JP2016513615A5 - - Google Patents
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Description
第二段階における加熱速度は、Ｔの変化率が第一段階におけるＴの変化率と同じかそれより少なくなるようにされていてもよい。したがって、第二段階における加熱速度は第一段階における加熱速度未満または加熱速度と同じであってもよい。複数の実施形態では、第二段階における加熱速度は約１０℃／時間〜約１２５℃／時間、更には約２０℃／時間〜約１００℃／時間であってもよい。いくつかの実施形態では、第二段階における加熱速度は約３０℃／時間〜約７５℃／時間、更には約３２℃／時間〜約５０℃／時間であってもよい。いくつかの他の実施形態では、第二段階における加熱速度は約３５℃／時間〜約４０℃／時間であってもよい。
Claims (7)
- キルン中で未焼結ハニカムセラミック体を焼成するための方法において、前記方法が、
ａ）室温から、２５０℃〜６５０℃の範囲にある第一の温度まで、７５℃／時間〜１２５℃／時間の範囲にある第一の加熱速度で、前記未焼結ハニカムセラミック体を加熱する工程と、
ｂ）前記第一の温度から、６５０℃〜９５０℃の範囲にある第二の温度まで、前記第一の加熱速度未満である第二の加熱速度で、前記未焼結ハニカムセラミック体を加熱する工程と、
ｃ）前記第二の温度から、前記第二の温度よりも高い保持温度まで、前記第一の加熱速度以下である第三の加熱速度で、前記未焼結ハニカムセラミック体を加熱する工程と、
ｄ）前記保持温度で前記未焼結ハニカムセラミック体を保持して残留炭素を除去する工程と、
を有してなり、前記未焼結ハニカムセラミック体が、９インチ（２３ｃｍ）〜１５インチ（３８ｃｍ）の範囲の直径と、０．５０〜２．００の範囲のアスペクト比を有するものであることを特徴とする、方法。 - 前記第二の加熱速度が２０℃／時間〜１００℃／時間の範囲にあり、前記第三の加熱速度が２０℃／時間〜９０℃／時間の範囲にあることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- １）工程ａ）及びｂ）における酸素レベルをキルン雰囲気の４体積％〜１５体積％の範囲に調整するか、２）工程ｃ)及びｄ）における酸素レベルを、キルン雰囲気の５体積％〜１３体積％の範囲内に調整するか、またはその両方を行うことを更に含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
- 工程ｂ）、工程ｃ）、及び工程ｄ）における前記酸素レベルが工程ａ）における酸素レベルよりも高いことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
- 前記未焼結ハニカムセラミック体が１２インチ（３０ｃｍ）よりも大きい直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記未焼結ハニカムセラミック体が２５重量％〜５０重量％の範囲の追加的な有機物を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- コージエライトハニカムセラミック体が形成され、焼成後のコージエライトハニカムセラミック体が４０％〜６０％の範囲の空隙率を有することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
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