JP2016533647A - 多孔質化の強化 - Google Patents
多孔質化の強化 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016533647A JP2016533647A JP2016545762A JP2016545762A JP2016533647A JP 2016533647 A JP2016533647 A JP 2016533647A JP 2016545762 A JP2016545762 A JP 2016545762A JP 2016545762 A JP2016545762 A JP 2016545762A JP 2016533647 A JP2016533647 A JP 2016533647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- electrode
- edge
- current
- passing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 380
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 380
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 380
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 373
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 102
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 77
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 7
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011549 crystallization solution Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/16—Polishing
- C25F3/30—Polishing of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/0203—Making porous regions on the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
[項目1]
シリコン基板上に多孔質層を形成するための方法であって、
溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップであって、第1の電極が上記第1のシリコン基板の第1の縁部の閾値距離内にある、ステップと、
上記第1のシリコン基板に第1の電流を通すステップであって、上記第1の縁部の上記閾値距離内にある上記第1の電極の位置により上記第1のシリコン基板の上記第1の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップと、を含む、方法。
[項目2]
上記第1のシリコン基板の第2の縁部の第2の閾値距離内にある上記第1の電極の位置により、上記第1のシリコン基板の上記第2の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目1に記載の方法。
[項目3]
上記通すステップにより、上記第1の電極が上記第1のシリコン基板の上記第1の縁部から電流を引き込む、項目1に記載の方法。
[項目4]
上記第1の電極が上記第1のシリコン基板の上記第1の縁部に沿って第2の電流を通すステップを更に含む、項目1に記載の方法。
[項目5]
上記第1の電極が上記第1のシリコン基板の複数の周縁部を少なくとも部分的に取り囲み、上記複数の周縁部に対する上記第1の電極の位置により上記複数の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目1に記載の方法。
[項目6]
上記溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップが、上記溶液中に非円形シリコン基板を配置するステップを含む、項目1に記載の方法。
[項目7]
上記溶液中に上記第1のシリコン基板を配置するステップが、多孔質化溶液中に上記第1のシリコン基板を配置するステップを含む、項目1に記載の方法。
[項目8]
溶液中に上記第1のシリコン基板を配置するステップが、フッ化水素酸(HF)、イソプロピルアルコール(IPA)及びエタノールからなる群より選択される化学物質を含む溶液中に上記第1のシリコン基板を配置するステップを含む、項目1に記載の方法。
[項目9]
上記溶液中に第2のシリコン基板を配置するステップであって、上記第2のシリコン基板が上記第1のシリコン基板に対しほぼ平行であり、かつ同一平面上にない、ステップを更に含み、
上記第1の電流を通すステップが、上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板に上記第1の電流を通すステップを含み、上記第1の電極の配置により、上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板の両方の上記第1の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目1に記載の方法。
[項目10]
上記第1の電極の配置により、上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板の両方の第2の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目9に記載の方法。
[項目11]
シリコン基板上に多孔質層を形成する方法であって、
溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップであって、上記第1のシリコン基板が第2の電極と第3の電極との間に配置され、第1の電極が上記第1のシリコン基板の第1の周縁部に沿って配置される、ステップと、
上記第2の電極から上記第1のシリコン基板を介して上記第3の電極へと第1の電流を通すステップであって、上記第1の周縁部に対する上記第1の電極の配置により、上記第1のシリコン基板の上記第1の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップと、を含む、方法。
[項目12]
上記第1のシリコン基板の第2の周縁部に対する上記第1の電極の配置により上記第1のシリコン基板の上記第2の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目11に記載の方法。
[項目13]
上記第1のシリコン基板と上記第3の電極との間に第2のシリコン基板を配置するステップであって、上記第2のシリコン基板が上記第1のシリコン基板に対しほぼ平行でありかつ同一平面上にないステップを更に含み、
上記第1の電流を通すステップが上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板に上記第1の電流を通すステップを含み、上記第1の電極の上記配置により、上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板の両方のそれぞれの上記第1の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目11に記載の方法。
[項目14]
上記第1の電極の配置が上記第1のシリコン基板及び第2のシリコン基板の各第1の周縁部にそれぞれ対する第1の閾値距離及び第2の閾値距離内であり、上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板の両方の上記第1の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、項目11に記載の方法。
[項目15]
上記第1の閾値距離が、上記第2の閾値距離とは異なる、項目14に記載の方法。
[項目16]
上記第1の電極が、上記第1のシリコン基板の上記第1の周縁部に沿って第2の電流を通すステップを更に含む、項目11に記載の方法。
[項目17]
シリコン基板上に多孔質層を形成する方法であって、
溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップであって、上記第1のシリコン基板が第2の電極と第3の電極との間に配置され、第1の電極がカチオン膜によって上記溶液から物理的に分離され、上記第1のシリコン基板の複数の周縁部を少なくとも部分的に取り囲む、ステップと、
上記第2の電極から上記第1のシリコン基板を介して上記第3の電極へと第1の電流を通すステップであって、上記複数の周縁部に対する上記第1の電極の配置により、上記第1のシリコン基板の上記複数の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップと、を含む、方法。
[項目18]
上記第1のシリコン基板と上記第3の電極との間に第2のシリコン基板を配置するステップであって、上記第2のシリコン基板が上記第1のシリコン基板に対しほぼ平行でありかつ同一平面上になく、上記カチオン膜が上記第2のシリコン基板から上記第1のシリコン基板を物理的に分離する、ステップと、
上記第2の電極から上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板を介して上記第3の電極へと第1の電流を通すステップであって、上記第1のシリコン基板の上記複数の周縁部に対する上記第1の電極の配置により、上記第1のシリコン基板及び上記第2のシリコン基板の上記複数の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップとを更に含む、項目17に記載の方法。
[項目19]
上記通すステップにより、上記第1の電極が上記シリコン基板の上記複数の周縁部から電流を引き込む、項目17に記載の方法。
[項目20]
上記第1の電極が、上記第1のシリコン基板の上記複数の周縁部に沿って第2の電流を通すステップを更に含む、項目17に記載の方法。
Claims (20)
- シリコン基板上に多孔質層を形成するための方法であって、
溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップであって、第1の電極が前記第1のシリコン基板の第1の縁部の閾値距離内にある、ステップと、
前記第1のシリコン基板に第1の電流を通すステップであって、前記第1の縁部の前記閾値距離内にある前記第1の電極の位置により前記第1のシリコン基板の前記第1の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップと、を含む、方法。 - 前記第1のシリコン基板の第2の縁部の第2の閾値距離内にある前記第1の電極の位置により、前記第1のシリコン基板の前記第2の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項1に記載の方法。
- 前記通すステップにより、前記第1の電極が前記第1のシリコン基板の前記第1の縁部から電流を引き込む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の電極が前記第1のシリコン基板の前記第1の縁部に沿って第2の電流を通すステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の電極が前記第1のシリコン基板の複数の周縁部を少なくとも部分的に取り囲み、前記複数の周縁部に対する前記第1の電極の位置により前記複数の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項1に記載の方法。
- 前記溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップが、前記溶液中に非円形シリコン基板を配置するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記溶液中に前記第1のシリコン基板を配置するステップが、多孔質化溶液中に前記第1のシリコン基板を配置するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 溶液中に前記第1のシリコン基板を配置するステップが、フッ化水素酸(HF)、イソプロピルアルコール(IPA)及びエタノールからなる群より選択される化学物質を含む溶液中に前記第1のシリコン基板を配置するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記溶液中に第2のシリコン基板を配置するステップであって、前記第2のシリコン基板が前記第1のシリコン基板に対しほぼ平行であり、かつ同一平面上にない、ステップを更に含み、
前記第1の電流を通すステップが、前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板に前記第1の電流を通すステップを含み、前記第1の電極の配置により、前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板の両方の前記第1の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の電極の配置により、前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板の両方の第2の縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項9に記載の方法。
- シリコン基板上に多孔質層を形成する方法であって、
溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップであって、前記第1のシリコン基板が第2の電極と第3の電極との間に配置され、第1の電極が前記第1のシリコン基板の第1の周縁部に沿って配置される、ステップと、
前記第2の電極から前記第1のシリコン基板を介して前記第3の電極へと第1の電流を通すステップであって、前記第1の周縁部に対する前記第1の電極の配置により、前記第1のシリコン基板の前記第1の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップと、を含む、方法。 - 前記第1のシリコン基板の第2の周縁部に対する前記第1の電極の配置により前記第1のシリコン基板の前記第2の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のシリコン基板と前記第3の電極との間に第2のシリコン基板を配置するステップであって、前記第2のシリコン基板が前記第1のシリコン基板に対しほぼ平行でありかつ同一平面上にないステップを更に含み、
前記第1の電流を通すステップが前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板に前記第1の電流を通すステップを含み、前記第1の電極の前記配置により、前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板の両方のそれぞれの前記第1の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項11に記載の方法。 - 前記第1の電極の配置が前記第1のシリコン基板及び第2のシリコン基板の各第1の周縁部にそれぞれ対する第1の閾値距離及び第2の閾値距離内であり、前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板の両方の前記第1の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、請求項11に記載の方法。
- 前記第1の閾値距離が、前記第2の閾値距離とは異なる、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の電極が、前記第1のシリコン基板の前記第1の周縁部に沿って第2の電流を通すステップを更に含む、請求項11に記載の方法。
- シリコン基板上に多孔質層を形成する方法であって、
溶液中に第1のシリコン基板を配置するステップであって、前記第1のシリコン基板が第2の電極と第3の電極との間に配置され、第1の電極がカチオン膜によって前記溶液から物理的に分離され、前記第1のシリコン基板の複数の周縁部を少なくとも部分的に取り囲む、ステップと、
前記第2の電極から前記第1のシリコン基板を介して前記第3の電極へと第1の電流を通すステップであって、前記複数の周縁部に対する前記第1の電極の配置により、前記第1のシリコン基板の前記複数の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップと、を含む、方法。 - 前記第1のシリコン基板と前記第3の電極との間に第2のシリコン基板を配置するステップであって、前記第2のシリコン基板が前記第1のシリコン基板に対しほぼ平行でありかつ同一平面上になく、前記カチオン膜が前記第2のシリコン基板から前記第1のシリコン基板を物理的に分離する、ステップと、
前記第2の電極から前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板を介して前記第3の電極へと第1の電流を通すステップであって、前記第1のシリコン基板の前記複数の周縁部に対する前記第1の電極の配置により、前記第1のシリコン基板及び前記第2のシリコン基板の前記複数の周縁部に沿ったほぼ均一な多孔質化を可能にする、ステップとを更に含む、請求項17に記載の方法。 - 前記通すステップにより、前記第1の電極が前記シリコン基板の前記複数の周縁部から電流を引き込む、請求項17に記載の方法。
- 前記第1の電極が、前記第1のシリコン基板の前記複数の周縁部に沿って第2の電流を通すステップを更に含む、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/040,116 | 2013-09-27 | ||
US14/040,116 US9217206B2 (en) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Enhanced porosification |
PCT/US2014/056415 WO2015047879A1 (en) | 2013-09-27 | 2014-09-18 | Enhanced porosification |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016533647A true JP2016533647A (ja) | 2016-10-27 |
Family
ID=52739023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016545762A Pending JP2016533647A (ja) | 2013-09-27 | 2014-09-18 | 多孔質化の強化 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9217206B2 (ja) |
JP (1) | JP2016533647A (ja) |
KR (1) | KR102333502B1 (ja) |
CN (1) | CN105518871B (ja) |
DE (1) | DE112014004401T5 (ja) |
MY (1) | MY174757A (ja) |
TW (1) | TWI646694B (ja) |
WO (1) | WO2015047879A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
DE102018129594A1 (de) * | 2018-11-23 | 2020-05-28 | Infineon Technologies Ag | Teilweises entfernen eines halbleiterwafers |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353972A (en) * | 1976-10-26 | 1978-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Anodic treatment method |
JPS63317700A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Nissan Motor Co Ltd | 電解エッチング装置 |
JP2000349066A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体基体及び太陽電池の製造方法と陽極化成装置 |
JP2002134782A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Canon Inc | 単結晶基体、それを用いた光電変換装置、放射線撮像装置、画像表示装置、太陽電池モジュール及び単結晶基体の製造方法 |
JP2012119571A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 陽極化成装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3352340B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 半導体基体とその製造方法 |
JP3777668B2 (ja) | 1996-09-04 | 2006-05-24 | ソニー株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPH11214725A (ja) | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法 |
JP2000223725A (ja) | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Canon Inc | 光電変換装置および半導体層の分離方法 |
DE19914905A1 (de) * | 1999-04-01 | 2000-10-05 | Bosch Gmbh Robert | Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers |
JP3619053B2 (ja) | 1999-05-21 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JP4579650B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | 電解エッチング方法および装置 |
CN100440489C (zh) * | 2006-11-28 | 2008-12-03 | 北京大学 | 一种多孔硅片及其制备方法 |
US7842173B2 (en) * | 2007-01-29 | 2010-11-30 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microfeature wafers |
KR101374932B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2014-03-17 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 확산 제한 식각과정에 의한 수평 변환 다공성 실리콘 광학필터의 제조방법 및 그에 의한 필터구조 |
MY170119A (en) | 2009-01-15 | 2019-07-05 | Trutag Tech Inc | Porous silicon electro-etching system and method |
JP5872456B2 (ja) * | 2009-05-05 | 2016-03-01 | ソレクセル、インコーポレイテッド | 生産性が高い多孔質半導体層形成装置 |
KR20140061287A (ko) * | 2010-11-03 | 2014-05-21 | 솔렉셀, 인크. | 기판 상에 다공성 반도체를 균일하게 형성하기 위한 장치 및 방법 |
US8883543B2 (en) * | 2011-05-17 | 2014-11-11 | Sumco Corporation | Method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module |
CN102953113A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-03-06 | 天津大学 | 一种硅基纳米尺寸有序多孔硅的制备方法 |
-
2013
- 2013-09-27 US US14/040,116 patent/US9217206B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-18 CN CN201480047866.6A patent/CN105518871B/zh active Active
- 2014-09-18 WO PCT/US2014/056415 patent/WO2015047879A1/en active Application Filing
- 2014-09-18 DE DE112014004401.6T patent/DE112014004401T5/de active Pending
- 2014-09-18 JP JP2016545762A patent/JP2016533647A/ja active Pending
- 2014-09-18 MY MYPI2016000501A patent/MY174757A/en unknown
- 2014-09-18 KR KR1020167007456A patent/KR102333502B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-26 TW TW103133379A patent/TWI646694B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5353972A (en) * | 1976-10-26 | 1978-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Anodic treatment method |
JPS63317700A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Nissan Motor Co Ltd | 電解エッチング装置 |
JP2000349066A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Canon Inc | 半導体基体及び太陽電池の製造方法と陽極化成装置 |
JP2002134782A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Canon Inc | 単結晶基体、それを用いた光電変換装置、放射線撮像装置、画像表示装置、太陽電池モジュール及び単結晶基体の製造方法 |
JP2012119571A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 陽極化成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105518871A (zh) | 2016-04-20 |
DE112014004401T5 (de) | 2016-07-14 |
TWI646694B (zh) | 2019-01-01 |
KR102333502B1 (ko) | 2021-11-30 |
CN105518871B (zh) | 2018-01-23 |
TW201521209A (zh) | 2015-06-01 |
MY174757A (en) | 2020-05-13 |
KR20160061338A (ko) | 2016-05-31 |
WO2015047879A1 (en) | 2015-04-02 |
US9217206B2 (en) | 2015-12-22 |
US20150090606A1 (en) | 2015-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016533647A (ja) | 多孔質化の強化 | |
US9249523B2 (en) | Electro-polishing and porosification | |
US9450113B2 (en) | Alignment for metallization | |
KR102554563B1 (ko) | 태양 전지 내의 상대적 도펀트 농도 레벨 | |
KR20170124639A (ko) | 태양 전지의 제조를 위한 공정 및 구조물 | |
KR20120120260A (ko) | 솔라 패널 모듈 및 그 제조방법 | |
JP5889163B2 (ja) | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール | |
JP6410951B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 | |
WO2018176182A1 (zh) | 一种n型ibc太阳能电池拼片连接的电池串及其制备方法、组件和系统 | |
CN109906516B (zh) | 具有区分开的p型和n型区架构的太阳能电池 | |
JP4467337B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
KR101198430B1 (ko) | 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 | |
KR101866348B1 (ko) | 수소 헬륨 공동 주입을 통한 박형 실리콘 기판 제조 방법 | |
CN113823704A (zh) | 一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法 | |
KR20110032407A (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
JP2009071340A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2017037899A (ja) | 太陽電池セル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160823 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170829 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180605 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190205 |