JP2009227477A5 - - Google Patents

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上記知見に基づき、本発明はBaの一部をBi-Naで置換した電極を形成していない半導体磁器組成物を600℃以下で熱処理することでジャンプ特性を向上させるものである。熱処理は大気中でもよいが、酸素を含む雰囲気中が好ましく、より速効的には酸素雰囲気中の熱処理が好ましい。

Claims (6)

  1. Baの一部をBi−Naで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、
    電極を形成していない前記半導体磁器組成物を酸素を含む雰囲気中で600℃以下で熱処理する工程を含む半導体磁器組成物の製造方法。
  2. Baの一部をBi−Naで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、
    電極を形成していない前記半導体磁器組成物を大気中で600℃以下で熱処理する工程を含む半導体磁器組成物の製造方法。
  3. BaTiO のBaの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、
    (BaQ)TiO 仮焼粉(Qは半導体化元素)を用意する工程、
    (BiNa)TiO 仮焼粉を用意する工程、
    前記(BaQ)TiO 仮焼粉及び前記(BiNa)TiO 仮焼粉を混合する工程、
    混合した仮焼粉を成形し焼結する工程、
    得られた焼結体を酸素を含む雰囲気中あるいは大気中で600℃以下で熱処理する工程を含む半導体磁器組成物の製造方法。
  4. Baの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、
    前記半導体磁器組成物に電極を形成する工程と、
    前記半導体磁器組成物を大気中600℃以下で熱処理する工程を含む電極付き半導体磁器組成物の製造方法。
  5. 請求項1〜3の何れか1項に記載の製造方法で得られた半導体磁器組成物に電極を形成した電極付き半導体磁器組成物からなる発熱体を有するヒータ。
  6. 請求項4に記載の製造方法で得られた電極付き半導体磁器組成物からなる発熱体を有するヒータ。
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