JP2009536603A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- ６２％よりも大きい全孔隙率、０．４未満の孔隙径分布（ｄfactor）、１０μｍよりも大きいメジアン孔隙径、及び、２５℃〜８００℃の温度にわたり、１０．０×１０-7／℃未満の軸方向における熱膨張率を有し、ここでｄfactor＝(ｄ50−ｄ10)／ｄ50である、多孔性のコージエライト組成物を含む、セラミックハニカム構造体。
- 前記全孔隙率が６５％よりも大きいことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム構造体。
- 前記全孔隙率が６２％よりも大きく７５％未満の範囲であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム構造体。
- 前記全孔隙率が１５μｍ〜３０μｍのメジアン孔隙径を有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム構造体。
- 前記孔隙径分布が０．３５未満であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム構造体。
- 前記孔隙径分布が０．３０〜０．４０未満の範囲であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム構造体。
- セラミックハニカム物品の製造方法であって、
酸化マグネシウム源、アルミナ形成源、及び、シリカ源から選択される、無機バッチ成分と、
１．００未満のｄｐbreadthを有するジャガイモデンプンを含み、ｄｐbreadth ＝ (ｄｐ90−ｄｐ10)／ｄｐ50である、孔隙形成剤と、
液体溶媒と、
結合剤と、
を含む、可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物を提供し、
前記可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物からハニカム未焼成体を形成し、
前記ハニカム未焼成体を、コージエライトを含み、６０％より大きい全孔隙率、０．５未満の孔隙径分布、１０μｍよりも大きいメジアン孔隙径、及び、２５℃〜８００℃の温度にわたり、１０．０×１０-7／℃未満の軸方向における熱膨張率を有する、多孔性のセラミックハニカム物品に転換するのに効果的な条件下で焼成する、
各工程を有してなる方法。
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