JP2016515922A - 選択的触媒的還元のための触媒としてのセリウム修飾マンガン八面体モレキュラーシーブ - Google Patents

選択的触媒的還元のための触媒としてのセリウム修飾マンガン八面体モレキュラーシーブ Download PDF

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Abstract

選択的触媒的還元(SCR)に有用な触媒及び物品が開示される。触媒は、酸化セリウムと、酸化マンガンを含む八面体モレキュラーシーブ(OMS)とを含む。0.1から50wt%のセリウムを含む触媒は、ドーピング、イオン交換、堆積、又は他の技術により作成され得る。還元剤及びセリウム修飾OMS触媒の存在下、窒素酸化物を含むガス混合物が選択的に還元されるSCR法も開示される。セリウム修飾酸化マンガンOMS触媒は、改善された熱安定性及び特に相対的低温(100℃から250℃)でのNOx変換についての改善された活性を含む、選択的触媒還元、特にNH3−SCR、についての、予期されていなかった利点もたらす。【選択図】図1

Description

本発明は、選択的触媒的還元に有効な触媒に関し、セリウム修飾マンガン八面体モレキュラーシーブに関する。
ディーゼルエンジン、定置式ガスタービン及び他のシステムの炭化水素燃焼、は、NO、NO及びNOを含む窒素酸化物(NOx)を取り除くために処理されなければならない排ガスを発生する。リーンバーンエンジンで発生する排ガスは、一般的に酸化反応を起こしやすく、NOxは、不均一触媒、及び典型的にはアンモニア又は短鎖炭化水素である還元剤を用いて、選択的に還元される必要がある。選択的触媒的還元(SCR)として知られる方法は広く研究されてきた。
多くの既知のSCR触媒は、アルミナやゼオライトなどの高多孔性基材上にコートされた遷移金属(例えば、Cu、Fe、又はV)を利用する。ゼオライトは、大部分が、Tが典型的にはケイ素、アルミニウム又はリンである、TO四面体構造から構成された規則的なフレームワークである、モレキュラーシーブのよく知られた一種である。
酸化マンガン八面体モレキュラーシーブ(OMS)もよく知られている。名前が示すように、単位八面体構造が結合し、一次元チャンネルにより特徴付けられる全体構造を形成する。いくつかの酸化マンガンOMSは自然界に生じ、ホランダイト類(ホランダイト、クリプトメレーン、万次郎鉱、コロナド鉱)および弱結晶化トドロキ石が含まれる。酸化マンガンOMSは合成もされてきた。(例えば、米国特許第5340562号、5523509号、5545393号、5578282号、5635155号及び5702674号と、及びR.DeGuzman et al.,Chem.Mater.6(1994)815とを参照)。ある場合には、OMSのフレームワーク内のマンガンの幾らかが、他の金属イオンに置換されうる。これは通常、酸化マンガンOMSを作成するために用いられる方法において他のイオンをドーピングすることによって達成される。例えば、米国特許第5702674号は、酸化マンガンOMSのフレームワーク内のMnについてFe、Cu、Mo、Zn、La又は他の金属と置換することを教示する。SCR法での使用については相対的にほとんど知られていないが、参照文献が教示するように、酸化マンガンOMSはアンモニアを用いた窒素酸化物の還元に潜在的に有用である。
天然マンガン鉱石(ホランダイト、クリプトメレーン)はアンモニアを用いた窒素酸化物の低温SCR法に用いられてきた。(例えば、Tea Sung Park et al.,Ind.Eng.Chem.Res.40(2001)4491を参照。)
酸化マンガンOMS触媒にはいくつかの欠点がある。例えば、OMS触媒は熱的に不安定であり得るため、触媒が時間を経る又は高温にさらされた場合にNOx変換が急激に減少し得る。さらに、低温、すなわち100℃から250℃までの温度での、NOx変換は、所望されるよりも典型的には低い。>15、典型的には19−50の、空気/燃料比により特徴付けられるリーンバーンエンジンは、排ガス温度が最も低い始動直後から相当なNOxを生成するため、これは重要である。
より最近では、他の金属が、酸化マンガンOMSのためのドーパントとしての使用について提案されている。例えば、バナジウムドープクリプトメレーン型マンガン酸化物(V−OMS−2)が合成され、低温SCR又はアンモニアによるNO(NH−SCR)に用いられる。(Liang Sun et al.,Appl.Catal.A393(2011)323を参照。) 同様に、Chao Wangらはトンネル内にK+又はH+を有するホランダイト型酸化マンガン及びその低温NH−SCRでの使用について記述する。(Appl.Catal.B101(2011) 598)
酸化セリウムを含む希土類金属は、SCR触媒の成分として用いられてきた。(例えば、米国特許第4695437号、第4782039号及び第8091351号、並びにその中で引用される参照、を参照)。例えば、WO2004/002611は、セリアドープゼオライトを含むNH−SCR触媒を教示する。しかしながら、酸化セリウムは、SCR法での使用のためのOMSマンガン酸化物を修飾するのに用いられてきたように見えなかった。
産業界は、改善されたSCR触媒、特に低温NH−SCR触媒、から利益を得るだろう。
一態様によれば、本発明は選択的触媒的還元(SCR)に有用な触媒に関する。触媒は、(a)酸化マンガンを含む八面体モレキュラーシーブ;及び(b)酸化セリウムを含む。触媒は、0.1から50wt%までのセリウムを含む。触媒は、ドーピング、イオン交換及び堆積を含む、様々な技術により作成され得る。他の態様では、本発明はSCR法に関する。本方法は、還元剤及び上記のセリウム修飾OMS触媒の存在下で、窒素酸化物を含むガス混合物を選択的に還元することを含む。触媒及び基材を含むSCRに有用な触媒物品も含まれる。
我々は、驚くべきことに、セリウム修飾酸化マンガン八面体モレキュラーシーブが、選択的触媒的還元、特にNH−SCR、について利点をもたらすことを見出した。特に、触媒は、酸化マンガン八面体モレキュラーシーブ単独と比較して、改善された熱安定性を有する。さらには、触媒は、特に、相対的低温(100℃から250℃)での、NOx変換についての改善された活性を有する。
図1は、本発明のCeドープOMS−2触媒及びOMS−2単独に基づく比較触媒についての、NOx変換対温度のプロットである。 図2は、種々の、本発明のCe修飾OMS−2触媒及びOMS−2単独に基づく比較触媒についての、NOx変換対温度をプロットし、かつ焼成温度の影響を示す。 図3は、OMS−2単独及び鉄ドープOMS−2に基づく比較触媒についての、NOx変換対温度をプロットする。 図4は、種々の、本発明のCe修飾OMS−2触媒についての、NOx変換対温度をプロットする。 図5は、種々の、老化された、本発明のCe修飾OMS−2触媒及びOMS−2単独に基づく比較触媒についての、NOx変換対温度をプロットする。
本発明のセリウム修飾触媒は、酸化セリウム、及び酸化マンガンを含む八面体モレキュラーシーブを含む。
本発明の触媒の作成における使用のための適する八面体モレキュラーシーブは、主として酸化マンガンを含む、天然又は合成組成物である。酸化マンガン八面体モレキュラーシーブ(OMS)は、トドロキ石、ホランダイト(BaMn16)、クリプトメレーン(KMn16)、万次郎鉱(NaMn16)、及びコロナンダイト(PbMn16)として自然界に生じる。鉱物は、MnO八面体から組み立てられた三次元フレームワークトンネル構造を有し、トンネル中にどのカチオンが存在するかによって区別される。
好ましくは、OMSは、合成される。Steven Suib教授と協力者によって開発され、多くの科学論文及び特許に報告された方法が用いられ得る。例えば、その教示が参照によりここに援用される、米国特許第5340562号;第5523509号;第5545393号;第5578282号;第5635155号;第5702674号;第6797247号;第7153345号;及び第7700517号を参照。R.DeGuzman et al.,Chem.Mater.6(1994)815も参照。天然鉱物のよりランダムに分配された構造とは対照的に、実質的に均一なトンネル構造を有するため、合成八面体モレキュラーシーブは、選択的触媒的還元及び他の触媒反応方法について好ましい。
OMSのトンネル構造は、用いられる合成方法に依存して変化するだろう。例えば、ホランダイト(2×2)のトンネル構造を有するOMS−2は、硫酸マンガン、硝酸、及び過マンガン酸カリウムの水熱反応によって調製され得る(米国特許第5702674号を参照)。一方、OMS−1は、トドロキ石(3×3)のトンネル構造を有し、過マンガン酸マグネシウム溶液を塩基性水酸化マンガン(II)に添加し、続くエイジング、及び洗浄工程を経て調製され得る(米国特許第5340562号を参照)。(2×3)トンネル構造を有するOMSと同様に(米国特許第6797247号を参照)、(4×4)トンネル構造を有するOMSも使用できる(米国特許第5578282号を参照)。所望ならば、OMSのフレームワークは他の金属で置換されることが可能である(米国特許第5702674号を参照)。(2×3)及び(3×3)トンネル構造を有する八面体モレキュラーシーブは、SCR法に好ましい。OMS−2は特に好ましい。
典型的には、マンガンカチオン源(例えば、MnCl、Mn(NO、MnSO、Mn(OAc)など)、過マンガン酸イオン及び対になるカチオン源(例えば、過マンガン酸アルカリ金属又はアルカリ土類金属)、並びに任意のフレームワーク置換金属カチオン源は、温度、圧力、pH、及び所望の構造を有する酸化マンガンOMSを得るのに効果的な他の要素の条件下で混合、反応される。混合物は、自生圧力を発生する、閉じた系で加熱され得、又は反応は大気雰囲気中で実施され得る。
OMSは、主として酸化マンガンベースである。そのため、>50mol%、好ましくは>75%、及びより好ましくは>95%の、OMSのフレームワーク内に存在する金属カチオンが、マンガンカチオンである。これらの量は、ドープされた金属カチオンの任意の量を含むが、OMS表面に堆積され得る金属の量は含まない。
過マンガン酸イオンのマンガンカチオンとのモル比は、得られるOMSの性質を決めるのに、しばしば重要である。濃度[MnO −1]/[Mn+2]の比は、好ましくは0.05から3.0の範囲内であり、低い比率(0.3−0.4)を用いることは、トドロキ石を作成するために好ましく、幾分より高い比率(0.1−1.5)は、ホランダイトを作成するためにより好ましい。
pHも製造されるOMSの性質に影響する。低pH(0から4)は、ホランダイトを作成するために好ましく、一方で高pH(>13)は、トドロキ石を作成するために望ましい。
OMSを作成するための反応温度は、広い範囲にわたり異なり、生じる生成物の型に影響を与えるのにも用いられ得る。一般に、温度は、25℃から300℃の範囲内であり得、70℃から160℃を用いることは、ホランダイトOMS構造を作成するために好ましく、130℃から170℃は、トドロキ石を作成するために好ましい。
酸化マンガンOMSに加え、本発明の触媒は、酸化セリウムを含む。好ましくは、酸化セリウムは、酸化セリウム(IV)、酸化セリウム(III)又はこれらの混合物である。
触媒中のセリウム(Ceとして)の量は、触媒の量に基づき、0.1から50wt%である。より好ましい範囲は、1から25wt%;より更に好ましいのは、5から15wt%Ceまでの範囲である。
他の酸化物及び混合酸化物が、チタニア、ジルコニア、シリカ、アルミナ、シリカーアルミナ、ニオビアなど、及びこれらの混合物を含む触媒中に取り込まれ得る。
セリウム含有物は、様々な異なる方法及び形状に導入されるだろう。 セリウムを導入するためのいくつかの便利な方法は、下記に記述される。
例えば、セリウム化合物は、溶液、分散液又は懸濁液から、酸化マンガンOMS上に堆積され、続いて得られる混合物の濃縮がされ得る。焼成が、その後、好ましくは用いられ、完成した触媒を生成する。
一般的な方法では、予備形成された酸化マンガンOMSは、水溶性セリウム化合物(硝酸セリウム(III)六水和物 、塩化セリウム(III)、酢酸セリウム(III)水和物など)及び水酸化物水溶液と組み合わされる。得られる水酸化セリウム(III)の沈殿物は、OMS上に堆積する。ろ過後、固体は洗浄、乾燥及び焼成され、OMS上に、主として一又はそれ以上の酸化セリウム(主として酸化セリウム(IV)、CeO)を含む、触媒を与える。
別の一般的な方法では、インシピエントウェットネス技術を用いることにより、予備形成された酸化マンガンOMSがセリウム化合物で含浸される。例えば、OMSは、水溶液と組み合わせた後でさえ粉末形態が保たれるように、少ない割合の水溶性セリウム化合物の水溶液と組み合わされ得る。固体は、乾燥及び焼成され、OMS上に主として一又はそれ以上の酸化セリウムを含む触媒を与える。
別の方法では、セリアの水性懸濁液又は水分散液が、予備形成された酸化マンガンOMS上に堆積され、混合物は濃縮、乾燥及び焼成される。
セリウムは、酸化マンガンOMSの合成の間にも導入され得る。これは、「セリウムドープ」触媒と呼ばれる。この方法の一例では、硫酸マンガンの溶液、水及び硝酸が調製され、水溶性セリウム塩の水溶液が添加される。過マンガン酸カリウム溶液が、その後、添加される。混合物が、典型的には一日又はそれ以上の間、加熱された後、得られたCeドープOMS生成物は回収、洗浄、乾燥及び焼成される。
セリウムは、イオン交換法によっても導入され得る。この場合、酸化マンガンOMSは予備形成され、OMSは、所望される程度のイオン交換が生じるまで、水溶性セリウム化合物の水溶液と接触される。回収された固体は、その後、通常は、上記のように乾燥及び焼成され、OMS上に主として一又はそれ以上の酸化セリウムを含む触媒を与える。
別の方法では、複合触媒は、懸濁又は分散された酸化セリウムの存在下、OMSを合成することにより作成される。
SCRプロセスでの使用前に、本発明の触媒を焼成するのが望ましい。好ましくは、焼成は、触媒を、酸素を含む雰囲気下、典型的には空気中で、300℃から650℃、より好ましくは400℃から650℃、最も好ましくは500℃から600℃の範囲で加熱することにより行われる。図2に示されるように、焼成温度が高過ぎるとき(すなわち約700℃又はそれ以上)、触媒はNOx還元に対して不活性化し得る。
触媒調製の後に、試験前に粉末を均一化しておくのが望ましい。そのため、新たに調整された触媒の粉末試料は、使用又は試験前に、造粒され、粉砕され、かつ篩(例えば、255−350μmの篩)を通されてもよい。
触媒は、粉末、ペレット、押出成形体、又は担体もしくは基材上に堆積されるコーティングもしくはフィルムとして、任意の所望の形状で使用され得る。
本発明の触媒は、特に不均一触媒反応系(すなわち、ガス反応剤と接触した固体触媒)に適用可能である。接触表面域、機械的安定性、及び/又は流体流動特性改善のため、触媒は基材、好ましくは多孔性基材上及び/又は内に堆積され得る。ある実施態様では、触媒を含むウォッシュコートが、波状金属板又はハニカムコーディエライトレンガのような不活性基材上に適用される。あるいは、触媒は、充填剤、結合剤及び補強材のような他の成分と共に練られ、その後、鋳型を介して押し出されてハニカムレンガを形成する、押出性のあるペーストとなる。よって、ある実施態様では、基材上にコートされた及び/又は組み込まれた、ここに記載される触媒を含む触媒物品が提供される。
本発明のある態様は、触媒的ウォッシュコートを提供する。ここに記載される触媒を含むウォッシュコートは、好ましくは溶液、懸濁液、又はスラリーである。適するコーティングは、表面コーティング、基材の一部を貫通するコーティング、基材に浸透するコーティング、又はこれらの組み合わせを含む。
ウォシュコートは、充填剤、結合剤、安定剤、レオロジー調整剤、及び、一又はそれ以上の、アルミナ、シリカ、非ゼオライトシリカアルミナ、チタニア、ジルコニア、セリア、を含む他の添加剤、などの非触媒性成分も含み得る。ある実施態様では、触媒組成物は、グラファイト、セルロース、デンプン、ポリアクリレート、及びポリエチレンなどの細孔形成剤を含み得る。これらの追加成分は、必ずしも所望の反応を触媒しないが、その代わりに、例えば、動作温度範囲を増大させること、触媒の接触表面積を増大させること、触媒の基材への接着性を増大させすることなど、触媒材料の有効性を改善する。好ましい実施態様では、ウォッシュコート充填量は、>1.2g/in、>1.5g/in、>1.7g/in、又は>2.00g/inのように>0.3g/inであり、好ましくは<2.5g/inのように、<3.5g/inである。ある実施態様では、ウォッシュコートは、約0.8から1.0g/in、1.0から1.5g/in、又は1.5から2.5g/inの充填量で基材上に適用される。
最も一般的な基材の形状のうちの二つは、プレート及びハニカムである。好ましい基材は、特に可動式用途では、両端で開口し、かつ、基材の入口面から出口面に通常延在する、隣接して平行する複数のチャネルを備え、その結果体積に対する高い比表面積を有する、所謂ハニカム形状を有するフロースルーモノリスを含む。ある用途では、ハニカムフロースルーモノリスは、高セル密度、例えば、1平方インチ当り600−800のセル、及び/又は約0.18−0.35mm、好ましくは約0.20−0.25mm、の平均内壁厚を好ましくは有する。ある他の用途では、ハニカムフロースルーモノリスは、好ましくは1平方インチ当り約150−600のセル、より好ましくは1平方インチ当り200−400のセルの、低セル密度を有する。好ましくは、ハニカムモノリスは、多孔質である。コーディエライト、シリコンカーバイト、窒化ケイ素、セラミック、及び金属に加え、基材として使用され得る他の材料は、窒化アルミニウム、チタン酸アルミニウム、αアルミナ、ムライト、例えば、針状ムライト、ポルサイト、AlOsZFe、Al/Ni又はBCZFeなどのサーメット、又は任意の二又はそれ以上のセグメントを含む複合物、を含む。好ましい材料は、コーディエライト、シリコンカーバイド、及びチタン酸アルミニウムを含む。
プレート型触媒は、ハニカム型に比べ、より低い圧力低下を有し、かつより閉塞及び汚れの付着を起こしにくく、これは高効率な定置式用途には利点となるが、プレート構造は、より大きく及びより高価であり得る。ハニカム構造は、典型的には、プレート型より小さく、これは可動式用途では有利となるが、より高い圧力低下を有し、より容易に閉塞する。ある実施態様では、プレート基材は金属、特に波状金属、によって構成される。
ある実施態様では、本発明は、ここに記載される方法により作成される触媒物品である。特定の一実施態様では、触媒物品は、排ガスを処理するための別の組成物の少なくとも一の追加層が基材に適用される前又は後のいずれかに、触媒組成物を、好ましくはウォッシュコートとして、層として基材上に適用する工程を含む方法によって製造される。本発明の触媒層を含む、基材上の一又はそれ以上の触媒層は、連続する層に配置される。ここで用いられる、基材上の触媒層に関する「連続する(consecutive)」という用語は、それぞれの層が隣接する層と接触し、かつ触媒層が全体として、基材上に積み重なって配置されていること意味する。
ある実施態様では、本発明の触媒は、基材上に第一の層として堆積され、酸化触媒、還元触媒、捕集性成分、又はNO貯蔵成分のような他の組成物は、基材上に第二の層として堆積にされる。別の実施態様では、本発明の触媒は、基材上に第二の層として堆積され、酸化触媒、還元触媒、捕集性成分、又はNO貯蔵成分のような他の組成物は、基材上に第一の層として堆積される。 ここで用いられる「第一の層」及び「第二の層」という用語は、触媒物品を通って流れる、通過する及び/又は超える排ガスの通常方向に関して、触媒物品内の触媒層の相対的な位置を記述するために用いられる。通常の排ガス流の条件下では、排ガスは、第二の層に接触する前に第一の層と接触する。ある実施態様では、第二の層は、不活性な基材に最下の層として適用され、かつ第一の層は、副層の連続するシリーズとして第二の層上に適用される、最上層である。このような実施態様では、排ガスは、第二の層に接触する前に、第一の層を貫通(したがって接触)し、その後、第一の層を通過して戻り、触媒成分から出る。他の実施態様では、第一の層は、基材の上流部に堆積された第一の領域であり、かつ第二の層は、第二の領域が第一の領域の下流である、第二の領域として基材上に堆積される。
別の実施態様では、触媒物品は、本発明の触媒組成物を、好ましくはウォッシュコートとして、基材に第一の領域として適用し、続いて、排ガスを処理するための少なくとも一つの追加組成物を基材に第二の領域として適用する方法であって、第一の領域の少なくとも一部が第二の領域の下流である方法によって製造される。あるいは、本発明の触媒組成物は、追加の組成物を含む第一の領域の下流である第二の領域の基材に適用され得る。追加の組成物の例は、酸化触媒、還元触媒、捕集成分(例えば、硫黄、水などについての)、又はNO貯蔵成分を含む。
排気システムのために必要なスペースの量を減らすために、ある実施態様での個々の排気成分は、一以上の機能を発揮するように設計される。例えば、SCR触媒をフロースルー基材の代わりにウォールフローフィルター基材に適用することは、一の基材に二の機能、すなわち排ガス中のNO濃度を触媒的に還元し、かつ排ガスからスートを機械的に除去する機能、を可能とすることによって、排気処理システムの全体サイズを減少させるのに役立つ。したがって、ある実施態様では、基材は、ハニカムウォールフローフィルター又はパーシャルフィルターである。ウォールフローフィルターは、複数の近接する平行なチャンネルを含む点で、フロースルーハニカム基材に似ている。しかしながら、ウォールフロー基材のチャンネルの片側が被蓋されており、被蓋は隣接するチャンネルの反対側に交互パターンで生じるのに対して、フロースルーハニカム基材のチャンネルは、両端で開口である。チャネルの交互端部の被蓋が、基材の入口面に入るガスが、チャネルを直進流通し、存在することを防止する。その代わりに、排ガスは、基材の前面に入り、チャンネルの後半に入って基材の出口面から出る前に、チャネルの約半分まで移行して、そこで、チャネル壁を通過するよう押される。
基材壁は、ガス透過性ではあるが、ガスが壁を通過する際に、ガスからスート等の粒状物質の大部分を捕捉する気孔率と細孔径を有する。好ましいウォールフロー基材は、高効率フィルターである。本発明と共に使用される壁面流フィルターは、好ましくは、少なくとも70%、少なくとも約75%、少なくとも約80%、又は少なくとも約90%の効率を有する。ある実施形態では、効率は、好ましくは、約75から約99%まで、約75から約90%まで、約80から約90%まで、又は約85から約95%であり得る。ここで、効率は、スート及び他の同様の大きさの粒子、及び通常のディーゼル排ガス中に典型的に見出される微粒子濃度に関する。例えば、ディーゼル排気中の微粒子は、0.05ミクロンから2.5ミクロンまでの大きさの範囲を取り得る。そのため、効率は、0.1から0.25ミクロン、0.25から1.25ミクロン、又は1.25から2.5ミクロンのような、この範囲又は部分的範囲に基づき得る。
気孔率は、多孔質基材内の空隙のパーセンテージの値であり、排気システムの背圧に関係する:一般に、気孔率が低ければ、背圧が高い。好ましくは、多孔質基材は、約30から約80%、例えば、約40から約75%、約40から約65%、又は約50から約60%の気孔率を有する。
細孔相互連結性は、基材の全空隙体積のパーセンテージとして測定されるものであり、孔、空隙、及び/又はチャンネルが結合され、多孔質基材を通る連通路、すなわち入口面から出口面まで、を形成するかの尺度となる。細孔相互連結性の対照は、閉孔体積の合計及び基材表面に一だけの流路を有する孔の体積である。好ましくは、多孔質基材は、少なくとも約30%、より好ましくは、少なくとも40%の細孔相互連結性体積を有する。
多孔質基材の平均細孔サイズも、濾過のために重要である。平均細孔サイズは、水銀ポロシメトリーを含む、任意の許容される手法によって決定され得る。基材自体によって、基材の表面上の煤煙ケーキ層の促進によって、又は両方の組み合わせによって、妥当な効率を提供する一方で、多孔質基材の平均細孔サイズは、低背圧を促進ためにするに高い十分な値であるべきである。好ましい多孔質基材は、約10から40μm、例えば、約20から30μm、約10から25μm、約10から20μm、約20から25μm、約10から15μm、及び約15から20μmの、平均細孔サイズを有する。
一般に、触媒を含む押出成形体の製造は、触媒、結合剤、任意選択的に有機粘性強化剤を、均一なペーストにブレンドし、その後、結合剤/マトリックス成分、又はその前駆体、及び任意の一又はそれ以上の安定化セリカ、及び無機繊維へ添加することを含む。ブレンドは、混合又は混練装置、又は押出形成装置にて圧縮される。混合物は、濡れ性を高め、それによって均一なバッチを生産する加工助剤として、結合剤、孔形成剤、可塑剤、界面活性剤、潤滑剤、分散剤のような有機性助剤を有する。得られる可塑性材料は、その後、特に押出プレス又は押出金型を含む押出機を用いて鋳造され、得られた鋳造物は、乾燥及び焼成される。有機助剤は押出成形体の焼成段階で「焼失」する。触媒は、ウォッシュコートされ得、あるいは、表面上に存在する又は押出成形体の全体もしくは一部に貫通する、一又はそれ以上の副層として押出成形体に適用され得る。
本発明による触媒を含む押出成形ソリッド体は、その第一の端から第二の端に広がる並行で単一サイズのチャンネルを有するハニカムの形態での単一構造を含む。チャンネルを定義するチャンネル壁は、多孔質である。典型的には、外面の「スキン」は、押出成形ソリッド体のチャンネルの複数を取り囲む。押出成形ソリッド体は、円形、正方形、楕円などの所望の断面図から成形され得る。複数のチャンネル内の個別のチャンネルは、正方形、三角形、六角形などであり得る。チャンネルは、第一の、上流の端で、例えば適したセラミックセメントによって、塞がれてよく、第一の、上流の端で塞がれていないチャンネルも、第二の、下流の端で塞がれることができ、ウォールフローフィルターを形成してよい。典型的には、第一の、上流の端で塞がれたチャンネルの配置は、閉及び開の下流チャンネル端の同様の配置を有するチェッカーボードに似る。
結合剤/マトリックス成分は、好ましくは、コーディエライト、窒化物、炭化物、ホウ化物、金属間化合物、リチウムアルミノ珪酸塩、晶石、ドープされていてもよいアルミナ、シリカ源、チタニア、ジルコニア、チタニアージルコニア、ジルコン、及びこれら二つ又はそれ以上の混合物からなる群から選択される。ペーストは、場合によって、炭素繊維、ガラス繊維、金属繊維、ホウ素繊維、アルミナ繊維、シリカ繊維、シリカ−アルミナ繊維、シリコンカーバイト繊維、チタン酸カリウム繊維、ホウ酸アルミニウム繊維、セラミック繊維からなる群から選択される強化無機繊維を任意に含み得る。
アルミナ結合剤/マトリックス成分は、好ましくはガンマアルミナであるが、他の任意の遷移アルミナでも構わない、すなわち、アルファアルミナ、ベータアルミナ、カイアルミナ、エータアルミナ、ローアルミナ、カッパアルミナ、テータアルミナ、デルタアルミナ、ランタンベータアルミナ、及び二つ又はそれ以上のこのような遷移アルミナの混合物である。アルミナは、少なくとも一つの非アルミナ元素でドープされて、アルミナの熱的安定性を向上させるのが好ましい。適するアルミナドーパントは、シリコン、ジルコニウム、バリウム、ランタニド、及びこれらの二つ又はそれ以上の混合物を含む。適するランタニドドーパントは、La、Ce、Nd、Pr、Gd、及びこれらの二つ又はそれ以上の混合物を含む。
シリカ源は、シリカゾル、石英、溶融あるいはアモルファスシリコン、珪酸ナトリウム、アモルファスアルミノ珪酸塩、アルコキシシラン、メチルフェニルシリコンレジンのようなシリコンレジン結合剤、粘土、タルク、又はこれらの二つ又はそれ以上の混合物を含み得る。このリストのうち、シリカは、長石、ムライト、シリカ―アルミナ、シリカ―マグネシア、シリカ―ジルコニア、シリカ―トリア、シリカ―べリリア、シリカ―チタニア、三元系シリカ―アルミナ―ジルコニア、三元系シリカ―アルミナ―マグネシア、三元系シリカ―マグネシア―ジルコニア、三元系シリカ―アルミナ―トリアとこれら二つ以上の混成物のような、SiOであり得る。
好ましくは、触媒は、押出成形触媒体全体に、分散し、好ましくは、均等に、分散している。
上記押出成形ソリッド体のいずれかが、ウォールフローフィルターに作成される場合、ウォールフィルターの気孔率は、40から70%までのように30から80%までであり得る。気孔率、及び細孔容積、及び細孔半径は、例えば、水銀圧入法を用いることによって測定され得る。
ここに記載される触媒は、還元剤、好ましくはアンモニア、の窒素酸化物との反応を促進し、選択的に元素窒素(N)と水(HO)を形成し得る。そのため、一実施態様において、該触媒は、還元剤を用いた窒素酸化物の有利になるように処方され得る(すなわち、SCR触媒)。このような還元剤の例は、炭化水素(例えば、C3−C6炭化水素)、及びアンモニア、アンモニアヒドラジンなどの窒素系還元剤、又は尿素((NHCO)、炭化アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭化水素アンモニア、又はギ酸アンモニウムのような、適したアンモニア前駆体を含む。
ここに記載されるゼオライト触媒は、アンモニアの酸化も促進し得る。そのため、別の実施態様では、触媒は、アンモニア、特にSCR触媒の下流(例えば、アンモニアスリップ触媒(ASC)のようなアンモニア酸化触媒(AMOX))で典型的に遭遇する濃度のアンモニア、の酸素を用いた酸化に有利になるように処方され得る。ある実施態様において、本発明の触媒は、酸化的な下層の上の最上層として配され、該下層は、白金族金属(PGM)触媒又は非PGM触媒を含む。好ましくは、下層の触媒成分は、これに限定されるものではないが、アルミナを含む、高い表面積の担体上に配される。
さらに別の実施態様では、SCR及びAMOX操作は順次行われ、該両プロセスは、ここに記載される触媒を含む触媒を利用し、SCRプロセスはAMOXプロセスの上流で生じる。例えば、触媒のSCR処方は、フィルターの入口側に配され得、触媒のAMOX処方は、フィルターの出口側に配され得る。
したがって、ガス中のNO化合物及び/又はNHのレベルを減少させるのに十分な時間、ガスを、ここに記述されたNO化合物の触媒的還元のための触媒組成物と接触させることを含む、ガス中のNO化合物の還元又はNHの酸化のための方法が提供される。ある実施態様では、選択的触媒的還元(SCR)触媒の下流に配されたアンモニアスリップ触媒を有する触媒物品が提供される。このような実施態様では、アンモニアスリップ触媒は、選択的触媒的還元プロセスによって消費されない、いずれかの窒素系還元剤の少なくとも一部を酸化する。例えば、ある実施態様では、アンモニアスリップ触媒は、ウォールフローフィルターの出口側に配され、SCR触媒はフィルターの上流側に配される。ある他の実施態様では、アンモニアスリップ触媒は、フロースルー基材の下流端に配され、SCR触媒はフロースルー基材の上流端に配される。他の実施態様では、アンモニアスリップ触媒及びSCR触媒は、排気システム内の別々のレンガ上に配される。これらの別々のレンガは、互いに隣接し、かつ接触し得、又は固有の距離によって分けられ得るが、ただし、それらは互いに流体連結されており、かつSCR触媒レンガはアンモニアスリップ触媒レンガの上流に配される。
ある実施態様では、SCR及び/又はAMOX法は、少なくとも100℃の温度にて行われる。別の実施態様では、方法は約150℃から約750℃までの温度で起こる。特定の実施態様では、温度範囲は約175から約550℃までである。また別の実施態様では、温度範囲は175から400℃までである。さらなる別の実施態様では、温度範囲は450から900℃、好ましくは500から750℃、500から650℃、450から550℃、又は650から850℃である。450℃より高い温度を利用する実施態様は、例えば、本発明における使用のためのゼオライト触媒がフィルターの下流に位置される、フィルターの排気システム上流に炭化水素を注入することにより積極的に再発生する、(触媒されていてもよい)ディーゼル粒子フィルターを含む排気システムを備える重及び軽負荷ディーゼルエンジン由来の排ガスを処理することに特に有用である。
本発明の別の態様によると、ガス中のNO化合物のレベルを低減するのに十分な時間、ガスをここに記載される触媒と接触させることを含む、ガス中の、NOX化合物の還元及び/又はNHの酸化のための方法が提供される。本発明の方法は、一又は複数の次の工程:(a)触媒フィルターの入口と接触しているスートを蓄積及び/又は燃焼する工程;(b)好ましくはNOと該還元剤の処理に関係する触媒化工程の介在なく、触媒フィルターと接触する前に窒素系還元剤を排ガス流中に導入する工程;(c)NO吸着触媒上又はリーンNOトラップ上でNHを生成させる工程、及び好ましくは下流のSCR反応で還元剤としてそのようなNHを使用する工程;(d)排ガス流をDOCと接触させ、可溶性有機フラクション(SOF)に基づく炭化水素及び/又は一酸化炭素をCOへと酸化し、及び/又はNOをNOへと酸化する工程、ここで、NOは今度は微粒子フィルター中の粒状物質を酸化するために使用されてもよく、及び/又は排ガス中の粒状物質(PM)を還元する工程;(e)還元剤の存在下、排ガスを一又は複数のフロースルーSCR触媒装置(類)と接触し、排ガス中のNOx濃度を減少させる工程;(f)排ガスを大気中に放出する前に、好ましくはSCR触媒の下流で、排ガスをアンモニアスリップ触媒と接触させ、全てではないとしても、アンモニアの大部分を酸化する工程、又は、排ガスがエンジンに入る/再入する前に、排ガスを再循環ループに通す工程、を含み得る。
別の実施態様において、SCRプロセスでの消費のための窒素系還元剤、特にNH、の全て又は少なくとも一部は、SCR触媒、例えば、ウォールフローフィルター上に配された本発明のSCR触媒、の上流に配されたNOX吸収触媒(NAC)、リーンNOトラップ(LNT)、又はNO吸蔵/還元触媒(NSRC)により供給され得る。本発明に有用なNAC成分は、基本材料(アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、及びこれらの組み合わせを含む、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属など)、及び貴金属(白金等)、及び任意選択的に、ロジウムのような還元性触媒成分の触媒配合を含む。NACにおいて有用な基本材料の特定の型は、酸化セシウム、酸化カリウム、酸化マグネシウム、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、及びこれらの組み合わせを含む。貴金属は、好ましくは約10から約200g/ft、例えば、20から60g/ftで存在する。あるいは、触媒の貴金属は、約40から約100グラム/ftまでであり得る平均濃度により特徴づけられる。
ある条件下、周期的にリッチな再生現象の間、NHは、NO吸収触媒上で生成され得る。NO吸収触媒の下流のSCR触媒は、システム全体のNO還元効率を改善し得る。該複合システムにおいて、SCR触媒は、リッチな再生事象の間、NAC触媒からの放出されたNHを吸蔵することが可能であり、通常のリーン操作条件中、吸蔵されたNHを利用して、NAC触媒をすり抜けるNOのいくらか又は全てを選択的に還元する。
ここに記載される排ガスを処理するための方法は、内燃機関(移動式又は固定式)、ガスタービン、及び石炭や石油火力発電所等の燃焼プロセスに由来する排ガスに対して実施され得る。該方法は、精錬することのような工業的過程からの、精錬所のヒーター及びボイラー、燃焼炉、化学プロセス工業、コークス炉、都市廃棄物プラント及び焼却炉などからの、ガスを処理するためにも使用され得る。特定の実施態様において、該方法は、車両のリーンバーン内燃機関、例えば、ディーゼルエンジン、リーンバーンガソリンエンジン、又は液化石油ガス若しくは天然ガスにより駆動されるエンジン、からの排ガスを処理するために使用される。
ある態様では、本発明は、内燃機関(移動式又は固定式)、ガスタービン、及び石炭や石油火力発電所等の燃焼プロセスにより生じる排ガスを処理するためのシステムである。このようなシステムは、ここに記載される触媒、及び排ガスを処理するための少なくとも一つの追加成分、を含む触媒物品を含み、触媒物品及び少なくとも一つの追加成分が一貫性のある部分として機能するように設計されている。
ある実施態様では、システムは、ここに記載される触媒を含む触媒物品、流動排ガスを運搬する導管、触媒物品の上流に配された窒素系還元剤源を含む。ゼオライト触媒が、所望の又はより高い効率で、例えば、100℃超、150℃超、又は175℃超のようなところにおいて、NOの還元を触媒することが可能であることが決定されるときにだけ、該システムは、流動排ガス中での窒素系還元剤の測定のための制御装置を含み得る。窒素系還元剤の計量は、1:1 NH/NO及び4:3 NH/NOで計算して理論上のアンモニアの60%から200%がSCR触媒に入る排ガス中に存在するように調整され得る。
別の実施態様において、システムは、排ガス中の一酸化窒素を二酸化窒素に酸化するための酸化触媒(例えば、ディーゼル酸化触媒(DOC))を含み、窒素系還元剤を排ガス中で測定する地点の上流に設置され得る。一実施形態では、酸化触媒は、例えば250℃から450℃の酸化触媒入口における排ガス温度で、体積で約4:1から約1:3というNOのNOに対する比率を有する、SCRゼオライト触媒に入るガス流を作り出すよう、適合している。酸化触媒は、フロースルーモノリス基材上にコートされたプラチナ、パラジウム、又はロジウムのような少なくとも一つの白金族金属(又はこれらのいくつかの組合せ)を含み得る。一実施形態では、少なくとも1つの白金族金属は、プラチナ、パラジウム、又は、プラチナとパラジウムの両方の組み合わせである。白金族金属は、高表面積ウォッシュコート成分上、例えば、アルミナ、アルミノ珪酸塩ゼオライトのようなゼオライト、シリカ、非ゼオライトシリカアルミナ、セリア、ジルコニア、チタニア、又はセリアとジルコニア両方を含有する混合若しくは複合酸化物、に担持され得る。
以下の例は、発明を単に説明するに過ぎず;当業者は、本発明の精神と特許請求の範囲に含まれる多くの変形例を認識するであろう。
OMS−2の合成
硫酸マンガン水和物(44.0g、0.26mol)が、マグネティックスターラーバー及びコンデンサーを取り付けた丸底フラスコで、水(150mL)及び濃硝酸(12mL)の混合液に溶解される。水(500mL)中の過マンガン酸カリウム水溶液(29.5g、0.185mol)が加えられ、混合液は、3日の期間に渡り16時間還流する(1日目:6.5時間;2日目:7.5時間;3日目:2時間)。固形物は、ろ過によって回収され、導電率が約20μSになるまで水で洗浄される。生成物は105℃で乾燥される。収量:41.2g。触媒は、使用前に500℃(F500C)で2時間、又は600℃(F600C)で2時間焼成される。いくつかの実験のために、触媒は550℃で16時間焼成される。
CeドープOMS−2の調製
硫酸マンガン水和物(8.8g、0.052mol)が、丸底フラスコで、水(30mL)及び濃硝酸(3mL)に混合液に溶解される。 硝酸セリウム六水和物(4.34g、0.010mol)が、水(20mL)に溶解され、混合物に添加される。水(100mL)中の過マンガン酸カリウム(5.89g、0.037mol)の溶液が加えられ、混合物は2日間にわたり約15時間還流される。生成物は、その後、ろ過され、導電率が130μSになるまで水(7×400mL)で洗浄される。生成物は105℃で乾燥される。収量:8.87g。BET比表面積:149m/g。組成:Ce:6.15wt%;K:2.86wt%;Mn:51.6wt%。X線回析分析が、ホランダイトの(2×2)構造を示す。触媒は、使用前に500℃又は600℃で2時間焼成される。
Ce交換OMS−2の調製
クリプトメレーン(5.0g)が、栓ビン内で、硝酸セリウム六水和物溶液(0.25M、250mL)と撹拌される。約24時間後、固体は、ろ過により回収され、硝酸セリウム溶液の新しい250mL分に再分散される。計4回、各250mLの硝酸セリウムの交換が実施される。3回目の交換の後、材料は24時間の代わりに4日間放置される。4回目の交換に続いて、クリプトメレーンは回収され、ろ液の導電率が100μSを大きく下回るまで洗浄される。生成物は100℃で乾燥される。収量:4.65g。
Ce含浸OMS−2の調製(インペイシェントウェットネス)
OMS−2(4.07g、約0.045mol Mn)が上記のように調製される。硝酸セリウム六水和物(2.17g、0.005mol)が、数mLの水に溶解され、この混合物はOMS−2粉末にかき混ぜながらゆっくりと加えられる。 得られる粉末試料は、オーブン乾燥され、その後、500℃で2時間焼成される。
CeO オンOMS−2の調製
硫酸マンガン水和物(8.8g、0.052mol)が、丸底フラスコで、水(30mL)及び濃硝酸(3mL)に混合液に溶解される。水(100mL)中の過マンガン酸カリウム(5.89g、0.037mol)溶液が、添加され、混合物は6時間還流される。混合物は,一晩冷却され、その後、ろ過され、水で洗浄される(2×500mL)。回収された固体は、水(200mL)中で再度スラリー化され、水(40mL)中の硝酸セリウム六水和物(4.34g、0.010mol)の混合物が、水酸化ナトリウム(4M溶液)と共に滴下される。pHは、約7−8に維持され、添加の完了後、撹拌は30分間続く。生成物は、ろ過により回収され、水で洗浄される(6×500mL)。ろ液の最終導電率は、約70μSである。生成物は、105℃で乾燥され、400℃で2時間焼成される。収量:9.9g。BET比表面積:152m2/g。X線回析分析が、不十分な結晶質のクリプトメレーン及び極めて不十分な結晶化度のセリアのいくらかを示す。組成:Ce:13.4wt%;K:3.15wt%;Mn:46.3wt%。触媒は、使用前に500℃、600℃、650℃、又は700℃で2時間焼成される。いくつかの触媒は、400℃で焼成され、その後、550℃で16時間焼成される。
OMS−2/セリア複合体の調製
硫酸マンガン水和物(11.02g、0.065mol)が、マグネティックスターラーバー及びコンデンサーを取り付けた丸底フラスコで、水(37.5mL)及び濃硝酸(3.0mL)の混合液に溶解される。硫酸マンガンが溶解すると、二酸化セリウム(10.0g)が加えられ、スラリーを形成し、均一になるまで撹拌される。水(125mL)中の過マンガン酸カリウム(7.36g、0.047mol)の溶液が加えられ、混合物は一晩還流される。固形物は、ろ過によって回収され、導電率が約20μSになるまで水で洗浄される。生成物は105℃で乾燥される。収量:約20g。複合触媒は、使用前に500℃及びその後550℃で16時間焼成される。
鉄ドープOMS−2の調製(比較例)
硫酸マンガン水和物(8.8g、0.052mol)が、丸底フラスコで、水(30mL)及び濃硝酸(3mL)に混合液に溶解される。硝酸鉄九水和物(4.04g、0.010mol)が、水(20mL)に溶解され、混合物に添加される。水(100mL)中の過マンガン酸カリウム(5.89g、0.037mol)の溶液が加えられ、混合物は2日間にわたり約15時間還流される。生成物は、その後、ろ過され、導電率が約30μSになるまで水(7×400mL)で洗浄される。生成物は105℃で乾燥される。収量:8.7g。触媒は、使用前に500℃又は600℃で2時間焼成される。
NH −SCR活性試験条件
触媒の粉末試料は、元の試料のペレット化、ペレットの粉砕、その後、得られた粉末を255−350μmの篩に通すことにより得られる。篩分けされた粉末は、Synthetic catalyst activity test(SCAT)反応器にロードされて、還元剤としてアンモニアを含む下記合成ディーゼル排ガス混合物(入口で)を使用して試験される:30,000h−1の空間速度で、350ppm NO、385ppm NH、12% O、4.5% CO、4.5% HO及び残部Nである。
試料は、150℃から550℃まで5℃/分で徐々に加熱され、排ガスの組成物は、フーリエ変換型スペクトル分析装置を用いて分析され、NOxガスの%変換を決定する。
結果
図1は、OMS−2単独の熱安定性は、触媒が500℃で焼成されたときは許容できるが、600℃で焼成されたときには許容できないことを示す。幾分より高い焼成温度が用いられたとき、OMS−2触媒は、NOx変換に対して不活性化される。対照的に、セリウムドープOMS−2触媒は、より熱的に安定であり、触媒が500℃又は600℃のどちらで焼成されたかに関わらず良好なNOx変換を示す。さらには、Ceドープ触媒は、低温範囲(150℃から250℃)での、優れたNOx変換を示し、これは達成することが通常難しく、上記のように、リーンバーンエンジンのために重要である。
図2は、図2は、セリウム化合物をOMS−2上に堆積し、続いて500℃から600℃での焼成することが、低温領域(150℃から250℃)での良好から優れたNOx変換を示す触媒を一般に提供することを示す。高い十分な焼成温度は、セリウム修飾OMS−2触媒をNOx変換に対して不活性化する。(特に700℃焼成からの結果を参照。)
図3は、鉄ドープOMS−2触媒が低温NOx変換を促進しないことを示す比較プロットである。実際、これらの触媒からの低温NOx変換は、OMS−2単独ほど良くない。SCAT反応容器を通る触媒の二度目の通過(Ramp2)は、鉄ドープ触媒がOMS−2対応物よりも早く不活性化していることを明らかにする。
図4は、本発明のセリウム修飾OMS触媒の、一般に優れた低温NOx変換を強調する。良好な結果は、セリウムが、OMSの合成の際に含まれた(Ceドープ)、イオン交換により追加された(Ce交換)、インシピエントウェットネスにより調製された(Ce含浸)、もしくは、水溶液、分散液、又は懸濁液からOMS上に堆積された、に関わらず、達成される。
図5は、高温度で16時間触媒を老化することの、NOx変換への影響を示す。OMS−2上のCeOは、OMS−2単独に対して、いくつかの改善をもたらす。しかしながら、CeOの存在下で、OMS−2を形成することにより作成された複合触媒は、広い温度範囲にわたり、より良好なNOx変換を示す。
前例は例示に過ぎず;請求項が発明の範囲を定義する。

Claims (25)

  1. (a)酸化マンガンを含む八面体モレキュラーシーブ(OMS);及び
    (b)酸化セリウム;
    を含み、0.1から50wt%までのセリウムを含む、選択的触媒的還元反応に有用な触媒。
  2. OMS合成の間にセリウム化合物を添加することにより製造される、請求項1に記載のドープ触媒。
  3. OMSをセリウム化合物の水溶液と接触させ、得られるイオン交換された材料を乾燥することにより製造される、請求項1に記載のイオン交換された触媒。
  4. 溶液、分散液、又は懸濁液からOMS上にセリウム化合物を堆積させ、得られる混合物を濃縮することにより製造される、請求項1に記載の触媒。
  5. インシピエントウエットネスにより製造される、請求項4に記載の触媒。
  6. その調製に続き、300℃から650℃の範囲内の温度で焼成される、請求項1に記載の触媒。
  7. 八面体モレキュラーシーブが、OMS−2である、請求項1に記載の触媒。
  8. 酸化セリウムが、酸化セリウム(III)、酸化セリウム(IV)、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の触媒。
  9. 5から15wt%までのセリウムを含む、請求項1に記載の触媒。
  10. 二酸化セリウムの存在下でOMSが形成される、請求項1に記載の複合触媒。
  11. 請求項1に記載の触媒及び還元剤の存在下、窒素酸化物を含むガス混合物を選択的に還元することを含む、方法。
  12. 100℃から650℃の範囲内の温度で行われる、請求項11に記載の方法。
  13. 還元剤が、アンモニア及びC−C炭化水素からなる群から選択される、請求項11に記載の方法。
  14. 還元剤がアンモニアである、請求項13に記載の方法。
  15. 触媒がセリウムドープOMS−2である、請求項11に記載の方法。
  16. 触媒が、300℃から650℃で焼成される、請求項15に記載の方法。
  17. 触媒が、OMS−2上の酸化セリウムである、請求項11に記載の方法。
  18. 触媒が、300℃から650℃で焼成される、請求項17に記載の方法。
  19. 触媒が、セリウム交換OMS−2である、請求項11に記載の方法。
  20. 触媒が、300℃から650℃で焼成される、請求項19に記載の方法。
  21. セリウムが含まれないOMS触媒を用いた同様の方法と比較して、100℃から200℃の範囲の温度における、窒素酸化物の%変換が改善する、請求項11に記載の方法。
  22. セリウムが含まれないOMS触媒と比較して、触媒が改善された熱安定性を示す、請求項11に記載の方法。
  23. 窒素酸化物を含むガスを処理するための物品であって、基材と、基材上に堆積された請求項1に記載の触媒とを含む、物品。
  24. 基材が、モノリス、プレート、又はシートである、請求項23に記載の物品。
  25. 請求項23に記載の物品及び還元剤の存在下、窒素酸化物を含むガス混合物を選択的に還元することを含む、方法。
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