JP2009502709A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主体とする被膜によって少なくとも部分的に被覆されている炭素基材であって、その基材に前記被膜が付加的に付着せしめられている炭素基材から形成されている、セラミックス用の焼成支持体において、
   前記炭化ケイ素は、主としてα形態（α−ＳｉＣ）で結晶化されていることを特徴とする焼成支持体。
2. 炭化ケイ素を主体とする被膜は、少なくとも９０％の炭化ケイ素を含有している、請求項１に記載の支持体。
3. 炭化ケイ素を主体とする被膜の厚さは、５００μｍよりも大きいかもしくはそれに等しい、請求項１又は２に記載の支持体。
4. 炭化ケイ素を主体とする被膜は、１０〜６５％の空隙率を有している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の支持体。
5. 前記被膜は３０〜５０％の空隙率を有している、請求項４に記載の支持体。
6. 炭素基材は、グラファイトの形をしている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の支持体。
7. 前記グラファイトは等方性のグラファイトの形をしている、請求項６に記載の支持体。
8. 炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主体とする被膜を炭素基材上に堆積させる方法であって、
   炭化ケイ素の粒子を主たるケイ素前駆体として堆積させる少なくとも１つの工程と、
   その工程の後に続くところの、前記工程の堆積物を非酸化性雰囲気下において２１００〜２４５０℃の温度で焼成する少なくとも１つの工程とを含んでなる被膜堆積方法。
9. 炭素基材はグラファイトの形をしている、請求項８に記載の方法。
10. 焼成中の雰囲気は中性である、請求項８又は９に記載の方法。
11. Ｓｉ及び／又はＳｉＯ_２がケイ素前駆体として追加的に使用される、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 前記ケイ素前駆体の１つは、下記の成分を、ケイ素前駆体の全量に関して下記のような重量比で含むものである、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法：
    ＳｉＣ ７０〜１００％、
    Ｓｉ ０〜２５％、
    ＳｉＯ_２ ０〜１０％。
13. ＳｉＣ粒子の４０〜８０重量％は１０μｍよりも大きいかもしくはそれに等しい直径を有しており、かつこの粒径フラクションの平均直径は３００μｍよりも小さいかもしくはそれに等しい、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
14. ケイ素前駆体を水性スリップ又はスラリーによって導入する、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 前記スリップ又はスラリーは、解こう剤、バインダ、可塑剤、から選ばれる１種類もしくはそれ以上の化合物を追加的に含有しており、かつこれらの化合物の全含有重量は、ケイ素前駆体の全量の５％を上回らない、請求項１４に記載の方法。
16. 炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の部品を１８００℃を上回る温度で焼成するための、請求項１〜７のいずれか１項に記載の焼成支持体の使用。