JP2016530706A5 - - Google Patents

Description

カソードは、通常、カバー及びライナーによって囲まれ、これによってイオン衝撃によるダメージからカソードを保護する。例えば、ライナーは、カソードの側壁を取り囲むために利用することができ、一方、カバーリングは、カソードの上面を覆うために利用される。基板は、典型的には、基板支持台上に支持されながら、カバーリングの内側に配置されているので、従来のロボット機構を使用して基板支持台上へ基板を配置し、基板支持台上から基板を除去することを可能にするために、基板とカバーリングの間には、十分な公差及びギャップが必要とされる。これらのギャップは、一般的に、３．０μｍを超えて維持され、これによって上述の基板の動きに適応し、これによってミスアライメントによる基板の損傷なしに、ロボット機構とのインターフェース接続を可能にする。

傾斜壁３０８は、傾斜壁３０８と単一リング本体２００の上部２１０との間の交点で画定される頂部３０９を有する。傾斜壁３０８は、角度３６０で傾斜している。傾斜角３６０は、基板の表面上でのプロセスの均一性を増加するように選択することができる。すなわち、角度は、基板の中心へとプラズマイオンの濃度を変えるように調整することができる。１以上の実施形態では、角度３６０は、約８０度である。傾斜壁３０８の角度３６０が約ゼロである実施形態では、傾斜壁３０８は、第２リップ３０６と上部２１０の間の垂直距離として画定される垂直立ち上がり３４１を有することができる。１以上の実施形態では、垂直立ち上がり３４１は、約０．０８６インチ（約２．１８ｍｍ）である。これは、リップ２２５から上部２１０までの距離を約０．１４インチ（約３．５６ｍｍ）にする。

単一リング本体２００の垂直面３１５は、直径３３１によって画定される。垂直面３１５は、内側底部３１４とリップ底部３１６の間に配置される。垂直面３１５の高さ３４４は、内側底部３１４とリップ底部３１６の間の垂直距離である。１以上の実施形態では、垂直面３１５の高さ３４４は、約０．２９２インチ（約７．４２ｍｍ）である。垂直面３１５は、基板支持台の一部に隣接して配置される。

図５は、エッチングプロセスが上述の狭いギャップのカバーリング１３０を用いたことを除いて、図４に示された基板上で実行されたエッチングと同様のＡｌボンドパッドエッチング後の基板の４つの最端部から裏面までの画像を含む。図５の画像は、電子顕微鏡下で走査された３００ｍｍの直径を有する基板の最端部を示す。図５に示された基板は、基板とカバーリング１３０との間のギャップが約０．９ｍｍであるカバーリング１３０を用いてエッチングされた。比較を容易にするために、図４に示されたように基板の向きを同様に変えると、第１画像５１０は、拡大した基板の最端部の左側を示す。ベベルポリマー剥離５６０は、基板の下面５５０上にはほぼ存在しない。画像５２０は、高倍率下での（下に向けた）基板の平坦な端部を示す。画像５３０は、高倍率下での基板の端部の左側を示す。画像５４０は、高倍率下での基板の上端部（平坦面と反対側）を示す。いずれの画像においても、ベベルポリマー剥離５６０は、ほぼ識別可能ではない。画像５４０は、最も見ることができるベベルポリマー剥離５７０を有する。しかしながら、図５の画像５４０を対応する図４の画像４４０と比較すると、画像５４０内に示されるベベルエッジ剥離５７０は、画像４４０内に示されるベベルエッジ剥離４７０に対して実質的に改善されている。ギャップを低減することによるベベルエッジの改善は、図５に示されるように、後続の操作の前にベベルエッジをクリーニングするための追加の操作を基板がもはや必要としないという点において実質的である。

Claims (1)

1. 本体はＹ_２Ｏ_３から製造され、ギャップは約０．９ｍｍであり、外面は約１５．１２インチの直径を有し、垂直面は、約１１．８８４インチ〜約１１．８８９インチの直径を有する円筒を形成し、傾斜は約８０度であり、スロットは、底面を内側底面と外側底面に分割する円形溝であり、内側底面及び外側底面は、同一平面上にはなく、垂直面の高さは約０．０５４インチであり、リップは約１１．７３６インチ〜約１１．７４１インチの内径を有し、リップから上面までの距離は約０．１４インチである、請求項１記載の単一リング。