JP2018184343A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- キルン中で未焼結コージエライトハニカムセラミック体を焼成するための方法において、前記方法が、
ａ）室温から、３７５℃〜５００℃の範囲にある第一の温度まで、９０℃／時間〜１２５℃／時間の範囲にある第一の加熱速度で、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を加熱する工程と、
ｂ）前記第一の温度から、７５０℃〜８５０℃の範囲にある第二の温度まで、２０℃／時間〜７５℃／時間の範囲にある第二の加熱速度で、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を加熱する工程と、
ｃ）前記第二の温度から、９５０℃〜１１００℃の範囲にある保持温度まで、前記第二の加熱速度以下である第三の加熱速度で、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を加熱する工程と、
ｄ）前記保持温度で前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体を保持して残留炭素を除去する工程と、
を有してなり、前記未焼結コージエライトハニカムセラミック体が、９インチ（２３ｃｍ）〜１２インチ（３０ｃｍ）の範囲の直径と、０．７５〜１．５０の範囲のアスペクト比を有するものであることを特徴とする、方法。 - 前記第三の加熱速度が２０℃／時間〜５０℃／時間の範囲にあることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 工程ａ）における酸素レベルをキルン雰囲気の４体積％〜１５体積％の範囲に調整することを更に含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
- 工程ｄ）における酸素レベルをキルン雰囲気の７体積％〜１２体積％の範囲に調整することを特徴とする、請求項１から３いずれか１項に記載の方法。
- 工程ａ）〜工程ｃ）において蒸気を前記キルン中に導入することを更に含み、工程ａ）〜工程ｃ）における蒸気の量がキルン雰囲気の３０％未満であることを特徴とする、請求項１から４いずれか１項に記載の方法。
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