各抵抗器は薄膜抵抗器である、C1に記載の出力ドライバ。
[C4]
各薄膜抵抗器は、窒化チタンを備える、C3に記載の出力ドライバ。
[C5]
前記第1のデュアルモードレッグの前記データトランジスタは、第1の強度を有し、前記第1のデュアルモードレッグの後の各デュアルモードレッグの前記データトランジスタは、前記先行のデュアルモードレッグ内の前記データトランジスタの強度の2倍の強度を有する、C2に記載の出力ドライバ。
[C7]
前記データトランジスタ及び前記較正トランジスタは、NMOSトランジスタを備える、C2に記載の出力ドライバ。
[C8]
前記出力ノードと電源ノードとの間に結合された複数のデュアルモードプルアップレッグを有するプルアップセクションを更に備え、ここにおいて、各デュアルモードプルアップレッグは、抵抗器を含み、各デュアルモードプルアップレッグは、第1の動作モードではデータ経路だけを使用して導通し、第2の動作モードでは前記データ経路と較正経路とを使用して導通するように構成され、前記プルアップセクションは、前記プルアップセクションにおいて前記複数のデュアルモードレッグに対応する複数の較正ビットを有するプルアップ較正ワードを受け取るように構成される、C1に記載の出力ドライバ。
[C9]
各デュアルモードプルアップレッグは、
前記出力ノードに結合された第1の端子を有する抵抗器と、
前記デュアルモードプルアップレッグの抵抗器のための第2の端子と前記電源ノードとの間に結合されており、前記補完データ出力信号に結合されたゲートを有するデータトランジスタと、
前記デュアルモードプルアップレッグの抵抗器の第2の端子と前記電源ノードとの間に結合されており、前記デュアルモードプルアップレッグの較正ビットに結合されたゲートを有する較正トランジスタと
を備える、C8に記載の出力ドライバ。
[C10]
前記デュアルモードプルアップレッグは、第1のデュアルモードプルアップレッグから最後のデュアルモードプルアップレッグへと配列され、ここで、前記第1のデュアルモードプルアップレッグの後の各デュアルモードプルアップレッグは、先行のデュアルモードプルアップレッグを有する、前記第1のデュアルモードプルアップレッグの前記抵抗器は、第1の抵抗を有し、前記第1のデュアルモードプルアップレッグの後の各デュアルモードプルアップレッグの前記抵抗器は、前記先行のデュアルモードプルアップレッグにおける前記抵抗器の前記抵抗の半分の抵抗を有する、C9に記載の出力ドライバ。
[C11]
前記デュアルモードプルアップレッグにおける前記データトランジスタ及び前記較正トランジスタは、PMOSトランジスタを備える、C9に記載の出力ドライバ。
[C12]
方法であって、
補完データ出力信号の前記アサーションに応じて、各レッグにおける接地へのデータ経路をオンに切り替えることによって異なる抵抗を有する複数のレッグを通じて出力ノードを接地に結合することと、
前記補完データ出力信号がアサートされている間に、前記レッグのうちの選択されたレッグにおける接地への較正経路をオンに切り替えることによって、前記出力ノードについての出力インピーダンスを較正することと
を備える方法。
[C13]
前記レッグのうちの前記選択されたレッグにおいて較正経路をオンに切り替えることは、各選択されたレッグについての対応する較正ビットをアサートすることを備える、C12に記載の方法。
[C14]
各レッグにおいて前記データ経路をオンに切り替えることは、前記補完データ出力信号の前記アサーションに応じて、各データ経路においてデータトランジスタをオンに切り替えることを備える、C12に記載の方法。
[C15]
前記補完データ出力信号のデアサーションに応じて、各プルアップレッグにおいて電源ノードへのデータ経路をオンに切り替えることによって、異なる抵抗を有する複数のプルアップレッグを通じて前記出力ノードを前記電源ノードに結合することと、
前記補完データ出力信号がデアサートされている間に、前記プルアップレッグのうちの選択されたレッグにおい前記電源ノードへの較正経路をオンに切り替えることによって、前記出力ノードについての前記出力インピーダンスを較正することと
を更に備える、C12に記載の方法。
[C16]
各プルアップレッグにおいて前記データ経路をオンに切り替えることは、各プルアップレッグのデータ経路においてPMOSデータトランジスタをオンに切り替えることを備える、C15に記載の方法。
[C17]
前記プルアップレッグのうちの前記選択されたプルアップレッグにおいて前記較正経路をオンに切り替えることは、選択されたプルアップレッグの較正経路においてPMOS較正トランジスタをオンに切り替えることを備える、C16に記載の方法。
[C18]
出力ドライバであって、
出力パッドと接地との間に並列に結合された複数のレッグを含むプルダウンセクションを備え、ここにおいて、前記プルダウンセクションは、前記複数のレッグに対応する複数の較正ビットを備える較正ワードに反応し、各レッグは、
補完データ出力信号のアサーションに応じて、前記出力パッドと接地との間に接地へのデータ経路を提供するための第1の手段と
前記レッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて、前記出力パッドと接地との間に較正経路を提供するための第2の手段と
を含む、出力ドライバ。
[C19]
前記出力ノードと電源ノードとの間に並列に結合された複数のプルアップレッグを備えるプルアップセクションを更に備え、ここにおいて、前記プルアップセクションは、前記複数のプルアップレッグに対応する複数の較正ビットを備えるプルアップ較正ワードに反応し、各プルアップレッグは、
前記補完データ出力信号のデアサーションに応じて、前記電源ノードと前記出力パッドの間にデータ経路を提供するための第3の手段と、
前記プルアップレッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて、前記電源ノードと前記出力パッドとの間に較正経路を提供するための第4の手段と
を含む、C18に記載の出力ドライバ。
[C20]
各レッグは、接地と前記レッグの第1の手段及び第2の手段との間に結合された抵抗器を含み、各プルアップレッグは、前記出力パッドと、前記レッグの第1の手段及び第2の手段との間に結合された抵抗器を含む、C18に記載の出力ドライバ。

Claims (19)

  1. 出力ドライバであって、
    出力ノードと接地との間に並列に結合された複数のデュアルモードレッグを含むプルダウンセクションを備え、ここにおいて、前記プルダウンセクションは、前記複数のデュアルモードレッグに対応する複数の較正ビットを有する較正ワードを受けるように構成され、各デュアルモードレッグは、
    前記出力ノードに結合された第1の端子を有する抵抗器と、
    前記抵抗器のための第2の端子と接地との間に結合されたデータトランジスタと、ここで、前記データトランジスタは、補完データ信号のアサーションに応じて、導通するように構成され、
    前記第2の端子と接地との間に結合された較正トランジスタと、ここで、前記較正トランジスタは、前記レッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて導通するように構成される、
    を含む、出力ドライバ。
  2. 前記デュアルモードレッグは、第1のデュアルモードレッグから最後のデュアルモードレッグへと配列され、ここで、前記第1のデュアルモードレッグの後の各デュアルモードレッグは、先行のデュアルモードレッグに続く、及び、前記第1のデュアルモードレッグの後の各デュアルモードレッグの抵抗器は、前記先行のデュアルモードレッグの抵抗器の抵抗の半分である抵抗を有する、請求項1に記載の出力ドライバ。
  3. 各抵抗器は薄膜抵抗器である、請求項1に記載の出力ドライバ。
  4. 各薄膜抵抗器は、窒化チタンを備える、請求項3に記載の出力ドライバ。
  5. 前記第1のデュアルモードレッグの前記データトランジスタは、第1の強度を有し、前記第1のデュアルモードレッグの後の各デュアルモードレッグの前記データトランジスタは、前記先行のデュアルモードレッグ内の前記データトランジスタの強度の2倍の強度を有する、請求項2に記載の出力ドライバ。
  6. 前記データトランジスタ及び前記較正トランジスタは、NMOSトランジスタを備える、請求項2に記載の出力ドライバ。
  7. 前記出力ノードと電源ノードとの間に結合された複数のデュアルモードプルアップレッグを有するプルアップセクションを更に備え、ここにおいて、各デュアルモードプルアップレッグは、抵抗器を含み、各デュアルモードプルアップレッグは、第1の動作モードではデータ経路だけを使用して導通し、第2の動作モードでは前記データ経路と較正経路とを使用して導通するように構成され、前記プルアップセクションは、前記プルアップセクションにおいて前記複数のデュアルモードレッグに対応する複数の較正ビットを有するプルアップ較正ワードを受け取るように構成される、請求項1に記載の出力ドライバ。
  8. 各デュアルモードプルアップレッグは、
    前記出力ノードに結合された第1の端子を有する抵抗器と、
    前記デュアルモードプルアップレッグの抵抗器のための第2の端子と前記電源ノードとの間に結合されており、前記補完データ出力信号に結合されたゲートを有するデータトランジスタと、
    前記デュアルモードプルアップレッグの抵抗器の第2の端子と前記電源ノードとの間に結合されており、前記デュアルモードプルアップレッグの較正ビットに結合されたゲートを有する較正トランジスタと
    を備える、請求項8に記載の出力ドライバ。
  9. 前記デュアルモードプルアップレッグは、第1のデュアルモードプルアップレッグから最後のデュアルモードプルアップレッグへと配列され、ここで、前記第1のデュアルモードプルアップレッグの後の各デュアルモードプルアップレッグは、先行のデュアルモードプルアップレッグを有する、前記第1のデュアルモードプルアップレッグの前記抵抗器は、第1の抵抗を有し、前記第1のデュアルモードプルアップレッグの後の各デュアルモードプルアップレッグの前記抵抗器は、前記先行のデュアルモードプルアップレッグにおける前記抵抗器の前記抵抗の半分の抵抗を有する、請求項9に記載の出力ドライバ。
  10. 前記デュアルモードプルアップレッグにおける前記データトランジスタ及び前記較正トランジスタは、PMOSトランジスタを備える、請求項9に記載の出力ドライバ。
  11. 方法であって、
    補完データ出力信号の前記アサーションに応じて、各レッグにおける接地へのデータ経路をオンに切り替えることによって異なる抵抗を有する複数のレッグを通じて出力ノードを接地に結合することと、
    前記補完データ出力信号がアサートされている間に、前記レッグのうちの選択されたレッグにおける接地への較正経路をオンに切り替えることによって、前記出力ノードについての出力インピーダンスを較正することと
    を備える方法。
  12. 前記レッグのうちの前記選択されたレッグにおいて較正経路をオンに切り替えることは、各選択されたレッグについての対応する較正ビットをアサートすることを備える、請求項12に記載の方法。
  13. 各レッグにおいて前記データ経路をオンに切り替えることは、前記補完データ出力信号の前記アサーションに応じて、各データ経路においてデータトランジスタをオンに切り替えることを備える、請求項12に記載の方法。
  14. 前記補完データ出力信号のデアサーションに応じて、各プルアップレッグにおいて電源ノードへのデータ経路をオンに切り替えることによって、異なる抵抗を有する複数のプルアップレッグを通じて前記出力ノードを前記電源ノードに結合することと、
    前記補完データ出力信号がデアサートされている間に、前記プルアップレッグのうちの選択されたレッグにおい前記電源ノードへの較正経路をオンに切り替えることによって、前記出力ノードについての前記出力インピーダンスを較正することと
    を更に備える、請求項12に記載の方法。
  15. 各プルアップレッグにおいて前記データ経路をオンに切り替えることは、各プルアップレッグのデータ経路においてPMOSデータトランジスタをオンに切り替えることを備える、請求項15に記載の方法。
  16. 前記プルアップレッグのうちの前記選択されたプルアップレッグにおいて前記較正経路をオンに切り替えることは、選択されたプルアップレッグの較正経路においてPMOS較正トランジスタをオンに切り替えることを備える、請求項16に記載の方法。
  17. 出力ドライバであって、
    出力パッドと接地との間に並列に結合された複数のレッグを含むプルダウンセクションを備え、ここにおいて、前記プルダウンセクションは、前記複数のレッグに対応する複数の較正ビットを備える較正ワードに反応し、各レッグは、
    補完データ出力信号のアサーションに応じて、前記出力パッドと接地との間に接地へのデータ経路を提供するための第1の手段と
    前記レッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて、前記出力パッドと接地との間に較正経路を提供するための第2の手段と
    を含む、出力ドライバ。
  18. 前記出力ノードと電源ノードとの間に並列に結合された複数のプルアップレッグを備えるプルアップセクションを更に備え、ここにおいて、前記プルアップセクションは、前記複数のプルアップレッグに対応する複数の較正ビットを備えるプルアップ較正ワードに反応し、各プルアップレッグは、
    前記補完データ出力信号のデアサーションに応じて、前記電源ノードと前記出力パッドの間にデータ経路を提供するための第3の手段と、
    前記プルアップレッグの対応する較正ビットのアサーションに応じて、前記電源ノードと前記出力パッドとの間に較正経路を提供するための第4の手段と
    を含む、請求項18に記載の出力ドライバ。
  19. 各レッグは、接地と前記レッグの第1の手段及び第2の手段との間に結合された抵抗器を含み、各プルアップレッグは、前記出力パッドと、前記レッグの第1の手段及び第2の手段との間に結合された抵抗器を含む、請求項18に記載の出力ドライバ。
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