JP2016527719A5

JP2016527719A5 -

Info

Publication number: JP2016527719A5
Application number: JP2016528381A
Authority: JP
Filing date: 2014-06-11
Publication date: 2017-04-20
Anticipated expiration: 2034-06-11

Claims

予め定めた場所において金属酸化物半導体層の電気伝導性を改善するための方法であって、
基板（１０）上に金属酸化物半導体層（１２）を設けることと、
原子層堆積法を用いて、金属酸化物半導体層の上に金属酸化物層（１５）を設けることとを含み、
金属酸化物層は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層と物理的接触している、方法。
金属酸化物層（１５）は、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する請求項１記載の方法。
金属酸化物層（１５）を設けること、１５０℃〜２００℃の範囲の温度で行われる請求項１または２記載の方法。
金属酸化物半導体層（１２）は、ガリウム−インジウム−亜鉛−酸化物層である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
金属酸化物層（１５）は、Ａｌ_２Ｏ_３層である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
Ａｌ_２Ｏ_３層は、試薬としてトリメチルアルミニウムおよび水（Ｈ_２Ｏ）から堆積される請求項５記載の方法。
金属酸化物層を金属酸化物半導体層の上に設ける前に、
アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む還元層を、予め定めた場所において金属酸化物半導体層と物理的接触して設けることと、
還元層と金属酸化物半導体層との間の化学還元反応を誘導することと、
還元反応から還元層および反応副産物を除去することとをさらに含む請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
請求項１〜７のいずれかに記載の方法を利用して、自己整合上部ゲート金属酸化物半導体薄膜トランジスタを製造するための方法であって、
金属酸化物半導体層（１２）を基板（１０）上に設けることと、
ゲート誘電体層（１３）を金属酸化物半導体層（１２）の上に堆積することと、
ゲート電極層（１４）をゲート誘電体層（１３）の上に堆積することと、
ゲート電極層（１４）およびゲート絶縁層（１３）をパターニングして、ゲート電極（１４１）およびゲート絶縁体（１３１）を形成することと、
金属酸化物半導体層（１２）をパターニングし、これにより薄膜トランジスタのソース領域（１１１）、チャネル領域（１１０）およびドレイン領域（１１２）を規定することと、
原子層堆積法を用いて、金属酸化物層（１５）を堆積することとを含み、これにより、金属酸化物層が金属酸化物半導体層と直接に物理的接触しているソース領域（１１１）およびドレイン領域（１１２）において、金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる方法。
誘電体層（１６）を金属酸化物層の上に設けることと、
誘電体層（１６）および金属酸化物層（１５）を通過するビアを形成することと、
ビアを金属で充填し、ソース電極（２１）およびドレイン電極（２２）を形成することとをさらに含む請求項８記載の方法。
方法は、２００℃より低い温度で実施される請求項８または９記載の方法。
基板は、低コストの可撓性基板である請求項８〜１０いずれかに記載の方法。
基板は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、またはＰＣ（ポリカーボネート）を含む請求項８〜１１のいずれかに記載の方法。