JP2016527647A - ハイブリッド・メモリ・モジュール用メモリの入出力を構成するための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (35)
- 不揮発性メモリおよび前記不揮発性メモリに結合された揮発性メモリを含むハイブリッド・メモリ・モジュール
を備える装置であって、
前記揮発性メモリが、第1の動作モード中に第1の入出力サブセットを使用して通信を行うように構成され、第2の動作モード中に第2の入出力サブセットを使用して通信を行うように構成される、
装置。 - 前記ハイブリッド・メモリ・モジュールが、前記不揮発性メモリおよび前記揮発性メモリに結合された制御回路を更に備え、
前記揮発性メモリが、前記第2の入出力サブセットを使用して、前記制御回路と通信を行う、
請求項1に記載の装置。 - 前記不揮発性メモリが、不揮発性メモリ・バスを介して前記制御回路と通信を行うように構成される、
請求項2に記載の装置。 - 前記制御回路が、前記揮発性メモリから前記不揮発性メモリにデータを転送するように構成される、
請求項3に記載の装置。 - 前記揮発性メモリが、前記第1の動作モードを設定するための情報をプログラムされるように構成され、前記第2の動作モードを設定するための情報をプログラムされるように更に構成されたモード・レジスタを含む、
請求項1に記載の装置。 - 前記不揮発性メモリの記憶容量が、前記揮発性メモリの記憶容量よりも大きい、
請求項1に記載の装置。 - 前記揮発性メモリが、複数のメモリを備える、
請求項1に記載の装置。 - 前記第1の入出力サブセットを介して前記ハイブリッド・メモリ・モジュールと通信を行うように構成されたホストを更に備える、
請求項1に記載の装置。 - 第1のバスに結合されるように構成された第1の入出力サブセットと、
第2のバスに結合されるように構成された第2の入出力サブセットと、
前記第1の入出力サブセットについては、第1の動作モードを設定するための情報をプログラムされ、前記第2の入出力サブセットについては、第2の動作モードを設定するための情報をプログラムされるように構成されたモード・レジスタと、
前記モード・レジスタに結合され、前記第1の動作モードが設定されることに応答して、前記第1の入出力サブセットを介した通信をイネーブルし、前記第2の動作モードが設定されることに応答して、前記第2の入出力サブセットを介した通信をイネーブルするように構成された制御ロジックと、
を備えるメモリ。 - 前記制御ロジックが、前記第1および第2の入出力サブセットを介した通信を同時にイネーブルするように構成される、
請求項9に記載のメモリ。 - 前記制御ロジックが、前記第1の動作モードまたは前記第2の動作モードを設定するための情報を前記モード・レジスタにプログラムすることにより、それぞれ、前記第1および第2の入出力サブセットのうちの1つのサブセットを介した通信をイネーブルするように構成される、
請求項9に記載のメモリ。 - 前記第1の入出力サブセットにデータを提供し、前記第1の入出力サブセットからデータを受け取るように構成された第1の入出力バッファ・サブセットであって、前記制御ロジックが、前記第1の動作モードについては、前記第1の入出力バッファ・サブセットをイネーブルするように更に構成される、第1の入出力バッファ・サブセットと、
前記第2の入出力サブセットにデータを提供し、前記第2の入出力サブセットからデータを受け取るように構成された第2の入出力バッファ・サブセットであって、前記制御ロジックが、前記第2の動作モードについては、前記第2の入出力バッファ・サブセットをイネーブルするように更に構成される、第2の入出力バッファ・サブセットと、
を更に備える請求項9に記載のメモリ。 - 動作モードに基づいて、第1の入出力サブセットまたは第2の入出力サブセットを使用して通信を行うように構成された複数の揮発性メモリと、
前記第2の入出力サブセットを介して前記複数の揮発性メモリと通信を行うように構成された制御回路と、
を備えるハイブリッド・メモリ・モジュール。 - 前記第1の入出力サブセットが、ホスト・バスに結合されるように構成される、
請求項13に記載のハイブリッド・メモリ・モジュール。 - 前記複数の揮発性メモリのうちのある揮発性メモリが、前記動作モードを設定するための情報をプログラムされるように構成されたモード・レジスタを含む、
請求項13に記載のハイブリッド・メモリ・モジュール。 - 制御回路に結合され、不揮発性メモリ・バスを介して前記制御回路と通信を行うように構成された不揮発性メモリを更に備える、
請求項13に記載のハイブリッド・メモリ・モジュール。 - 前記制御回路が、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイまたは特定用途向け集積回路を備える、
請求項13に記載のハイブリッド・メモリ・モジュール。 - 前記複数の揮発性メモリが、複数のDRAMを備える、
請求項13に記載のハイブリッド・メモリ・モジュール。 - 不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに結合された制御回路と、
前記制御回路に結合され、バスとの通信については、第1の入出力サブセットをイネーブルし、前記制御回路との通信については、第2の入出力サブセットをイネーブルするように構成された揮発性メモリと
を備える装置であって、
前記制御回路が、前記揮発性メモリと前記不揮発性メモリとの間で情報を転送するように構成される、
装置。 - 前記制御回路が、前記揮発性メモリと前記不揮発性メモリとの間で転送される情報についてエラー計算を実施するように構成される、
請求項19に記載の装置。 -
前記制御回路が、電源異常イベント中に、前記揮発性メモリと前記不揮発性メモリとの間で情報を転送するように構成される、
請求項19に記載の装置。 - 前記不揮発性メモリ、前記制御回路、および前記揮発性メモリが、メモリ・モジュール中に含まれる、
請求項19に記載の装置。 - 前記揮発性メモリが、前記揮発性メモリが第1の動作モードに設定されることに応答して、通信用に第1の入出力サブセットをイネーブルするように構成され、前記揮発性メモリが第2の動作モードに設定されることに応答して、通信用に第2の入出力サブセットをイネーブルするように構成される、
請求項19に記載の装置。 - 前記揮発性メモリが、入出力(m+1)を含み、
前記第1の入出力サブセットが、入出力0〜kを含み、
前記第2の入出力サブセットが、入出力(k+1)〜mを含む、
請求項19に記載の装置。 - ハイブリッド・メモリ・モジュールの揮発性メモリが第1の動作モードである間、前記揮発性メモリの第1の入出力サブセットを介してホストから情報を転送することと、
前記揮発性メモリが第2の動作モードである間、前記揮発性メモリの第2の入出力サブセットを介して前記ハイブリッド・メモリ・モジュールの制御回路に情報を転送することと、
を含む方法。 - 前記第1の動作モードに応答して、前記揮発性メモリの前記第1の入出力サブセットを介した通信をイネーブルすることと、
前記第1の動作モードに応答して、前記揮発性メモリの前記第2の入出力サブセットを介した通信をディスエーブルすることと、
前記第2の動作モードに応答して、前記揮発性メモリの前記第1の入出力サブセットを介した通信をディスエーブルすることと、
前記第2の動作モードに応答して、前記揮発性メモリの前記第2の入出力サブセットを介した通信をイネーブルすることと、
を更に含む請求項25に記載の方法。 - 前記揮発性メモリのモード・レジスタにプログラムされた情報に基づいて、前記第2の
動作モードを検出することを更に含む、
請求項25に記載の方法。 - 前記揮発性メモリが前記第2の動作モードである間、前記制御回路を介して、前記揮発性メモリから前記ハイブリッド・メモリ・モジュールの不揮発性メモリに情報を転送することを更に含む、
請求項25に記載の方法。 - 前記第1の動作モードまたは前記第2の動作モードを設定するために、前記揮発性メモリのモード・レジスタをプログラムするための情報を受け取ることを更に含む、
請求項25に記載の方法。 - 前記第1の動作モードが、通常動作モードであり、
前記第2の動作モードが、電源異常イベントのために設定される、
請求項25に記載の方法。 - 第1の動作モードに応答して、第1の入出力サブセットを介して通信を行うように揮発性メモリを構成することと、
第2の動作モードに応答して、第2の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することと
を含む方法。 - 前記第1の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することが、前記第1の動作モードを設定するための情報を、前記揮発性メモリのモード・レジスタにプログラムすることを含み、
前記第2の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することが、前記第2の動作モードを設定するための情報を、前記モード・レジスタにプログラムすることを含む、
請求項31に記載の方法。 - 前記第2の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することが、電源異常イベントに応答して、前記第2の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することを含む、
請求項31に記載の方法。 - 前記揮発性メモリが前記第1の動作モードに設定された場合に、前記揮発性メモリに情報を提供することを更に含む、
請求項31に記載の方法。 - 前記第2の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することが、前記第2の入出力サブセットを介して、前記揮発性メモリから不揮発性メモリに情報を転送するために、前記第2の入出力サブセットを介して通信を行うように前記揮発性メモリを構成することを含む、
請求項31に記載の方法。
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