CN105518871A - 增强的多孔化 - Google Patents

Abstract

本发明公开了在硅基板中形成多孔层。形成所述多孔层可包括将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于离所述硅基板的边缘的阈值距离内。其还可包括使第一电流传导穿过所述硅基板，其中所述第一电极可相对于所述边缘定位，从而允许沿着所述第一硅基板的所述边缘的实质上均匀的多孔化。

Description

增强的多孔化

技术领域

本文所述主题的实施例整体涉及半导体、硅基板和太阳能电池。更具体地讲，所述主题的实施例涉及半导体、太阳能电池和制造工艺。

背景技术

半导体和基于硅的基板是广泛用于半导体和电子产业的熟知器件，适用于各种应用和器件。例如，太阳能电池(一种半导体型器件)是将太阳辐射转换为电能的熟知器件。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术制造。光伏电池或太阳能电池包括P型扩散区和N型扩散区。照射在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移至扩散区的电子和空穴，从而在扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中，扩散区和与它们耦接的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。接触区和接触指允许外部电路耦接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。一个或多个实施例涉及光伏电池或太阳能电池和光伏制造工艺。此类工艺可包括加工硅基板以便为如下所述的后续太阳能电池工艺作准备。

发明内容

公开了用于在硅基板上形成多孔层的方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内。所述方法还可包括使第一电流传导穿过第一硅基板，其中在第一边缘的阈值距离内放置第一电极允许沿着第一硅基板的第一边缘的实质上均匀的多孔化。所述方法还可包括在第一硅基板的第二边缘的阈值距离(相同或不同)内放置第一电极，从而允许沿着第一硅基板的第二边缘的实质上均匀的多孔化。

公开了在硅基板上形成多孔层的另一种方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着第一硅基板的第一周边边缘定位。所述方法还可包括使第一电流从第二电极穿过第一硅基板传导到第三电极，其中相对于第一周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。所述方法可包括相对于第一硅基板的第二周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。

公开了在硅基板上形成多孔层的又一种方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极围绕第一硅基板的周边边缘。所述方法还可包括使第一电流从第二电极穿过第一硅基板传导到第三电极，其中相对于周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的周边边缘的实质上均匀的多孔化。

附图说明

当结合以下附图考虑时，通过参见具体实施方式和权利要求书可以更完全地理解所述主题，其中在所有附图中，类似的附图标记是指类似的元件。

图1为根据一些实施例用于在硅基板上形成多孔层的示例方法的流程示意图；

图2示出了根据一个实施例在第一硅基板上形成多孔层的横截面；

图3示出了根据一个实施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔层的横截面；

图4至图6为根据一些实施例的第一电极和第一硅基板的示意性平面图；

图7示出了根据一个实施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔层的横截面；

图8示出了根据一个实施例在第一硅基板上形成多孔层的横截面；

图9示出了根据一个实施例，根据用于在第一硅基板上形成多孔层的方法的多孔化结构的横截面；

图10示出了根据一个实施例，根据用于在第一硅基板上形成多孔层的方法的另一个多孔化结构的横截面；

图11示出了根据所公开的多孔化技术制造的示例太阳能电池的横截面；以及

图12示出了根据所公开的多孔化技术制造的另一个示例太阳能电池的横截面。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其它实施优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除另外的结构或步骤。

“被配置为”。各种单元或组件可被描述或主张成“被配置为”执行一项或多项任务。在这样的背景下，“被配置为”用于通过指示该单元/组件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，即使当指定的单元/组件目前不在操作(例如，未开启/激活)时，也可将该单元/组件说成是被配置为执行任务。详述某一单元/电路/组件“被配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/组件而言不援用35U.S.C.§112第六段。

如本文所用的“第一”、“第二”等这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”太阳能电池并不一定暗示该太阳能电池是某一序列中的第一个太阳能电池；相反，术语“第一”用于区分该太阳能电池与另一个太阳能电池(例如，“第二”太阳能电池)。

“耦接”-以下描述是指“耦接”在一起的元件或节点或特征。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械耦接。

此外，以下描述中还仅为了参考的目的使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”、“下部”、“上面”或“下面”等术语是指附图中提供参考的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”等术语描述在一致但任意的参照系内组件的某些部分的取向和/或位置，通过参考描述所讨论部件的文字和相关的附图可以清楚地了解这些取向和/或位置。这样的术语可以包括上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。

虽然为了易于理解依据硅基板和半导体器件描述本公开的很多内容，但所公开的技术和结构同样适用于其他半导体结构(诸如硅晶片)及其应用(诸如光伏电池或太阳能电池中的应用)。

硅基板的多孔化工艺所面临的常见问题包括沿着边缘均匀地形成多孔层。在一个例子中，与硅基板的表面之内或之上相比，一些多孔化技术沿着边缘可获得更高多孔化。又如，与硅基板的表面之内或之上相比，一些多孔化技术在边缘处可获得更低多孔化。一些技术可包括使用圆形硅基板并移除多余边缘以形成硅晶片的所需形状和尺寸。此类技术可能较昂贵并且给硅晶片形成工艺增加了额外步骤。为了解决以上难点，提供了各种技术以便在硅基板上形成实质上均匀的多孔层。

图1示出了在硅基板上形成多孔层的示例方法的实施例的流程图。在各种实施例中，图1的方法可包括与图示相比额外的(或更少的)框图。

如在160处所示，硅基板可放置在溶液中，其中电极可邻近硅基板的边缘和/或在硅基板的边缘的阈值距离内。在一个例子中，边缘可被称为周边边缘，其中边缘可以指周边边缘。在一些实施例中，硅基板可为非圆形硅基板。在其他实施例中，硅基板可为正方形、矩形、三角形、梯形或任何多边形形状。在一个例子中，硅基板可具有大约在100微米-1毫米范围内的厚度。

在一个实施例中，硅基板可放置在多孔化溶液中。在一些实施例中，硅基板可放置在包含选自由氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇构成的组的化学物质的溶液中。在一个实施例中，溶液可包括氢氟酸(HF)与异丙醇(IPA)的组合或氢氟酸(HF)与乙醇的组合。

在一个实施例中，电极(例如，第一电极)可相对于硅基板的边缘定位。注意，基板及其边缘可相似地相对于电极(例如，如果电极固定在适当位置的话)定位。在一个实施例中，电极可定位在硅基板的边缘或第一边缘的阈值距离内，诸如0.5至5毫米内。在一个实施例中，电极可相对于硅基板的另一个边缘或第二边缘放置。例如，电极可在离第二边缘的与离第一边缘相同的阈值距离内。在另一个实施例中，不同阈值距离可适用于第二边缘。例如，第一阈值可为0.5至2mm，并且第二阈值可为1至5mm。如果硅基板的第一边缘和第二边缘分别定位在离电极的1mm和3mm，则这两个边缘均在其离电极的相应阈值距离内。

在一个实施例中，硅基板可定位在两个电极之间。在一个实施例中，第二硅基板可放置在溶液中。第二硅基板可与第一硅基板实质上平行且非平面。第二硅基板可放置在第一硅基板与电极之一之间。

在一个例子中，第一硅基板和第二硅基板可由晶片盒按一行保持。在一个例子中，多个硅基板可由晶片盒按一行保持在适当位置。

在162处，第一电流可传导穿过硅基板，其中第一电极或基板的放置(例如，使基板的边缘处于电极的阈值距离内)允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。在一个实施例中，用于多孔化的电流密度可在0.1-50mA/cm²的范围内。在一个实施例中，实质上均匀的多孔化可被限定为沿着边缘及在硅基板的表面上均质的多孔化。硅基板的表面可为被周边边缘围绕的平坦顶部或底部表面。

在一个实施例中，第一电极可从硅基板的至少一个边缘汲取电流。在一个实施例中，第一电极可使第二电流沿着第一硅基板的第一边缘传导。第二操作162还可包括围绕第一硅基板的周边边缘的第一电极。注意，围绕可能不一定包括围绕所有每个周边边缘(例如，如图4所示)。另外，在一些实施例中(例如，如图3所示)，第二电极130可为阳极，并且第一电极133和第三电极132可为阴极。

在上述实施例中，相对于边缘放置第一电极可允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。

参照图2，示出了使第一电流传导穿过第一硅基板。传导第一电流可包括使第一电流134传导穿过第一硅基板100。如图示实施例中所示，第一硅基板100定位在第二电极130与第三电极132之间。相对于第一硅基板100的周边边缘114、116(例如，在阈值距离内)放置第一电极133可允许沿着周边边缘114、116实质上均匀的多孔化，从而得到多孔层110。在一个实施例中，传导第一电流134可导致第一电极133从第一硅基板100的第一边缘114、116汲取电流。

图3延续图2的例子。如图所示，第二硅基板101可放置在第一硅基板100与第三电极132之间。第二硅基板101可与第一硅基板100实质上平行且非平面。在一个实施例中，第一电流可传导穿过第一硅基板和第二硅基板。另外，第一电极133的放置允许沿着第一硅基板100和第二硅基板101两者的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化，从而得到第一硅基板100和第二硅基板101两者的均匀多孔层110、111。图3的配置可允许多个硅基板放置在第二电极130与第三电极132之间。第一电极133(其也可被称为分流电极)可允许第二电流136从第一硅基板100均匀流出。因此，所述的方法和配置允许在多个硅基板上执行多孔化工艺。

参照图4至图6，示出了硅基板以及第一电极的各种放置配置。图4示出了第一电极133a的配置，其中电极可围绕第一硅基板100的多个边缘120、121、122、123、124、125、126、127。在周边边缘的阈值距离内放置第一电极133a或分流电极可允许在使电流传导穿过第一硅基板100时沿着第一硅基板的周边边缘120、121、122、123、124、125、126、127实质上均匀的多孔化，从而得到围绕周边边缘的均匀多孔层。

在图5中，第一电极133b可处于第一硅基板100的第一边缘120的阈值距离内。因此，在第一边缘120的阈值距离内放置第一电极133b可允许在使电流传导穿过第一硅基板100时沿着第一硅基板100的第一边缘120实质上均匀的多孔化。在一个实施例中，在第一硅基板100的第二边缘121的阈值距离(与用于第一边缘的阈值距离相同或不同)内放置第一电极133b，还可包括允许在使电流传导穿过第一硅基板100时沿着第一硅基板100的第二边缘121实质上均匀的多孔化。

图6示出了另一种配置，其中第一硅基板100的约一半的周围周边边缘120、121、122、123和124位于第一电极133c的阈值距离内。可存在多种放置和配置，并且方法和设备不限于所述的那些。

图7示出了用于使第一电流传导穿过第一硅基板和第二硅基板的另一个实施例。与图3中所述的类似，可在传导第一电流134之前，将第二硅基板101定位在第一硅基板100与第三电极132之间。第二硅基板101可与第一硅基板100实质上平行且非平面。第一电流134可传导穿过第一硅基板和第二硅基板。在一些实施例中，第二电流等于第一电流(例如，安培数方面相同或大约相同，相同或大约相同的方向等)。在其他实施例中，第二电流不同于第一电流(例如，不同安培数、不同方向等)。与图3截然不同的是，图7的例子示出了离第一硅基板100和第二硅基板101两者分别的周边边缘114、116的阈值距离内放置第一电极133。例如，第一电极133或分流电极可延伸跨越第一硅基板100和第二硅基板101两者的边缘114、116或周边边缘。在另一个实施例中，可使用多个分流电极，使得分流电极中的一者或多者邻近第一硅基板100和第二硅基板101的边缘114、116。相似地，图7的第一电极133可延伸到邻近多个硅基板的多个边缘。

参照图8，示出了用于使第一电流传导穿过第一硅基板的又一个实施例。与上述类似，传导第一电流134可包括使第一电流134传导穿过第一硅基板100，所述第一硅基板100定位在第二电极130与第三电极132之间，其中相对于第一硅基板100的周边边缘114、116放置第一电极133允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化。如图所示，第一电极133可使第三电流135沿着第一硅基板100的第一边缘114、116传导。在一个实施例中，电流可在施加在第二电极与第三电极之间的电流的+/-10％容差内。第三电流可允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化。相似地，相对于第一硅基板100的第二边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极133还可包括允许沿着第一硅基板100的第二边缘的实质上均匀的多孔化，从而得到均匀的多孔层110。另外，在一些实施例中，第一电极133和第二电极130可为阳极，并且第三电极132可为阴极。

在一些实施例中，第二硅基板101可定位在第一硅基板100与第三电极132之间。与图3中所述的类似，第二硅基板101可与第一硅基板100实质上平行且非平面。第一电流134和第二电流136(其可等于第一电流)可分别传导穿过第一硅基板和第二硅基板。图8中所述的配置和方法允许多个硅基板放置在第一硅基板100与第三电极132之间。第一电极133允许第二电流136穿过第一硅基板100朝下一个硅基板(诸如图3所示的第二硅基板)均匀流动。因此，所述的方法和配置可允许在多个硅基板上执行多孔化工艺。

图9示出了另一个多孔化结构。多孔化结构140包括溶液142(例如，多孔化溶液)。在其他例子中，溶液可为化学物质，诸如氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)、乙醇等。第一连接器138可将第一电极133保持在适当位置并且还充当电流的导管。第二连接器137可将第二电极130保持在适当位置，其中电流还可从第二连接器137流向第二电极130。相似地，第三连接器139可将第三电极132保持在适当位置，其中第三连接器139还可充当电流的导管。第一硅基板100可定位在第二电极130与第三电极132之间，其中相对于第一硅基板100的第一边缘114、116(例如，在阈值距离内)放置第一电极133允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化，如以上方法中所述。多孔化槽144可包封并保持多孔化结构。

在一个实施例中，多个硅基板可放置在多孔化槽中。在一个实施例中，夹具或平面夹具可用于将多个硅基板一起保持在相同几何平面内。在一个实施例中，硅基板可由平面夹具保持在一起。在一个例子中，平面夹具中的每个硅基板可为实质上平行且平面的。在一个例子中，多个电极诸如第一电极可处于离平面夹具中的硅基板的边缘的一个或多个阈值距离内。在使第一电流传导穿过由平面夹具保持的硅基板的过程中，电极允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。在另一个实施例中，多个硅基板可按一行保持在一起，例如保持在盒中。在一个例子中，盒中的每个硅基板为实质上平行且非平面。在一个例子中，第一电极可处于离第一硅基板的边缘的阈值距离内。在使第一电流传导穿过盒中的硅基板时，第一电极可允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。可使用对多个硅基板批量加工的各种组合，其中所提及的应用不应被理解为是限制性的，并且其中还可应用用于加工多个硅基板的其他技术。

参照图10，示出了另一个多孔化结构。多孔化结构141还包括溶液142或与图9中所讨论类似的多孔化溶液。第一连接器138可将第一电极133保持在适当位置并且还充当电流的导管。第二连接器137可将第二电极130保持在适当位置，其中电流可从第二连接器137流向第二电极130。相似地，第三连接器139可将第三电极132保持在适当位置，其中第三连接器139还可充当电流的导管。第一硅基板100可定位在第二电极130与第三电极132之间，其中相对于第一硅基板100的第一边缘114、116放置第一电极133允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化，如以上方法中所述。多孔化槽144可包封并保持多孔化结构。与图9截然不同的是，阳离子膜148可将第三电极132与第一硅基板100、第一电极133和第二电极130分隔开。阳离子膜148可提供多孔化槽144的单独区域之间的物理分隔。第二电流136(其可等于第一电流134)仍可流过阳离子膜148穿行到第三电极132。在另一个实施例中，阳离子膜可放置在第二电极130与第一硅基板100之间。在又一个实施例中，阳离子膜可将第一电极133与围绕第一电极133的多孔化溶液142分隔开，同时允许电流汲取到第一电极133或由第一电极133传导。在再一个实施例中，多个阳离子膜可用于分隔用于多孔化结构141中的多个硅基板。相似地，

图11示出了使用上述硅基板上的所公开多孔层制造的示例太阳能电池。在形成多孔层之后，可在多孔层上方形成外延硅层。在一个实施例中，多孔层可在1-10微米的范围内。在一个实施例中，外延硅层可在10-150微米的范围内。在形成外延硅层之后，可从多孔层和硅基板移除外延硅层，从而得到硅晶片102。可清洁并蚀刻硅晶片102以为后续制造工艺(诸如太阳能电池制造工艺)作准备。

例如，对于图11的示例太阳能电池，可通过热工艺在硅晶片102上形成第一掺杂区190和第二掺杂区192。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192各自包含一种掺杂材料，但不限于P型掺杂剂(诸如硼)或N型掺杂剂(诸如磷)。第一介质层194可形成于第一掺杂区190和第二掺杂区192上。在一个实施例中，第一介质层194由氮化硅(SiN)构成。可在形成第一掺杂区190和第二掺杂区192之前，在硅晶片102上方形成第二介质层196。在一个实施例中，第二介质层196由隧道氧化层构成。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192两者均包含交叉图案的扩散区。在一个实施例中，第一掺杂区和第二掺杂区被代之以第一掺杂多晶硅区和第二掺杂多晶硅区。

在一个实施例中，可形成沟槽区198，以将第一掺杂区190和第二掺杂区192两者分隔开，这可减少界面处的复合。在一个实施例中，沟槽区198包括纹理化表面，以用于额外收集来自太阳能电池104a背面的光线。可穿过第一介质层194并在第一掺杂区190和第二掺杂区192上形成多个接触孔。可通过化学蚀刻、烧蚀或任何工业标准光刻工艺形成接触孔。可执行电镀工艺，以形成第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182，其中第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182通过第一掺杂区190和第二掺杂区192上的第一介质层194电耦接到接触孔。在一个实施例中，可在太阳能电池104a的正面上形成纹理化区，以提高太阳辐射收集。纹理化区是具有规则或不规则形状的表面的区域，所述表面用于散射入射光，减少太阳能电池104a的表面反射回的光量。在另一个实施例中，可以在太阳能电池104a的正面上的纹理化区上形成第三介质层。在一个实施例中，第三介质层由氮化硅(SiN)构成。在一些实施例中，第一介质层194和第三介质层是抗反射层。

现在转到图12，示出了使用上述硅基板上的所公开多孔层制造的示例太阳能电池。与图11中所述的类似，可在多孔层上方形成外延硅层。在一个实施例中，多孔层可大约在1-10微米的范围内。在一个实施例中，外延硅层可大约在10-150微米的范围内。在形成外延硅层之后，从多孔层和硅基板移除外延硅层，从而得到硅晶片102。可清洁并蚀刻硅晶片102以为后续制造工艺(诸如太阳能电池制造工艺)作准备。

在示例太阳能电池制造工艺中，可通过热工艺在硅晶片102上形成第一掺杂区190和第二掺杂区192。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192各自包含一种掺杂材料，但不限于P型掺杂剂(诸如硼)或N型掺杂剂(诸如磷)。第一介质层194可形成于第一掺杂区190和第二掺杂区192上。在一个实施例中，第一介质层194由氮化硅(SiN)构成。可在形成第一掺杂区190和第二掺杂区192之前，在硅晶片102上方形成第二介质层。在一个实施例中，第二介质层由隧道氧化层构成。在另一个实施例中，第一掺杂区190和第二掺杂区192两者均包含交叉图案的扩散区。在一个实施例中，可穿过第一介质层194并在第一掺杂区190和第二掺杂区192上形成多个接触孔。可通过化学蚀刻、烧蚀或任何工业标准光刻工艺形成接触孔。可执行电镀工艺，以形成第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182，其中第一多个叉指型金属接触指180和第二多个叉指型金属接触指182通过第一掺杂区190和第二掺杂区192上的第一介质层194电耦接到接触孔。在一个实施例中，可在太阳能电池104b的正面上形成纹理化区，以提高太阳辐射收集。纹理化区是具有规则或不规则形状的表面的区域，所述表面用于散射入射光，减少太阳能电池104b的表面反射回的光量。在一个实施例中，可以在太阳能电池104b的正面上的纹理化区上形成第三介质层。在另一个实施例中，第三介质层由氮化硅(SiN)构成。在再一个实施例中，第一介质层194和第三介质层是抗反射层。

应当理解，结合在硅基板上形成多孔层及随后的太阳能电池制造工艺执行的各种工序可包括任何数量的附加或替代的工序。图1至图12所示的工序无需一定按所示顺序执行，并且可合并到具有本文未详述的额外功能的更综合性的过程或流程中。

尽管上面已经描述了具体实施例，但即使相对于特定的特征仅描述了单个实施例，这些实施例也并非旨在限制本公开的范围。在本公开中所提供的特征的例子除非另有说明否则旨在为说明性的而非限制性的。以上描述旨在涵盖将对本领域的技术人员显而易见的具有本公开的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。

本公开的范围包括本文所公开的任何特征或特征组合(明示或暗示)，或其任何概括，不管它是否缓解本文所解决的任何或全部问题。因此，可以在本申请(或对其要求优先权的申请)的审查过程期间对任何此类特征组合提出新的权利要求。具体地讲，参考所附权利要求书，来自从属权利要求的特征可与独立权利要求的那些特征相结合，以及来自相应的独立权利要求的特征可以按任何适当的方式组合，而并非只是以所附权利要求中所枚举的特定的组合。

在一个实施例中，一种用于在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法涉及将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内。所述方法还涉及使第一电流传导穿过所述第一硅基板，其中所述第一电极的位置处于所述第一边缘的所述阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述第一电极的位置处于所述第一硅基板的第二边缘的第二阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第二边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述传导导致所述第一电极从所述第一硅基板的所述第一边缘汲取电流。

在一个实施例中，所述方法还涉及所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一边缘传导第二电流。

在一个实施例中，所述第一电极至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘，其中所述第一电极相对于所述周边边缘的位置允许沿着所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，将第一硅基板放置在所述溶液中包括将非圆形硅基板放置在所述溶液中。

在一个实施例中，将所述第一硅基板放置在所述溶液中包括将所述第一硅基板放置在多孔化溶液中。

在一个实施例中，将所述第一硅基板放置在溶液中包括将所述第一硅基板放置在包含选自由氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇构成的组的化学物质的溶液中。

在一个实施例中，所述方法还涉及将第二硅基板放置在所述溶液中，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，其中所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的第二边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，在硅基板上形成多孔层的方法涉及将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着所述第一硅基板的第一周边边缘定位。所述方法还涉及使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，相对于所述第一硅基板的第二周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述方法还涉及将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的相应第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述第一电极的放置处于分别相对于所述第一硅基板和所述第二硅基板的相应第一周边边缘的第一阈值距离和第二阈值距离内，从而允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述第一周边边缘两者的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述第一阈值距离不同于所述第二阈值距离。

在一个实施例中，所述方法还涉及所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘传导第二电流。

在一个实施例中，在硅基板上形成多孔层的方法涉及将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极由阳离子膜将其与所述溶液物理分隔，并且至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘。所述方法还涉及使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述方法还涉及将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中所述阳离子膜将所述第一硅基板与所述第二硅基板物理分隔，并且使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一硅基板的所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。

在一个实施例中，所述传导导致所述第一电极从所述硅基板的所述周边边缘汲取电流。

在一个实施例中，所述方法还涉及所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述周边边缘传导第二电流。

Claims (20)

1.一种用于在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括：

将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内；以及

使第一电流传导穿过所述第一硅基板，其中所述第一电极的位置处于所述第一边缘的所述阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极的位置处于所述第一硅基板的第二边缘的第二阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第二边缘的实质上均匀的多孔化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述传导导致所述第一电极从所述第一硅基板的所述第一边缘汲取电流。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一边缘传导第二电流。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘，其中所述第一电极相对于所述周边边缘的位置允许沿着所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将第一硅基板放置在所述溶液中包括将非圆形硅基板放置在所述溶液中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一硅基板放置在所述溶液中包括将所述第一硅基板放置在多孔化溶液中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一硅基板放置在溶液中包括将所述第一硅基板放置在包含选自由氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇构成的组的化学物质的溶液中。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将第二硅基板放置在所述溶液中，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面；并且

其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，其中所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电极的放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的第二边缘的实质上均匀的多孔化。

11.一种在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括：

将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着所述第一硅基板的第一周边边缘定位；以及

使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。

12.根据权利要求11所述的方法，其中相对于所述第一硅基板的第二周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面；并且其中传导所述第一电流包括使所述第一电流传导穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板，所述第一电极的所述放置允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板两者的相应第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电极的放置处于分别相对于所述第一硅基板和所述第二硅基板的相应第一周边边缘的第一阈值距离和第二阈值距离内，从而允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述第一周边边缘两者的实质上均匀的多孔化。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一阈值距离不同于所述第二阈值距离。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述第一周边边缘传导第二电流。

17.一种在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括：

将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极由阳离子膜将其与所述溶液物理分隔，并且至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘；以及

使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括：

将第二硅基板放置在所述第一硅基板与所述第三电极之间，所述第二硅基板与所述第一硅基板实质上平行且非平面，其中所述阳离子膜将所述第一硅基板与所述第二硅基板物理分隔；以及

使第一电流从所述第二电极穿过所述第一硅基板和所述第二硅基板传导到所述第三电极，其中相对于所述第一硅基板的所述周边边缘放置所述第一电极允许沿着所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述周边边缘的实质上均匀的多孔化。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述传导导致所述第一电极从所述硅基板的所述周边边缘汲取电流。

20.根据权利要求17所述的方法，还包括所述第一电极沿着所述第一硅基板的所述周边边缘传导第二电流。