JP2016518730A5

JP2016518730A5 -

Info

Publication number: JP2016518730A5
Application number: JP2016515351A
Authority: JP
Filing date: 2014-05-12
Publication date: 2017-06-15

Claims

デバイスであって、
基板と、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層と、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドと、
前記複数の金属層及び誘電体層上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層と、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層と、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間にあり、前記パッド上にキャビティを有する第１の絶縁層と、
前記第１の金属再分配層の上方にある第２の絶縁層であって、前記パッシベーション層、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層の各々が、溝によって形成される側面を備える第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層と、
前記ＵＢＭ層上にあるハンダボールと、
前記デバイスの第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記デバイスの少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆うモールド層とを備え、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記モールド層との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記デバイスの前記少なくとも側部上で前記モールド層を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、デバイス。
前記モールド層がエポキシ層又は透明エポキシ層である、請求項１に記載のデバイス。
前記デバイスの前記第１の表面が前記デバイスの上面である、請求項１に記載のデバイス。
前記モールド層が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部、前記パッシベーション層の側部および／または前記第１の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項１に記載のデバイス。
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項１に記載のデバイス。
前記デバイスが、少なくともダイ、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、ウェハおよび／またはインターポーザのうちの１つである、請求項１に記載のデバイス。
前記デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のデバイス。
前記モールド層が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項１に記載のデバイス。
デバイスを設けるための方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層を設けるステップと、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドを設けるステップと、
前記複数の金属層および絶縁体層上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層を設けるステップと、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層を設けるステップと、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間に位置し、前記パッド上にキャビティを有する第１の絶縁層を設けるステップと、
前記第１の金属再分配層の上方に位置する第２の絶縁層を設けるステップであって、前記パッシベーション層、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の各々が、溝によって形成される側面を備える、設けるステップと、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を設けるステップと、
前記ＵＢＭ層上にハンダボールを設けるステップと、
前記デバイスの第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記デバイスの少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆うモールド層を設けるステップとを含み、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記モールド層との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記デバイスの前記少なくとも側部上で前記モールド層を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、方法。
前記モールド層がエポキシ層または透明エポキシ層である、請求項９に記載の方法。
前記デバイスの前記第１の表面が前記デバイスの上面である、請求項９に記載の方法。
前記モールド層が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部、前記パッシベーション層の側部および／または前記第１の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項９に記載の方法。
前記モールド層が、前記第２の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項９に記載の方法。
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項９に記載の方法。
前記モールド層が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項９に記載の方法。