JP2018184342A5 - - Google Patents

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Claims (7)

  1. キルン中で未焼結コージエライトハニカムセラミック体を焼成するための方法において、前記方法が、
    a)室温から、250℃〜650℃の範囲にある第一の温度まで、75℃/時間〜125℃/時間の範囲にある第一の加熱速度で、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を加熱する工程と、
    b)前記第一の温度から、650℃〜950℃の範囲にある第二の温度まで、前記第一の加熱速度未満である第二の加熱速度で、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を加熱する工程と、
    c)前記第二の温度から、前記第二の温度よりも高い保持温度まで、前記第一の加熱速度以下である第三の加熱速度で、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を加熱する工程と、
    d)前記保持温度で前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を保持して残留炭素を除去する工程と、
    を有してなり、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体が、9インチ(23cm)〜15インチ(38cm)の範囲の直径と、0.50〜2.00の範囲のアスペクト比を有するものであることを特徴とする、方法。
  2. 前記第二の加熱速度が20℃/時間〜100℃/時間の範囲にあり、前記第三の加熱速度が20℃/時間〜90℃/時間の範囲にあることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 1)工程a)及びb)における酸素レベルをキルン雰囲気の4体積%〜15体積%の範囲に調整するか、2)工程c)及びd)における酸素レベルを、キルン雰囲気の5体積%〜13体積%の範囲内に調整するか、またはその両方を行うことを更に含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 工程b)、工程c)、及び工程d)における前記酸素レベルが工程a)における酸素レベルよりも高いことを特徴とする、請求項3に記載の方法。
  5. 前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体が12インチ(30cm)よりも大きい直径を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  6. 前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体が25重量%〜50重量%の範囲の追加的な有機物を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  7. コージエライトハニカムセラミック体が形成され、焼成後のコージエライトハニカムセラミック体が40%〜60%の範囲の空隙率を有することを特徴とする、請求項6に記載の方法。
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