JP2016515162A5

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Info

Publication number: JP2016515162A5
Application number: JP2015557187A
Authority: JP
Filing date: 2014-02-11
Publication date: 2017-03-09
Anticipated expiration: 2034-02-11

Claims

強誘電性キャパシタを含む集積回路を製造する方法であって、
ボディの半導体表面付近に第１の導電膜を堆積することと、
有機金属化学気相成長によって前記第１の導電膜の上に強誘電性材料を堆積することであって、
第１の持続時間の間に、鉛とジルコニウムとチタニウムとの前駆体と、溶剤とを第１の集合的流速で、並びに酸化ガスを前記ボディを含むチャンバ内に導入することと、
その後、第２の持続時間の間に、鉛とジルコニウムとチタニウムとの前記前駆体と、溶剤とを前記第１の集合的流速より速い第２の集合的流速で、並びに酸化ガスを前記チャンバ内に導入することと、
を含む、前記堆積することと、
前記強誘電性材料に重なる第２の導電膜を堆積することと、
前記強誘電性キャパシタを画定するように、選択された位置で、前記第１及び第２の導電膜と前記強誘電性材料との一部を除去することと、
を含む、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の集合的流速が約１．１ｍｌ／分であるか又はそれを下回る、方法。
請求項２に記載の方法であって、
前記第２の集合的流速が約１．１ｍｌ／分を上回る、方法。
請求項３に記載の方法であって、
前記第２の集合的流速が約１．５ｍｌ／分から約２．５ｍｌ／分までの範囲である、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の持続時間の間の前駆体の導入が、ジルコニウム前駆体とチタニウム前駆体との合計に対する鉛前駆体の第１のフロー比で行われ、
前記第２の持続時間の間の前駆体の導入が、前記第１のフロー比より高い、前記ジルコニウム前駆体とチタニウム前駆体との合計に対する前記鉛前駆体の第２のフロー比で行われる、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の持続時間の間に導入される前記酸化ガスが、第１の濃度の酸素を含み、
前記第２の持続時間の間に導入される前記酸化ガスが、前記第１の濃度より高い第２の濃度の酸素を含む、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の持続時間の間に前駆体を導入することに先立ち、前記ボディを含む前記チャンバを約６４０℃を下回るサセプタ温度まで加熱することを更に含む、方法。
請求項７に記載の方法であって、
前記第１の持続時間の間に前駆体を前記導入することの後に、前記チャンバ内の前記温度を約６４０℃を上回るサセプタ温度まで上昇させることを更に含む、方法。
集積回路における強誘電性キャパシタであって、
ボディの半導体表面付近に第１の導電膜を堆積することと、
有機金属化学気相成長によって前記第１の導電膜の上に強誘電性材料の第１の部分層を堆積することであって、
第１の持続時間の間に、鉛とジルコニウムとチタニウムとの前駆体と、溶剤とを第１の集合的流速で前記ボディを含むチャンバ内に導入すること、
を含む、前記第１の部分層を前記堆積することと、
有機金属化学気相成長によって前記第１の部分層の上に強誘電性材料の第２の部分層を堆積することであって、
第２の持続時間の間に、鉛とジルコニウムとチタニウムとの前記前駆体と、溶剤とを前記第１の集合的流速より速い第２の集合的流速で前記チャンバ内に導入すること、
を含む、前記第２の部分層を前記堆積することと、
前記強誘電性材料に重なる第２の導電膜を堆積することと、
前記強誘電性キャパシタを画定するように、選択された位置で、前記第１及び第２の導電膜と前記強誘電性材料との一部を除去することと、
を含むプロセスによって形成される、強誘電性キャパシタ。
請求項９に記載のキャパシタであって、
前記第１の集合的流速が約１．１ｍｌ／分であるか又はそれを下回る、キャパシタ。
請求項１０に記載のキャパシタであって、
前記第２の集合的流速が約１．１ｍｌ／分を上回る、キャパシタ。
請求項１１に記載のキャパシタであって、
前記第２の集合的流速が約１．５ｍｌ／分から約２．５ｍｌ／分までの範囲である、キャパシタ。
請求項９に記載のキャパシタであって、
前記第１の部分層を前記堆積することが、前記第１の持続時間の間に、ジルコニウム前駆体とチタニウム前駆体との合計に対する鉛前駆体の第１のフロー比で前駆体を導入し、
前記第２の部分層を前記堆積することが、前記第２の持続時間の間に、前記第１のフロー比より高い、前記ジルコニウム前駆体とチタニウム前駆体との合計に対する前記鉛前駆体の第２のフロー比で前駆体を導入する、キャパシタ。
請求項９に記載のキャパシタであって、
前記プロセスが、
前記第１の持続時間の間に前駆体を前記導入することの間に、第１の濃度の酸素を含む酸化ガスを前記チャンバ内に導入することと、
前記第２の持続時間の間に前駆体を前記導入することの間に、前記第１の濃度より高い第２の濃度の酸素を含む酸化ガスを前記チャンバ内に導入することと、
を更に含む、キャパシタ。
請求項９に記載のキャパシタであって、
前記第１の部分層を前記堆積することが、前記第１の持続時間の間に前駆体を導入することに先立ち、前記ボディを含む前記チャンバを約６４０℃を下回るサセプタ温度まで加熱することを更に含む、キャパシタ。
請求項１５に記載のキャパシタであって、
前記第２の部分層を前記堆積することが、前記チャンバ内の前記温度を約６４０℃を上回るサセプタ温度まで上昇させることを更に含む、キャパシタ。