JP2009517326A5

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Publication number: JP2009517326A5
Application number: JP2008543291A
Authority: JP
Filing date: 2006-10-31
Publication date: 2010-04-02
Anticipated expiration: 2026-10-31

Claims

セラミックハニカム物品において、
総気孔率（％Ｐ）、４２％＜％Ｐ＜５６％、および
前記総気孔率の１５％未満しか１０μｍ未満の細孔径を有さず、該総気孔率の２０％未満しか３０μｍより大きい細孔径を有さず、ｄ_幅＝（ｄ₉₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_幅≦１．５０を有する細孔径分布、
を有する、コージエライトを含有する多孔質セラミックからなるセラミックハニカム物品。
％Ｐ＜５４％であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
％Ｐ＜５２％であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
４４％＜％Ｐ＜５２％であることを特徴とする請求項３記載のセラミックハニカム物品。
前記総気孔率の１０％未満しか１０μｍ未満の細孔径を有さないことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
前記総気孔率の２５％未満しか３０μｍより大きい細孔径を有さないことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
前記総気孔率の６０％より多くが、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の細孔径を有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
前記総気孔率の７０％より多くが、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の細孔径を有することを特徴とする請求項７記載のセラミックハニカム物品。
前記総気孔率の８０％より多くが、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の細孔径を有することを特徴とする請求項７記載のセラミックハニカム物品。
前記総気孔率が、１３μｍ≦ｄ₅₀≦２２μｍのメジアン細孔径（ｄ₅₀）を含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
１４μｍ≦ｄ₅₀≦２１μｍであることを特徴とする請求項１０記載のセラミックハニカム物品。
２５℃から８００℃の温度範囲に亘りＣＴＥ≦８．０×１０^-7／℃の熱膨張係数（ＣＴＥ）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
ＣＴＥ≦６．０×１０^-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
ＣＴＥ≦５．０×１０^-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
ＣＴＥ≦４．０×１０^-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
ＣＴＥ≦３．０×１０^-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
前記細孔径分布が、ｄ_因子＝（ｄ₅₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_因子≦０．４５をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
ｄ_因子≦０．４０であることを特徴とする請求項１７記載のセラミックハニカム物品。
ｄ_因子≦０．３５であることを特徴とする請求項１７記載のセラミックハニカム物品。
ｄ_因子≦０．３３であることを特徴とする請求項１７記載のセラミックハニカム物品
前記細孔径分布が、ｄ_幅＝（ｄ₉₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_幅≦１．３５をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
ｄ_幅≦１．２０であることを特徴とする請求項２１記載のセラミックハニカム物品。
ｄ_幅≦１．１０であることを特徴とする請求項２１記載のセラミックハニカム物品。
４４％＜％Ｐ＜５２％、
１４μｍ≦ｄ₅₀≦２１μｍ、
ＣＴＥ≦６．０×１０^-7／℃（２５℃から８００℃）、および
ｄ_因子＝（ｄ₅₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_因子≦０．４５
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
４２％＜％Ｐ＜５６％、
１３μｍ≦ｄ₅₀≦２２μｍ、
ＣＴＥ≦６．０×１０^-7／℃（２５℃から８００℃）、および
ｄ_幅≦１．３５
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
ｄ_因子＝（ｄ₅₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_因子≦０．４５、および
ｄ_幅≦１．３５
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
セラミックハニカム物品を製造する方法であって、
酸化マグネシウム源、アルミナ形成源、およびシリカ形成源から選択される無機バッチ成分、
４０μｍより大きいメジアン粒径を有する細孔形成剤、
液体ビヒクル、および
結合剤、
を含有する可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物を提供し、
前記可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物からハニカム未焼成体を成形し、
前記ハニカム未焼成体を、コージエライトを含有し、４２％より大きくかつ５６％未満の総気孔率および該総気孔率の１５％未満しか１０μｍ未満の細孔径を有さずかつ該総気孔率の２０％未満しか３０μｍより大きい細孔径を有さない細孔径分布を有するセラミックハニカム物品に転化するのに効果的な焼成条件下で、前記ハニカム未焼成体を焼成する、
各工程を有してなる方法。
前記細孔形成剤がバレイショデンプンを含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
前記細孔形成剤が、前記無機バッチ成分の総質量に対して５質量％から２０質量％の量で存在することを特徴とする請求項２７記載の方法。
前記細孔形成剤が、４５μｍから５５μｍの範囲のメジアン粒径を有するバレイショデンプンを含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
前記無機バッチ成分が、
酸化物の質量基準で、
約４９から約５３質量パーセントのＳｉＯ₂、
約３３から約３８質量パーセントのＡｌ₂Ｏ₃、および
約１２から約１６質量パーセントのＭｇＯ、
からなる群より選択される焼結相コージエライト組成を提供するように選択されることを特徴とする請求項２７記載の方法。
前記効果的な焼成条件が、前記ハニカム未焼成体を１３５０℃から１４５０℃の範囲の最高浸漬温度で焼成し、続いて、該最高浸漬温度を、前記ハニカム未焼成体を、コージエライトを含有するセラミックハニカム物品に転化するのに十分な期間に亘り保持することを含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
前記最高浸漬温度が約１４１５℃から約１４３５℃の範囲にあることを特徴とする請求項３２記載の方法。
前記最高浸漬温度が、温度を、６０℃／時以下の平均上昇速度で、約１３００℃より高くから該最高浸漬温度に上昇させることにより達成されることを特徴とする請求項３２記載の方法。
前記最高浸漬温度が、温度を、１０℃／時から７０℃／時の間の平均上昇速度で、約１３００℃に上昇させることにより達成されることを特徴とする請求項３２記載の方法。
セラミックハニカム物品において、
総気孔率（％Ｐ）、４２％＜％Ｐ＜５６％、および
ｄ_幅＝（ｄ₉₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_幅≦１．５０とｄ_因子＝（ｄ₅₀−ｄ₁₀）／ｄ₅₀であるｄ_因子≦０．４５を有する細孔径分布、
を有する、コージエライトを含有する多孔質セラミックからなるセラミックハニカム物品。