JP2002020173A5 - - Google Patents
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請求項７に記載の発明は、請求項６において、前記多孔質炭化珪素焼結体は、残炭率が０．２％以下かつ破壊強度が４０ＭＰａ以上であって、端部開口が交互に封止されているハニカムフィルタであるとした。
請求項８に記載の発明は、炭化珪素成形体を成形した後、乾燥、脱脂及び焼成を順に行うことにより多孔質炭化珪素焼結体を製造する方法であって、前記多孔質炭化珪素焼結体は、残炭率が０．０５〜１．３４％であり、かつ破壊強度が４０ＭＰａ以上であって、端部開口が交互に封止されているハニカムフィルタであることを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体の製造方法をその要旨とする。
請求項８に記載の発明は、炭化珪素成形体を成形した後、乾燥、脱脂及び焼成を順に行うことにより多孔質炭化珪素焼結体を製造する方法であって、前記多孔質炭化珪素焼結体は、残炭率が０．０５〜１．３４％であり、かつ破壊強度が４０ＭＰａ以上であって、端部開口が交互に封止されているハニカムフィルタであることを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体の製造方法をその要旨とする。
Claims (8)
- 炭化珪素成形体を、酸素濃度が１％〜２０％の雰囲気下にて、前記炭化珪素成形体中のバインダが分解しうる温度に加熱することを特徴とする炭化珪素成形体の脱脂方法。
- 炭化珪素成形体を、酸素濃度が５％〜１０％の雰囲気下にて、前記炭化珪素成形体中のバインダが分解しうる温度に加熱することを特徴とする炭化珪素成形体の脱脂方法。
- 前記雰囲気における不活性気体の主成分は窒素であることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素成形体の脱脂方法。
- 前記炭化珪素成形体を２００℃〜６００℃に加熱することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の炭化珪素成形体の脱脂方法。
- 前記炭化珪素成形体はハニカム構造を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の炭化珪素成形体の脱脂方法。
- 炭化珪素成形体を成形した後、乾燥、脱脂及び焼成を順に行うことにより多孔質炭化珪素焼結体を製造する方法であって、請求項１乃至５のいずれかの方法により前記脱脂を行うことを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体の製造方法。
- 前記多孔質炭化珪素焼結体は、残炭率が０．２％以下かつ破壊強度が４０ＭＰａ以上であって、端部開口が交互に封止されているハニカムフィルタであることを特徴とする請求項６に記載の多孔質炭化珪素焼結体の製造方法。
- 炭化珪素成形体を成形した後、乾燥、脱脂及び焼成を順に行うことにより多孔質炭化珪素焼結体を製造する方法であって、前記多孔質炭化珪素焼結体は、残炭率が０．０５〜１．３４％であり、かつ破壊強度が４０ＭＰａ以上であって、端部開口が交互に封止されているハニカムフィルタであることを特徴とする多孔質炭化珪素焼結体の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000195870A JP2002020173A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 炭化珪素成形体の脱脂方法、多孔質炭化珪素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000195870A JP2002020173A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 炭化珪素成形体の脱脂方法、多孔質炭化珪素焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002020173A JP2002020173A (ja) | 2002-01-23 |
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ID=18694464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000195870A Pending JP2002020173A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 炭化珪素成形体の脱脂方法、多孔質炭化珪素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2002020173A (ja) |
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2000
- 2000-06-29 JP JP2000195870A patent/JP2002020173A/ja active Pending
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