CN104557024B - 高居里温度无铅钛酸钡基ptcr陶瓷材料及制备和应用 - Google Patents
高居里温度无铅钛酸钡基ptcr陶瓷材料及制备和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104557024B CN104557024B CN201410797340.1A CN201410797340A CN104557024B CN 104557024 B CN104557024 B CN 104557024B CN 201410797340 A CN201410797340 A CN 201410797340A CN 104557024 B CN104557024 B CN 104557024B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tio
- batio
- temperature
- curie temperature
- barium titanate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料,该材料由BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、MnO2和Si3N4组成;该材料的化学式为:(1‑x‑y)BaTiO3‑xBaBiO3‑y(Bi0.5Na0.5)TiO3,其中x=0.001~0.003,y=0~0.01;每制备1mol的(1‑x‑y)BaTiO3‑xBaBiO3‑y(Bi0.5Na0.5)TiO3掺入0.00034~0.00038mol的MnO2和0.008~0.012mol的Si3N4;按照摩尔配方称料混合,混合料加水球磨,经烘干、保温、烘干、造粒、压片、烧结制得PTCR热敏电阻。适量的BaBiO3掺杂不仅能够降低BaTiO3体系的室温电阻率,而且能够提高体系的居里温度。采用BT‑BaBiO3‑BNT体系,可以制备室温电阻率低,居里温度高的无铅PTCR材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子陶瓷,尤其涉及一种采用固相反应法法制备高居里温度BT-BaBiO3-BNT体系PTCR陶瓷材料的方法。
背景技术
PTCR效应是在一个特定的温度上电阻的电阻率突然增加几个数量级。该效应在电子、机械、医疗卫生、农业、家用电器等各个领域有着极为广泛的应用。目前,商用PTCR元件大多采用掺杂钛酸钡基半导体陶瓷。钛酸钡基半导体陶瓷的PTCR效应是电阻在居里温度附近随着正方相到立方相的转变而突跳。但是,我们知道,纯BaTiO3的居里温度是120℃,所以BaTiO3基PTCR陶瓷的应用温度被限制在120℃以下。为了提高BaTiO3基PTCR陶瓷材料的居里温度以及扩大它的应用温度范围,市场上基本都采用PbTiO3加入到BaTiO3中。但铅的毒性和挥发性使含铅PTCR材料在制造、生产、使用和回收整个过程中危害人类的身体健康及产生环境污染。随着各国对含铅材料使用的限制,人们一直试图研究出新的环保型无铅高居里温度(Tc>120℃)的PTCR材料。尽管很多文献已经指出(Bi0.5Na0.5)TiO3能够很大程度的提高BaTiO3基PTCR陶瓷的居里温度,但是这仍远远达不到工业应用的要求。目前,研究者们都致力于提高BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3体系中(Bi0.5Na0.5)TiO3的含量以增加体系的居里温度。但是,研究表明,当(Bi0.5Na0.5)TiO3的含量超过2mol%时,用传统固相反应法制备的BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷在空气中烧结很难半导化。为了让更高BNT含量的陶瓷获得PTC性能,BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3陶瓷烧结需要采用还原再氧化的工艺,此工艺操作复杂,要求控制精确,很难应用于大规模的工业生产。因此,制备在空气气氛中烧结的高居里温度无铅BaTiO3基陶瓷材料仍然是一个亟待解决的问题。
发明内容
众所周知,纯的BaTiO3陶瓷由于很宽的禁带宽度(3.1eV)而是绝缘体。三价离子如La3+、Sb3+、Y3+或者五价离子Nb5+、Ta5+用来分别取代Ba2+、Ti4+让它半导化。BaBiO3作为一种施主,拥有两种不同价态的Bi离子(Bi3+和Bi5+)。BaBiO3掺杂BaTiO3体系中不仅能够降低体系的室温电阻率,也能提高体系的居里温度。采用BT-BaBiO3-BNT体系能够制备出低室温电阻率,高居里温度的PTCR材料。针对现有技术,本发明的目的在于提供一种高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料及其制备方法,制备过程中无铅的添加物,对环境友好,其制备方法过程简单,保证无铅PTCR材料工业化。
为了解决上述技术问题,本发明提供的一种高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料,该材料由BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、MnO2和Si3N4组成;该材料的化学式为:(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,其中x=0.001~0.003,y=0~0.01;每制备1mol的(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3掺入0.00034~0.00038mol的MnO2和0.008~0.012mol的Si3N4。
进一步讲,其中的x=0.001、0.002或0.003,y=0、0.002、0.004、0.006或0.01。
制备上述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的方法,包括以下步骤:
步骤一、将MnO2和Si3N4和合成的BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3粉体按照每制备1mol的(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3掺入0.00034~0.00038mol MnO2和0.008~0.012molSi3N4的摩尔百分量进行配料得到混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~12h,然后将磨料在温度100~120℃烘干得到干磨料;
步骤二、取步骤一制得的干磨料,按干磨料质量的4~8%,向干磨料中加质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液粘合剂,混合均匀后进行造粒,造粒后通过40目筛,然后在压力机上以压力100~150MPa压制成圆片,将多片成型片叠放在有二氧化锆垫料的氧化铝垫板上,相邻的成型片之间用二氧化锆粉隔开,然后放入高温电炉中烧结,升温速率控制在400℃/h,升温至1280℃~1300℃下烧结20min~60min,其中在150℃和200℃保温30min以排水,排胶,然后随炉降温至室温;最终的烧结片即为无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料。
本发明高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料作为热敏电阻的应用,是将制备得到的烧结片的两面均匀的涂覆上一层铝浆料,在温度500~850℃下烧渗10~20min制备铝电极,最终得到热敏电阻。该热敏电阻的室温电阻率为319~4.0×105Ω·cm,居里温度为143~157℃,升阻比为1.73~3.54。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
目前,超过2mol%(Bi0.5Na0.5)TiO3含量的BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3体系很难在空气中烧结半导化。BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3体系遇到了进一步提高居里温度的瓶颈。而本发明采用适量的BaBiO3掺杂BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3体系,不仅能够降低体系的室温电阻率,也能提高体系的居里温度。为提高无铅BaTiO3体系的居里温度提出了新的思路。
附图说明
图1为本发明实施例3中0.996BaTiO3-0.002BaBiO3-0.002(Bi0.5Na0.5)TiO3无铅PTCR的XRD图谱。
图2为本发明实施例4中0.992BaTiO3-0.002BaBiO3-0.006(Bi0.5Na0.5)TiO3无铅PTCR的电阻率-温度曲线。
图3为本发明实施例4中0.992BaTiO3-0.002BaBiO3-0.006(Bi0.5Na0.5)TiO3无铅PTCR的SEM图。
具体实施方式
下面通过具体实施案例对本发明做具体的说明。下面所提供的具体实施案例是为了更加系统的了解本发明,而不是限制本发明。
本发明提供的一种高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料,该材料由BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、MnO2和Si3N4组成;该材料的化学式为:(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,其中x=0.001~0.003,y=0~0.01;每制备1mol的(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3掺入0.00034~0.00038mol的MnO2和0.008~0.012mol的Si3N4。由该材料制作的热敏电阻,其室温电阻率为319~4.0×105Ω·cm,居里温度为143~157℃,升阻比为1.73~3.54。
其中,BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3各材料的合成如下:
(Bi0.5Na0.5)TiO3的合成方法是:将Bi2O3与TiO2按照摩尔比1:4进行配料,按照该配料:球石:无水乙醇的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~8h,然后将磨料在温度80~100℃烘干,烘干料在坩埚中,以4~5℃/min的升温速率升温至800℃~850℃,保温1~4h合成(Bi0.5Na0.5)TiO3。
BaTiO3的合成方法是:将BaCO3与TiO2按照摩尔比1:1进行配料,按照该配料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~8h,然后将磨料在温度100~120℃烘干,烘干料在坩埚中,以4~5℃/min的升温速率升温至1000℃~1050℃,保温1~4h合成BaTiO3。
BaBiO3的合成方法是:将Bi2O3与BaCO3按照摩尔比1:2进行配料,按照该配料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~8h,然后将磨料在温度100~120℃烘干,烘干料在坩埚中,以4~5℃/min的升温速率升温至800℃~850℃,保温4~6h合成BaBiO3。
本发明各实施例获得的测试数据是采用阻温测试仪测试PTCR热敏电阻在25℃~300℃的电阻随着温度的变化曲线。
实施例1:制备高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的热敏电阻:
(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,取x=0.001,y=0;本实施例按照上述摩尔比配料。具体步骤为:
步骤一、BaTiO3的合成方法是:将BaCO3与TiO2按照摩尔比1:1进行配料,按照该配料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干,烘干料在坩埚中,以5℃/min的升温速率升温至1050℃,保温2h合成BaTiO3。
步骤二、BaBiO3的合成方法是:将Bi2O3与BaCO3按照摩尔比1:2进行配料,按照该配料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干,烘干料在坩埚中,以5℃/min的升温速率升温至800℃,保温4h合成BaBiO3。
步骤三、按照0.999BaTiO3-0.001BaBiO3-0.00036MnO2-0.01Si3N4配方加入MnO2、Si3N4和步骤一、二合成的BaTiO3粉体和BaBiO3粉体进行配料形成混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干得到干磨料;
步骤四、取步骤三制得的干磨料,按干磨料质量的5%,向干磨料中加质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液粘合剂,混合均匀后进行造粒,造粒后通过40目筛,然后在压力机上以压力120MPa压制成圆片,将多片成型片叠放在有二氧化锆垫料的氧化铝垫板上,相邻的成型片之间用二氧化锆粉隔开,然后放入高温电炉中烧结,升温速率控制在400℃/h,升温至1290℃下烧结20min,其中在150℃和200℃保温30min以排水,排胶,然后随炉降温至室温;
步骤五、将步骤四制备的烧结片的两面均匀的涂覆上一层铝浆料,在温度580℃下烧渗10min制备铝电极,最终得到无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的热敏电阻。
经过测试,实施例1PTCR陶瓷材料热敏电阻的室温电阻率为1104Ω·cm,居里温度为145℃,升阻比为3.04。
实施例2:制备高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的热敏电阻:
(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,取x=0.002,y=0;本实施例按照上述摩尔比配料。具体步骤为:
步骤一、BaTiO3的合成同实施例1;
步骤二、BaBiO3的合成同实施例1;
步骤三、按照0.998BaTiO3-0.002BaBiO3-0.00036MnO2-0.01Si3N4配方加入MnO2、Si3N4和步骤一、二合成的BaTiO3粉体和BaBiO3粉体进行配料形成混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干得到干磨料;
步骤四、同实施例1;
步骤五、将步骤四制备的烧结片的两面均匀的涂覆上一层铝浆料,在温度580℃下烧渗10min制备铝电极,最终得到无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻。
经过测试实施例2PTCR陶瓷材料热敏电阻的室温电阻率为319Ω·cm,居里温度为145℃,升阻比为3.54。
实施例3:制备高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻:
(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,取x=0.002,y=0.002;本实施例按照上述摩尔比配料。具体步骤为:
步骤一、BaTiO3的合成同实施例1;
步骤二、BaBiO3的合成同实施例1;
步骤三、(Bi0.5Na0.5)的合成:将Bi2O3与TiO2按照摩尔比1:4进行配料,按照该配料:球石:无水乙醇的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度90℃烘干,烘干料在坩埚中,以5℃/min的升温速率升温至800℃,保温2h合成(Bi0.5Na0.5)TiO3。
步骤四、按照0.996BaTiO3-0.002BaBiO3-0.002(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.00036MnO2-0.01Si3N4配方加入MnO2、Si3N4和步骤一、二、三合成的BaTiO3、BaBiO3和(Bi0.5Na0.5)粉体进行配料形成混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干得到干磨料;
步骤五、取步骤四制得的干磨料,后续处理与实施例1中的相同;
步骤六、同实施例1的步骤五,最终得到无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻。
经过测试实施例3的PTCR陶瓷材料热敏电阻的室温电阻率为504Ω·cm,居里温度为147℃,升阻比为3.33。图1为实例3中x=0.002,y=0.002时PTCR陶瓷的XRD图谱。
实施例4:制备高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻:
(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,取x=0.002,y=0.006;本实施例按照上述摩尔比配料。具体步骤为:
步骤一、BaTiO3的合成同实施例1;
步骤二、BaBiO3的合成同实施例1;
步骤三、(Bi0.5Na0.5)的合成同实施例3;
步骤四、按照0.992BaTiO3-0.002BaBiO3-0.006(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.00036MnO2-0.01Si3N4配方加入MnO2、Si3N4和步骤一、二、三合成的BaTiO3、BaBiO3和(Bi0.5Na0.5)粉体进行配料形成混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干得到干磨料;
步骤五、同实施例3;
步骤六、同实施例3,最终得到无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻。
经过测试PTCR陶瓷材料热敏电阻的室温电阻率为1512Ω·cm,居里温度为153℃,升阻比为3.43。图2为实例4中x=0.002,y=0.006时PTCR陶瓷的室温电阻率-温度曲线。图3为实例4中x=0.002,y=0.006时PTCR陶瓷的SEM图。
实施例5:制备高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻:
(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3,取x=0.002,y=0.001;本实施例按照上述摩尔比配料。具体步骤为:
步骤一、BaTiO3的合成同实施例1;
步骤二、BaBiO3的合成同实施例1;
步骤三、(Bi0.5Na0.5)的合成同实施例3;
步骤四、按照0.988BaTiO3-0.002BaBiO3-0.01(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.00036MnO2-0.01Si3N4配方加入MnO2、Si3N4和步骤一、二、三合成的BaTiO3、BaBiO3和(Bi0.5Na0.5)粉体进行配料形成混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6h,然后将磨料在温度120℃烘干得到干磨料;
步骤五、同实施例3;
步骤六、同实施例3,最终得到无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料热敏电阻。
经过测试PTCR陶瓷材料热敏电阻的室温电阻率为4.0×105Ω·cm,居里温度为157℃,升阻比为1.73。
本发明制备方法中,通过BaBiO3和(Bi0.5Na0.5)TiO3的掺杂量来控制最终得到无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的室温电阻率为319~4.0×105Ω·cm,居里温度为143~157℃,升阻比为1.73~3.54。
适量的BaBiO3掺杂不仅能够降低BaTiO3体系的室温电阻率,而且能够提高体系的居里温度。采用BT-BaBiO3-BNT体系,可以制备室温电阻率低,居里温度高的无铅PTCR材料。
尽管上面结合图对本发明进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨的情况下,还可以作出很多变形,这些均属于本发明的保护之内。
Claims (7)
1.一种高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料,其特征在于:
该材料由BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、MnO2和Si3N4组成;
每制备1mol的(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3掺入0.00034~0.00038mol的MnO2和0.008~0.012mol的Si3N4,其中x=0.001~0.003,y=0~0.01。
2.根据权利要求1所述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料,其特征在于:x=0.001、0.002或0.003,y=0、0.002、0.004、0.006或0.01。
3.一种制备如权利要求1所述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将MnO2和Si3N4和合成的BaTiO3、BaBiO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3粉体按照每制备1mol的(1-x-y)BaTiO3-xBaBiO3-y(Bi0.5Na0.5)TiO3掺入0.00034~0.00038mol MnO2和0.008~0.012molSi3N4的摩尔百分量进行配料得到混合料,按照该混合料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~12h,然后将磨料在温度100~120℃烘干得到干磨料;
步骤二、取步骤一制得的干磨料,按干磨料质量的4~8%,向干磨料中加质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液粘合剂,混合均匀后进行造粒,造粒后通过40目筛,然后在压力机上以压力100~150MPa压制成圆片,将多片成型片叠放在有二氧化锆垫料的氧化铝垫板上,相邻的成型片之间用二氧化锆粉隔开,然后放入高温电炉中烧结,升温速率控制在400℃/h,升温至1280℃~1300℃下烧结20min~60min,其中在150℃和200℃保温30min以排水,排胶,然后随炉降温至室温;最终的烧结片即为无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料。
4.根据权利要求3所述制备如权利要求1所述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的方法,其特征在于,步骤一中,合成(Bi0.5Na0.5)TiO3的方法是:
将Bi2O3与TiO2按照摩尔比1:4进行配料,按照该配料:球石:无水乙醇的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~8h,然后将磨料在温度80~100℃烘干,烘干料在坩埚中,以4~5℃/min的升温速率升温至800℃~850℃,保温1~4h合成(Bi0.5Na0.5)TiO3。
5.根据权利要求3所述制备如权利要求1所述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的方法,其特征在于,步骤一中,合成BaTiO3的方法是:
将BaCO3与TiO2按照摩尔比1:1进行配料,按照该配料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~8h,然后将磨料在温度100~120℃烘干,烘干料在坩埚中,以4~5℃/min的升温速率升温至1000℃~1050℃,保温1~4h合成BaTiO3。
6.根据权利要求3所述制备如权利要求1所述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的方法,其特征在于,步骤一中,合成BaBiO3的方法是:
将Bi2O3与BaCO3按照摩尔比1:2进行配料,按照该配料:球石:蒸馏水的质量比为1:3:4混合并置于尼龙罐中湿法球磨6~8h,然后将磨料在温度100~120℃烘干,烘干料在坩埚中,以4~5℃/min的升温速率升温至800℃~850℃,保温4~6h合成BaBiO3。
7.一种根据权利要求3所述制备如权利要求1所述高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料的方法制备得到的高居里温度无铅钛酸钡基PTCR陶瓷材料作为热敏电阻的应用,是将制备得到的烧结片的两面均匀的涂覆上一层铝浆料,在温度500~850℃下烧渗10~20min制备铝电极,最终得到热敏电阻,该热敏电阻的室温电阻率为319~4.0×105Ω·cm,居里温度为143~157℃,升阻比为1.73~3.54。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410797340.1A CN104557024B (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 高居里温度无铅钛酸钡基ptcr陶瓷材料及制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410797340.1A CN104557024B (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 高居里温度无铅钛酸钡基ptcr陶瓷材料及制备和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104557024A CN104557024A (zh) | 2015-04-29 |
CN104557024B true CN104557024B (zh) | 2016-09-07 |
Family
ID=53074211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410797340.1A Expired - Fee Related CN104557024B (zh) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 高居里温度无铅钛酸钡基ptcr陶瓷材料及制备和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104557024B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105036742A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-11-11 | 桂林理工大学 | 一种高居里点正温度系数电阻材料Ba3Li3Bi2Nb5O20及其制备方法 |
CN105272236A (zh) * | 2015-09-20 | 2016-01-27 | 桂林理工大学 | 一种高居里点正温度系数电阻材料Ba2Li3Bi2Nb5O19及其制备方法 |
CN106866135B (zh) * | 2017-03-13 | 2019-12-06 | 中国地质大学(北京) | 一种无铅高居里温度BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷的制备方法 |
CN107032785B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-04-17 | 桂林电子科技大学 | 一种窄带隙高极性的无铅铁电陶瓷及其制备方法 |
CN107117959A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-09-01 | 汕头市瑞升电子有限公司 | 一种高居里温度ptc热敏陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100455538C (zh) * | 2006-12-11 | 2009-01-28 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法 |
CN101234895A (zh) * | 2008-02-04 | 2008-08-06 | 桂林电子科技大学 | 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
US20100135061A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Shaoping Li | Non-Volatile Memory Cell with Ferroelectric Layer Configurations |
CN101519306A (zh) * | 2009-02-24 | 2009-09-02 | 上海大学 | 高居里温度无铅正温度系数热敏电阻陶瓷的制备方法 |
CN102005273B (zh) * | 2010-09-30 | 2012-08-08 | 桂林电子科技大学 | 一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法 |
-
2014
- 2014-12-18 CN CN201410797340.1A patent/CN104557024B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104557024A (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104557024B (zh) | 高居里温度无铅钛酸钡基ptcr陶瓷材料及制备和应用 | |
JP6260250B2 (ja) | 固体電解質用材料 | |
CN103787653B (zh) | 一种碳改性CaCu3Ti4O12高介电材料的制备方法 | |
CN105732025B (zh) | 一种钛酸铋钠基x9r型多层陶瓷电容器材料及其器件制备方法 | |
CN105869887B (zh) | 一种x9r高温稳定多层陶瓷电容器瓷浆及其器件制备方法 | |
CN111039671B (zh) | 一种用于制备陶瓷材料的复合物及其制备方法和陶瓷电容器 | |
CN104030679B (zh) | 一种还原气氛烧结的BaTiO3基无铅PTC热敏电阻陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103626489B (zh) | 一种低温烧结叠层片式钛酸钡热敏陶瓷的制备方法 | |
CN106145933A (zh) | 一种高居里温度(Tc > 190℃)低铅PTCR陶瓷材料制备方法 | |
CN106587997A (zh) | 一种SrTiO3基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法 | |
CN105924155A (zh) | 无铅压电陶瓷材料和无铅压电元件 | |
CN111484325A (zh) | 一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
CN107903055B (zh) | 一种梯度掺杂钛酸铋钠基多层无铅压电陶瓷 | |
CN104311002A (zh) | 一种BaTiO3基陶瓷及其制备方法 | |
CN110015894A (zh) | 一种高温下介电稳定的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法和应用 | |
CN107759215A (zh) | 制备巨介电常数低损耗陶瓷电容器的方法 | |
CN102887704B (zh) | 一种无铅高居里温度ptcr陶瓷材料及制备方法 | |
CN104261817B (zh) | CaCu3Ti4O12体系多层陶瓷电容器及其制备方法 | |
CN104496467A (zh) | 高居里温度bt-bkt体系无铅ptcr陶瓷材料及制备和应用 | |
CN102515755A (zh) | 一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜及制备方法 | |
CN113511893B (zh) | 一种bnt基三层结构的高储能密度陶瓷及其制备方法 | |
CN105669193A (zh) | 铌酸钾钠锂钛酸钡基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法 | |
CN104817322B (zh) | 一种温度稳定型电容器陶瓷材料Sr4EuTiNb9O30及其制备方法 | |
CN101798214A (zh) | (Na1/2Bi1/2)TiO3/BaTiO3陶瓷介质材料及其电容器的制备方法 | |
CN107500756A (zh) | 一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160907 Termination date: 20201218 |